CN101040365A - 用于离子注入剂量和均匀性控制的离子束测量系统及方法 - Google Patents

Abstract

提供了用于在处理室内工件位置处沿着曲线轨迹的多个点上测量扫描的离子束的剂量测定系统和方法。所说明的剂量测定系统包含传感器和安装设备，所述安装设备支持传感器并且选择性地将传感器定位于沿着曲线轨迹的多个点上，其中安装设备可选择性地定位传感器以此指向扫描的离子束的顶点。

Description

用于离子注入剂量和均匀性控制的离子束测量系统及方法

相关申请

本申请与＿＿＿提出的、标题为SCANNING SYSTEMS AND METHODS FORPROVIDING IONS FROM AN ION BEAM TO A WORKPIECE、代理人案号为＿＿的美国专利申请No.＿＿有关。

技术领域

本发明通常涉及离子注入系统，具体涉及用于从离子束到工件的离子注入以及用于在离子注入系统中测量离子束的改进系统和方法。

背景技术

在半导体器件和其他产品的制造中，离子注入用来掺杂半导体晶片、显示面板、或具有杂质的其他工件。离子注入机或离子注入系统利用离子束处理工件，以此产生n或p型掺杂区域或形成工件中的钝化层。在用于掺杂半导体晶片时，离子注入系统将选择的离子物种注入晶片以此产生所期望的非本征材料，其中由源材料(如锑、砷或磷)产生的注入离子导致n型非本征材料晶片，并且注入材料(如硼、镓或铟)在半导体晶片中产生p型非本征材料部分。

图1说明了具有终端12、射束线组件14和末端站16的常规离子注入系统10。终端12包括离子源20，所述离子源20由高压电源22供电，所述高压电源22产生并引导离子束24至射束线组件14。射束线组件14由射束导引32和质量分析器26组成，其中建立偶极磁场以此可仅仅使具有适当的电荷与质量比率的离子通过位于射束导引32的出口端的鉴别孔隙34到达末端站16中的工件30(如半导体晶片、显示面板等)。离子源20生成从源20中提取并形成离子束24的带电离子，所述离子束24在射束线组件14中沿着射束路径被引导至末端站16。离子注入系统10可包括在离子源20和末端站16之间伸展的射束形成和成形结构，其保持离子束24并限制狭长的内部腔或通道，穿过该通道的射束24被输送至在末端站16中被支持的一个或多个工件30。离子束传输通道通常被抽空以此减少离子通过与空气分子碰撞而从射束路径被反射的概率。

低能注入机通常被设计成可提供几百电子伏特(eV)直达80-100keV的离子束，而高能注入机可在质量分析器26和末端站16之间使用线性加速(linac)设备(图中未示出)，以便于加速质量分析的射束24达到更高能量，通常为几百keV，其中DC加速也是可能的。高能离子注入通常被用于工件30的更深的注入。相反地，高电流、低能量离子束24通常用于高剂量、浅深度的离子注入，在这种情形下，离子的更低能量通常导致难以维持离子束24的会聚。

在常规注入机中可发现末端站16的不同形式。“批”类型末端站可同时支持旋转的支持结构上的多个工件30，其中工件30旋转穿过离子束路径直至所有的工件30被完全注入。另一方面，“顺次”类型末端站支持沿射束路径用于注入的单个工件30，据此以顺次的方式每次一个地注入多个工件30，其中在下一个工件30的注入开始之前每个工件30被完全注入。

图1的注入系统10包括顺次末端站16，其中射束线组件14包括侧向射束扫描仪36，所述侧向射束扫描仪36接收具有相对较窄轮廓的离子束24(如“笔形”射束)并且在X方向上来回扫描射束24以此展开射束24成为狭长的“带状”轮廓，所述狭长的“带状”轮廓具有至少与工件30一样宽的有效的X方向宽度。带状射束24接着穿过平行化器38，所述平行化器38引导通常平行于Z方向的带状射束朝向工件30(如平行的射束24通常垂直于工件表面)。工件30在另一个垂直方向上被机械平移(如图1中进出页面的“Y”方向)，其中在射束扫描仪36进行X方向射束扫描期间机械致动设备(图中未示出)在Y方向上平移工件30，据此射束24被传递到工件30的整个暴露表面上。对于倾斜注入来说，可因此调节射束24和工件30的相对取向。

在集成电路器件和其他产品的制造中，可以期望在整个工件30上均匀注入掺杂物种。因此，测量系统通常被插入工件30附近的射束路径以此在注入之前和/或期间测量射束特征，所述射束特征提供了用来调节离子注入系统10的射束剂量和均匀性信息。当射束24沿着射束路径被传输到工件30时，射束24遭遇各种电场和/或磁场和器件，其可能改变射束尺寸和/或射束24的完整性，导致被注入的工件30中掺杂物的非均匀性。除了均匀性变化之外，空间电荷效应(包括正带电射束离子的互推斥)还往往使射束24发散(如可能导致射束“扩张”)。在这一点上，在长距离传输时，低能离子束24对射束扩张尤其敏感。因此，尤其对于低能离子注入来说，可以期望缩短图1的系统10中射束扫描仪36的顶点和工件30之间的距离D1。

然而，仅仅移去图1的平行化器38并定位工件30，当射束24照射工件30时，距射束扫描仪顶点的更短的距离D2将导致射束24的入射角度的不可接受的变化。另一方面，还可省略掉射束扫描仪36，在这种情况下，必须设置机械扫描设备，以此在垂直于射束24的路径的两个方向上扫描工件30。然而，此种方式会降低生产量，尤其是针对非束流受限的均匀植入(诸如：低剂量植入)，这是由于不能如电或磁扫描束24一样快地扫描工件30。因此，需要改良的离子植入系统，其具有降低的束输送距离以减轻对于低能量植入的束放大，以及用于获得整个工件的可接受的植入剂量与均一性的测量设备。

发明内容

下面提供了本发明的简化概要以便于提供对本发明某些方面的基本理解。这个概要不是对本发明的广义概述，并且不打算用来识别本发明的关键或重要元件也不打算用来描绘本发明的范围。相反，这个概述的目的是以简化的形式提出本发明的某些概念作为后面提供的更详细说明的序言。

