JPH07320671A - イオン打込み装置のイオン源および固体ソースの加熱方法 - Google Patents
イオン打込み装置のイオン源および固体ソースの加熱方法Info
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- JPH07320671A JPH07320671A JP6110689A JP11068994A JPH07320671A JP H07320671 A JPH07320671 A JP H07320671A JP 6110689 A JP6110689 A JP 6110689A JP 11068994 A JP11068994 A JP 11068994A JP H07320671 A JPH07320671 A JP H07320671A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 固体ソースEをマイクロ波で直接的に加熱し
て蒸発させる。 【構成】 固体ソースEをマイクロ波により加熱して蒸
発させ、これを放電室26に導入してプラズマ用ガスと
なし、このプラズマからのイオンを引き出すようにした
イオン打込み装置のイオン源34において、固体ソース
Eはマイクロ波発生器21に接続された固体ソース加熱
用導波管36内に、マイクロ波の低吸収性素材で形成さ
れた上面開放形のソース皿37に収納して配置する。
て蒸発させる。 【構成】 固体ソースEをマイクロ波により加熱して蒸
発させ、これを放電室26に導入してプラズマ用ガスと
なし、このプラズマからのイオンを引き出すようにした
イオン打込み装置のイオン源34において、固体ソース
Eはマイクロ波発生器21に接続された固体ソース加熱
用導波管36内に、マイクロ波の低吸収性素材で形成さ
れた上面開放形のソース皿37に収納して配置する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は半導体ウエーハの不純
物ドーピングに使用されるイオン打込み装置、特にイオ
ン源の固体ソースをマイクロ波により立上り性よく加
熱、蒸発させるイオン打込み装置のイオン源に関する。
物ドーピングに使用されるイオン打込み装置、特にイオ
ン源の固体ソースをマイクロ波により立上り性よく加
熱、蒸発させるイオン打込み装置のイオン源に関する。
【0002】
【従来の技術】イオン打込み装置は、B,P,As等の
不純物原子をイオン化し、これに高いエネルギーを与え
て半導体ウエーハに打ち込み、不純物ドーピングを行う
装置である。イオン打込み技術は拡散法に比べて精密な
ドーピング制御、低温プロセス、フォトレジストを含む
マスキング材の使用など種々の利点がある。
不純物原子をイオン化し、これに高いエネルギーを与え
て半導体ウエーハに打ち込み、不純物ドーピングを行う
装置である。イオン打込み技術は拡散法に比べて精密な
ドーピング制御、低温プロセス、フォトレジストを含む
マスキング材の使用など種々の利点がある。
【0003】このイオン打込み装置の概要を、図3のイ
オン打込み装置の構成図を用いて説明すると、1はP+
やB+ 等のイオンを発生するイオン源で、図示しない
が、外部マグネットによる磁界やフィラメント電流によ
る回転磁界をイオン源1の放電室内の電子に作用して目
的イオンを含んだプラズマを発生させる。不純物のソー
スとしては、例えばBには三フッ化ボロン(BF3 )、
Pにはフォスヒン(PH 3 )などが使用される。このイ
オン源1のプラズマから引出し電極2によって、イオン
ビーム3が引出される。4はイオン源1に連続されたイ
オン分離器で、イオンビーム3に磁界をかけて質量分析
し、所定質量をもった目的イオンのみを分離して取出
す。5は分離したイオンビーム3を加速する加速管5
で、イオンビーム3を例えば170KeV程度のエネル
ギに加速する。上記イオン源1の出口側から加速管5の
入口側まではチャンバ9内に収納される。6は四極レン
ズからなるイオンビームの収束系であり、イオン打込み
室に配置された半導体ウエーハ7面上にイオンビーム3
を収束させる。また、8、8はイオンビームの走査系で
あり、イオンビーム3の収束点3aがウエーハ7上全面
を一様に走査するようにする。
オン打込み装置の構成図を用いて説明すると、1はP+
やB+ 等のイオンを発生するイオン源で、図示しない
が、外部マグネットによる磁界やフィラメント電流によ
る回転磁界をイオン源1の放電室内の電子に作用して目
的イオンを含んだプラズマを発生させる。不純物のソー
スとしては、例えばBには三フッ化ボロン(BF3 )、
Pにはフォスヒン(PH 3 )などが使用される。このイ
オン源1のプラズマから引出し電極2によって、イオン
