JPH07320671A - イオン打込み装置のイオン源および固体ソースの加熱方法 - Google Patents
イオン打込み装置のイオン源および固体ソースの加熱方法Info
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- JPH07320671A JPH07320671A JP6110689A JP11068994A JPH07320671A JP H07320671 A JPH07320671 A JP H07320671A JP 6110689 A JP6110689 A JP 6110689A JP 11068994 A JP11068994 A JP 11068994A JP H07320671 A JPH07320671 A JP H07320671A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 固体ソースＥをマイクロ波で直接的に加熱し
て蒸発させる。 【構成】 固体ソースＥをマイクロ波により加熱して蒸
発させ、これを放電室２６に導入してプラズマ用ガスと
なし、このプラズマからのイオンを引き出すようにした
イオン打込み装置のイオン源３４において、固体ソース
Ｅはマイクロ波発生器２１に接続された固体ソース加熱
用導波管３６内に、マイクロ波の低吸収性素材で形成さ
れた上面開放形のソース皿３７に収納して配置する。
て蒸発させる。 【構成】 固体ソースＥをマイクロ波により加熱して蒸
発させ、これを放電室２６に導入してプラズマ用ガスと
なし、このプラズマからのイオンを引き出すようにした
イオン打込み装置のイオン源３４において、固体ソース
Ｅはマイクロ波発生器２１に接続された固体ソース加熱
用導波管３６内に、マイクロ波の低吸収性素材で形成さ
れた上面開放形のソース皿３７に収納して配置する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は半導体ウエーハの不純
物ドーピングに使用されるイオン打込み装置、特にイオ
ン源の固体ソースをマイクロ波により立上り性よく加
熱、蒸発させるイオン打込み装置のイオン源に関する。
物ドーピングに使用されるイオン打込み装置、特にイオ
ン源の固体ソースをマイクロ波により立上り性よく加
熱、蒸発させるイオン打込み装置のイオン源に関する。
【０００２】
【従来の技術】イオン打込み装置は、Ｂ，Ｐ，Ａｓ等の
不純物原子をイオン化し、これに高いエネルギーを与え
て半導体ウエーハに打ち込み、不純物ドーピングを行う
装置である。イオン打込み技術は拡散法に比べて精密な
ドーピング制御、低温プロセス、フォトレジストを含む
マスキング材の使用など種々の利点がある。
不純物原子をイオン化し、これに高いエネルギーを与え
て半導体ウエーハに打ち込み、不純物ドーピングを行う
装置である。イオン打込み技術は拡散法に比べて精密な
ドーピング制御、低温プロセス、フォトレジストを含む
マスキング材の使用など種々の利点がある。
【０００３】このイオン打込み装置の概要を、図３のイ
オン打込み装置の構成図を用いて説明すると、１はＰ+
やＢ+ 等のイオンを発生するイオン源で、図示しない
が、外部マグネットによる磁界やフィラメント電流によ
る回転磁界をイオン源１の放電室内の電子に作用して目
的イオンを含んだプラズマを発生させる。不純物のソー
スとしては、例えばＢには三フッ化ボロン（ＢＦ3 ）、
Ｐにはフォスヒン（ＰＨ 3 ）などが使用される。このイ
オン源１のプラズマから引出し電極２によって、イオン
ビーム３が引出される。４はイオン源１に連続されたイ
オン分離器で、イオンビーム３に磁界をかけて質量分析
し、所定質量をもった目的イオンのみを分離して取出
す。５は分離したイオンビーム３を加速する加速管５
で、イオンビーム３を例えば１７０ＫｅＶ程度のエネル
ギに加速する。上記イオン源１の出口側から加速管５の
入口側まではチャンバ９内に収納される。６は四極レン
ズからなるイオンビームの収束系であり、イオン打込み
室に配置された半導体ウエーハ７面上にイオンビーム３