本发明提供了离子束和晶片扫描系统以及用于将离子从离子束注入到工件的处理表面的方法，其中离子在单一方向或射束扫描平面上被电地或磁地扫描，并且被注入的工件绕着相对于射束扫描平面呈非零角度的轴可以旋转。工件旋转和射束扫描可能是同步的以此以通常恒定的入射角将射束提供给工件处理表面。除去射束平行化器仪器缩短了射束传输距离，从而便于低能离子束从注入器到工件的成功传输同时减少了射束扩张。然而，工件的旋转意味着普通射束均匀性和/或剂量测量仪器的使用将导致不精确的测量。

本发明还提供了剂量测定系统和尤其适合用于使用上述扫描设备形式的系统的方法。在这样的扫描系统中，扫描的射束沿着处理室中的曲线轨迹撞击旋转的晶片，据此常规的剂量测定系统不能为注入系统校准提供精确的射束测量。本发明的剂量测定系统提供了沿着曲线轨迹的射束测量。当与本发明的扫描系统一起使用时，剂量测定系统可因此有利地在许多空间位置上进行射束测量，在这些空间位置处扫描的射束照射在检验注入剂量和/或均匀性的调节中使用的旋转晶片。在不牺牲精确测量射束特征的能力的情况下，本发明可因此促使不具有平行化器的系统中射束传输距离的减少。另外，本发明可用于其中要求多个自由度以移动法拉第杯以便于测量将离子束注入晶片的表面上的射束通量的任何系统。

下面的描述和附图详细地陈述了本发明的某些说明性方面和实际应用。这些仅仅表示其中可使用本发明的原理的若干不同方面中的一部分。

附图说明

图1是说明具有射束扫描仪和平行化器的常规离子注入系统的简化顶视平面图；

图2A是说明示范的离子注入系统以及因此依照本发明的一个或多个方面的扫描系统的顶视平面图，其中在不具有介入的平行化器的情况下将扫描的离子束提供给工件，其中工件绕着穿过工件的轴旋转；

图2B是说明图2A的注入系统中的射束扫描仪和旋转工件的部分顶视平面图，其中射束扫描和工件旋转限定了与被扫描的射束照射旋转工件的工件位置上的点相对应的曲线轨迹；

图2C是说明图2A的注入系统中的射束扫描仪和旋转工件的部分侧视图；

图2D和2E分别是说明在其中扫描的离子束沿着曲线轨迹照射工件的第一边缘的示范的第一位置上图2A的注入系统中的射束扫描仪和旋转工件的部分顶视平面图和侧视图；

图2F和2G分别是说明在其中扫描的离子束沿着曲线轨迹照射工件的中间部分的示范的第二位置上的射束扫描仪和旋转工件的部分顶视平面图和侧视图；

图2H和2I分别是说明在其中扫描的离子束沿着曲线轨迹照射工件的另一个边缘的示范的第三位置上的射束扫描仪和旋转工件的部分顶视平面图和侧视图；

图2J和2K分别是说明依照本发明的示范的扫描系统的其他细节的侧视图和前视图；

图3A是说明用于在沿着依照本发明的图2B的示范曲线轨迹的多个点上测量扫描的离子束的图2A的注入系统中示范的剂量测定系统的顶视平面图；

图3B是说明图2A和3A的注入系统中剂量测定系统的一个示范实际应用的部分侧视图，其包含传感器和用于沿着曲线轨迹在多个点上定位传感器的安装设备；

图3C是说明图2A和3A的注入系统中沿着图2B的曲线轨迹定位在三个示范点上的剂量测定系统传感器的部分顶视平面图；

图3D-3F是说明图2A和3A的注入系统中具有沿着曲线轨迹定位于示范点的传感器的图3B的剂量测定系统的部分顶视平面图；

图4A-4C是说明沿着第二示范的曲线轨迹经历倾斜注入的图2A和3A的系统中三个示范位置上的射束扫描仪和工件的部分顶视平面图；

图4D-4F是说明具有沿着图4A-4C的第二曲线轨迹通过安装设备被定位于不同示范点的传感器的图3B的剂量测定系统的部分顶视平面图，所述传感器用于在图2A和3A的倾斜注入之前的射束测量；

图5A-5C分别是说明依照本发明的图2A和3A的注入系统中另一个示范的剂量测定系统的端视图、侧视图和顶视平面图；

图6是说明依照本发明的包括处理室内扫描的离子束测量的示范校准过程的流程图；

图7A-7J是说明依照本发明的另一个示范的扫描系统的顶视平面图和侧视图，其中晶片旋转轴和晶片扫描方向可相对于射束扫描平面而倾斜，以便于提供具有恒定的射束焦距的工件的倾斜注入；

图8A-8C是说明依照本发明的图2A和3A的注入系统中再一个示范的剂量测定系统的侧视图和顶视平面图；以及

图9A-9D是说明依照本发明的又一个扫描系统的侧视图，其中晶片扫描方向基本上垂直于射束扫描平面并且晶片旋转轴相对于射束扫描平面呈斜角。

具体实施方式

现在将参考附图对本发明进行描述，其中在整个附图中相同的附图标记用来指相同的元件，并且其中所说明的结构不必按比例绘制。

首先参见图2A-3F，在下文中说明和描述本发明的各种示范的扫描系统300，其中离子束124在单个射束扫描平面上被扫描，半导体晶片或其他工件130被机械振荡或绕着相对于射束扫描平面呈第一角度的轴302来回摆动，并且工件130在相对于射束扫描平面呈第二角度的工件扫描方向144上被机械平移，其中机械振荡与离子束124的电或磁扫描是同步的。在所说明的系统中，工件旋转轴302穿过工件130本身，尽管其他的实际应用是可能的，例如，其中工件130绕着未穿过工件130本身但是相对于射束扫描平面呈非零角的另一个轴旋转。

在没有使用介入的平行化设备以及不具有常规注入机的其他缺点的情况下，本发明的扫描系统有利地促使射束以通常恒定的入射角照射工件130。与上面图1的常规注入机相比较，移去射束平行化器设备缩短了射束扫描仪136和工件130之间的射束传输距离(如从D1至D2)，从而通过减少射束扩张促使低能离子束自质量分析器至工件的成功传输。图2A-2K以及图4A-4C说明了本发明的扫描系统的一个实例300，其中工件旋转轴302基本上正交或垂直于射束扫描平面，其中倾斜注入可以通过增加对工件旋转的偏移来实现(图4A-4C)。另一个实例在图7A-7J中进行说明，其中工件旋转轴302和工件扫描方向144均为相对于射束扫描平面呈斜角以用于具有基本恒定的射束焦距的倾斜注入。又一个实例在图9A-9D中进行说明，其中工件旋转轴302呈斜角而工件扫描方向144相对于射束扫描平面呈正交以用于倾斜注入，其中当工件130沿着工件扫描方向被平移时射束焦距改变。正如下面进一步描述的，所说明的射束和工件扫描系统300产生注入处理室116内的曲线空间轨迹154，其对应于被扫描的射束124照射旋转的工件130的位置。

