JPS59103262A - 半導体ウエ−ハへのイオン注入装置 - Google Patents
半導体ウエ−ハへのイオン注入装置Info
- Publication number
- JPS59103262A JPS59103262A JP21495482A JP21495482A JPS59103262A JP S59103262 A JPS59103262 A JP S59103262A JP 21495482 A JP21495482 A JP 21495482A JP 21495482 A JP21495482 A JP 21495482A JP S59103262 A JPS59103262 A JP S59103262A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ion beam
- deflection
- semiconductor wafer
- electrode
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3171—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation for ion implantation
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は半導体ウェーハへのイオン注入装置に係り、
特にイオンビームの検出機構およびイオンビームの走査
機構に関するものである。
特にイオンビームの検出機構およびイオンビームの走査
機構に関するものである。
第１図は従来のイオン注入装置の一例を模式的に示す構
成図である。
成図である。
図において、（１）は半導体ウェーハに注入するイオン
を発生するイオン源、一点鎖線で示す（２）はイオン源
（１）から取り出されたイオンビーム、（３）はイオン
源（１１に連結されイオンビーム（２）内の不要イオン
を質量の相違によって分析して除去する質量分析器、（
４）は質量分析器（３）に連結されイオンビーム（２）
の速度を加速する加速器、（５）は加速器（４）に連結
され内部にイオンビーム（２）をＸ方向に偏向する一対
のＸ偏向電極（６）とＹ方向に偏向する一対のＹ偏内電
極（７）とを有しこれらの偏向電極（６ｊ 、 （７）
＆こそれぞれ印加される所要の三角波形のイオンビー
ム偏向電圧によってイオンビーム（２）が半導体ウエー
ノ・の主面を走査するようにするイオンビーム偏向部、
（８）はイオンビーム偏向部（７）に連結され内部にイ
オンビーム（２）の投射によってイオンが注入される半
導体ウェーノー （５０）を保持するウエーノ・保持金
属板（９）が設けられたウエーノ１収容部、（ｌＯ）は
ウエーノ・保持金属板（９）に接続されイオンビーム（
２）の投射量を検出する投射量検出器、（１１）はＸ偏
向電極（６）およびＸ偏向電極（７）に接続されこれら
の偏向電極（６）。
を発生するイオン源、一点鎖線で示す（２）はイオン源
（１）から取り出されたイオンビーム、（３）はイオン
源（１１に連結されイオンビーム（２）内の不要イオン
を質量の相違によって分析して除去する質量分析器、（
４）は質量分析器（３）に連結されイオンビーム（２）
の速度を加速する加速器、（５）は加速器（４）に連結
され内部にイオンビーム（２）をＸ方向に偏向する一対
のＸ偏向電極（６）とＹ方向に偏向する一対のＹ偏内電
極（７）とを有しこれらの偏向電極（６ｊ 、 （７）
＆こそれぞれ印加される所要の三角波形のイオンビー
ム偏向電圧によってイオンビーム（２）が半導体ウエー
ノ・の主面を走査するようにするイオンビーム偏向部、
（８）はイオンビーム偏向部（７）に連結され内部にイ
オンビーム（２）の投射によってイオンが注入される半
導体ウェーノー （５０）を保持するウエーノ・保持金
属板（９）が設けられたウエーノ１収容部、（ｌＯ）は
ウエーノ・保持金属板（９）に接続されイオンビーム（
２）の投射量を検出する投射量検出器、（１１）はＸ偏
向電極（６）およびＸ偏向電極（７）に接続されこれら
の偏向電極（６）。
（７）へのイオンビーム偏向電圧を発生する偏向電圧発
生器である。
生器である。
