JPS6271147A - 蒸発炉付イオン源 - Google Patents

蒸発炉付イオン源

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JPS6271147A
JPS6271147A JP21000285A JP21000285A JPS6271147A JP S6271147 A JPS6271147 A JP S6271147A JP 21000285 A JP21000285 A JP 21000285A JP 21000285 A JP21000285 A JP 21000285A JP S6271147 A JPS6271147 A JP S6271147A
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evaporation
evaporation furnace
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ionization box
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Toshimichi Taya
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は,固体または液体を気化してイオン化する蒸発
炉付イオン源に係り,特に半導体製造工程において用い
られるイオン打込装置に好適な蒸発炉イオン源に関する
〔発明の背景〕
10mA級の大電流のイオンビームを半導体基板に打込
むための大電流用イオン打込装置では、イオン源として
フィラメントを用いる場合には。
その消耗が激しいという問題がある為に、フィラメント
から発生される熱電子によるイオン化の代わりに、マイ
クロ波の高周波電界によるプラズマ放電を利用したイオ
ン源が用いられている。
第4図に.従来のマイクロ波放電型イオン源の概略断面
図を示す。
マグネトロン8によって発生されたマイクロ波13は、
チョークフランジ14を通して、高電圧加速電極10に
導びかれ、イオン化箱2に達する。
イオン化箱2には、励磁コイル12によって磁界が印加
されると共に、ガス導入パイプ9より原料ガスが供給さ
れる。その結果、イオン化箱内2にプラズマが点火され
、これによって前記原料ガスがイオン化される。
さらに、接地電位に近い引出電圧のかかった引出電極1
5によって、イオンビーム7が引出され。
例えばイオン打込みに利用される。
この場合、良く知られているように、イオン種によって
は、常温では固体(または液体)の試料(たとえば、A
 Q”* G a 4g P”g A s”HS b”
等)が用いられることがある。
これらの固体または液体試料をイオン化するために、第
4図に示したような従来のイオン源では、図中の蒸発炉
1内に固体(または液体)試料3を装填し、ヒータ4で
加熱して気化させ、得られた気化ガスを第2のガス導入
パイプ11によりイオン化箱2に導入してイオン化させ
ていた。
また、第5図は従来のフィラメント加熱型イオン源の要
部断面図である。なお、同図において第4図と同一の符
号は、同一または同等部分をあられしている。
内部に固体または液体試料3を装填されるように構成さ
れた蒸発炉1は、その周囲に配設されたヒータ4によっ
て加熱される。加熱の温度は熱電対等の温度計18によ
って監視され、所定値に制御・保持される。
固体または液体試料3が蒸発すると、その気化ガスは、
ガス導入パイプ11を通してイオン化箱2内に導かれる
。前記イオン化箱2内には、フィラメント19が張設さ
れている。前記フィラメント19に通電してこれを加熱
すると、熱電子20がイオン化箱2内に放出され、これ
が前記気化ガスと衝突してイオンを発生する。
第5図においては1図の簡単化のために図示は省略して
いるが、イオン化箱2には外部から磁場が印加されて、
熱電子20に回転力を与え、気化ガスとの衝突確率を上
げるようにしている。
前述のようにして発生したイオンは、引出電極(図示せ
ず)によって引出され、イオンビーム7となる。
前述のように、従来のイオン源では、マイクロ波放電型
も含めて、蒸発炉は1台しか設けられない構成であった
。この場合の問題点は次の通りである。
異なるイオン種(例えば、As+、Pつの試料を同時に
装填することができないので、異なるイオンを連続して