ビーム3が引出される。4はイオン源1に連続されたイ
オン分離器で、イオンビーム3に磁界をかけて質量分析
し、所定質量をもった目的イオンのみを分離して取出
す。5は分離したイオンビーム3を加速する加速管5
で、イオンビーム3を例えば170KeV程度のエネル
ギに加速する。上記イオン源1の出口側から加速管5の
入口側まではチャンバ9内に収納される。6は四極レン
ズからなるイオンビームの収束系であり、イオン打込み
室に配置された半導体ウエーハ7面上にイオンビーム3
を収束させる。また、8、8はイオンビームの走査系で
あり、イオンビーム3の収束点3aがウエーハ7上全面
を一様に走査するようにする。
【0004】ところで、上記イオン源1は気体ソースの
場合は直接、キャリヤガスにより容易に放電室に移送で
きるが、固体ソースの場合にはソースを加熱して蒸発さ
せる必要がある。このため、固体ソースの場合には、図
4に示すように、円筒状ケース10に固体ソースEを収
納する容器11を形成したオーブン12を配設したイオ
ン源1が採用されている。尚、13はオーブン12の炉
の回りに巻回されたヒータ、14はソースガスを移送す
るキャリヤガスの導入配管である。また、15は容器1
1の先端に突設されたノズルであり、先端部が放電室1
6に連通される。17は放電室16に配設された棒状フ
ィラメントで、気化した固体ソースEのガスをイオン化
する。そして、イオン化されたソースガスは前面に配設
された引出し電極2によって、イオンビーム3となって
引出される。
場合は直接、キャリヤガスにより容易に放電室に移送で
きるが、固体ソースの場合にはソースを加熱して蒸発さ
せる必要がある。このため、固体ソースの場合には、図
4に示すように、円筒状ケース10に固体ソースEを収
納する容器11を形成したオーブン12を配設したイオ
ン源1が採用されている。尚、13はオーブン12の炉
の回りに巻回されたヒータ、14はソースガスを移送す
るキャリヤガスの導入配管である。また、15は容器1
1の先端に突設されたノズルであり、先端部が放電室1
6に連通される。17は放電室16に配設された棒状フ
ィラメントで、気化した固体ソースEのガスをイオン化
する。そして、イオン化されたソースガスは前面に配設
された引出し電極2によって、イオンビーム3となって
引出される。
【0005】かかる固体ソースEを利用したイオン源1
は、気体ソースが反応性ガスの場合が多く、フィラメン
ト材料が短寿命となるのに対して長寿命が得られる特徴
がある。しかしながら、上記固体ソースEのイオン源1
はオーブン12のヒータ13が断線し易く、固体ソース
Eの交換や炉清掃時の取扱いが大変であった。
は、気体ソースが反応性ガスの場合が多く、フィラメン
ト材料が短寿命となるのに対して長寿命が得られる特徴
がある。しかしながら、上記固体ソースEのイオン源1
はオーブン12のヒータ13が断線し易く、固体ソース
Eの交換や炉清掃時の取扱いが大変であった。
【0006】このため、例えば、特開平1−20654
7号公報に示されるように、固体ソースEの加熱をマイ
クロ波で行うマイクロ波加熱型蒸発炉付イオン源が提案
されている。
7号公報に示されるように、固体ソースEの加熱をマイ
クロ波で行うマイクロ波加熱型蒸発炉付イオン源が提案
されている。
【0007】このイオン源20は、図5に示すように、
マイクロ波発生器21、分岐導波管22、マイクロ波パ
ワー調整器23a、23b、マイクロ波導入フランジ2
4a、24b、放電電極25、プラズマ室26、気体ソ
ース導入管27、蒸発炉加熱用導波管28、固体ソース
蒸発炉29、イオンビーム引出し電極30、磁界発生器
31などで構成している。
マイクロ波発生器21、分岐導波管22、マイクロ波パ
ワー調整器23a、23b、マイクロ波導入フランジ2
4a、24b、放電電極25、プラズマ室26、気体ソ
ース導入管27、蒸発炉加熱用導波管28、固体ソース
蒸発炉29、イオンビーム引出し電極30、磁界発生器
31などで構成している。
【0008】そして、マイクロ波発生器21で発生した
マイクロ波を、分岐導波管22、マイクロ波パワー調整
器23a,マイクロ波導入フランジ24aを経由して、
放電電極25内に設置されたプラズマ室26内に導入し
てマイクロ波電界を発生させる。一方、固体ソース蒸発
炉29に対しては、分岐導波管22、マイクロ波パワー
調整器23b、マイクロ波導入フランジ24b、蒸発炉
加熱用導波管28を通してマイクロ波を供給している。
固体ソース蒸発炉29はカーボン製で形成され、蒸発し
た固体ソースガスを固体ソース導入孔32よりプラズマ
室26に導くように構成している。
マイクロ波を、分岐導波管22、マイクロ波パワー調整
器23a,マイクロ波導入フランジ24aを経由して、