次に、この従来例のイオンビーム（２）の半導体ウェー
ハ（５０）への走査状況を第２図に偏向電極および半導
体ウエーノ・が保持されたウエーノ・保持金属板を拡大
して示す斜視図で説明する。
ハ（５０）への走査状況を第２図に偏向電極および半導
体ウエーノ・が保持されたウエーノ・保持金属板を拡大
して示す斜視図で説明する。
まず、Ｘ偏向電極（６）およびＸ偏向電極（７）にそれ
ぞれウエーノ・保持金属板（９）の表面上におけるイオ
ンビーム（２）の偏向距離が半導体ウェーノー （５０
）（７）を大径より大きくなるような電圧波高値と所要
周期とを有する三角波形のＸ方向偏向電圧およびＹ方向
偏向電圧を印加する。そして、これらの偏向電極＋６）
、 （７＋の間にイオンビーム（２）を通すと、イオ
ンビーム（２）が偏向電極ｔ６ｊ 、 （７）に印加さ
れた偏向電圧によって偏向されて、ウェー７１保持金属
板（９）の表面上において第２図に一点鎖線の折れ線（
１２）で示すような走査軌跡となり、イオンビーム（２
）のウェーハ保持金属板（９）の表面上における走査領
域がこれに保持された半導体ウェーノー （５Ｏ）の面
１１Ｊ：す大きい四角形状になって、イオンビーム（２
）による半導体ウェーノー （５０）へのイオン注入が
行われる。このときのイオンビーム（２）の投射量は投
射量検出器（ｌＯ）によって検出される。
ぞれウエーノ・保持金属板（９）の表面上におけるイオ
ンビーム（２）の偏向距離が半導体ウェーノー （５０
）（７）を大径より大きくなるような電圧波高値と所要
周期とを有する三角波形のＸ方向偏向電圧およびＹ方向
偏向電圧を印加する。そして、これらの偏向電極＋６）
、 （７＋の間にイオンビーム（２）を通すと、イオ
ンビーム（２）が偏向電極ｔ６ｊ 、 （７）に印加さ
れた偏向電圧によって偏向されて、ウェー７１保持金属
板（９）の表面上において第２図に一点鎖線の折れ線（
１２）で示すような走査軌跡となり、イオンビーム（２
）のウェーハ保持金属板（９）の表面上における走査領
域がこれに保持された半導体ウェーノー （５Ｏ）の面
１１Ｊ：す大きい四角形状になって、イオンビーム（２
）による半導体ウェーノー （５０）へのイオン注入が
行われる。このときのイオンビーム（２）の投射量は投
射量検出器（ｌＯ）によって検出される。
ところで、この従来例では、イオンビーム（２）の走査
領域が四角形状であるのに対して、半導体ウェーハ（５
０）が一般に円形状であるので、イオンビーム（２）が
半導体ウェー／−（５０）の主面を走査するためには、
少なくとも半導体ウエーノ）（５０）の面積の約１．３
倍の面積を走査する必要があり、イオンビーム（２）の
投射量の利用効率が悲いという欠点があった。
領域が四角形状であるのに対して、半導体ウェーハ（５
０）が一般に円形状であるので、イオンビーム（２）が
半導体ウェー／−（５０）の主面を走査するためには、
少なくとも半導体ウエーノ）（５０）の面積の約１．３
倍の面積を走査する必要があり、イオンビーム（２）の
投射量の利用効率が悲いという欠点があった。
この発明は、上述の欠点を改善する目的でなされたもの
で、イオンビームの半導体ウエーノ・の主面以外への投
射がないようにすることによって、イオンビームの投射
量の利用効率のよい半導体ウェーハへのイオン注入装置
を提供するものである。
で、イオンビームの半導体ウエーノ・の主面以外への投
射がないようにすることによって、イオンビームの投射
量の利用効率のよい半導体ウェーハへのイオン注入装置
を提供するものである。
第３図はこの発明の一実施例のイオン注入装置の偏向電
極および半導体ウェーノーが保持されたウェー・・保持
絶ｍ板を拡大して示す斜視図である。
極および半導体ウェーノーが保持されたウェー・・保持
絶ｍ板を拡大して示す斜視図である。
図において、第１図および第２図に示した従来例の符号
と同一符号は同等部分を示す。Ｑ３１は主面中央部に半
導体ウェーハ（５０）を保持するウェーハ保持絶縁板、
（１４Ｉは金属板からなり半導体ウェーハ（５０）の直
径より小さい直径を有しウェーノー保持絶縁板θ３）の
半導体ウエーノ： （５０）を保持する部分にこの部分
を貫通して半導体ウエーノ１（５０）の主面と当接する
