JPS62281248A - イオン注入方法 - Google Patents
イオン注入方法Info
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- JPS62281248A JPS62281248A JP61122794A JP12279486A JPS62281248A JP S62281248 A JPS62281248 A JP S62281248A JP 61122794 A JP61122794 A JP 61122794A JP 12279486 A JP12279486 A JP 12279486A JP S62281248 A JPS62281248 A JP S62281248A
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- Japan
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- ion beam
- ion implantation
- semiconductor wafer
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- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 title claims abstract description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 17
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims abstract description 31
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 14
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 17
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 26
- 239000007943 implant Substances 0.000 abstract description 2
- 229910001423 beryllium ion Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 241000257465 Echinoidea Species 0.000 description 1
- 230000005465 channeling Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
3、発明の詳細な説明
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
本発明は、半導体ウェハ等の被イオン注入基板に所望の
イオンを注入するイオン注入方法にかかわり、特に表面
に凹凸を形成された被イオン注入基板にイオンを注入す
るイオン注入方法に関する。
イオンを注入するイオン注入方法にかかわり、特に表面
に凹凸を形成された被イオン注入基板にイオンを注入す
るイオン注入方法に関する。
(従来の技術)
一般に半導体ウェハ等の被イオン注入基板に所望のイオ
ンを注入する場合は、従来広のような方法で行われてい
る。
ンを注入する場合は、従来広のような方法で行われてい
る。
すなわち、第3図に示すように、イオンビーム発生装置
1から射出されたイオンビーム2は、それぞれ対向する
2枚の偏向板からなる垂直偏向板3水平幅向板4および
これらの偏向板間に一定の周波数の電圧を印加する電源
装置5.6から構成される装置 ラテン7上に保持され停止した半導体ウェハ8等の被イ
オン注入基仮に注入ざれる。
1から射出されたイオンビーム2は、それぞれ対向する
2枚の偏向板からなる垂直偏向板3水平幅向板4および
これらの偏向板間に一定の周波数の電圧を印加する電源
装置5.6から構成される装置 ラテン7上に保持され停止した半導体ウェハ8等の被イ
オン注入基仮に注入ざれる。
また、イオン注入時における半導体ウエハ8内部の軸ヂ
ャンネリングを避けるため、イオンビーム2が半導体ウ
ェハ8表面に対して一定の角度をもって入射するよう、
例えば半導体ウェハ8を垂直方向から7゜程度の傾斜を
もって保持し、イオンの注入を行う場合が多い。
ャンネリングを避けるため、イオンビーム2が半導体ウ
ェハ8表面に対して一定の角度をもって入射するよう、
例えば半導体ウェハ8を垂直方向から7゜程度の傾斜を
もって保持し、イオンの注入を行う場合が多い。
(発明が解決しようとする問題点)
しかしながら上述の従来のイオン注入方法では、例えば
第4図に示すように、半導体ウェハ8表面に四部9、凸
部10等が形成されている場合は、この半導体ウェハ8
をイオンビーム2に対して傾斜させて配置しても、これ
らの凹部9、凸部10の側壁部の一面例えば側壁部9a
