JPS62281248A - イオン注入方法 - Google Patents
イオン注入方法Info
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- JPS62281248A JPS62281248A JP61122794A JP12279486A JPS62281248A JP S62281248 A JPS62281248 A JP S62281248A JP 61122794 A JP61122794 A JP 61122794A JP 12279486 A JP12279486 A JP 12279486A JP S62281248 A JPS62281248 A JP S62281248A
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- Japan
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- ion
- ion beam
- ion implantation
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- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 title claims abstract description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 17
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims abstract description 31
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 14
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 17
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 26
- 239000007943 implant Substances 0.000 abstract description 2
- 229910001423 beryllium ion Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 241000257465 Echinoidea Species 0.000 description 1
- 230000005465 channeling Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体ウェハ等の被イオン注入基板に所望の
イオンを注入するイオン注入方法にかかわり、特に表面
に凹凸を形成された被イオン注入基板にイオンを注入す
るイオン注入方法に関する。
イオンを注入するイオン注入方法にかかわり、特に表面
に凹凸を形成された被イオン注入基板にイオンを注入す
るイオン注入方法に関する。
（従来の技術）
一般に半導体ウェハ等の被イオン注入基板に所望のイオ
ンを注入する場合は、従来広のような方法で行われてい
る。
ンを注入する場合は、従来広のような方法で行われてい
る。
すなわち、第３図に示すように、イオンビーム発生装置
１から射出されたイオンビーム２は、それぞれ対向する
２枚の偏向板からなる垂直偏向板３水平幅向板４および
これらの偏向板間に一定の周波数の電圧を印加する電源
装置５．６から構成される装置 ラテン７上に保持され停止した半導体ウェハ８等の被イ
オン注入基仮に注入ざれる。
１から射出されたイオンビーム２は、それぞれ対向する
２枚の偏向板からなる垂直偏向板３水平幅向板４および
これらの偏向板間に一定の周波数の電圧を印加する電源
装置５．６から構成される装置 ラテン７上に保持され停止した半導体ウェハ８等の被イ
オン注入基仮に注入ざれる。
また、イオン注入時における半導体ウエハ８内部の軸ヂ
ャンネリングを避けるため、イオンビーム２が半導体ウ
ェハ８表面に対して一定の角度をもって入射するよう、
例えば半導体ウェハ８を垂直方向から７゜程度の傾斜を
もって保持し、イオンの注入を行う場合が多い。
ャンネリングを避けるため、イオンビーム２が半導体ウ
ェハ８表面に対して一定の角度をもって入射するよう、
例えば半導体ウェハ８を垂直方向から７゜程度の傾斜を
もって保持し、イオンの注入を行う場合が多い。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら上述の従来のイオン注入方法では、例えば
第４図に示すように、半導体ウェハ８表面に四部９、凸
部１０等が形成されている場合は、この半導体ウェハ８
をイオンビーム２に対して傾斜させて配置しても、これ
らの凹部９、凸部１０の側壁部の一面例えば側壁部９ａ
、１０ａのみにイオンビーム２が照射され、側壁部９ａ
、に対面する側壁部９ｂおよび側壁部’ＩＯａと反対側
の側壁部１０ｂ等にはイオンを注入することができない
という問題があった。
第４図に示すように、半導体ウェハ８表面に四部９、凸
部１０等が形成されている場合は、この半導体ウェハ８
をイオンビーム２に対して傾斜させて配置しても、これ
らの凹部９、凸部１０の側壁部の一面例えば側壁部９ａ
、１０ａのみにイオンビーム２が照射され、側壁部９ａ
、に対面する側壁部９ｂおよび側壁部’ＩＯａと反対側
の側壁部１０ｂ等にはイオンを注入することができない
という問題があった。
本発明はかかる従来の事情に対処してなされたちので、
表面に凹凸が形成された被イオン注入板においても、こ
れらの凹部および凸部の側壁部にも均一にイオンを注入
することのできるイオン注入方法を提供しようとするも
のである。
表面に凹凸が形成された被イオン注入板においても、こ
れらの凹部および凸部の側壁部にも均一にイオンを注入
することのできるイオン注入方法を提供しようとするも
のである。
［発明の構成］
（問題点を解決するための手段）
すなわら本発明方法は、所望のイオンビームで被イオン