ように固着され半導体ウエーノ１（５０）の主面に投射
されるイオンビーム（２）を検出する検出電極、（ｌ（
至）は検出電極α４）とＸ偏向電極（６）およびＸ偏向
電極（７）とに接続され検出電極（１４）からの電気信
号がなくなったときに、Ｘ偏向電極＋Ｃ＋＋ ’１．た
はＸ偏向電極（７）によるイオンビーム（２）の偏向方
向を反転させる機能を有する偏向電圧発生器である。
と同一符号は同等部分を示す。Ｑ３１は主面中央部に半
導体ウェーハ（５０）を保持するウェーハ保持絶縁板、
（１４Ｉは金属板からなり半導体ウェーハ（５０）の直
径より小さい直径を有しウェーノー保持絶縁板θ３）の
半導体ウエーノ： （５０）を保持する部分にこの部分
を貫通して半導体ウエーノ１（５０）の主面と当接する
ように固着され半導体ウエーノ１（５０）の主面に投射
されるイオンビーム（２）を検出する検出電極、（ｌ（
至）は検出電極α４）とＸ偏向電極（６）およびＸ偏向
電極（７）とに接続され検出電極（１４）からの電気信
号がなくなったときに、Ｘ偏向電極＋Ｃ＋＋ ’１．た
はＸ偏向電極（７）によるイオンビーム（２）の偏向方
向を反転させる機能を有する偏向電圧発生器である。
なお、投射量検出器（ｌｏｉは検出電極（１４）に接続
されている。
されている。
この実施例の構成は、ウェーハ保持絶縁板θ３）。
検出電極（Ｉ４）および偏向電圧発生器（１５）以外は
第１図に示した従来例の構成と同様である。
第１図に示した従来例の構成と同様である。
次に、この実施例のイオンビーム（２）の半導体ウェー
ハ（５０）への走査状況を第３図および第４図について
説明する。
ハ（５０）への走査状況を第３図および第４図について
説明する。
第４図はＸ偏向電極およびＸ偏向電極に印加される偏向
電圧によるイオンビームの半導体ウェーハの主面におけ
る走査軌跡と偏向電圧の波形との関係を示す説明図であ
る。
電圧によるイオンビームの半導体ウェーハの主面におけ
る走査軌跡と偏向電圧の波形との関係を示す説明図であ
る。
図において、一点鎖線の折れ線で示す（１２ａ）はＸ偏
向電極（６）およびＸ偏向電極（７）に印加される偏向
電圧による半導体ウェーハ（５０）の主面における走査
軌跡である。偏向電圧の波形を示す波形図の縦軸はＸ偏
向電極（６）に印加される偏向電圧、横軸は経過時間を
示す。なお、縦軸の止および負はＸ偏向電極（６）での
イオンビーム（２）をＸ方向左およびＸ方向右へ偏向さ
せる電圧極性である。
向電極（６）およびＸ偏向電極（７）に印加される偏向
電圧による半導体ウェーハ（５０）の主面における走査
軌跡である。偏向電圧の波形を示す波形図の縦軸はＸ偏
向電極（６）に印加される偏向電圧、横軸は経過時間を
示す。なお、縦軸の止および負はＸ偏向電極（６）での
イオンビーム（２）をＸ方向左およびＸ方向右へ偏向さ
せる電圧極性である。
ここでは、偏向電圧発生器Ｑ５＋は、検出電極（１４）
からの電気信号がなくなりＸ偏向電極（６）によるイオ
ンビーム（２）の偏向方向を反転させるときにはイオン
ビーム（２）のウェーハ保持絶縁板０３）の表面上にお
ける偏向距離が少なくとも半導体ウェーハ（５ｏ）の直
径に等しくなるよりなＸ方向偏向電圧をＸ偏向電極（６
）に印加し、Ｘ偏向電極（６）にＸ方向偏向電圧が印加
されていないときにはイオンビーム（２）がウェーハ保
持絶縁板θ（３）の表面上に保持された半導体ウェーハ
（５０）のＹ方向の直径上を往復できるような三角波形
のＹ方向偏向電圧をＸ偏向電極（７）に印加している場
合について述べる。
からの電気信号がなくなりＸ偏向電極（６）によるイオ
ンビーム（２）の偏向方向を反転させるときにはイオン
ビーム（２）のウェーハ保持絶縁板０３）の表面上にお
ける偏向距離が少なくとも半導体ウェーハ（５ｏ）の直
径に等しくなるよりなＸ方向偏向電圧をＸ偏向電極（６
）に印加し、Ｘ偏向電極（６）にＸ方向偏向電圧が印加
されていないときにはイオンビーム（２）がウェーハ保
持絶縁板θ（３）の表面上に保持された半導体ウェーハ
（５０）のＹ方向の直径上を往復できるような三角波形
のＹ方向偏向電圧をＸ偏向電極（７）に印加している場
合について述べる。
例えば、イオンビーム（２）が半導体ウェーハ（５０）