、10aのみにイオンビーム2が照射され、側壁部9a
、に対面する側壁部9bおよび側壁部’IOaと反対側
の側壁部10b等にはイオンを注入することができない
という問題があった。
第4図に示すように、半導体ウェハ8表面に四部9、凸
部10等が形成されている場合は、この半導体ウェハ8
をイオンビーム2に対して傾斜させて配置しても、これ
らの凹部9、凸部10の側壁部の一面例えば側壁部9a
、10aのみにイオンビーム2が照射され、側壁部9a
、に対面する側壁部9bおよび側壁部’IOaと反対側
の側壁部10b等にはイオンを注入することができない
という問題があった。
本発明はかかる従来の事情に対処してなされたちので、
表面に凹凸が形成された被イオン注入板においても、こ
れらの凹部および凸部の側壁部にも均一にイオンを注入
することのできるイオン注入方法を提供しようとするも
のである。
表面に凹凸が形成された被イオン注入板においても、こ
れらの凹部および凸部の側壁部にも均一にイオンを注入
することのできるイオン注入方法を提供しようとするも
のである。
[発明の構成]
(問題点を解決するための手段)
すなわら本発明方法は、所望のイオンビームで被イオン
注入基板を走査し、イオンを注入するイオン注入方法に
おいて、前記被イオン注入基板を前記イオンビームに対
して垂直方向から一定角度傾斜させて配置するとともに
、前記被イオン注入基板をイオンビームの走査領域のほ
ぼ中央付近を通る回転軸の回りに回転させながら前記イ
オンビームで前記被イオン注入基板を走査して、イオン
を注入する。
注入基板を走査し、イオンを注入するイオン注入方法に
おいて、前記被イオン注入基板を前記イオンビームに対
して垂直方向から一定角度傾斜させて配置するとともに
、前記被イオン注入基板をイオンビームの走査領域のほ
ぼ中央付近を通る回転軸の回りに回転させながら前記イ
オンビームで前記被イオン注入基板を走査して、イオン
を注入する。
(作用)
本発明のイオン注入方法によれば、被イオン注入基板の
表面に形成された凹部および凸部の側壁部にも均一にイ
オンビームを照射することができ、均一にイオンを注入
することができる。
表面に形成された凹部および凸部の側壁部にも均一にイ
オンビームを照射することができ、均一にイオンを注入
することができる。
(実施例)
以下本発明方法の詳細を図面を用いて一実施例について
説明する。
説明する。
第1図は、本発明の一実施例方法に用いるイオン注入装
置を示すもので、イオンビーム発生装置11から射出さ
れた例えば3+、3++、p+、P ” ” 、A S
” 、A S ”十等のイオンビーム12は、それぞ
れ対向する2枚の偏向板からなる垂直偏向板13、水平
偏向板14およびこれらの偏向板の間に一定の周波数ま
たはウオブリング波形を含む一定周波数の電圧を印加す
る電源装置15.16から構成される装置 走査ざれてプラテン17に保持ざれ表面に凹凸を形成さ
れた半導体ウェハ18に注入ざれる。
置を示すもので、イオンビーム発生装置11から射出さ
れた例えば3+、3++、p+、P ” ” 、A S
” 、A S ”十等のイオンビーム12は、それぞ
れ対向する2枚の偏向板からなる垂直偏向板13、水平
偏向板14およびこれらの偏向板の間に一定の周波数ま
たはウオブリング波形を含む一定周波数の電圧を印加す
る電源装置15.16から構成される装置 走査ざれてプラテン17に保持ざれ表面に凹凸を形成さ
れた半導体ウェハ18に注入ざれる。
また、プラテン17は半導体ウェハ18をイオンビーム
12に対して所望の角度で固定することができるように
構成ざれており、ざらにプラテン17は回転装置17a
に接続ざれ、半導体ウェハ18のほほ中心付近を通り表
面に対して垂直な回転軸の回りに回転可能に構成ざれて
いる。
12に対して所望の角度で固定することができるように
構成ざれており、ざらにプラテン17は回転装置17a
に接続ざれ、半導体ウェハ18のほほ中心付近を通り表
面に対して垂直な回転軸の回りに回転可能に構成ざれて
いる。
上記構成の装置を用いてこの実施例方法では、例えばイ
オンビーム発生装置11から160KeV程度のエネル
ギーを有するAS十等のイオンビーム12を射出させ、
電源装置15から例えば117.191{z程度の電圧
を垂直偏向板13間に印加し、電源装置16から例えば
1019}+2の電圧を水平偏向板14間に印加して走
査する。そして、半導体ウェハ18を例えば45゜等、
30’ないし60’程度の範囲で垂直方向から傾斜させ
て配置し、回転装@17aにより半導体1クエハ18を
1秒間に1/2回転程度の速度で回転しながらイオンの
注入を行う。
オンビーム発生装置11から160KeV程度のエネル
ギーを有するAS十等のイオンビーム12を射出させ、
電源装置15から例えば117.191{z程度の電圧
を垂直偏向板13間に印加し、電源装置16から例えば
1019}+2の電圧を水平偏向板14間に印加して走
査する。そして、半導体ウェハ18を例えば45゜等、
30’ないし60’程度の範囲で垂直方向から傾斜させ
