JPH05314940A - イオンビ−ム応用装置のイオン源 - Google Patents
イオンビ−ム応用装置のイオン源Info
- Publication number
- JPH05314940A JPH05314940A JP4115651A JP11565192A JPH05314940A JP H05314940 A JPH05314940 A JP H05314940A JP 4115651 A JP4115651 A JP 4115651A JP 11565192 A JP11565192 A JP 11565192A JP H05314940 A JPH05314940 A JP H05314940A
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- Japan
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- ionization chamber
- gas
- ion
- ion beam
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 多価イオンや分子イオン等のイオンビ−ムを
多量かつ安定に取り出すことができ、さらに洩れガスに
よる真空容器内部の汚染や加速電極等の絶縁破壊を防止
し、イオン化のガス効率を向上してガス消費量を低減
し、真空排気系の負担を削減することのできるイオンビ
−ム応用装置のイオン源を提供する。 【構成】 イオン化室のイオンビ−ム出射口の開口面積
を制御する。このため、上記出射口を移動可能なスリッ
トにより構成し、上記スリットを熱膨張部材により支持
し、これを加熱するしてスリットを開閉するようにす
る。また、上記スリットを電歪部材により支持し、上記
電歪部材に印加する電圧により開口面積を制御するよう
にする。
多量かつ安定に取り出すことができ、さらに洩れガスに
よる真空容器内部の汚染や加速電極等の絶縁破壊を防止
し、イオン化のガス効率を向上してガス消費量を低減
し、真空排気系の負担を削減することのできるイオンビ
−ム応用装置のイオン源を提供する。 【構成】 イオン化室のイオンビ−ム出射口の開口面積
を制御する。このため、上記出射口を移動可能なスリッ
トにより構成し、上記スリットを熱膨張部材により支持
し、これを加熱するしてスリットを開閉するようにす
る。また、上記スリットを電歪部材により支持し、上記
電歪部材に印加する電圧により開口面積を制御するよう
にする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体ウエハ加工用等の
イオンビ−ム応用装置に係り、とくにそのイオンビ−ム
の引き出し特性を適正に制御することのできるイオン打
ち込み装置やＣＶＤ装置等に関する。
イオンビ−ム応用装置に係り、とくにそのイオンビ−ム
の引き出し特性を適正に制御することのできるイオン打
ち込み装置やＣＶＤ装置等に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のイオン打ち込み装置やエッチング
装置等の半導体製造装置においてはマイクロ波イオン源
がフィラメントレスで長寿命なため多く用いられている 特公昭５９−１６７０号公報にはマイクロ波発生器によ
り２．４５ＧＨｚのマイクロ波をイオン化室内に導入し
てソレノイドコイルによりこのマイクロ波電界に直交す
る方向に磁界を発生し、バリアブルリ−クバルブやマス
フロ−コントロ−ラ等によりイオン化室内に導入された
ＡｓＨ3、ＰＨ3、ＢＦ3等の試料ガスを上記マイクロ波
電界と磁界との相互作用によりプラズマ化するようにす
ることが開示されている。また、上記イオン化室内で生
成された高密度のプラズマを出射口より引き出して半導
体加工に利用するようにしていた。
装置等の半導体製造装置においてはマイクロ波イオン源
がフィラメントレスで長寿命なため多く用いられている 特公昭５９−１６７０号公報にはマイクロ波発生器によ
り２．４５ＧＨｚのマイクロ波をイオン化室内に導入し
てソレノイドコイルによりこのマイクロ波電界に直交す
る方向に磁界を発生し、バリアブルリ−クバルブやマス
フロ−コントロ−ラ等によりイオン化室内に導入された
ＡｓＨ3、ＰＨ3、ＢＦ3等の試料ガスを上記マイクロ波
電界と磁界との相互作用によりプラズマ化するようにす
ることが開示されている。また、上記イオン化室内で生
成された高密度のプラズマを出射口より引き出して半導