の周縁のａ。虚に位置し、偏向電圧発生器０５）からＸ
偏向電極（６）にイオンビーム（２）をＸ方向右へ偏向
させる偏向電圧が印加されており、Ｘ偏向電極（７）に
イオンビーム（２）をＹ方向下へ偏向させる偏向電圧が
印加されているときには、イオンビーム（２）がａ（）
から半導体ウェーハ（５０）の周縁のａ１点に達する。
の周縁のａ。虚に位置し、偏向電圧発生器０５）からＸ
偏向電極（６）にイオンビーム（２）をＸ方向右へ偏向
させる偏向電圧が印加されており、Ｘ偏向電極（７）に
イオンビーム（２）をＹ方向下へ偏向させる偏向電圧が
印加されているときには、イオンビーム（２）がａ（）
から半導体ウェーハ（５０）の周縁のａ１点に達する。
そして、イオンビー、１．［２）が８４点を越えてウェ
ーハ保持絶縁板α３）の表面上に出ると、検出電極θ４
）から偏向電圧発生器（＋６）への電気信号がなくなる
。
ーハ保持絶縁板α３）の表面上に出ると、検出電極θ４
）から偏向電圧発生器（＋６）への電気信号がなくなる
。
この電気信号がなくなると、偏向電圧発生器Ｑ５１が直
ちにイオンビーム（２１の偏向方向をＸ方向右からＸ方
向左へ反転させる偏向電圧をＸ偏向電極（６１に印加す
るので、イオンビーム（２）が１３点から半導体ウェー
ハ（５りの周縁の１２点へ進み、１２点を越えると、検
出電極（１４）から偏向電圧発生器（＋６）への電気信
号がなくなり、偏向電圧発生器θ５）の１３点における
作用と同様の作用によって、イオンビーム（２）がａか
ら半導体ウェーハ（５０）の周縁の１３点へ折返す。こ
のような偏向電圧発生器（１６ンの作用によって、イオ
ンビーム（２）が、半導体ウェーハ（５０）の周縁の１
３点、 ａ４点ｔ ａＳ点−−−一を順次折返し点とし
て折返し、半導体ウェーハ（５ｏ）の主面をこの主面か
らウェーハ保持絶縁板（＋３）の表面に出ることなく走
査する。
ちにイオンビーム（２１の偏向方向をＸ方向右からＸ方
向左へ反転させる偏向電圧をＸ偏向電極（６１に印加す
るので、イオンビーム（２）が１３点から半導体ウェー
ハ（５りの周縁の１２点へ進み、１２点を越えると、検
出電極（１４）から偏向電圧発生器（＋６）への電気信
号がなくなり、偏向電圧発生器θ５）の１３点における
作用と同様の作用によって、イオンビーム（２）がａか
ら半導体ウェーハ（５０）の周縁の１３点へ折返す。こ
のような偏向電圧発生器（１６ンの作用によって、イオ
ンビーム（２）が、半導体ウェーハ（５０）の周縁の１
３点、 ａ４点ｔ ａＳ点−−−一を順次折返し点とし
て折返し、半導体ウェーハ（５ｏ）の主面をこの主面か
らウェーハ保持絶縁板（＋３）の表面に出ることなく走
査する。
ここでは、偏向電圧発生器用が検出電極θ４）からの電
気信号がなくなったときに、Ｘ偏向電極（６）によるイ
オンビーム（２）の偏向方向を反転させる場合について
述べたが、これとは逆にＸ偏向電極（７）にヨルイオン
ビーム（２）の偏向方向を反転させる場合でも上述の場
合と同様である。
気信号がなくなったときに、Ｘ偏向電極（６）によるイ
オンビーム（２）の偏向方向を反転させる場合について
述べたが、これとは逆にＸ偏向電極（７）にヨルイオン
ビーム（２）の偏向方向を反転させる場合でも上述の場
合と同様である。
以上述べたように、この実施例では、偏向電圧発生器（
Ｉ（至）の作用によって、イオンビーム（２）が半導体
ウェーハ（５０）の主面をこの主面から出ることなく走
査することができるので、イオンビーム（２）の投射量
の利用効率を、第１図に示した従来例のそれに比べて極
めてよくすることができる。
Ｉ（至）の作用によって、イオンビーム（２）が半導体
ウェーハ（５０）の主面をこの主面から出ることなく走
査することができるので、イオンビーム（２）の投射量
の利用効率を、第１図に示した従来例のそれに比べて極
めてよくすることができる。
この実施例では、イオンビーム（２）が半導体ウェーハ
（５０）の主面を直線状に走査する場合であったが、こ
の発明はイオンビーム（２）が半導体ウェーハ（５０）
の主面を渦巻き状に走査する場合にも適−用することが
できる。この場合には、偏向電圧発生器００がＸ偏向電
極（６）に正弦波形（または余弦波形）の偏向電圧を印