放電電極25内に設置されたプラズマ室26内に導入し
てマイクロ波電界を発生させる。一方、固体ソース蒸発
炉29に対しては、分岐導波管22、マイクロ波パワー
調整器23b、マイクロ波導入フランジ24b、蒸発炉
加熱用導波管28を通してマイクロ波を供給している。
固体ソース蒸発炉29はカーボン製で形成され、蒸発し
た固体ソースガスを固体ソース導入孔32よりプラズマ
室26に導くように構成している。
【0009】従って、このイオン源20はプラズマ室2
6内にマイクロ波電界を発生させた状態で、磁界発生器
31によりプラズマ室26付近にマイクロ波電界と直交
する方向に磁界を印加し、更に、気体ソース導入管27
あるいは固体ソース蒸発炉29からソースガスを導入す
ることにより、プラズマ室26内に導入ガスのプラズマ
を発生することができ、イオンビーム引出電極30によ
って上記プラズマからイオンビーム33が引出される。
即ち、このイオン源20は1つのマイクロ波発生器21
で、プラズマの発生と固体ソースEの蒸発が行え、固体
ソース蒸発炉29に加熱用ヒータを用いないため、ヒー
タ断線などを生ぜず、固体ソースの交換や炉清掃時の取
扱いの難点が改善される。
6内にマイクロ波電界を発生させた状態で、磁界発生器
31によりプラズマ室26付近にマイクロ波電界と直交
する方向に磁界を印加し、更に、気体ソース導入管27
あるいは固体ソース蒸発炉29からソースガスを導入す
ることにより、プラズマ室26内に導入ガスのプラズマ
を発生することができ、イオンビーム引出電極30によ
って上記プラズマからイオンビーム33が引出される。
即ち、このイオン源20は1つのマイクロ波発生器21
で、プラズマの発生と固体ソースEの蒸発が行え、固体
ソース蒸発炉29に加熱用ヒータを用いないため、ヒー
タ断線などを生ぜず、固体ソースの交換や炉清掃時の取
扱いの難点が改善される。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記イ
オン源20はマイクロ波吸収の良好なカーボン製炉体で
形成した固体ソース蒸発炉29に固体ソースEを収納す
る構成で、イオン打込みに際しては、まず固体ソース蒸
発炉29を所定の高温に加熱させ、加熱された加熱蒸発
炉29の輻射熱によって固体ソースEを蒸発させてソー
スガスを作成する。しかし、カーボン製炉体は機械的強
度や脆化性の問題でその肉厚が厚く形成され、質量の大
きなものであった。このため、固体ソース蒸発炉29の
加熱に時間がかかる上、高温加熱のために大きいマイク
ロ波パワーを要し、出力の大きいマイクロ波発生器21
が必要とされていた。また、高温加熱したカーボン製炉
体が固体ソースEと反応して変質したり、機械的強度を
弱めて破損するといった問題があった。
オン源20はマイクロ波吸収の良好なカーボン製炉体で
形成した固体ソース蒸発炉29に固体ソースEを収納す
る構成で、イオン打込みに際しては、まず固体ソース蒸
発炉29を所定の高温に加熱させ、加熱された加熱蒸発
炉29の輻射熱によって固体ソースEを蒸発させてソー
スガスを作成する。しかし、カーボン製炉体は機械的強
度や脆化性の問題でその肉厚が厚く形成され、質量の大
きなものであった。このため、固体ソース蒸発炉29の
加熱に時間がかかる上、高温加熱のために大きいマイク
ロ波パワーを要し、出力の大きいマイクロ波発生器21
が必要とされていた。また、高温加熱したカーボン製炉
体が固体ソースEと反応して変質したり、機械的強度を
弱めて破損するといった問題があった。
【0011】従って、本発明は上記イオン源の固体ソー
ス蒸発炉のマイクロ波加熱において生じる諸問題に鑑み
なされたものであり、固体ソース蒸発炉自体の加熱や炉
体の変質を伴うことなく固体ソースEが蒸発できるイオ
ン打込み装置のイオン源を得ることを目的とする。
ス蒸発炉のマイクロ波加熱において生じる諸問題に鑑み
なされたものであり、固体ソース蒸発炉自体の加熱や炉
体の変質を伴うことなく固体ソースEが蒸発できるイオ
ン打込み装置のイオン源を得ることを目的とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明のイオン打込み装置のイオン源は固体ソース
をマイクロ波により加熱して蒸発させ、これを放電室に
導入してプラズマ用ガスとなし、このプラズマからのイ
オンを引き出すようにしたイオン打込み装置のイオン源
において、前記固体ソースはマイクロ波発生器に接続さ
れた固体ソース加熱用導波管内に配置され、前記マイク
ロ波の低吸収性素材で形成された上面開放のソース皿に
収納されたことを特徴としている。また、本発明のイオ
ン打込み装置のイオン源は 前記ソース皿はアルミナ性磁器で形成されたことを特徴
としている。また、本発明のイオン源の加熱方法は、固