注入基板を走査し、イオンを注入するイオン注入方法に
おいて、前記被イオン注入基板を前記イオンビームに対
して垂直方向から一定角度傾斜させて配置するとともに
、前記被イオン注入基板をイオンビームの走査領域のほ
ぼ中央付近を通る回転軸の回りに回転させながら前記イ
オンビームで前記被イオン注入基板を走査して、イオン
を注入する。
注入基板を走査し、イオンを注入するイオン注入方法に
おいて、前記被イオン注入基板を前記イオンビームに対
して垂直方向から一定角度傾斜させて配置するとともに
、前記被イオン注入基板をイオンビームの走査領域のほ
ぼ中央付近を通る回転軸の回りに回転させながら前記イ
オンビームで前記被イオン注入基板を走査して、イオン
を注入する。
（作用）
本発明のイオン注入方法によれば、被イオン注入基板の
表面に形成された凹部および凸部の側壁部にも均一にイ
オンビームを照射することができ、均一にイオンを注入
することができる。
表面に形成された凹部および凸部の側壁部にも均一にイ
オンビームを照射することができ、均一にイオンを注入
することができる。
（実施例）
以下本発明方法の詳細を図面を用いて一実施例について
説明する。
説明する。
第１図は、本発明の一実施例方法に用いるイオン注入装
置を示すもので、イオンビーム発生装置１１から射出さ
れた例えば３＋、３＋＋、ｐ＋、Ｐ ” ” 、Ａ Ｓ
” 、Ａ Ｓ ”十等のイオンビーム１２は、それぞ
れ対向する２枚の偏向板からなる垂直偏向板１３、水平
偏向板１４およびこれらの偏向板の間に一定の周波数ま
たはウオブリング波形を含む一定周波数の電圧を印加す
る電源装置１５．１６から構成される装置 走査ざれてプラテン１７に保持ざれ表面に凹凸を形成さ
れた半導体ウェハ１８に注入ざれる。
置を示すもので、イオンビーム発生装置１１から射出さ
れた例えば３＋、３＋＋、ｐ＋、Ｐ ” ” 、Ａ Ｓ
” 、Ａ Ｓ ”十等のイオンビーム１２は、それぞ
れ対向する２枚の偏向板からなる垂直偏向板１３、水平
偏向板１４およびこれらの偏向板の間に一定の周波数ま
たはウオブリング波形を含む一定周波数の電圧を印加す
る電源装置１５．１６から構成される装置 走査ざれてプラテン１７に保持ざれ表面に凹凸を形成さ
れた半導体ウェハ１８に注入ざれる。
また、プラテン１７は半導体ウェハ１８をイオンビーム
１２に対して所望の角度で固定することができるように
構成ざれており、ざらにプラテン１７は回転装置１７ａ
に接続ざれ、半導体ウェハ１８のほほ中心付近を通り表
面に対して垂直な回転軸の回りに回転可能に構成ざれて
いる。
１２に対して所望の角度で固定することができるように
構成ざれており、ざらにプラテン１７は回転装置１７ａ
に接続ざれ、半導体ウェハ１８のほほ中心付近を通り表
面に対して垂直な回転軸の回りに回転可能に構成ざれて
いる。
上記構成の装置を用いてこの実施例方法では、例えばイ
オンビーム発生装置１１から１６０ＫｅＶ程度のエネル
ギーを有するＡＳ十等のイオンビーム１２を射出させ、
電源装置１５から例えば１１７．１９１｛ｚ程度の電圧
を垂直偏向板１３間に印加し、電源装置１６から例えば
１０１９｝＋２の電圧を水平偏向板１４間に印加して走
査する。そして、半導体ウェハ１８を例えば４５゜等、
３０’ないし６０’程度の範囲で垂直方向から傾斜させ
て配置し、回転装＠１７ａにより半導体１クエハ１８を
１秒間に１／２回転程度の速度で回転しながらイオンの
注入を行う。
オンビーム発生装置１１から１６０ＫｅＶ程度のエネル
ギーを有するＡＳ十等のイオンビーム１２を射出させ、
電源装置１５から例えば１１７．１９１｛ｚ程度の電圧
を垂直偏向板１３間に印加し、電源装置１６から例えば
１０１９｝＋２の電圧を水平偏向板１４間に印加して走
査する。そして、半導体ウェハ１８を例えば４５゜等、
３０’ないし６０’程度の範囲で垂直方向から傾斜させ
て配置し、回転装＠１７ａにより半導体１クエハ１８を
１秒間に１／２回転程度の速度で回転しながらイオンの
注入を行う。
なお、回転速度は、ざらに高速化してもよいし、変化さ
せてもよい。
せてもよい。
上記説明のこの実施例のイオン注入方法では、第２図に
示すよにう半導体ウェハ１８表面に凹部１９、凸部２０
が形成ざれている場合でも、半導体ウニハコ８が回転ざ
れることにより例えば始めに四部１９の側壁部１９ａ、
凸部２０の側壁部２Ｑａにイオンが注入ざれ（イ〉、半
導体ウェハ１８が１／２回転された後には、それぞれ側
壁部１９ａに対向する側壁部’１９ｂ、側壁部２０ａの
反対側の側壁部２０ｂにイオンビーム１２が照射ざれイ
オンか注入ざれる（口）。
示すよにう半導体ウェハ１８表面に凹部１９、凸部２０
が形成ざれている場合でも、半導体ウニハコ８が回転ざ
れることにより例えば始めに四部１９の側壁部１９ａ、
凸部２０の側壁部２Ｑａにイオンが注入ざれ（イ〉、半
導体ウェハ１８が１／２回転された後には、それぞれ側
壁部１９ａに対向する側壁部’１９ｂ、側壁部２０ａの
反対側の側壁部２０ｂにイオンビーム１２が照射ざれイ
オンか注入ざれる（口）。
従って、各側壁部に均一にイオンビーム１２か照射ざれ
均一にイオンを注入することができる。
均一にイオンを注入することができる。
なあ、上記実施例では、半導体ウェハ１８を傾けて配置
した場合について説明したが、半導体ウエバ１８は、垂
直方向に設定し、中性ビームと分離するイオンビーム１
２の偏向電圧を制御して、半導体ウェハ１８表面に対し
てイオンビーム１２を斜めに入射させるようにしてもよ
い。この場合、半導体ウェハ１８回転のための回転装置
１７ａを設置しやすい。
した場合について説明したが、半導体ウエバ１８は、垂
直方向に設定し、中性ビームと分離するイオンビーム１
２の偏向電圧を制御して、半導体ウェハ１８表面に対し
てイオンビーム１２を斜めに入射させるようにしてもよ
い。この場合、半導体ウェハ１８回転のための回転装置
１７ａを設置しやすい。
［発明の効果］
上述のように本発明のイオン注入方法では、被イオン注
入基板の表面に形成された凹部および凸部の側壁部にも
、均一にイオンビームを照射することができ、均一にイ
オンを注入することができる。