加するとともにこの偏向電圧の大きさと同一の大きさの
余弦波形（または正弦波形）の偏向電圧をＸ偏向電極（
７）に印加して、これらの偏向電極（ｆ３’＋ 、 （
７１に印加される偏向電圧をともに零から徐々に太きく
シ、検出電極（１４）からの電気信号がなくなると、こ
の時点から偏向電、極（６）。
（５０）の主面を直線状に走査する場合であったが、こ
の発明はイオンビーム（２）が半導体ウェーハ（５０）
の主面を渦巻き状に走査する場合にも適−用することが
できる。この場合には、偏向電圧発生器００がＸ偏向電
極（６）に正弦波形（または余弦波形）の偏向電圧を印
加するとともにこの偏向電圧の大きさと同一の大きさの
余弦波形（または正弦波形）の偏向電圧をＸ偏向電極（
７）に印加して、これらの偏向電極（ｆ３’＋ 、 （
７１に印加される偏向電圧をともに零から徐々に太きく
シ、検出電極（１４）からの電気信号がなくなると、こ
の時点から偏向電、極（６）。
（７）に印加されている偏向電圧をともに徐々に小さく
して零になるように丁ればよい。１だ、この実施例では
、検出電極（１４）がウェーハ保持絶縁板（１３）の半
導体ウェーハ（５りを保持する部分にこの部分を貫通し
て固着されているが、必ずしもこれはウェーハ保持絶縁
板Ｑ３）を貫通して固着される必要はなく、ウェーハ保
持絶縁板（１３）の半導体ウェーハ（５０）を保持する
部分上に固着されていてもよい。
して零になるように丁ればよい。１だ、この実施例では
、検出電極（１４）がウェーハ保持絶縁板（１３）の半
導体ウェーハ（５りを保持する部分にこの部分を貫通し
て固着されているが、必ずしもこれはウェーハ保持絶縁
板Ｑ３）を貫通して固着される必要はなく、ウェーハ保
持絶縁板（１３）の半導体ウェーハ（５０）を保持する
部分上に固着されていてもよい。
なお、この実施例では、電界によってイオンビーム（２
）を偏向するＸ偏向電極（６）およびＸ偏向電極（７）
を用いたか、この発明はこれに限らず、磁界によってイ
オンビームをＸ方向に偏凹するＸ偏向コイルおよびＹ方
向に偏向するＸ偏向コイルを用いてもよい。
）を偏向するＸ偏向電極（６）およびＸ偏向電極（７）
を用いたか、この発明はこれに限らず、磁界によってイ
オンビームをＸ方向に偏凹するＸ偏向コイルおよびＹ方
向に偏向するＸ偏向コイルを用いてもよい。
この発明は以上説明したように、イオンビームをＸ方向
に偏向するＸ偏向手段と、Ｙ方向に偏向するＸ偏向手段
と、半導体ウェーハに投射される上記イオンビームを検
出する検出電極とに接続されたイオンビーム偏向制御器
によって、上記イオンビームの上記半導体ウェーハの主
面以外への投射がないように上記Ｘ偏向手段およびＸ偏
向手段による上記イオンビームの偏向を制御するので、
上記イオンビームの投射量の利用効率を極めてよくする
ことができる。
に偏向するＸ偏向手段と、Ｙ方向に偏向するＸ偏向手段
と、半導体ウェーハに投射される上記イオンビームを検
出する検出電極とに接続されたイオンビーム偏向制御器
によって、上記イオンビームの上記半導体ウェーハの主
面以外への投射がないように上記Ｘ偏向手段およびＸ偏
向手段による上記イオンビームの偏向を制御するので、
上記イオンビームの投射量の利用効率を極めてよくする
ことができる。
第１図は従来のイオン注入装置の一例を模式的に示す構
成図、第２図は上記従来例の偏向電極およびウェーハ保
持金属板を拡大して示す斜視図、第３図はこの発明の一
実施例のイオン注入装置の偏向電極およびウェーハ保持
絶縁板を拡大して示す斜視図、第４図はＸ偏向電極およ
びＸ偏向電極に印加される偏向電圧によるイオンビーム
の走査軌跡と偏向電圧の波形との関係を示す説明図であ
る０ 図において、（２）はイオンビーム、（６）はＸ偏向電
極（Ｘ偏向手段）、（７）はＸ偏向電極（Ｘ偏向手段）
、θ（９）はウェーハ保持絶縁板、（１４）は検出電極
、θ６）は偏向電圧発生器（イオンビーム偏向制御器）
である。 なお、図中同一符号はそれぞれ同一または相当部分を示
す。 代理人 葛 野 信 −（外１名） 第１ｒＡ 第２図 第３図 第４図
成図、第２図は上記従来例の偏向電極およびウェーハ保
持金属板を拡大して示す斜視図、第３図はこの発明の一