体ソースをマイクロ波により加熱して蒸発させるイオン
打込み装置のイオン源の固体ソースの加熱方法におい
て、前記固体ソースを、該固体ソースのマイクロ波吸収
性より低いマイクロ波吸収性に設定した素材で形成され
た上面開放のソース皿に収納し、前記固体ソースをマイ
クロ波により直接的に加熱することを特徴としている。
め、本発明のイオン打込み装置のイオン源は固体ソース
をマイクロ波により加熱して蒸発させ、これを放電室に
導入してプラズマ用ガスとなし、このプラズマからのイ
オンを引き出すようにしたイオン打込み装置のイオン源
において、前記固体ソースはマイクロ波発生器に接続さ
れた固体ソース加熱用導波管内に配置され、前記マイク
ロ波の低吸収性素材で形成された上面開放のソース皿に
収納されたことを特徴としている。また、本発明のイオ
ン打込み装置のイオン源は 前記ソース皿はアルミナ性磁器で形成されたことを特徴
としている。また、本発明のイオン源の加熱方法は、固
体ソースをマイクロ波により加熱して蒸発させるイオン
打込み装置のイオン源の固体ソースの加熱方法におい
て、前記固体ソースを、該固体ソースのマイクロ波吸収
性より低いマイクロ波吸収性に設定した素材で形成され
た上面開放のソース皿に収納し、前記固体ソースをマイ
クロ波により直接的に加熱することを特徴としている。
【0013】
【作用】固体ソースはこれを収容した固体ソース蒸発炉
の輻射熱で間接的に加熱されるものではなく、固体ソー
ス自体がマイクロ波によって直接的に加熱される。従っ
て、ソース皿は固体ソースの蒸発温度まで高温に加熱す
る必要がない。また、ソース皿はマイクロ波吸収性の低
いアルミナ製磁器で形成すると、ソース皿が高温に加熱
されず、固体ソースとの反応が押さえられ、破損するこ
ともない。また、ソース皿は上面開放形であり、密閉形
の蒸発炉構造に比べて固体ソースの取換えが更に簡単に
できる。
の輻射熱で間接的に加熱されるものではなく、固体ソー
ス自体がマイクロ波によって直接的に加熱される。従っ
て、ソース皿は固体ソースの蒸発温度まで高温に加熱す
る必要がない。また、ソース皿はマイクロ波吸収性の低
いアルミナ製磁器で形成すると、ソース皿が高温に加熱
されず、固体ソースとの反応が押さえられ、破損するこ
ともない。また、ソース皿は上面開放形であり、密閉形
の蒸発炉構造に比べて固体ソースの取換えが更に簡単に
できる。
【0014】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して詳述
する。
する。
【0015】図1は本発明のイオン打込み装置のイオン
源34の構成を示す図であり、固体ソースEの加熱源に
マイクロ波を利用したものである。
源34の構成を示す図であり、固体ソースEの加熱源に
マイクロ波を利用したものである。
【0016】この装置のイオン源34も、前記図5のイ
オン源20と同様に、マイクロ波発生器21のマイクロ
波出力を分岐導波管22により分岐して、プラズマ室2
6と固体ソース室35に付与して、1つのマイクロ波発
生器21のマイクロ波出力により、プラズマ室26のプ
ラズマの発生と固体ソース室35の固体ソースEの蒸発
を同時に行えるようにしたものである。
オン源20と同様に、マイクロ波発生器21のマイクロ
波出力を分岐導波管22により分岐して、プラズマ室2
6と固体ソース室35に付与して、1つのマイクロ波発
生器21のマイクロ波出力により、プラズマ室26のプ
ラズマの発生と固体ソース室35の固体ソースEの蒸発
を同時に行えるようにしたものである。
【0017】このイオン源34において、前記図5のイ
オン源20と異なる点は固体ソースEを収容する固体ソ
ース室35に上面開放形のソース皿37を配置させ、こ
のソース皿37に固体ソースEを開放状態に収納させた
点であり、その他の構成は前記イオン源20と同様の構
成である。従って、同じ構成部分は図5と同一の参照符
号を付し、その詳細説明を省略する。
オン源20と異なる点は固体ソースEを収容する固体ソ
ース室35に上面開放形のソース皿37を配置させ、こ
のソース皿37に固体ソースEを開放状態に収納させた
点であり、その他の構成は前記イオン源20と同様の構
成である。従って、同じ構成部分は図5と同一の参照符
号を付し、その詳細説明を省略する。
【0018】即ち、固体ソース室35はマイクロ波導入
フランジ24b、マイクロ波パワー調整器23b、分岐
導波管22を介してマイクロ波発生器21に接続された
固体ソース加熱用導波管36で構成され、この導波管3
6自体は前記イオン源20の蒸発炉加熱用導波管28と
同様に、該導波管36で構成される固体ソース室35内
にマイクロ波電界を発生させる。
フランジ24b、マイクロ波パワー調整器23b、分岐
導波管22を介してマイクロ波発生器21に接続された