在下面同样依照本发明的若干方面对若干剂量测定或射束测量系统150进行了说明，其中离子束124在处理室116内工件位置处沿着曲线轨迹154的多个点上被测量，从而促使利用所说明的射束和工件扫描设备300及其方法论的注入系统110的精确测量和调节，或者在其他的实例中，射束测量被期望是沿着曲线轨迹154进行的。图3A-3F以及4D-4F说明了本发明的剂量测定系统的一个实例150，其用于利用图2A-2K的扫描系统300沿着与非倾斜注入相对应的第一曲线轨迹154测量射束124(图3A-3F)以及利用图4A-4C的扫描系统300沿着与倾斜注入相对应的第二曲线轨迹154a测量射束124(图4D-4F)。图3A-3F以及图4D-4F的剂量测定系统150可选地与这里所说明的其他修改过的扫描系统300一起使用。图5A-5C说明了同样可与任何所说明的扫描系统300一起使用的另一个示范的剂量测定系统150。图8A-8C说明了可有利地与图2A-2K以及7A-7J的扫描系统300一起用于倾斜注入的第三示范的剂量测定系统150并且所有三个示范的扫描系统300用于非倾斜注入。

示范的离子注入系统110和示范的扫描系统300因此在图2A-2K中被说明，并被配置成以使工件130在方向142(图2C)上绕着穿过工件130的处理表面的垂直工件旋转轴302(如平行于图2B-2I中的Y方向)旋转并且质量分析的离子束124沿着水平方向(如在水平扫描平面上)被电或磁扫描。工件旋转和射束扫描是同步的以此提供第一扫描(如水平X方向的“快速扫描”)，其中工件130还沿着基本垂直的工件扫描方向144被平移(如垂直Y方向的“慢速扫描”)以此取得注入的掺杂物对工件130的完全覆盖。通常，本发明预期扫描系统300与工件扫描系统304相结合，扫描系统300具有基本上在单个射束扫描平面上(如在所说明的实例中的水平面)扫描离子束124的电或磁的射束扫描仪136，工件扫描系统304绕着相对于射束扫描平面呈任何非零第一角度的第一轴302旋转工件130并且还在相对于射束扫描平面呈非零第二角度的工件扫描方向144上平移工件130，其中第一和第二角度可以是相同的或者可以是不同的。

图2A说明了离子注入系统110，其中在注入期间利用本发明的扫描系统300将工件130安装到末端站处理室116中，并且图3A说明了注入之前的校准期间的系统110，其中示范的剂量测定系统150定位于处理室116的工件位置。图2B-2K说明了注入期间同步的在单个(水平)射束扫描平面上的离子束124的扫描和工件130绕着(垂直)轴302的旋转，其中射束124照射工件130的空间点定义了曲线轨迹154(如非直线)。图3B-3F说明了用来沿着与非倾斜注入相关联的第一曲线轨迹154测量射束124的一个示范的剂量测定系统150(如其中射束124在通常正交或垂直于工件表面的方向上照射工件130)。

如上所述，本发明的各个方面可以联合任何类型的离子注入设备来实现，包括但不限于图2A的示范系统110。示范的离子注入系统110包含终端112、射束线组件114以及形成处理室的末端站116，其中质量分析和扫描的离子束124被引导至工件位置。终端112中的离子源120通过电源122来供电以此向射束线组件114提供被提取的离子束124，其中离子源120包括一个或多个提取电极(图中未示出)用来从源室中提取离子并因此将提取的离子束124引向射束线组件114。射束线组件114包含射束导引132以及质量分析器126，所述射束导引132具有在源120附近的入口和带有出口孔134的出口，所述质量分析器126接收提取的离子束124并产生偶极磁场以此仅使具有适当的能量质量比或在其范围内的离子(如质量分析的离子束124具有所期望的质量范围的离子)穿过鉴别孔隙134到达末端站116的工件位置上的工件130。可以将各种射束形成和成形结构(图中未示出)设置于射束线组件中以此保持离子束124并限制狭长的内部腔或通道，穿过该通道的射束124沿着射束路径被输送至在末端站116中被支持的一个或多个工件130。

正如在图2A-2K中所说明的，所说明的末端站116是提供被抽空的处理室116的“顺次”类型末端站，在处理室116中单个工件130(如半导体晶片、显示面板、或其他工件)沿着射束路径被支持用于离子注入，尽管可选地可在本发明的范围内使用批或其他类型的末端站。依照本发明的一个方面，系统110包含扫描系统300，所述扫描系统300包含射束扫描仪136以及工件扫描系统304，所述射束扫描仪136基本上在单个射束扫描平面上(如这个实例中的水平平面)扫描离子束以此向末端站处理室116中的工件位置提供扫描的离子束。

射束扫描仪136接收沿着射束路径来自具有相对较窄轮廓的质量分析器126的经过质量分析的离子束124(如在所说明的系统110中的“笔形”射束)，并且通过电极136a和136b(图2B)以及电源(图中未示出)沿着射束路径产生时间变化的电场以此在X方向上(如在水平射束扫描平面上)来回扫描离子束124从而使射束124展开成为狭长的“带状”轮廓(如被扫描的射束124)，其具有至少与工件30一样宽的有效的X方向的宽度。非平行的带状射束124被引向工件130的位置，其中工件130通过工件扫描系统304的电动机140同时绕着垂直轴302(图2C)在方向142上旋转。

正如在图2B、2C和2J-2K所说明的，工件130在末端站116中被支持以使工件130可以通过工件旋转电动机140绕着轴302旋转，据此在注入期间工件130绕着电动机140的轴302在方向142上来回转过较小的旋转角度。任何适当的扫描系统304可用来在本发明的范围内支持工件130，其中示范的系统304允许工件130在方向142上的旋转并且还提供在相对于扫描的离子束124的射束扫描平面呈某一角度的工件扫描方向144上的平移，其中方向144(如“慢速扫描”方向)基本上垂直于图2A-2K配置中的射束扫描平面。其他实际应用是可能的，其中慢速扫描方向不必垂直于快速扫描方向(如下面的图7A-7J)，和/或其中工件旋转轴302可以相对于慢速扫描方向呈某一角度，例如，以此完成倾斜注入(如下面的图7A-7J和9A-9D)。