実施例のイオン注入装置の偏向電極およびウェーハ保持
絶縁板を拡大して示す斜視図、第４図はＸ偏向電極およ
びＸ偏向電極に印加される偏向電圧によるイオンビーム
の走査軌跡と偏向電圧の波形との関係を示す説明図であ
る０ 図において、（２）はイオンビーム、（６）はＸ偏向電
極（Ｘ偏向手段）、（７）はＸ偏向電極（Ｘ偏向手段）
、θ（９）はウェーハ保持絶縁板、（１４）は検出電極
、θ６）は偏向電圧発生器（イオンビーム偏向制御器）
である。 なお、図中同一符号はそれぞれ同一または相当部分を示
す。 代理人 葛 野 信 −（外１名） 第１ｒＡ 第２図 第３図 第４図
Claims (1)
- ＋１＋ 加速されたイオンビームを電界または磁界に
よってＸ方向に偏向するＸ偏向手段およびＹ方向に偏向
するＸ偏向手段、上記Ｘ偏向手段および上記Ｘ偏向手段
によって偏向された上記イオンビームが投射されてイオ
ン注入される半導体ウェーハを保持するウェーハ保持絶
縁板、上記半導体ウェーハの直径より小さい直径を有し
上記ウェーハ保持絶縁板の上記半導体ウェーハを保持す
る部分に上記半導体ウェーハの上記イオンビームが投射
する主面とは反対側の主面と当接するように設けられ上
記半導体ウェーハに投射される上記イオンビームを検出
する検出電極、並びに上記Ｘ偏向手段、上記Ｘ偏向手段
および上記検出電極に接続され上記検出電極からの電気
信号によって上記イオンビームの上記半導体ウェーハの
主面以外への投射がないように上記Ｘ偏向手段および上
記Ｘ偏向手段による上記イオンビームの偏向を制御する
イオンビーム偏向制御器を備えた半導体ウエーノ・への
イオン注入装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21495482A JPS59103262A (ja) | 1982-12-06 | 1982-12-06 | 半導体ウエ−ハへのイオン注入装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21495482A JPS59103262A (ja) | 1982-12-06 | 1982-12-06 | 半導体ウエ−ハへのイオン注入装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59103262A true JPS59103262A (ja) | 1984-06-14 |
Family
ID=16664311
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21495482A Pending JPS59103262A (ja) | 1982-12-06 | 1982-12-06 | 半導体ウエ−ハへのイオン注入装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59103262A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6388744A (ja) * | 1986-09-24 | 1988-04-19 | イートン コーポレーション | イオン注入装置およびそのイオンビームの均一処理方法 |
| EP0795888A2 (en) * | 1996-03-15 | 1997-09-17 | Applied Materials, Inc. | Scanning method for an ion implanter and apparatus therefor |
| WO1999014786A1 (en) * | 1997-09-15 | 1999-03-25 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for improved scanning efficiency in an ion implanter |
| JP2008513957A (ja) * | 2004-09-20 | 2008-05-01 | アクセリス テクノロジーズ インコーポレーテッド | イオン注入のスキャン中に使用される改良されたイオンビーム |
-
1982