体加工に利用するようにしていた。
【０００３】また、特開昭６３−１２４３５４号公報に
は、イオン化室から取り出されたイオンビ−ムを質量分
析部の下流に設けた可変スリットを通過させて試料に対
するイオンビ−ムの照射量を制御することが開示されて
いるが、イオン化室にて多価イオンや分子イオン等のプ
ラズマを効率良く生成してそのイオンビ−ムをガスとの
衝突少なく取り出す方法については開示されていない。
は、イオン化室から取り出されたイオンビ−ムを質量分
析部の下流に設けた可変スリットを通過させて試料に対
するイオンビ−ムの照射量を制御することが開示されて
いるが、イオン化室にて多価イオンや分子イオン等のプ
ラズマを効率良く生成してそのイオンビ−ムをガスとの
衝突少なく取り出す方法については開示されていない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記従来装置において
はイオン化室からイオンビ−ムを安定に引き出すことが
重要な課題になっている。また、最近のイオン打ち込み
装置においては、上記イオン化室から引き出すイオンビ
−ム量が増えており、さらに、半導体ウエハ処理法の多
様化に伴って多価イオンや分子イオン等が用いられるこ
とが増えている。これに伴ってこのようなイオンビ−ム
をマイクロ波イオン源から長時間安定に取り出すための
制御法を確立することが課題となっている。
はイオン化室からイオンビ−ムを安定に引き出すことが
重要な課題になっている。また、最近のイオン打ち込み
装置においては、上記イオン化室から引き出すイオンビ
−ム量が増えており、さらに、半導体ウエハ処理法の多
様化に伴って多価イオンや分子イオン等が用いられるこ
とが増えている。これに伴ってこのようなイオンビ−ム
をマイクロ波イオン源から長時間安定に取り出すための
制御法を確立することが課題となっている。
【０００５】しかし、従来装置はシングル（単分子）イ
オンに特化されているため、これにより十分な量の多価
イオンや分子イオン等を得ようとすると、イオン源の最
適動作状態が大幅に異なるため、十分な量のイオンを得
ることが出来なかった。一般に多価イオンはシングルイ
オンの場合に比べてガス流量を少なくして生成するが、
従来装置ではガス流量を下げるとプラズマが消滅すると
いう問題があった。
オンに特化されているため、これにより十分な量の多価
イオンや分子イオン等を得ようとすると、イオン源の最
適動作状態が大幅に異なるため、十分な量のイオンを得
ることが出来なかった。一般に多価イオンはシングルイ
オンの場合に比べてガス流量を少なくして生成するが、
従来装置ではガス流量を下げるとプラズマが消滅すると
いう問題があった。
【０００６】このため、ガス流量をプラズマの維持が可
能な程度に下げると、プラズマイオン化室内で作られた
多価イオンが中性粒子と衝突して非イオン化される確率
が高くなり所要のイオンビ−ム量が得られなかった。ま
た、ガス流量を増してプラズマを維持するようにする
と、ガスがイオン化される割合、すなわちガス効率が悪
くなるいというという問題があった。ガス効率が悪いと
イオンビ−ムに伴ってイオン源から中性のガス分子が流
出しイオンビ−ムの加速を困難にする。さらに上記ガス
分子がイオン加速部等の真空度を低下させるので異常放
電が発生しやすくなる。
能な程度に下げると、プラズマイオン化室内で作られた
多価イオンが中性粒子と衝突して非イオン化される確率
が高くなり所要のイオンビ−ム量が得られなかった。ま
た、ガス流量を増してプラズマを維持するようにする
と、ガスがイオン化される割合、すなわちガス効率が悪
くなるいというという問題があった。ガス効率が悪いと
イオンビ−ムに伴ってイオン源から中性のガス分子が流
出しイオンビ−ムの加速を困難にする。さらに上記ガス
分子がイオン加速部等の真空度を低下させるので異常放
電が発生しやすくなる。
【０００７】また、イオンビ−ムとガスとの衝突により
電荷交換が行なわれ多数の電子が発生する。この電子は
イオンビ−ムとは電荷の極性が逆なため、イオンビ−ム
とは逆方向に加速されて加速電極に衝突してこれを加熱
する。さらに、電子は加速の途中でガス分子に衝突して
電離するので電子の数は増倍され上記電極はますます加
熱され、ついには電極を破壊するようになる。本発明の
目的は上記の問題を改善して、イオン化室内では多価イ
オンや分子イオン等のプラズマ維持に十分なガス圧を維
持し、イオン化室からはガスの流出少ない状態で十分な