此外，如图2B所示，工件旋转与射束扫描仪136是同步的以使被扫描的射束124以通常恒定的入射角沿着曲线轨迹154照射工件130。尽管示范的曲线轨迹154(在这里被说明和描述为154a)通常是弓形的，但是本发明预计了沿着不是直线的任何形状的任何曲线轨迹可操作测量离子束的剂量测定系统，所述的曲线轨迹包括但不限于平面轨迹和不限于单个平面的轨迹以及可具有拐点和/或不连续点的轨迹，其中所有这样的系统被认为是属于本发明和所附权利要求的范围内的。

图2D-2I说明了注入期间系统300中同步的离子束124的扫描和工件130的旋转，其中射束124照射工件130的空间点定义了曲线(如非直线)轨迹154，包括但不限于三个所说明的入射点。图2D和2E说明了射束扫描仪136和在示范的第一扫描/旋转位置上旋转的工件130，其中扫描的离子束124a被设置成呈第一示范扫描角度θa并且沿着曲线轨迹154照射工件130的第一边缘。图3F和3G说明了示范的第二位置，其中扫描的离子束124b以零扫描角度(图中未示出)沿着轨迹154照射工件中心，并且图2H和2I说明了示范的第三扫描/旋转位置，其中射束124c被设置在第三示范扫描角度θc以便于沿着曲线轨迹154照射工件130的第二相反边缘。

虽然图2D-2I说明了用于工件130的非倾斜注入的三个示范的扫描/旋转位置，扫描/旋转将通常是射束124在单个水平射束扫描平面上和工件130在方向142上的连续同步运动。另一方面或组合地，射束124可以较小增量被扫描，并伴随工件130以较小增量的相应旋转，其中相应的曲线轨迹154可具有不连续点，并且其中所有这样的变化或其中的组合预计在本发明和所附权利要求的范围内。要注意的是，图2D-2I的协同的射束扫描/工件旋转在整个工件130上提供了被扫描的射束124的通常恒定的入射角，其中在图2D-2I的实际应用中入射角通常为90度(如射束124照射垂直于其表面的工件130)。下面的图4A-4C说明了系统10中扫描/旋转的变化，其中工件130在方向142上的旋转角偏移某一恒定量以便于取得具有恒定入射角的倾斜注入(如射束124以非垂直角度沿着稍微不同的曲线轨迹154a照射工件130)。

现在参见图2J和2K，任何适当的工件扫描系统304可以依照本发明来使用，如这里所描述的，其提供了工件130的旋转和平移。图2J和2K说明了示范的扫描系统300的另外细节和其中的工件扫描系统304。工件130被安装在工件支持结构310上，所述工件支持结构310耦合至工件旋转电动机140的转动轴。电动机140在处理室116内通过从工件旋转电动机140伸展穿过倾斜机构314和滑轨系统316至处理室116之外的底部318的转动轴312而被支持，其中转动轴312可绕着基本对准工件前表面的轴313旋转。倾斜机构314被安装到处理室壁116并且轨道系统316滑动安装底部318到倾斜机构314以使可以沿着工件扫描方向144平移底部318、转动轴312、电动机140和工件支持结构310。

正如下面在图7A-7J中进一步说明的，倾斜机构314可以旋转地安装到处理室116以使轨道系统316、底部318、转动轴312、电动机140和工件支持结构310可以绕着穿过工件130的轴旋转，据此工件扫描方向144可以相对于水平射束扫描平面呈任何非零角度。另外，正如下面在图9A-9D中进一步描述的，转动轴312可以旋转地安装到底部318，以使转动轴312、电动机140和工件支持结构310可以绕着旋转轴312的轴线313在方向320上旋转(图2K)，以使工件旋转轴302和工件扫描方向144可以是不平行的。

再次参见图3A-3F，本发明的另一个方面与用于沿着曲线轨迹测量射束特征的剂量测定系统和方法有关。图3A说明了工件130注入之前校准设置中的离子注入系统110。在这种情形下，示范的剂量测定系统150被置于末端站处理室116的工件位置上，以此沿着由入射到工件表面的射束所定义的曲线轨迹154测量扫描的离子束124。在一个应用中，正如下面就图6进一步说明和描述的，剂量测定系统150用来表征用于调节或校准注入系统110的射束剂量和均匀性。此后，系统150可以被移出工件位置用于此处的一个或多个工件130的注入。图3A的示范的剂量测定系统150在注入过程之前选择性地被定位于末端站处理室116的工件位置，并且被用来测量用于校准或调节射束剂量和/或均匀性的射束特征。

一旦系统被校准，剂量测定系统150被移去或者被迁移至远离工件位置的另一个位置，并且一个或多个工件130被定位于处理室116用于注入。本发明的剂量测定系统方面的其他实际应用是可能的，其中剂量测定或测量设备沿着曲线轨迹操作测量扫描的离子束，而不管工件130是否正在旋转，并且不管用来完成工件130的均匀注入的射束扫描和/或工件平移或旋转的特定组合，其中所有这种变化的应用实际被认为是属于本发明和所附权利要求的范围内的。

正如图3A所说明的，均匀性控制系统160接收来自剂量测定系统150的传感器信号并向离子源120和/或射束扫描仪136提供控制信号用于离子束124的均匀性的调节。设置了剂量控制系统162，其还接收来自剂量测定系统150的传感器信号并且比如在工件130沿着垂直工件扫描方向144(上述图2C、2E、2G和2I-2K)被平移时通过控制工件130的慢速扫描速度来操作控制注入剂量。正如下面进一步讨论的，还设置了传感器定位系统164，其控制剂量测定系统150中的各种电动机用于沿着曲线轨迹154定位传感器152。

正如图3B所说明的，示范的剂量测定系统150包含传感器152和用于将传感器152定位在沿着轨迹154的各个点上的安装设备156。传感器152可以是接收来自射束124的离子并提供表示在此接收的离子量的输出信号的任何传感器。在示范的剂量测定系统150中，传感器152是具有入口孔的法拉第杯或剂量测定杯(如有时被称为剂量杯)，来自射束124、穿过该入口孔的离子被接收，其中安装设备156支持传感器152并且沿着曲线轨迹154在多个点上选择性地定位传感器15用于测量射束124。