- 1982-12-06 JP JP21495482A patent/JPS59103262A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6388744A (ja) * | 1986-09-24 | 1988-04-19 | イートン コーポレーション | イオン注入装置およびそのイオンビームの均一処理方法 |
| EP0795888A2 (en) * | 1996-03-15 | 1997-09-17 | Applied Materials, Inc. | Scanning method for an ion implanter and apparatus therefor |
| EP0795888A3 (en) * | 1996-03-15 | 1998-01-28 | Applied Materials, Inc. | Scanning method for an ion implanter and apparatus therefor |
| US5981961A (en) * | 1996-03-15 | 1999-11-09 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for improved scanning efficiency in an ion implanter |
| WO1999014786A1 (en) * | 1997-09-15 | 1999-03-25 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for improved scanning efficiency in an ion implanter |
| JP2008513957A (ja) * | 2004-09-20 | 2008-05-01 | アクセリス テクノロジーズ インコーポレーテッド | イオン注入のスキャン中に使用される改良されたイオンビーム |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4730932B2 (ja) | 広いダイナミックレンジのイオンビームスキャナー | |
| US5099130A (en) | Apparatus and methods relating to scanning ion beams | |
| JPS59103262A (ja) | 半導体ウエ−ハへのイオン注入装置 | |
| JPH025343A (ja) | イオン注入方法 | |
| JPS6329786B2 (ja) | ||
| JPH0227648A (ja) | 荷電ビーム装置 | |
| JP2540306B2 (ja) | イオン注入装置 | |
| JP2861030B2 (ja) | イオン注入装置 | |
| JPH03259514A (ja) | イオン注入方法 | |
| EP0162468A1 (en) | Ion microbeam implanter | |
| JPS6324617Y2 (ja) | ||
| JPH025347A (ja) | イオン注入方法 | |
| JP2665032B2 (ja) | イオン注入装置 | |
| JPH06310082A (ja) | イオン注入装置におけるビーム軌道の復元方法 | |
| JPH0547339A (ja) | イオン注入装置 | |
| JPH025345A (ja) | イオン注入方法 | |
| JP2785297B2 (ja) | イオン注入装置 | |
| JP2674356B2 (ja) | イオン注入装置 | |
| JPS6314867A (ja) | イオン注入装置 | |
| JPH0744023B2 (ja) | イオン注入装置 | |
| JPH0736350U (ja) | イオン注入装置 | |
| JPS62281247A (ja) | イオン注入装置 | |
| JPH01315938A (ja) | イオン注入装置 | |
| JPH07169434A (ja) | イオン注入装置 | |
| JPH025341A (ja) | イオン注入装置 |