イオンビ−ムを取り出すことのできるイオンビ−ム応用
装置のイオン源を提供することにある。
電荷交換が行なわれ多数の電子が発生する。この電子は
イオンビ−ムとは電荷の極性が逆なため、イオンビ−ム
とは逆方向に加速されて加速電極に衝突してこれを加熱
する。さらに、電子は加速の途中でガス分子に衝突して
電離するので電子の数は増倍され上記電極はますます加
熱され、ついには電極を破壊するようになる。本発明の
目的は上記の問題を改善して、イオン化室内では多価イ
オンや分子イオン等のプラズマ維持に十分なガス圧を維
持し、イオン化室からはガスの流出少ない状態で十分な
イオンビ−ムを取り出すことのできるイオンビ−ム応用
装置のイオン源を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、イオン化室のイオンビ−ム出射口の開口面積を制御
するようにする。このため、上記出射口を移動可能なス
リットにより構成し、上記スリットを支持する熱膨張部
材と、上記熱膨張部材を加熱する手段とを備えるように
する。また、上記スリットを電歪部材により支持し、上
記電歪部材に印加する電圧により開口面積を制御するよ
うにする。また、上記ガスを磁場中のマイクロ波放電に
よりプラズマ化するようにする。
に、イオン化室のイオンビ−ム出射口の開口面積を制御
するようにする。このため、上記出射口を移動可能なス
リットにより構成し、上記スリットを支持する熱膨張部
材と、上記熱膨張部材を加熱する手段とを備えるように
する。また、上記スリットを電歪部材により支持し、上
記電歪部材に印加する電圧により開口面積を制御するよ
うにする。また、上記ガスを磁場中のマイクロ波放電に
よりプラズマ化するようにする。
【０００９】
【作用】上記イオンビ−ム出射口の開口面積の制御によ
り、イオン化室内のガス圧を多価イオンおよび分子イオ
ンの生成に適した圧力に高め、同時にイオン化室から洩
れ出るガスの流量を低減する。また、上記熱膨張部材は
加熱量に応じて出射口スリットを移動し出射口の開口面
積を制御する。また、上記電歪部材は印加電圧に応じて
出射口スリットを移動し出射口の開口面積を制御する。
また、磁場中のマイクロ波放電により上記ガスがプラズ
マ化される。
り、イオン化室内のガス圧を多価イオンおよび分子イオ
ンの生成に適した圧力に高め、同時にイオン化室から洩
れ出るガスの流量を低減する。また、上記熱膨張部材は
加熱量に応じて出射口スリットを移動し出射口の開口面
積を制御する。また、上記電歪部材は印加電圧に応じて
出射口スリットを移動し出射口の開口面積を制御する。
また、磁場中のマイクロ波放電により上記ガスがプラズ
マ化される。
【００１０】
【実施例】図１は本発明によるイオン源実施例の断面図
である。イオン化室３には試料ガスがバリアブルリ−ク
バルブ（またはマスフロ−コントロ−ラ）５により流量
を調整されて導入され、同時にマグネトロン１が発生す
るマイクロ波２が導入され、ソレノイドコイル４による
磁場が印加される。上記磁場とマイクロ波２の電場との
相互作用により試料ガスは放電を開始してプラズマ６が
形成される。上記磁場とマイクロ波電場の大きさはそれ
ぞれソレノイドコイル４の電流とマグネトロン１の陽極
電流により調整される。
である。イオン化室３には試料ガスがバリアブルリ−ク
バルブ（またはマスフロ−コントロ−ラ）５により流量
を調整されて導入され、同時にマグネトロン１が発生す
るマイクロ波２が導入され、ソレノイドコイル４による
磁場が印加される。上記磁場とマイクロ波２の電場との
相互作用により試料ガスは放電を開始してプラズマ６が
形成される。上記磁場とマイクロ波電場の大きさはそれ
ぞれソレノイドコイル４の電流とマグネトロン１の陽極
電流により調整される。
【００１１】イオン化室３内のプラズマ６は電極７によ
り吸引されて出射口８より真空容器１１内に出射してイ
オンビ−ム９となりウエハ１０に照射される。また、真
空容器１１はイオンビ−ム９を通過させるためのビ−ム
ラインの一部として形成されたりする。
り吸引されて出射口８より真空容器１１内に出射してイ
オンビ−ム９となりウエハ１０に照射される。また、真
空容器１１はイオンビ−ム９を通過させるためのビ−ム
ラインの一部として形成されたりする。
【００１２】出射口８より試料ガスが洩れ出るとガス分
子との衝突によりイオンビ−ム９が損失し、また試料ガ
スの付着によりウエハ１０が汚染されるので、真空容器