要注意的是，传感器152的这种选择性定位在注入期间有利地促使工件130所见的射束124特征的精确感测或测量。在这一点上，本发明已经意识到，沿着直线或轨迹定位一个或多个传感器将在射束照射曲线轨迹上的工件之处导致不精确的射束测量，据此基于这种直线测量的对射束剂量或均匀性的调节(如对离子源120、射束扫描仪136和/或对末端站116中慢速扫描速度的改变)可能不足以取得对现代半导体制造或其他注入过程的掺杂物剂量和均匀性需求的精确控制。

图3B-3F说明了包括单个法拉第杯传感器152的剂量测定系统150的一个实际应用，其具有用于沿着曲线轨迹154选择性定位传感器的安装设备156。在这种情况下，安装设备156包括被图3A的传感器定位控制系统164控制和供电的各种电动机，其可以被定位在末端站处理室116内或者可以在它的外部，其中信号、电源和其他设施(例如为此的控制电缆和支持结构，图中未示出)为安装设备156的各种电动机连同传感器布线作了准备，利用任何适当的密封穿过装置可使所述传感器布线穿过被抽空的处理室116的壁用于连接到外部控制系统164并为系统160和162提供传感器输出信号。在这一点上，安装设备的电动机和支持构件可提供内部通道(如可能是空心转动轴结构)以此在没有危及其间的密封的情况下允许信号、电源和控制电线以及其他设施从处理室的内部通到外部。

图3B的安装设备156包含第一和第二水平伸展的狭长支持构件170和172，以及分别地包含第一、第二和第三旋转电动机180、182和184。第一电动机180包括通过真空密封180b穿过末端站116的上部处理室壁的转动轴180a，以此在处理室116内旋转地支持第一支持构件170。第一支持构件170具有耦合至转动轴180a的第一末端和因此可以相对于处理室116绕着第一电动机180旋转的第二相对末端。第一构件170的第二末端通过第二旋转电动机182被枢轴安装到第二支持构件172的第一末端以使第二支持构件172可相对于第一支持构件170绕着第二电动机182的轴旋转。传感器152被安装到第二支持构件172，其中支持构件170、172可以通过电动机180和182相对于彼此并相对于处理室116旋转以便于沿着曲线轨迹154将传感器152定位于多个点上。

图3C说明了通过安装设备156被定位于沿着曲线轨迹154的三个示范点上的传感器152，所述传感器152用于在此处测量离子束124a、124b和124c。图4B的示范的安装设备156还包含将传感器152枢轴安装到第二构件172的第二末端的第三电动机184，从而允许传感器152在方向185上旋转以使通过第三电动机184使传感器152的入口孔指向扫描的离子束124的顶点。尽管图3C仅说明了传感器152的沿着轨迹154的三个示范点或位置，设备156可用来连续地将传感器152定位在沿着所说明的轨迹154或其他曲线轨迹的任何适当数量的这种点上用于测量扫描的离子束124的特性。图3D-3F说明了在通过电动机180和182将传感器152定位于沿着轨迹154的图3C的三个示范点以及通过第三电动机184利用面对射束124顶点的入口孔定位传感器152的过程中安装设备156的操作。

再次参见图4A-4F，示范的扫描系统300和剂量测定系统150还可用于其中期望以除90度以外的角度将掺杂物注入工件的情形(如倾斜注入)，就像经常在半导体器件制造中所见的情形。图4A-4C说明了在沿着第二示范的曲线轨迹154a经历倾斜注入的三个示范扫描/旋转位置上的扫描系统300的射束扫描仪136和工件130，其中工件130的旋转角在方向142上偏移某一恒定角度λ以便于再次利用工件旋转轴302和基本垂直的工件扫描方向(如垂直于射束扫描平面)取得倾斜注入。这样，射束124沿着稍微不同于用于上述非倾斜注入的轨迹154的轨迹154a以非垂直角度照射工件130。

图4D-4F说明了通过安装设备156利用剂量测定系统150将传感器152定位于沿着第二曲线轨迹154的三个示范点。要注意的是，示范的安装设备156和相应的定位控制系统164(图3A)可用来沿着任何曲线轨迹将传感器152定位于处理室116的工件位置上，据此本发明的剂量测定系统150可在任何注入系统中用来沿着任何曲线轨迹测量射束特征。其他的实际应用是可能的，例如，其中剂量测定系统安装设备提供了沿着不限于单个平面的曲线轨迹在处理室116内三维的传感器平移。在其他变体中，离子束124可以在多个方向上被电或磁扫描，其中剂量测定系统安装设备可以被设计成可选择地将传感器152定位于沿着比这里说明和描述的更复杂的曲线轨迹的多个点上。另一个可能的实际应用可涉及倾斜的或者绕着平行于所说明的X方向的轴旋转的工件130用于倾斜注入(如下面的图7A-9D)，其中工件扫描方向144不是严格地垂直的，其中剂量测定系统安装设备可以被设计成可沿着与射束124照射工件130的点相对应的曲线轨迹定位传感器152。另外，剂量测定系统150可包括具有相关的安装设备156的不止一个传感器152用于沿着曲线轨迹154测量被扫描的射束124，其中所有这种变化的实际应用被认为是属于本发明和所附权利要求的范围内的。

一个这种备选的剂量测定系统实际应用在图5A-5C中被说明，其中剂量测定系统150a位于处理室116内用于射束测量。在系统150a中，传感器152连同与上述系统150的安装设备不同的安装设备156a一起被设置。正如在图5A中所说明的，安装设备156a包含通过具有伸展到处理室内部穿过密封186b的转动轴186a的第一电动机186被枢轴安装到处理室116上壁的狭长轨道176。轨道176具有第一和第二相对末端并且可以相对于处理室绕着第一电动机186的轴旋转。

传感器152通过作为线性致动器或线性电动机的第二电动机188被滑动安装到轨道176，以使传感器152可以沿着方向178在轨道176的任何地方被定位，据此通过第一电动机186的轨道176的旋转和通过第二电动机188的传感器152沿着轨道176的平移允许传感器152被定位于处理室116内工件位置上沿着上面图2B所说明的曲线轨迹154的多个点上(用于非倾斜注入校准)或沿着上面图4A-4F的示范的第二曲线轨迹154a的点上(用于倾斜注入校准)或其他任何平面曲线轨迹，其中另外的垂直定位设备(图中未示出)可以被设置成可提供非平面曲线轨迹。同样地，示范的剂量测定系统150a包含第三电动机190，所述第三电动机190绕着第二轴旋转地安装传感器152到轨道176，从而允许传感器152相对于轨道176在方向192上旋转以此使传感器152的入口孔指向扫描的离子束124的顶点。