て配置し、回転装@17aにより半導体1クエハ18を
1秒間に1/2回転程度の速度で回転しながらイオンの
注入を行う。
なお、回転速度は、ざらに高速化してもよいし、変化さ
せてもよい。
せてもよい。
上記説明のこの実施例のイオン注入方法では、第2図に
示すよにう半導体ウェハ18表面に凹部19、凸部20
が形成ざれている場合でも、半導体ウニハコ8が回転ざ
れることにより例えば始めに四部19の側壁部19a、
凸部20の側壁部2Qaにイオンが注入ざれ(イ〉、半
導体ウェハ18が1/2回転された後には、それぞれ側
壁部19aに対向する側壁部’19b、側壁部20aの
反対側の側壁部20bにイオンビーム12が照射ざれイ
オンか注入ざれる(口)。
示すよにう半導体ウェハ18表面に凹部19、凸部20
が形成ざれている場合でも、半導体ウニハコ8が回転ざ
れることにより例えば始めに四部19の側壁部19a、
凸部20の側壁部2Qaにイオンが注入ざれ(イ〉、半
導体ウェハ18が1/2回転された後には、それぞれ側
壁部19aに対向する側壁部’19b、側壁部20aの
反対側の側壁部20bにイオンビーム12が照射ざれイ
オンか注入ざれる(口)。
従って、各側壁部に均一にイオンビーム12か照射ざれ
均一にイオンを注入することができる。
均一にイオンを注入することができる。
なあ、上記実施例では、半導体ウェハ18を傾けて配置
した場合について説明したが、半導体ウエバ18は、垂
直方向に設定し、中性ビームと分離するイオンビーム1
2の偏向電圧を制御して、半導体ウェハ18表面に対し
てイオンビーム12を斜めに入射させるようにしてもよ
い。この場合、半導体ウェハ18回転のための回転装置
17aを設置しやすい。
した場合について説明したが、半導体ウエバ18は、垂
直方向に設定し、中性ビームと分離するイオンビーム1
2の偏向電圧を制御して、半導体ウェハ18表面に対し
てイオンビーム12を斜めに入射させるようにしてもよ
い。この場合、半導体ウェハ18回転のための回転装置
17aを設置しやすい。
[発明の効果]
上述のように本発明のイオン注入方法では、被イオン注
入基板の表面に形成された凹部および凸部の側壁部にも
、均一にイオンビームを照射することができ、均一にイ
オンを注入することができる。
入基板の表面に形成された凹部および凸部の側壁部にも
、均一にイオンビームを照射することができ、均一にイ
オンを注入することができる。
第1図は本発明方法の一実施例方法に用いるイオン注入
装置の構成を示す側面図、第2図は第1図の一部拡大断
面図、第3図は従来方法に用いるイオン注入装置の構成
を示す側面図、第4図は第3図の一部拡大断面図である
。 11・・・・・・イオンビーム発生装置、12・・・・
・・イオンビーム、13・・・・・・垂直偏向板、14
・・・・・・水平偏向板、15.16・・・・・・電源
装置、17・・・・・・プラテン、17a・・・・・・
回転装置、18・・・・・・半導体ウェハ。 出願人 東京エレクトロン株式会社 代理人 弁理士 須 山 佐 − 第1図 箱2図 第3図 第4図
装置の構成を示す側面図、第2図は第1図の一部拡大断
面図、第3図は従来方法に用いるイオン注入装置の構成
を示す側面図、第4図は第3図の一部拡大断面図である
。 11・・・・・・イオンビーム発生装置、12・・・・
・・イオンビーム、13・・・・・・垂直偏向板、14
・・・・・・水平偏向板、15.16・・・・・・電源
装置、17・・・・・・プラテン、17a・・・・・・
回転装置、18・・・・・・半導体ウェハ。 出願人 東京エレクトロン株式会社 代理人 弁理士 須 山 佐 − 第1図 箱2図 第3図 第4図
Claims (2)
- (1)所望のイオンビームで被イオン注入基板を走査し
、イオンを注入するイオン注入方法において、前記被イ
オン注入基板を前記イオンビームに対して垂直方向から
一定角度傾斜させて配置するとともに、前記被イオン注
入基板をイオンビームの走査領域のほぼ中央付近を通る
回転軸の回りに回転させながら前記イオンビームで前記
被イオン注入基板を走査して、イオンを注入することを
特徴とするイオン注入方法。 - (2)一定角度は、30°ないし60°である特許請求
の範囲第1項記載のイオン注入方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61122794A JPH0834093B2 (ja) | 1986-05-28 | 1986-05-28 | イオン注入方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61122794A JPH0834093B2 (ja) | 1986-05-28 | 1986-05-28 | イオン注入方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62281248A true JPS62281248A (ja) | 1987-12-07 |
JPH0834093B2 JPH0834093B2 (ja) | 1996-03-29 |