１１内はできるだけ高真空に保つ必要がある。このた
め、図１においてはイオン化室３内を真空ポンプ１２に
より排気する。一方、十分なイオンビ−ム９を得るため
にはイオンイオン化室３内のガス圧を上げる必要があ
り、ガス圧を上げると真空容器１１内の高真空度が低下
するという問題が発生する。
子との衝突によりイオンビ−ム９が損失し、また試料ガ
スの付着によりウエハ１０が汚染されるので、真空容器
１１内はできるだけ高真空に保つ必要がある。このた
め、図１においてはイオン化室３内を真空ポンプ１２に
より排気する。一方、十分なイオンビ−ム９を得るため
にはイオンイオン化室３内のガス圧を上げる必要があ
り、ガス圧を上げると真空容器１１内の高真空度が低下
するという問題が発生する。
【００１３】本発明では出射口８の（流体）コンダクタ
ンスを制御してイオン化室３内のガス圧を高めると同時
に真空容器１１内の真空度も高めるようにする。すなわ
ち、出射口８を適正に絞って真空容器１１から洩れ出る
ガス流量が少なくなるようにする。イオン化室３内の圧
力をＰ1、真空容器１１内の圧力をＰ2、出射口８のコン
ダクタンスをＣとすると、真空容器１１から洩れ出るガ
ス流量Ｑは Ｑ＝Ｃ（Ｐ1−Ｐ2） ≒ＣＰ1 ……ただし、Ｐ1＞＞Ｐ2にて （１） であたえられる。
ンスを制御してイオン化室３内のガス圧を高めると同時
に真空容器１１内の真空度も高めるようにする。すなわ
ち、出射口８を適正に絞って真空容器１１から洩れ出る
ガス流量が少なくなるようにする。イオン化室３内の圧
力をＰ1、真空容器１１内の圧力をＰ2、出射口８のコン
ダクタンスをＣとすると、真空容器１１から洩れ出るガ
ス流量Ｑは Ｑ＝Ｃ（Ｐ1−Ｐ2） ≒ＣＰ1 ……ただし、Ｐ1＞＞Ｐ2にて （１） であたえられる。
【００１４】従来装置ではコンダクタンスＣの値を適切
に絞れなかったため、イオン化室３内のガス圧Ｐ1を上
げるには流量Ｑを増加させる必要があった。このことは
真空容器１１内の圧力Ｐ2は真空ポンプ１２の排気速度
をＳEとし、真空容器１１の壁が吸着するガスの放出を
無視すると、 Ｐ2＝Ｑ／ＳE （２） で与えられるので、真空容器１１内の圧力上昇につなが
るという問題があった。これに対して本発明ではＣを絞
ってＰ1を上げるので流量Ｑの増加を防止することがで
き、真空容器１１内の圧力Ｐ2は上昇しなくてすむ。
に絞れなかったため、イオン化室３内のガス圧Ｐ1を上
げるには流量Ｑを増加させる必要があった。このことは
真空容器１１内の圧力Ｐ2は真空ポンプ１２の排気速度
をＳEとし、真空容器１１の壁が吸着するガスの放出を
無視すると、 Ｐ2＝Ｑ／ＳE （２） で与えられるので、真空容器１１内の圧力上昇につなが
るという問題があった。これに対して本発明ではＣを絞
ってＰ1を上げるので流量Ｑの増加を防止することがで
き、真空容器１１内の圧力Ｐ2は上昇しなくてすむ。
【００１５】また、プラズマ６の生成条件を幅広く制御
する場合には、上記コンダクタンスＣの制御と同時にバ
リアブルリ−クバルブ５によるガス流量Ｑの制御を併用
するようにする。図１においては出射口８の開口面積を
スリット１３１と同１３２により変えてコンダクタンス
Ｃを制御する。スリット１３１と同１３２はそれぞれヒ
−タ１４１と１４２が巻きつけられた熱膨張軸により固
定され、各ヒ−タ１４１、１４２等の電流を調整するこ
とにより上記各熱膨張軸の熱膨張長さを制御し出射口８
の開口面積を適切に設定する。上記ヒ−タの温度は熱電
対１４３により検出されて温度設定器１４４が出力する
温度設定値と比較され、温度差に比例する電流が各ヒ−
タに流される。
する場合には、上記コンダクタンスＣの制御と同時にバ
リアブルリ−クバルブ５によるガス流量Ｑの制御を併用
するようにする。図１においては出射口８の開口面積を
スリット１３１と同１３２により変えてコンダクタンス
Ｃを制御する。スリット１３１と同１３２はそれぞれヒ
−タ１４１と１４２が巻きつけられた熱膨張軸により固
定され、各ヒ−タ１４１、１４２等の電流を調整するこ
とにより上記各熱膨張軸の熱膨張長さを制御し出射口８
の開口面積を適切に設定する。上記ヒ−タの温度は熱電
対１４３により検出されて温度設定器１４４が出力する
温度設定値と比較され、温度差に比例する電流が各ヒ−
タに流される。
【００１６】図２は本発明の他の実施例断面図であり、
図１とは出射口８の開口面積の制御方法が異なってい
る。スリット１３１と同１３２はそれぞれ例えば電歪素
子よりなる軸１５１、１５２に連結されて固定され、こ