を収束させる。また、８、８はイオンビームの走査系で
あり、イオンビーム３の収束点３ａがウエーハ７上全面
を一様に走査するようにする。
オン打込み装置の構成図を用いて説明すると、１はＰ+
やＢ+ 等のイオンを発生するイオン源で、図示しない
が、外部マグネットによる磁界やフィラメント電流によ
る回転磁界をイオン源１の放電室内の電子に作用して目
的イオンを含んだプラズマを発生させる。不純物のソー
スとしては、例えばＢには三フッ化ボロン（ＢＦ3 ）、
Ｐにはフォスヒン（ＰＨ 3 ）などが使用される。このイ
オン源１のプラズマから引出し電極２によって、イオン
ビーム３が引出される。４はイオン源１に連続されたイ
オン分離器で、イオンビーム３に磁界をかけて質量分析
し、所定質量をもった目的イオンのみを分離して取出
す。５は分離したイオンビーム３を加速する加速管５
で、イオンビーム３を例えば１７０ＫｅＶ程度のエネル
ギに加速する。上記イオン源１の出口側から加速管５の
入口側まではチャンバ９内に収納される。６は四極レン
ズからなるイオンビームの収束系であり、イオン打込み
室に配置された半導体ウエーハ７面上にイオンビーム３
を収束させる。また、８、８はイオンビームの走査系で
あり、イオンビーム３の収束点３ａがウエーハ７上全面
を一様に走査するようにする。
【０００４】ところで、上記イオン源１は気体ソースの
場合は直接、キャリヤガスにより容易に放電室に移送で
きるが、固体ソースの場合にはソースを加熱して蒸発さ
せる必要がある。このため、固体ソースの場合には、図
４に示すように、円筒状ケース１０に固体ソースＥを収
納する容器１１を形成したオーブン１２を配設したイオ
ン源１が採用されている。尚、１３はオーブン１２の炉
の回りに巻回されたヒータ、１４はソースガスを移送す
るキャリヤガスの導入配管である。また、１５は容器１
１の先端に突設されたノズルであり、先端部が放電室１
６に連通される。１７は放電室１６に配設された棒状フ
ィラメントで、気化した固体ソースＥのガスをイオン化
する。そして、イオン化されたソースガスは前面に配設
された引出し電極２によって、イオンビーム３となって
引出される。
場合は直接、キャリヤガスにより容易に放電室に移送で
きるが、固体ソースの場合にはソースを加熱して蒸発さ
せる必要がある。このため、固体ソースの場合には、図
４に示すように、円筒状ケース１０に固体ソースＥを収
納する容器１１を形成したオーブン１２を配設したイオ
ン源１が採用されている。尚、１３はオーブン１２の炉
の回りに巻回されたヒータ、１４はソースガスを移送す
るキャリヤガスの導入配管である。また、１５は容器１
１の先端に突設されたノズルであり、先端部が放電室１
６に連通される。１７は放電室１６に配設された棒状フ
ィラメントで、気化した固体ソースＥのガスをイオン化
する。そして、イオン化されたソースガスは前面に配設
された引出し電極２によって、イオンビーム３となって
引出される。
【０００５】かかる固体ソースＥを利用したイオン源１
は、気体ソースが反応性ガスの場合が多く、フィラメン
ト材料が短寿命となるのに対して長寿命が得られる特徴
がある。しかしながら、上記固体ソースＥのイオン源１
はオーブン１２のヒータ１３が断線し易く、固体ソース
Ｅの交換や炉清掃時の取扱いが大変であった。
は、気体ソースが反応性ガスの場合が多く、フィラメン
ト材料が短寿命となるのに対して長寿命が得られる特徴
がある。しかしながら、上記固体ソースＥのイオン源１
はオーブン１２のヒータ１３が断線し易く、固体ソース
Ｅの交換や炉清掃時の取扱いが大変であった。
【０００６】このため、例えば、特開平１−２０６５４
７号公報に示されるように、固体ソースＥの加熱をマイ
クロ波で行うマイクロ波加熱型蒸発炉付イオン源が提案
されている。
７号公報に示されるように、固体ソースＥの加熱をマイ
クロ波で行うマイクロ波加熱型蒸発炉付イオン源が提案
されている。
【０００７】このイオン源２０は、図５に示すように、
マイクロ波発生器２１、分岐導波管２２、マイクロ波パ