発生させることができない。
このために、異なるイオン種が必要な場合は。
ある固定または液体試料のイオンを発生させた後、蒸発
炉とイオン源が冷却するのを待って真空を破り、他のイ
オン種の試料を挿入して再び真空を引き、さらに蒸発炉
を昇温し、ビームを引出すという操作が必要となる。こ
の間に1通常は約2時間の装置停止時間を要する。
このために作業能率が低下するばかりでなく。
イオン源の稼動率も低下する。
また、所望量のイオン打込みが終了しないうちに、蒸発
炉の固体または液体試料が無くなってしまった場合にも
、前記と同様の操作を行って試料の再装填を行わなけれ
ばならず、同様に作業能率および装置の稼動率低下を余
儀なくされる。
〔発明の目的〕
本発明は、上記のような問題点を解決するためになされ
たもので、その目的は、複数の蒸発炉を装着可能とした
イオン源を提供することにある。
〔発明の概要〕
前記の目的を達成するために、本発明は、従来のフィラ
メント型およびマイクロ波放電型のいずれのイオン源に
おいても、その内部に複数の蒸発炉を設置するスペース
が残されていることに着目し、既存のスペースを巧みに
利用して複数の蒸発炉を装備した点に特徴がある。
〔発明の実施例〕
本発明をマイクロ波放電型イオン源に適用した実施例の
要部構造の断面図を第1図に示す。なお、同図中第4図
と同一の符号は、同一または同等部分をあられしている
図からも明らかなように、イオン源の中心部には、マイ
クロ波を伝播する絶縁物16のつまった導波管部がある
ので1本発明による複数の蒸発炉LA、IB等は、前記
導波管部の周辺に設置される。そして、これらの蒸発炉
LA、IBの構造は、全く同じであってよい。
第1図のイオン源のフランジ部17の平面図(フランジ
部17を、第1図の左方向から見た平面図)を第2図に
示す。この図において、17はイオン源のフランジ部、
22はマイクロ波導波管開口部、23,24,25.2
6は、前記導波管開口部22の周辺に設けられた複数(
図示例では、4個)の固体または液体用蒸発炉IA、1
B・・・・・・の取付用開口である。
通常の半導体製造に用いられるイオン打込装置では、し
ばしば砒素とリンが固体試料として用いられる。その理
由は、ガス試料としての、As)lδやPH8が有害ガ
スであるからであり、安全上、固体試料が使われるので
ある。
このような場合1本発明のように、複数の蒸発炉を設備
しておき1例えば第2図の蒸発炉取付用開口23.25
をリン用に、また残りの2つの蒸発炉取付用開口24.
26を砒素用に設定しておけば、一方の蒸発炉が空にな
っても、他方の蒸発炉を昇温することにより、連続して
同種のイオン打込が可能になる。
また、異なる2種類の試料をそれぞれの蒸発炉に装填し
ておけば例えばリンイオンの打込が終了した後、砒素イ
オンを打込みたい場合も、連続運転ができるので、製造
能率とイオン打込装置の稼動率を格段に向上することが
できる。
この発明は、フィラメント加熱型イオン源に対しても容
易に適用することができる。その概要を、第3図に断面
図で示す。
なお、同図において、第1図および第5図と同一の符号
は、同一または同等部分をあられしている。
イオン化箱2は、イオン化箱支柱18によって。
筒状の絶縁碍子21内の所定位置に支持される。
前記イオン化箱支柱18はイオン源フランジ17に同値
され、またイオン源フランジ17は絶縁碍子21の端部
に気密に接合される。
イオン化箱支柱18の内部には、ガス導入パイプ9が、
前記イオン化箱2からイオン源フランジ17を貫通して
外方へ延びるように設けられる。
前記イオン化箱支柱18の周囲には、複数の蒸発炉IA
、IB・・・・・・が配設され、それぞれガス導入パイ
プIIA、IIB・・・・・・を介して、前記イオン化
箱2に連結される。
また、それぞれの蒸発炉IA、IB・・・・・・には加
熱用のヒータ4A、4B・・・・・・が設けられ電源に
接続される。
第6図に、更に詳細な本発明の他の実施例として、マイ
クロ波放電形イオン源における。内磁路形イオン源の場
合に、2個の蒸発炉を装着した場合を示す。
図中の番号は、第1図と同一符号は同一物を示すが、励
磁コイル12は加速電圧が印加されるイオン化箱2の周
囲に装着されているのが特徴である。フランジ17.加
速電極10.コイルボビン29、磁極片28A、28B
は磁性体材料であり。
イオン化箱2に磁界を導く役目をしている。このように