の電歪素子に印加する電圧により出射口８の開口面積を
制御するようにする。
図１とは出射口８の開口面積の制御方法が異なってい
る。スリット１３１と同１３２はそれぞれ例えば電歪素
子よりなる軸１５１、１５２に連結されて固定され、こ
の電歪素子に印加する電圧により出射口８の開口面積を
制御するようにする。
【００１７】図３、図４はそれぞれ本発明による出射口
８の断面図例であり、図１、２等に適用することが出来
る。図３においては、スリット１６１と同１６２にはそ
れぞれ複数の開口部が設けられ、両者を反対方向に移動
することにより同図（ｂ）に示すように、出射口８の開
口面積を制御する。図４は図３における各スリットを複
数の開口部を有する板にした場合であり、同様にスリッ
ト１６１と同１６２を反対方向に移動することにより同
図（ｂ）に示すように、出射口８の開口面積を制御す
る。
８の断面図例であり、図１、２等に適用することが出来
る。図３においては、スリット１６１と同１６２にはそ
れぞれ複数の開口部が設けられ、両者を反対方向に移動
することにより同図（ｂ）に示すように、出射口８の開
口面積を制御する。図４は図３における各スリットを複
数の開口部を有する板にした場合であり、同様にスリッ
ト１６１と同１６２を反対方向に移動することにより同
図（ｂ）に示すように、出射口８の開口面積を制御す
る。
【００１８】
【発明の効果】本発明においては、イオン化室出射口の
コンダクタンス制御によりイオン化室内のガス圧を高
め、同時に真空容器内の真空度も高めて真空容器から洩
れ出るガス流量を低減するので、従来装置では困難であ
った多価イオンや分子イオン等のイオンビ−ムを多量か
つ安定に取り出すことのできるイオンビ−ム応用装置の
イオン源を提供することができる。さらに、上記真空容
器から洩れ出るガスによる真空容器内部の汚染を防止
し、加速電極等の絶縁破壊を防止することが出来る。ま
た、イオン化のガス効率を向上してガス消費量を低減
し、真空排気系の負担を削減することができる。
コンダクタンス制御によりイオン化室内のガス圧を高
め、同時に真空容器内の真空度も高めて真空容器から洩
れ出るガス流量を低減するので、従来装置では困難であ
った多価イオンや分子イオン等のイオンビ−ムを多量か
つ安定に取り出すことのできるイオンビ−ム応用装置の
イオン源を提供することができる。さらに、上記真空容
器から洩れ出るガスによる真空容器内部の汚染を防止
し、加速電極等の絶縁破壊を防止することが出来る。ま
た、イオン化のガス効率を向上してガス消費量を低減
し、真空排気系の負担を削減することができる。
【図１】本発明によるイオン源実施例の断面図である。
【図２】本発明による他のイオン源実施例の断面図であ
る。
る。
【図３】本発明に用いるイオン化室開口部のスリットの
断面図ならびに上面図である。
断面図ならびに上面図である。
【図４】本発明に用いるイオン化室開口部の他のスリッ
トの断面図ならびに上面図である。
トの断面図ならびに上面図である。
１…マグネトロン、２…マイクロ波、３…イオン化室、
４…ソレノイドコイル、５…バリアブルリ−クバルブ、
６…プラズマ、７…電極、８…出射口、９…イオンビ−
ム、１０…ウエハ、１１…真空容器、１２…真空ポン
プ、１３１、１６１、１７１…スリット、１４１…ヒ−
タ、１４３…熱電対、１４４…温度設定器、１５１…
軸、１５３…電圧設定器。
４…ソレノイドコイル、５…バリアブルリ−クバルブ、
６…プラズマ、７…電極、８…出射口、９…イオンビ−
ム、１０…ウエハ、１１…真空容器、１２…真空ポン
プ、１３１、１６１、１７１…スリット、１４１…ヒ−
タ、１４３…熱電対、１４４…温度設定器、１５１…
軸、１５３…電圧設定器。
Claims (4)
- 【請求項１】 イオン化室とイオン化室に導入されたガ
スをプラズマ化する手段と、イオン化室内のプラズマか
らイオンを引き出すための出射口とを備えたイオンビ−
ム応用装置のイオン源において、上記出射口の開口面積
を制御する手段を備えたことを特徴とするイオンビ−ム
応用装置のイオン源。 - 【請求項２】 請求項１において、上記出射口を移動可
能なスリットにより構成し、上記スリットを支持する熱
膨張部材と、上記熱膨張部材を加熱する手段とを備えた
ことを特徴とするイオンビ−ム応用装置のイオン源。 - 【請求項３】 請求項１において、上記出射口を移動可
能なスリットにより構成し、上記スリットを支持する電
歪部材と、上記電歪部材に電圧を印加する手段とを備え