固体ソース加熱用導波管36で構成され、この導波管3
6自体は前記イオン源20の蒸発炉加熱用導波管28と
同様に、該導波管36で構成される固体ソース室35内
にマイクロ波電界を発生させる。
【0019】固体ソース加熱用導波管36は、図2に拡
大図示するように、底面中央部に固体ソースEを装填し
た上面開放のソース皿37が配設されると共に、側面角
部に開閉可能な開閉板36aが配設され、固体ソースE
の交換がなされる。この場合、ソース皿37は上面開放
形であり、固体ソースEの消耗補充や新品の交換が容易
にできる。
大図示するように、底面中央部に固体ソースEを装填し
た上面開放のソース皿37が配設されると共に、側面角
部に開閉可能な開閉板36aが配設され、固体ソースE
の交換がなされる。この場合、ソース皿37は上面開放
形であり、固体ソースEの消耗補充や新品の交換が容易
にできる。
【0020】上記ソース皿37はマイクロ波吸収性の低
い素材、例えばアルミナ製磁器で作成される。また、固
体ソースEは最終ガス成分が低分子量の結晶で、それ自
体、マイクロ波吸収性が良好で、マイクロ波で効率良く
加熱される、例えば弗化ベリリュウムBeF2 等の固体
ソースが選定される。
い素材、例えばアルミナ製磁器で作成される。また、固
体ソースEは最終ガス成分が低分子量の結晶で、それ自
体、マイクロ波吸収性が良好で、マイクロ波で効率良く
加熱される、例えば弗化ベリリュウムBeF2 等の固体
ソースが選定される。
【0021】かかる構成において、マイクロ波発生器2
1を作動してマイクロ波を発生し、固体ソース加熱用導
波管36にマイクロ波を送ると、固体ソース室35内に
配置され、ソース皿37に装填された固体ソースEがマ
イクロ波によって直接的に加熱され、即蒸発する。蒸発
したソースガスは固体ソース導入孔38を通ってプラズ
マ室26に導かれ、従来と同様にプラズマ化される。
1を作動してマイクロ波を発生し、固体ソース加熱用導
波管36にマイクロ波を送ると、固体ソース室35内に
配置され、ソース皿37に装填された固体ソースEがマ
イクロ波によって直接的に加熱され、即蒸発する。蒸発
したソースガスは固体ソース導入孔38を通ってプラズ
マ室26に導かれ、従来と同様にプラズマ化される。
【0022】この場合、ソース皿37はマイクロ波吸収
性の低い素材のアルミナ製磁器で形成しているから、ソ
ース皿37自体が高温に加熱されることが防止され、固
体ソースEと反応して変質したり、機械的強度を弱めて
破損することもない。
性の低い素材のアルミナ製磁器で形成しているから、ソ
ース皿37自体が高温に加熱されることが防止され、固
体ソースEと反応して変質したり、機械的強度を弱めて
破損することもない。
【0023】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば固体ソー
スをマイクロ波吸収性の低い素材のソース皿に収納して
マイクロ波加熱するように構成したから、従来のイオン
源のように、質量の大きい固体ソース蒸発炉などの高温
加熱が不要となり、省電力が得られる上、固体ソース蒸
発炉の炉体の破損などの問題が解消できる。また、固体
ソースがマイクロ波で直接的に加熱されるため、高速処
理がなされる。また、ソース皿は上面開放形であり、固
体ソースの取換え、補充が容易にできる。
スをマイクロ波吸収性の低い素材のソース皿に収納して
マイクロ波加熱するように構成したから、従来のイオン
源のように、質量の大きい固体ソース蒸発炉などの高温
加熱が不要となり、省電力が得られる上、固体ソース蒸
発炉の炉体の破損などの問題が解消できる。また、固体
ソースがマイクロ波で直接的に加熱されるため、高速処
理がなされる。また、ソース皿は上面開放形であり、固
体ソースの取換え、補充が容易にできる。
【図1】本発明のイオン打込み装置のイオン源の概略構
成図
成図
【図2】図1のA部の詳細図
【図3】従来のイオン打込み装置の概略構成図
【図4】従来のイオン打込み装置のイオン源の概略構成
図
図
【図5】従来のイオン打込み装置の他のイオン源の概略
構成図
構成図
21 マイクロ波発生器 26 プラズマ室(放電室) 34 イオン源 36 固体ソース加熱用導波管 37 ソース皿 E 固体ソース
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 21/265
Claims (3)
- 【請求項1】 固体ソースをマイクロ波により加熱して
蒸発させ、これを放電室に導入してプラズマ用ガスとな
し、このプラズマからのイオンを引き出すようにしたイ
オン打込み装置のイオン源において、 前記固体ソースはマイクロ波発生器に接続された固体ソ
ース加熱用導波管内に配置され、前記マイクロ波の低吸