同样参见图6，本发明的另一个方面提供了用于在处理室内测量被扫描的射束的方法，其中图6说明了包括沿着依照本发明的曲线轨迹测量扫描的离子束的示范校准过程200。虽然校准过程200中的射束测量技术在下面作为一系列行为或事件进行了说明和描述，但是将会意识到，本发明不受限于这种行为或事件的说明顺序。例如，依照本发明，某些行为可以不同的顺序发生和/或与这里说明和/或描述的行为或事件不同的其他行为或事件同时发生。另外，并非所有说明的步骤可能要求实现依照本发明的方法论。此外，按照本发明的方法可以联合这里说明和描述的注入和剂量测定系统以及联合未说明的其他结构来实现。

注入系统校准200始于202处，其中扫描的离子束在204处沿着与照射工件的射束相对应的曲线轨迹(如上面的轨迹154、154a)被测量。同样参见图3A-3F，在一个实际应用中，204处的射束测量包含在处理室内(末端站116)将扫描的离子束(图3A中的射束124)引向工件位置，并且如图3C-3F所说明的，在工件位置处沿着曲线轨迹(如轨迹154)的多个点测量扫描的离子束124。为了进行测量，设置了传感器(传感器152)并且使其选择性地被定位于沿着曲线轨迹154的多个点上以此利用安装设备156测量扫描的离子束124(图3D-3F)。另外，传感器152的选择性定位可包含定位传感器152以使利用图3B的第三电动机184使其中的入口孔面对扫描的离子束124的顶点。

在图3A的示范系统110中，传感器输出信号被提供给均匀性控制系统160和剂量控制系统162。在206处确定关于是否测量表示沿着射束/工件入射的可接受的射束均匀性。如果不是的话(在206处为“否”)，在208处，射束均匀性控制系统160可调节离子源120和射束扫描仪136的其中之一或两者以此使入射射束均匀性接近目标或期望值或范围，并且在204处重复测量。这种测量/调节过程可以重复任何次数直至在206处发现均匀性是可接受的为止。在该点处(在206处为“是”)，按照最近的射束测量在210处调节注入时间。在图3A的系统110中，剂量控制系统162通过在方向144上(图2C)改变工件130的慢速扫描速度调节注入时间，其中减小慢速扫描速度增加了工件注入剂量并且增大速度减少了剂量。利用已经进行的剂量和均匀性调节，校准200在212处结束，并且剂量测定系统150从末端站处理室116的工件位置上被移去。此后，工件130被装入处理室116，并且注入如上所述地进行，其中另外的实时传感器(图中未示出)可以位于处理室116内以此测量射束(如在扫描的射束轨迹的过扫描区域)，从而确定注入期间较小的调节是否适当。

现在参见图2K和7A-7J，扫描系统300的另一个示范的实际应用在注入机110内被说明以此提供倾斜注入，其中倾斜机构314(图2K)被旋转地安装到处理室116以使轨道系统316、底部318、转动轴312、电动机140和工件支持结构310可以绕着穿过工件130的轴旋转，据此工件扫描方向144可以相对于水平射束扫描平面呈任何非零角度。这个实例促使离子以相对于工件130的处理表面通常恒定的(如非垂直的)角度注入工件130以及沿着方向144保持射束扫描仪136至工件130的基本恒定的焦距的工件扫描。在这一点上，倾斜机构314的旋转可控地将工件旋转轴302设置为相对于水平射束扫描平面呈某一斜角，同时维持工件扫描方向144平行于工件旋转轴302(如图7J)。

正如图7A所说明的，工件旋转电动机使工件130以与通过射束扫描仪136的离子束124的侧向扫描同步的方式绕着轴302旋转，从而定义曲线轨迹154，所述曲线轨迹154定义了射束124照射工件130的处理室116内的空间位置。图7A和7B说明了沿着工件扫描方向的工件130的两个位置(如两个慢速扫描位置)，其中借助于工件旋转轴302和工件扫描方向144之间的平行关系使工件130至射束扫描仪136的焦距基本保持为恒定。图7D-7I提供了说明在三个示范扫描/旋转位置上用于工件130的倾斜注入的射束扫描仪136和工件扫描系统的同步操作的顶视图和侧视图。

图8A-8C说明了依照本发明的图2A和3A的注入系统中的另一个示范的剂量测定系统150，所述剂量测定系统150可有利地与图2A-2K和7A-7J用于倾斜或非倾斜注入的扫描系统300一起使用。图8A-8C的剂量测定系统150包含传感器152，其中简化的安装设备156沿着曲线轨迹154定位传感器152。安装设备156包含具有第一和第二相对末端的狭长支持构件170，其中第一末端绕着第一电动机180的轴被枢轴安装到处理室116，据此支持构件170可以相对于水平射束扫描平面以非零角度旋转。传感器152通过第二电动机184被旋转安装到支持构件170。在图8A-8C的结构中，支持构件170因此可以绕着第一电动机180的轴旋转以此沿着曲线轨迹154的各个点定位传感器152，同时传感器152可以通过第二电动机184旋转以便于指向射束扫描仪顶点。尽管本发明未严格要求，第一电动机180的轴被置于接近射束扫描仪136的顶点和处理室116中工件位置之间的中途。如同上面的剂量测定系统150一样，电动机180、184和支持构件170可以是空心转动轴，以此容纳信号的路由选择和/或处理室116的内部和外部之间的电源布线。

扫描系统300的另一个可能的实际应用在图9A-9D中进行说明，其中晶片扫描方向144基本上垂直于离子束124的扫描平面并且晶片旋转轴302相对于射束扫描平面呈某一斜角。同样参见图2K，在这个实例中，转动轴312被旋转安装到底部318用于在方向320上绕着轴313旋转(图2K)。这允许转动轴312、电动机140、工件支持310、工件130和工件旋转轴302相对于射束扫描平面的旋转以此以基本恒定、非垂直的入射角提供工件130的注入，其中底部318保持基本垂直(图9D)，据此工件扫描方向144相对于水平射束扫描平面保持垂直。图9A-9C说明了这个实例在三个示范的工件扫描(慢速扫描)位置上的操作，其中当工件130沿着通常垂直方向144被平移时由于工件旋转轴302以倾斜角□倾斜而使工件130和射束扫描仪136之间的焦距改变。