ワー調整器２３ａ、２３ｂ、マイクロ波導入フランジ２
４ａ、２４ｂ、放電電極２５、プラズマ室２６、気体ソ
ース導入管２７、蒸発炉加熱用導波管２８、固体ソース
蒸発炉２９、イオンビーム引出し電極３０、磁界発生器
３１などで構成している。
マイクロ波発生器２１、分岐導波管２２、マイクロ波パ
ワー調整器２３ａ、２３ｂ、マイクロ波導入フランジ２
４ａ、２４ｂ、放電電極２５、プラズマ室２６、気体ソ
ース導入管２７、蒸発炉加熱用導波管２８、固体ソース
蒸発炉２９、イオンビーム引出し電極３０、磁界発生器
３１などで構成している。
【０００８】そして、マイクロ波発生器２１で発生した
マイクロ波を、分岐導波管２２、マイクロ波パワー調整
器２３ａ，マイクロ波導入フランジ２４ａを経由して、
放電電極２５内に設置されたプラズマ室２６内に導入し
てマイクロ波電界を発生させる。一方、固体ソース蒸発
炉２９に対しては、分岐導波管２２、マイクロ波パワー
調整器２３ｂ、マイクロ波導入フランジ２４ｂ、蒸発炉
加熱用導波管２８を通してマイクロ波を供給している。
固体ソース蒸発炉２９はカーボン製で形成され、蒸発し
た固体ソースガスを固体ソース導入孔３２よりプラズマ
室２６に導くように構成している。
マイクロ波を、分岐導波管２２、マイクロ波パワー調整
器２３ａ，マイクロ波導入フランジ２４ａを経由して、
放電電極２５内に設置されたプラズマ室２６内に導入し
てマイクロ波電界を発生させる。一方、固体ソース蒸発
炉２９に対しては、分岐導波管２２、マイクロ波パワー
調整器２３ｂ、マイクロ波導入フランジ２４ｂ、蒸発炉
加熱用導波管２８を通してマイクロ波を供給している。
固体ソース蒸発炉２９はカーボン製で形成され、蒸発し
た固体ソースガスを固体ソース導入孔３２よりプラズマ
室２６に導くように構成している。
【０００９】従って、このイオン源２０はプラズマ室２
６内にマイクロ波電界を発生させた状態で、磁界発生器
３１によりプラズマ室２６付近にマイクロ波電界と直交
する方向に磁界を印加し、更に、気体ソース導入管２７
あるいは固体ソース蒸発炉２９からソースガスを導入す
ることにより、プラズマ室２６内に導入ガスのプラズマ
を発生することができ、イオンビーム引出電極３０によ
って上記プラズマからイオンビーム３３が引出される。
即ち、このイオン源２０は１つのマイクロ波発生器２１
で、プラズマの発生と固体ソースＥの蒸発が行え、固体
ソース蒸発炉２９に加熱用ヒータを用いないため、ヒー
タ断線などを生ぜず、固体ソースの交換や炉清掃時の取
扱いの難点が改善される。
６内にマイクロ波電界を発生させた状態で、磁界発生器
３１によりプラズマ室２６付近にマイクロ波電界と直交
する方向に磁界を印加し、更に、気体ソース導入管２７
あるいは固体ソース蒸発炉２９からソースガスを導入す
ることにより、プラズマ室２６内に導入ガスのプラズマ
を発生することができ、イオンビーム引出電極３０によ
って上記プラズマからイオンビーム３３が引出される。
即ち、このイオン源２０は１つのマイクロ波発生器２１
で、プラズマの発生と固体ソースＥの蒸発が行え、固体
ソース蒸発炉２９に加熱用ヒータを用いないため、ヒー
タ断線などを生ぜず、固体ソースの交換や炉清掃時の取
扱いの難点が改善される。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記イ
オン源２０はマイクロ波吸収の良好なカーボン製炉体で
形成した固体ソース蒸発炉２９に固体ソースＥを収納す
る構成で、イオン打込みに際しては、まず固体ソース蒸
発炉２９を所定の高温に加熱させ、加熱された加熱蒸発
炉２９の輻射熱によって固体ソースＥを蒸発させてソー
スガスを作成する。しかし、カーボン製炉体は機械的強
度や脆化性の問題でその肉厚が厚く形成され、質量の大
きなものであった。このため、固体ソース蒸発炉２９の
加熱に時間がかかる上、高温加熱のために大きいマイク
ロ波パワーを要し、出力の大きいマイクロ波発生器２１
が必要とされていた。また、高温加熱したカーボン製炉
体が固体ソースＥと反応して変質したり、機械的強度を
弱めて破損するといった問題があった。