励磁コイルをイオン化箱の近傍に設置することにより、
第1図の場合と比べて、加速電圧が印加されたフランジ
17と励磁コイル間の内で放電が無くなり、イオン源全
体がコンパクトになる利点がある。
蒸発炉IA、IBと導入部11A、IIBの周囲にヒー
タ4A、4Bが巻きつけられて加熱する。
蒸発炉のヒータの電源30への切替は、切替スイッチ2
7での接点A、Bを切替えることにより実施される。
夫々の試料3A、3Bの存在する部屋は図から明らかな
ごとく連通しており、1つの真空ポンプで共通に真空引
きされている。そして、予め装着された試料は、ヒータ
4A、4Bの切替のみによって行われる。このため、試
料交換のため改めて真空引きする必要はなく、単にヒー
タ4A、4Bの切替で行われるので、能率が向上する。
〔発明の効果〕
以上の説明から明らかなように、本発明のイオン源によ
れば、従来技術の試料交換にともなう諸問題がはマ完全
に解決される。すなわちイオン打込装置の運転時間が延
び、これによって半導体製造の能率が向上すると共にイ
オン打込装置の稼動率も改善されるので、その工業的価
値は極めて大きい。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明をマイクロ波放電型イオン源に適用した
第1実施例の要部構造の断面図、第2図は第1図のフラ
ンジ部の平面図、第3図は本発明のフィラメント加熱型
のイオン源に適用した第2実施例の要部断面図、第4図
は従来のマイクロ波放電型イオン源の構造を示す断面図
、第5図は従来のフィラメント加熱型イオン源の概略断
面図である。第6図は本発明の他の実施例を示す。 1、IA、IB・・・蒸発炉、2・・・イオン化箱、3
・・・固体(または液体)試料、4・・・ヒータ、7・
・・イオンビーム、8・・・マグネトロン、9.11・
・・ガス導入パイプ、10・・・加速電極、15・・・
引出電極、17・・・フランジ部、18・・・イオン化
箱支柱、22・・・マイクロ波導波管開口部、23〜2
6・・・蒸発炉取付用開口。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、固体あるいは液体の試料をヒータにより加熱して蒸
    発させる蒸発炉と、前記蒸発炉で発生された蒸気をイオ
    ン化箱に導入する手段と、イオン化箱内に導入された前
    記蒸気をイオン化する手段と、前記イオン化箱内のイオ
    ンをイオンビームとして引出す手段とを具備した蒸発炉
    付イオン源において、前記蒸発炉およびイオン化箱への
    蒸気導入手段が複数対設けイオン化箱への試料の切替え
    を各蒸発炉のヒータの切替えにより行うことを特徴とす
    る蒸発炉付イオン源。 2、複数の蒸発炉は、イオン源の軸の周囲に配設された
    ことを特徴とする前記特許請求の範囲第1項記載の発蒸
    炉付イオン源。 3、複数の蒸発炉は、イオン源の軸の周囲にほぼ対称に
    配設されたことを特徴とする前記特許請求の範囲第1項
    記載の蒸発炉イオン源。 4、イオン源がマイクロ波放電型イオン源であることを
    特徴とする前記特許請求の範囲第1項ないし第3項のい
    ずれかに記載の蒸発炉付イオン源。 5、イオン源がフィラメント加熱型イオン源であること
    を特徴とする前記特許請求の範囲第1項ないし第3項の
    いずれかに記載の蒸発炉付イオン源。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62256351A (ja) * 1986-04-30 1987-11-09 Nec Kyushu Ltd 半導体基板イオン注入装置
US6927148B2 (en) 2002-07-15 2005-08-09 Applied Materials, Inc. Ion implantation method and method for manufacturing SOI wafer
US7064049B2 (en) 2002-07-31 2006-06-20 Applied Materials, Inv. Ion implantation method, SOI wafer manufacturing method and ion implantation system

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