虽然本发明已经就一个或多个实际应用进行了说明和描述，但是在没有偏离所附权利要求的精神和范围的情况下可以对说明的实例进行替换和/或修改。尤其是关于由上述部件或结构(块、单元、发动机、组件、装置、电路、系统等)实施的各种功能，除非另外表示，用来描述这样的部件的术语(包括“单元”)打算对应于实施所描述部件的特定功能的任何部件或结构(如在功能上是等效的)，即使不是在结构上等同于所公开的实施这里描述的本发明实际应用中功能的结构。另外，虽然本发明的特定特征已经仅就若干实际应用的其中之一进行了公开，但是这样的特征可以和如可能期望并对任何给定的或特定的应用有利的其他实际应用的一个或多个其他特征进行组合。此外，在某种程度上，术语“包括”、“具有”、“带有”或其中的变体被用于详细的说明和权利要求书中，这样的术语打算以类似于术语“包含”的方式被包括在内。

Claims (37)

1.一种离子注入系统，包含：

离子源，可操作用来生成离子束；

射束扫描仪，被定位于所述离子源的下游，所述射束扫描仪接收所述离子束并将扫描的离子束引向处理室内的工件；以及

剂量测定系统，可操作用来在所述工件位置处沿着曲线轨迹的多个点上测量所述被扫描的射束。

2.如权利要求1所述的离子注入系统，其中所述剂量测定系统包含：

传感器，其包含入口孔，所述传感器适于在所述入口孔处接收离子并且适于提供表示所接收离子的量的信号；以及

安装设备，适于支持所述传感器并且适于选择性地将所述传感器定位于所述工件位置处沿着所述曲线轨迹的多个点上。

3.如权利要求2所述的离子注入系统，其中所述曲线轨迹被定位在所述工件位置处的扫描离子束的平面上。

4.如权利要求2所述的离子注入系统，其中所述安装设备适于选择性地定位所述传感器以使所述传感器的所述入口孔指向沿着所述曲线轨迹的多个点上扫描的离子束的顶点。

5.如权利要求2所述的离子注入系统，其中所述安装设备包含：

第一狭长支持构件，其具有第一和第二相对末端，所述第一支持构件的所述第一末端被枢轴安装到所述处理室以使所述第一支持构件可相对于所述处理室绕着相对于所述扫描的离子束的平面呈非零角度的第一轴旋转；以及

第二狭长支持构件，其具有第一和第二相对末端，所述第二支持构件的所述第一末端被枢轴安装到所述第一支持构件以使所述第二支持构件可相对于所述第一支持构件绕着基本平行于所述第一轴的第二轴旋转，其中所述传感器被安装到所述第二支持构件，并且其中所述第一和第二支持构件可以相对于彼此并且相对于所述处理室独立地旋转以便于将所述传感器定位于所述处理室内所述工件位置处沿着所述曲线轨迹的多个点上。

6.如权利要求5所述的离子注入系统，其中所述安装设备包含：

第一电动机，其旋转地将所述第一支持构件的第一末端安装到所述处理室，所述第一电动机适于使所述第一支持构件相对于所述处理室绕着所述第一轴可控地枢轴转动；以及

第二电动机，其旋转地将所述第一支持构件的第二末端安装到所述第二支持构件的第一末端，所述第二电动机适于使所述第二支持构件相对于所述第一支持构件绕着所述第二轴可控地枢轴转动。

7.如权利要求6所述的离子注入系统，其中所述安装设备包含第三电动机，所述第三电动机绕着基本平行于所述第一轴的第三轴旋转地将所述传感器安装到所述第二支持构件的第二末端。

8.如权利要求6所述的离子注入系统，其中所述电动机是空心转动轴并且所述支持构件的内部区域处于大气压力下，以此在不损害所述处理室的真空完整性的情况下方便信号、电源和设施的线路从所述传感器通到所述处理室的外面。

9.如权利要求5所述的离子注入系统，其中所述传感器被枢轴安装到所述第二支持构件以使所述传感器可相对于所述第二支持构件绕着基本平行于所述第一轴的第三轴旋转。

10.如权利要求9所述的离子注入系统，其中所述安装设备包含电动机，所述电动机旋转地将所述传感器安装到所述第二支持构件的第二末端，所述电动机适于使所述传感器相对于所述第二支持构件绕着所述第三轴可控地枢轴转动，以使所述传感器的所述入口孔指向所述扫描的离子束的顶点。

11.如权利要求2所述的离子注入系统，其中所述安装设备包含狭长轨道，所述狭长轨道具有第一和第二相对末端，所述轨道被枢轴安装到所述处理室以使所述轨道可相对于所述处理室绕着相对于所述扫描的离子束的平面呈非零角度的第一轴旋转，并且其中所述传感器被滑动安装到所述轨道以使所述传感器可以被定位于所述轨道的所述第一和第二末端之间，并且所述轨道可以相对于所述处理室旋转以便于将所述传感器定位于沿着所述曲线轨迹的多个点上。

12.如权利要求11所述的离子注入系统，其中所述安装设备包含：

第一电动机，其可旋转地将所述轨道安装到所述处理室，所述第一电动机适于使所述轨道相对于所述处理室绕着所述第一轴可控地枢轴转动；以及

第二电动机，其选择性地将所述传感器定位于所述轨道的第一和第二末端之间。

13.如权利要求12所述的离子注入系统，其中所述安装设备包含第三电动机，所述第三电动机绕着基本平行于所述第一轴的第二轴旋转地将所述传感器安装到所述轨道。

14.如权利要求11所述的离子注入系统，其中所述传感器被枢轴安装到所述轨道以使所述传感器可相对于所述轨道绕着基本平行于所述第一轴的第二轴旋转。

15.如权利要求14所述的离子注入系统，其中所述安装设备包含电动机，所述电动机可旋转地将所述传感器安装到所述轨道，所述电动机适于使所述传感器相对于所述轨道绕着所述第二轴可控地枢轴转动，以使所述传感器的所述入口孔指向所述扫描的离子束的顶点。

16.如权利要求2所述的离子注入系统，其中所述安装设备包含狭长支持构件，所述狭长支持构件具有第一和第二相对末端，所述支持构件的第一末端绕着相对于所述扫描的离子束的平面呈非零角度的第一轴被枢轴安装到所述处理室，其中所述传感器被安装到所述支持构件并且与所述第一轴隔开，其中所述支持构件可相对于所述处理室旋转以便于将所述传感器定位于所述处理室内所述工件位置处沿着所述曲线轨迹的多个点上。