オン源２０はマイクロ波吸収の良好なカーボン製炉体で
形成した固体ソース蒸発炉２９に固体ソースＥを収納す
る構成で、イオン打込みに際しては、まず固体ソース蒸
発炉２９を所定の高温に加熱させ、加熱された加熱蒸発
炉２９の輻射熱によって固体ソースＥを蒸発させてソー
スガスを作成する。しかし、カーボン製炉体は機械的強
度や脆化性の問題でその肉厚が厚く形成され、質量の大
きなものであった。このため、固体ソース蒸発炉２９の
加熱に時間がかかる上、高温加熱のために大きいマイク
ロ波パワーを要し、出力の大きいマイクロ波発生器２１
が必要とされていた。また、高温加熱したカーボン製炉
体が固体ソースＥと反応して変質したり、機械的強度を
弱めて破損するといった問題があった。
【００１１】従って、本発明は上記イオン源の固体ソー
ス蒸発炉のマイクロ波加熱において生じる諸問題に鑑み
なされたものであり、固体ソース蒸発炉自体の加熱や炉
体の変質を伴うことなく固体ソースＥが蒸発できるイオ
ン打込み装置のイオン源を得ることを目的とする。
ス蒸発炉のマイクロ波加熱において生じる諸問題に鑑み
なされたものであり、固体ソース蒸発炉自体の加熱や炉
体の変質を伴うことなく固体ソースＥが蒸発できるイオ
ン打込み装置のイオン源を得ることを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明のイオン打込み装置のイオン源は固体ソース
をマイクロ波により加熱して蒸発させ、これを放電室に
導入してプラズマ用ガスとなし、このプラズマからのイ
オンを引き出すようにしたイオン打込み装置のイオン源
において、前記固体ソースはマイクロ波発生器に接続さ
れた固体ソース加熱用導波管内に配置され、前記マイク
ロ波の低吸収性素材で形成された上面開放のソース皿に
収納されたことを特徴としている。また、本発明のイオ
ン打込み装置のイオン源は 前記ソース皿はアルミナ性磁器で形成されたことを特徴
としている。また、本発明のイオン源の加熱方法は、固
体ソースをマイクロ波により加熱して蒸発させるイオン
打込み装置のイオン源の固体ソースの加熱方法におい
て、前記固体ソースを、該固体ソースのマイクロ波吸収
性より低いマイクロ波吸収性に設定した素材で形成され
た上面開放のソース皿に収納し、前記固体ソースをマイ
クロ波により直接的に加熱することを特徴としている。
め、本発明のイオン打込み装置のイオン源は固体ソース
をマイクロ波により加熱して蒸発させ、これを放電室に
導入してプラズマ用ガスとなし、このプラズマからのイ
オンを引き出すようにしたイオン打込み装置のイオン源
において、前記固体ソースはマイクロ波発生器に接続さ
れた固体ソース加熱用導波管内に配置され、前記マイク
ロ波の低吸収性素材で形成された上面開放のソース皿に
収納されたことを特徴としている。また、本発明のイオ
ン打込み装置のイオン源は 前記ソース皿はアルミナ性磁器で形成されたことを特徴
としている。また、本発明のイオン源の加熱方法は、固
体ソースをマイクロ波により加熱して蒸発させるイオン
打込み装置のイオン源の固体ソースの加熱方法におい
て、前記固体ソースを、該固体ソースのマイクロ波吸収
性より低いマイクロ波吸収性に設定した素材で形成され
た上面開放のソース皿に収納し、前記固体ソースをマイ
クロ波により直接的に加熱することを特徴としている。
【００１３】
【作用】固体ソースはこれを収容した固体ソース蒸発炉
の輻射熱で間接的に加熱されるものではなく、固体ソー
ス自体がマイクロ波によって直接的に加熱される。従っ
て、ソース皿は固体ソースの蒸発温度まで高温に加熱す
る必要がない。また、ソース皿はマイクロ波吸収性の低
いアルミナ製磁器で形成すると、ソース皿が高温に加熱
されず、固体ソースとの反応が押さえられ、破損するこ
ともない。また、ソース皿は上面開放形であり、密閉形
の蒸発炉構造に比べて固体ソースの取換えが更に簡単に
できる。
の輻射熱で間接的に加熱されるものではなく、固体ソー
ス自体がマイクロ波によって直接的に加熱される。従っ
て、ソース皿は固体ソースの蒸発温度まで高温に加熱す