Family
ID=14844789
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61122794A Expired - Lifetime JPH0834093B2 (ja) | 1986-05-28 | 1986-05-28 | イオン注入方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0834093B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62285355A (ja) * | 1986-06-03 | 1987-12-11 | Mitsubishi Electric Corp | イオン注入装置 |
US4929840A (en) * | 1989-02-28 | 1990-05-29 | Eaton Corporation | Wafer rotation control for an ion implanter |
US4943728A (en) * | 1989-02-28 | 1990-07-24 | Eaton Corporation | Beam pattern control system for an ion implanter |
US4975586A (en) * | 1989-02-28 | 1990-12-04 | Eaton Corporation | Ion implanter end station |
JP2009170062A (ja) * | 2008-01-21 | 2009-07-30 | Ulvac Japan Ltd | 磁性膜へのイオン注入方法およびイオン注入装置 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS53119671A (en) * | 1977-03-28 | 1978-10-19 | Toshiba Corp | Ion implanting method |
JPS55105324A (en) * | 1979-02-05 | 1980-08-12 | Semiconductor Res Found | Manufacturing method and apparatus of semiconductor device |
JPS62274621A (ja) * | 1986-05-22 | 1987-11-28 | Mitsubishi Electric Corp | イオン注入方法 |
-
1986
- 1986-05-28 JP JP61122794A patent/JPH0834093B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS53119671A (en) * | 1977-03-28 | 1978-10-19 | Toshiba Corp | Ion implanting method |
JPS55105324A (en) * | 1979-02-05 | 1980-08-12 | Semiconductor Res Found | Manufacturing method and apparatus of semiconductor device |
JPS62274621A (ja) * | 1986-05-22 | 1987-11-28 | Mitsubishi Electric Corp | イオン注入方法 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62285355A (ja) * | 1986-06-03 | 1987-12-11 | Mitsubishi Electric Corp | イオン注入装置 |
US4929840A (en) * | 1989-02-28 | 1990-05-29 | Eaton Corporation | Wafer rotation control for an ion implanter |
US4943728A (en) * | 1989-02-28 | 1990-07-24 | Eaton Corporation | Beam pattern control system for an ion implanter |
US4975586A (en) * | 1989-02-28 | 1990-12-04 | Eaton Corporation | Ion implanter end station |
JP2009170062A (ja) * | 2008-01-21 | 2009-07-30 | Ulvac Japan Ltd | 磁性膜へのイオン注入方法およびイオン注入装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0834093B2 (ja) | 1996-03-29 |
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