17.如权利要求16所述的离子注入系统，其中所述安装设备包含：

第一电动机，其旋转地将所述支持构件的第一末端安装到所述处理室，所述第一电动机适于使所述支持构件相对于所述处理室绕着所述第一轴可控地枢轴转动；以及

第二电动机，其旋转地将所述第一支持构件的第二末端安装到所述第二支持构件的第一末端，所述第二电动机适于使所述第二支持构件相对于所述第一支持构件绕着所述第二轴可控地枢轴转动。

18.如权利要求1所述的离子注入系统，其中所述曲线轨迹被定位在所述工件位置处的所述扫描离子束的平面上。

19.如权利要求1所述的离子注入系统，其中所述曲线轨迹包含所述扫描的离子束照射所述工件所在的空间位置。

20.一种用于测量处理室内扫描的射束的剂量测定系统，所述剂量测定系统包含：

传感器，所述传感器包含入口孔，所述传感器适于在所述入口孔处接收离子并且适于提供表示所接收离子的量的信号；以及

安装设备，适于支持所述传感器并且适于选择性地将所述传感器定位于所述处理室的工件位置处沿着所述曲线轨迹的多个点上。

21.如权利要求20所述的剂量测定系统，其中所述安装设备适于选择性地定位所述传感器以使所述传感器的所述入口孔指向所述扫描的离子束的顶点。

22.如权利要求20所述的剂量测定系统，其中所述安装设备包含：

第一狭长支持构件，其具有第一和第二相对末端，所述第一支持构件的所述第一末端被枢轴安装到所述处理室以使所述第一支持构件可相对于所述处理室绕着第一轴旋转；以及

第二狭长支持构件，其具有第一和第二相对末端，所述第二支持构件的所述第一末端被枢轴安装到所述第一支持构件的第二末端，以使所述第二支持构件可相对于所述第一支持构件绕着第二轴旋转，其中所述传感器被安装到所述第二支持构件，并且其中所述第一和第二支持构件可以相对于彼此并且相对于所述处理室旋转，以便于将所述传感器定位于沿着所述曲线轨迹的多个点上。

23.如权利要求22所述的剂量测定系统，其中所述安装设备包含：

第一电动机，其旋转地将所述第一支持构件的所述第一末端安装到所述处理室，所述第一电动机适于使所述第一支持构件相对于所述处理室绕着所述第一轴可控地枢轴转动；以及

第二电动机，其旋转地将所述第一支持构件的所述第二末端安装到所述第二支持构件的所述第一末端，所述第二电动机适于使所述第二支持构件相对于所述第一支持构件绕着所述第二轴可控地枢轴转动。

24.如权利要求23所述的剂量测定系统，其中所述安装设备包含第三电动机，所述第三电动机绕着第三轴旋转地将所述传感器安装到所述第二支持构件的第二末端。

25.如权利要求22所述的剂量测定系统，其中所述传感器被枢轴安装到所述第二支持构件以使所述传感器可相对于所述第二支持构件绕着第三轴旋转。

26.如权利要求25所述的剂量测定系统，其中所述安装设备包含电动机，所述电动机旋转地将所述传感器安装到所述第二支持构件的第二末端，所述电动机适于使所述传感器相对于所述第二支持构件绕着所述第三轴可控地枢轴转动。

27.如权利要求20所述的剂量测定系统，其中所述安装设备包含狭长轨道，所述狭长轨道具有第一和第二相对末端，所述轨道被枢轴安装到所述处理室以使所述轨道可相对于所述处理室绕着第一轴旋转，并且其中所述传感器被滑动安装到所述轨道以使所述传感器可以被定位于所述轨道的第一和第二末端之间，并且所述轨道可以相对于所述处理室旋转以便于将所述传感器定位于所述处理室内工件位置处沿着所述曲线轨迹的多个点上。

28.如权利要求27所述的剂量测定系统，其中所述安装设备包含：

第一电动机，其使所述轨道相对于所述处理室绕着所述第一轴可控地枢轴转动；以及

第二电动机，其选择性地将所述传感器定位于所述轨道的第一和第二末端之间。

29.如权利要求28所述的剂量测定系统，其中所述安装设备包含第三电动机，所述第三电动机绕着垂直于所述扫描的离子束平面的第二轴旋转地将所述传感器安装到所述轨道。

30.如权利要求27所述的剂量测定系统，其中所述传感器被枢轴安装到所述轨道以使所述传感器可相对于所述轨道绕着第二轴旋转。

31.如权利要求30所述的剂量测定系统，其中所述安装设备包含电动机，所述电动机使所述传感器相对于所述轨道绕着所述第二轴可控地枢轴转动。

32.如权利要求20所述的剂量测定系统，其中所述安装设备包含狭长支持构件，所述狭长支持构件具有第一和第二相对末端，所述支持构件的第一末端绕着相对于所述扫描的离子束的平面呈非零角度的第一轴被枢轴安装到所述处理室，其中所述传感器被安装到所述支持构件并且与所述第一轴隔开，其中所述支持构件可相对于所述处理室旋转以便于将所述传感器定位于所述处理室内所述工件位置处沿着所述曲线轨迹的多个点上。

33.如权利要求32所述的剂量测定系统，其中所述安装设备包含：

第一电动机，其旋转地将所述支持构件的第一末端安装到所述处理室，所述第一电动机适于使所述支持构件相对于所述处理室绕着所述第一轴可控地枢轴转动；以及

第二电动机，其旋转地将所述第一支持构件的第二末端安装到所述第二支持构件的第一末端，所述第二电动机适于使所述第二支持构件相对于所述第一支持构件绕着所述第二轴可控地枢轴转动。

34.如权利要求20所述的剂量测定系统，其中所述曲线轨迹包含所述扫描的离子束照射所述工件所在的空间位置。

35.一种测量处理室内扫描的射束的方法，所述方法包含：

将扫描的离子束引向处理室内的工件位置；以及

在所述工件位置处沿着曲线轨迹的多个点处测量所述扫描的离子束。

36.如权利要求35所述的方法，其中测量所述扫描的离子束包含：

设置传感器，所述传感器适于在所述入口孔处接收离子并且适于提供表示所接收离子的量的信号；以及

选择性地将所述传感器定位于沿着所述曲线轨迹的多个点上以此测量所述扫描的离子束。

37.如权利要求36所述的方法，其中选择性地将所述传感器定位于沿着所述曲线轨迹的多个点上包含定位所述传感器以使所述传感器的入口孔面对所述扫描的离子束的顶点。

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