る必要がない。また、ソース皿はマイクロ波吸収性の低
いアルミナ製磁器で形成すると、ソース皿が高温に加熱
されず、固体ソースとの反応が押さえられ、破損するこ
ともない。また、ソース皿は上面開放形であり、密閉形
の蒸発炉構造に比べて固体ソースの取換えが更に簡単に
できる。
【００１４】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して詳述
する。
する。
【００１５】図１は本発明のイオン打込み装置のイオン
源３４の構成を示す図であり、固体ソースＥの加熱源に
マイクロ波を利用したものである。
源３４の構成を示す図であり、固体ソースＥの加熱源に
マイクロ波を利用したものである。
【００１６】この装置のイオン源３４も、前記図５のイ
オン源２０と同様に、マイクロ波発生器２１のマイクロ
波出力を分岐導波管２２により分岐して、プラズマ室２
６と固体ソース室３５に付与して、１つのマイクロ波発
生器２１のマイクロ波出力により、プラズマ室２６のプ
ラズマの発生と固体ソース室３５の固体ソースＥの蒸発
を同時に行えるようにしたものである。
オン源２０と同様に、マイクロ波発生器２１のマイクロ
波出力を分岐導波管２２により分岐して、プラズマ室２
６と固体ソース室３５に付与して、１つのマイクロ波発
生器２１のマイクロ波出力により、プラズマ室２６のプ
ラズマの発生と固体ソース室３５の固体ソースＥの蒸発
を同時に行えるようにしたものである。
【００１７】このイオン源３４において、前記図５のイ
オン源２０と異なる点は固体ソースＥを収容する固体ソ
ース室３５に上面開放形のソース皿３７を配置させ、こ
のソース皿３７に固体ソースＥを開放状態に収納させた
点であり、その他の構成は前記イオン源２０と同様の構
成である。従って、同じ構成部分は図５と同一の参照符
号を付し、その詳細説明を省略する。
オン源２０と異なる点は固体ソースＥを収容する固体ソ
ース室３５に上面開放形のソース皿３７を配置させ、こ
のソース皿３７に固体ソースＥを開放状態に収納させた
点であり、その他の構成は前記イオン源２０と同様の構
成である。従って、同じ構成部分は図５と同一の参照符
号を付し、その詳細説明を省略する。
【００１８】即ち、固体ソース室３５はマイクロ波導入
フランジ２４ｂ、マイクロ波パワー調整器２３ｂ、分岐
導波管２２を介してマイクロ波発生器２１に接続された
固体ソース加熱用導波管３６で構成され、この導波管３
６自体は前記イオン源２０の蒸発炉加熱用導波管２８と
同様に、該導波管３６で構成される固体ソース室３５内
にマイクロ波電界を発生させる。
フランジ２４ｂ、マイクロ波パワー調整器２３ｂ、分岐
導波管２２を介してマイクロ波発生器２１に接続された
固体ソース加熱用導波管３６で構成され、この導波管３
６自体は前記イオン源２０の蒸発炉加熱用導波管２８と
同様に、該導波管３６で構成される固体ソース室３５内
にマイクロ波電界を発生させる。
【００１９】固体ソース加熱用導波管３６は、図２に拡
大図示するように、底面中央部に固体ソースＥを装填し
た上面開放のソース皿３７が配設されると共に、側面角
部に開閉可能な開閉板３６ａが配設され、固体ソースＥ
の交換がなされる。この場合、ソース皿３７は上面開放
形であり、固体ソースＥの消耗補充や新品の交換が容易
にできる。
大図示するように、底面中央部に固体ソースＥを装填し
た上面開放のソース皿３７が配設されると共に、側面角
部に開閉可能な開閉板３６ａが配設され、固体ソースＥ
の交換がなされる。この場合、ソース皿３７は上面開放
形であり、固体ソースＥの消耗補充や新品の交換が容易
にできる。
【００２０】上記ソース皿３７はマイクロ波吸収性の低
い素材、例えばアルミナ製磁器で作成される。また、固
体ソースＥは最終ガス成分が低分子量の結晶で、それ自
体、マイクロ波吸収性が良好で、マイクロ波で効率良く
加熱される、例えば弗化ベリリュウムＢｅＦ2 等の固体
ソースが選定される。
い素材、例えばアルミナ製磁器で作成される。また、固
体ソースＥは最終ガス成分が低分子量の結晶で、それ自