たことを特徴とするイオンビ−ム応用装置のイオン源。 - 【請求項４】 請求項１ないし３のいずれかにおいて、
上記ガスをプラズマ化する手段を磁場中のマイクロ波放
電によりプラズマ化するようにしたことを特徴とするイ
オンビ−ム応用装置のイオン源。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4115651A JPH05314940A (ja) | 1992-05-08 | 1992-05-08 | イオンビ−ム応用装置のイオン源 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4115651A JPH05314940A (ja) | 1992-05-08 | 1992-05-08 | イオンビ−ム応用装置のイオン源 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05314940A true JPH05314940A (ja) | 1993-11-26 |
Family
ID=14667921
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4115651A Pending JPH05314940A (ja) | 1992-05-08 | 1992-05-08 | イオンビ−ム応用装置のイオン源 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05314940A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002365195A (ja) * | 2001-06-05 | 2002-12-18 | Japan Science & Technology Corp | プローブ及びその製造方法 |
| JP2011519137A (ja) * | 2008-04-24 | 2011-06-30 | アクセリス テクノロジーズ， インコーポレイテッド | 調節可能な開口部を備えたイオン源 |
| CN102232241A (zh) * | 2008-12-04 | 2011-11-02 | 瓦里安半导体设备公司 | 离子植入控制的激发气体注入 |
| JP2013020954A (ja) * | 2011-07-13 | 2013-01-31 | Fei Co | 誘導結合プラズマ（ｉｃｐ）イオン源内において異なる処理ガスを迅速に切り替える方法および構造 |
-
1992
- 1992-05-08 JP JP4115651A patent/JPH05314940A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002365195A (ja) * | 2001-06-05 | 2002-12-18 | Japan Science & Technology Corp | プローブ及びその製造方法 |
| JP2011519137A (ja) * | 2008-04-24 | 2011-06-30 | アクセリス テクノロジーズ， インコーポレイテッド | 調節可能な開口部を備えたイオン源 |
| CN102232241A (zh) * | 2008-12-04 | 2011-11-02 | 瓦里安半导体设备公司 | 离子植入控制的激发气体注入 |
| US8501624B2 (en) | 2008-12-04 | 2013-08-06 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Excited gas injection for ion implant control |
| US9018829B2 (en) | 2008-12-04 | 2015-04-28 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Excited gas injection for ion implant control |
| JP2013020954A (ja) * | 2011-07-13 | 2013-01-31 | Fei Co | 誘導結合プラズマ（ｉｃｐ）イオン源内において異なる処理ガスを迅速に切り替える方法および構造 |
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