収性素材で形成されたソース皿に収納されたことを特徴
とするイオン打込み装置のイオン源。 - 【請求項2】 前記ソース皿はアルミナ性磁器で形成さ
れたことを特徴とする請求項1記載のイオン打込み装置
のイオン源。 - 【請求項3】 固体ソースをマイクロ波により加熱して
蒸発させるイオン打込み装置のイオン源の固体ソースの
加熱方法において、 前記固体ソースを、該固体ソースのマイクロ波吸収性よ
り低いマイクロ波吸収性に設定した素材で形成されたソ
ース皿に収納し、前記固体ソースをマイクロ波により直
接的に加熱することを特徴とする固体ソースの加熱方
法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6110689A JPH07320671A (ja) | 1994-05-25 | 1994-05-25 | イオン打込み装置のイオン源および固体ソースの加熱方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6110689A JPH07320671A (ja) | 1994-05-25 | 1994-05-25 | イオン打込み装置のイオン源および固体ソースの加熱方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07320671A true JPH07320671A (ja) | 1995-12-08 |
Family
ID=14541958
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6110689A Pending JPH07320671A (ja) | 1994-05-25 | 1994-05-25 | イオン打込み装置のイオン源および固体ソースの加熱方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH07320671A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0913074A1 (en) * | 1996-07-03 | 1999-05-06 | Tegal Corporation | Plasma etch reactor and method for emerging films |
EP0939972A1 (en) * | 1996-07-03 | 1999-09-08 | Tegal Corporation | Plasma etch reactor and method |
US6878945B1 (en) | 2003-09-19 | 2005-04-12 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Vaporizer for ion source |
-
1994
- 1994-05-25 JP JP6110689A patent/JPH07320671A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0913074A1 (en) * | 1996-07-03 | 1999-05-06 | Tegal Corporation | Plasma etch reactor and method for emerging films |
EP0939972A1 (en) * | 1996-07-03 | 1999-09-08 | Tegal Corporation | Plasma etch reactor and method |
EP0939972A4 (en) * | 1996-07-03 | 2003-11-05 | Tegal Corp | PLASMA DECT REACTOR AND METHOD |
EP0913074A4 (en) * | 1996-07-03 | 2003-12-03 | Tegal Corp | PROCESS AND REACTOR FOR PLASMA ATTACK FOR HIGHLIGHTS |
US6905969B2 (en) | 1996-07-03 | 2005-06-14 | Tegal Corporation | Plasma etch reactor and method |
US6878945B1 (en) | 2003-09-19 | 2005-04-12 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Vaporizer for ion source |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20030812 |