体、マイクロ波吸収性が良好で、マイクロ波で効率良く
加熱される、例えば弗化ベリリュウムＢｅＦ2 等の固体
ソースが選定される。
【００２１】かかる構成において、マイクロ波発生器２
１を作動してマイクロ波を発生し、固体ソース加熱用導
波管３６にマイクロ波を送ると、固体ソース室３５内に
配置され、ソース皿３７に装填された固体ソースＥがマ
イクロ波によって直接的に加熱され、即蒸発する。蒸発
したソースガスは固体ソース導入孔３８を通ってプラズ
マ室２６に導かれ、従来と同様にプラズマ化される。
１を作動してマイクロ波を発生し、固体ソース加熱用導
波管３６にマイクロ波を送ると、固体ソース室３５内に
配置され、ソース皿３７に装填された固体ソースＥがマ
イクロ波によって直接的に加熱され、即蒸発する。蒸発
したソースガスは固体ソース導入孔３８を通ってプラズ
マ室２６に導かれ、従来と同様にプラズマ化される。
【００２２】この場合、ソース皿３７はマイクロ波吸収
性の低い素材のアルミナ製磁器で形成しているから、ソ
ース皿３７自体が高温に加熱されることが防止され、固
体ソースＥと反応して変質したり、機械的強度を弱めて
破損することもない。
性の低い素材のアルミナ製磁器で形成しているから、ソ
ース皿３７自体が高温に加熱されることが防止され、固
体ソースＥと反応して変質したり、機械的強度を弱めて
破損することもない。
【００２３】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば固体ソー
スをマイクロ波吸収性の低い素材のソース皿に収納して
マイクロ波加熱するように構成したから、従来のイオン
源のように、質量の大きい固体ソース蒸発炉などの高温
加熱が不要となり、省電力が得られる上、固体ソース蒸
発炉の炉体の破損などの問題が解消できる。また、固体
ソースがマイクロ波で直接的に加熱されるため、高速処
理がなされる。また、ソース皿は上面開放形であり、固
体ソースの取換え、補充が容易にできる。
スをマイクロ波吸収性の低い素材のソース皿に収納して
マイクロ波加熱するように構成したから、従来のイオン
源のように、質量の大きい固体ソース蒸発炉などの高温
加熱が不要となり、省電力が得られる上、固体ソース蒸
発炉の炉体の破損などの問題が解消できる。また、固体
ソースがマイクロ波で直接的に加熱されるため、高速処
理がなされる。また、ソース皿は上面開放形であり、固
体ソースの取換え、補充が容易にできる。
【図１】本発明のイオン打込み装置のイオン源の概略構
成図
成図
【図２】図１のＡ部の詳細図
【図３】従来のイオン打込み装置の概略構成図
【図４】従来のイオン打込み装置のイオン源の概略構成
図
図
【図５】従来のイオン打込み装置の他のイオン源の概略
構成図
構成図
21 マイクロ波発生器 26 プラズマ室（放電室） 34 イオン源 36 固体ソース加熱用導波管 37 ソース皿 E 固体ソース
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/265
Claims (3)
- 【請求項１】 固体ソースをマイクロ波により加熱して
蒸発させ、これを放電室に導入してプラズマ用ガスとな
し、このプラズマからのイオンを引き出すようにしたイ
オン打込み装置のイオン源において、 前記固体ソースはマイクロ波発生器に接続された固体ソ
ース加熱用導波管内に配置され、前記マイクロ波の低吸
収性素材で形成されたソース皿に収納されたことを特徴
とするイオン打込み装置のイオン源。 - 【請求項２】 前記ソース皿はアルミナ性磁器で形成さ
れたことを特徴とする請求項１記載のイオン打込み装置
のイオン源。 - 【請求項３】 固体ソースをマイクロ波により加熱して
蒸発させるイオン打込み装置のイオン源の固体ソースの
加熱方法において、 前記固体ソースを、該固体ソースのマイクロ波吸収性よ
り低いマイクロ波吸収性に設定した素材で形成されたソ
ース皿に収納し、前記固体ソースをマイクロ波により直
接的に加熱することを特徴とする固体ソースの加熱方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6110689A JPH07320671A (ja) | 1994-05-25 | 1994-05-25 | イオン打込み装置のイオン源および固体ソースの加熱方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6110689A JPH07320671A (ja) | 1994-05-25 | 1994-05-25 | イオン打込み装置のイオン源および固体ソースの加熱方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07320671A true JPH07320671A (ja) | 1995-12-08 |
Family
ID=14541958
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6110689A Pending JPH07320671A (ja) | 1994-05-25 | 1994-05-25 | イオン打込み装置のイオン源および固体ソースの加熱方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07320671A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0913074A1 (en) * | 1996-07-03 | 1999-05-06 | Tegal Corporation | Plasma etch reactor and method for emerging films |
| EP0939972A1 (en) * | 1996-07-03 | 1999-09-08 | Tegal Corporation | Plasma etch reactor and method |
| US6878945B1 (en) | 2003-09-19 | 2005-04-12 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Vaporizer for ion source |
-
1994
- 1994-05-25 JP JP6110689A patent/JPH07320671A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0913074A1 (en) * | 1996-07-03 | 1999-05-06 | Tegal Corporation | Plasma etch reactor and method for emerging films |
| EP0939972A1 (en) * | 1996-07-03 | 1999-09-08 | Tegal Corporation | Plasma etch reactor and method |
| EP0939972A4 (en) * | 1996-07-03 | 2003-11-05 | Tegal Corp | PLASMA DECT REACTOR AND METHOD |
| EP0913074A4 (en) * | 1996-07-03 | 2003-12-03 | Tegal Corp | PROCESS AND REACTOR FOR PLASMA ATTACK FOR HIGHLIGHTS |
| US6905969B2 (en) | 1996-07-03 | 2005-06-14 | Tegal Corporation | Plasma etch reactor and method |
| US6878945B1 (en) | 2003-09-19 | 2005-04-12 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Vaporizer for ion source |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20030812 |