入基板の表面に形成された凹部および凸部の側壁部にも
、均一にイオンビームを照射することができ、均一にイ
オンを注入することができる。
第１図は本発明方法の一実施例方法に用いるイオン注入
装置の構成を示す側面図、第２図は第１図の一部拡大断
面図、第３図は従来方法に用いるイオン注入装置の構成
を示す側面図、第４図は第３図の一部拡大断面図である
。 １１・・・・・・イオンビーム発生装置、１２・・・・
・・イオンビーム、１３・・・・・・垂直偏向板、１４
・・・・・・水平偏向板、１５．１６・・・・・・電源
装置、１７・・・・・・プラテン、１７ａ・・・・・・
回転装置、１８・・・・・・半導体ウェハ。 出願人 東京エレクトロン株式会社 代理人 弁理士 須 山 佐 − 第１図 箱２図 第３図 第４図
装置の構成を示す側面図、第２図は第１図の一部拡大断
面図、第３図は従来方法に用いるイオン注入装置の構成
を示す側面図、第４図は第３図の一部拡大断面図である
。 １１・・・・・・イオンビーム発生装置、１２・・・・
・・イオンビーム、１３・・・・・・垂直偏向板、１４
・・・・・・水平偏向板、１５．１６・・・・・・電源
装置、１７・・・・・・プラテン、１７ａ・・・・・・
回転装置、１８・・・・・・半導体ウェハ。 出願人 東京エレクトロン株式会社 代理人 弁理士 須 山 佐 − 第１図 箱２図 第３図 第４図
Claims (2)
- （１）所望のイオンビームで被イオン注入基板を走査し
、イオンを注入するイオン注入方法において、前記被イ
オン注入基板を前記イオンビームに対して垂直方向から
一定角度傾斜させて配置するとともに、前記被イオン注
入基板をイオンビームの走査領域のほぼ中央付近を通る
回転軸の回りに回転させながら前記イオンビームで前記
被イオン注入基板を走査して、イオンを注入することを
特徴とするイオン注入方法。 - （２）一定角度は、３０°ないし６０°である特許請求
の範囲第１項記載のイオン注入方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61122794A JPH0834093B2 (ja) | 1986-05-28 | 1986-05-28 | イオン注入方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61122794A JPH0834093B2 (ja) | 1986-05-28 | 1986-05-28 | イオン注入方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62281248A true JPS62281248A (ja) | 1987-12-07 |
| JPH0834093B2 JPH0834093B2 (ja) | 1996-03-29 |
Family
ID=14844789
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61122794A Expired - Lifetime JPH0834093B2 (ja) | 1986-05-28 | 1986-05-28 | イオン注入方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0834093B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62285355A (ja) * | 1986-06-03 | 1987-12-11 | Mitsubishi Electric Corp | イオン注入装置 |
| US4929840A (en) * | 1989-02-28 | 1990-05-29 | Eaton Corporation | Wafer rotation control for an ion implanter |
| US4943728A (en) * | 1989-02-28 | 1990-07-24 | Eaton Corporation | Beam pattern control system for an ion implanter |
| US4975586A (en) * | 1989-02-28 | 1990-12-04 | Eaton Corporation | Ion implanter end station |
| JP2009170062A (ja) * | 2008-01-21 | 2009-07-30 | Ulvac Japan Ltd | 磁性膜へのイオン注入方法およびイオン注入装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53119671A (en) * | 1977-03-28 | 1978-10-19 | Toshiba Corp | Ion implanting method |
| JPS55105324A (en) * | 1979-02-05 | 1980-08-12 | Semiconductor Res Found | Manufacturing method and apparatus of semiconductor device |
| JPS62274621A (ja) * | 1986-05-22 | 1987-11-28 | Mitsubishi Electric Corp | イオン注入方法 |
-
1986
- 1986-05-28 JP JP61122794A patent/JPH0834093B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53119671A (en) * | 1977-03-28 | 1978-10-19 | Toshiba Corp | Ion implanting method |
| JPS55105324A (en) * | 1979-02-05 | 1980-08-12 | Semiconductor Res Found | Manufacturing method and apparatus of semiconductor device |
| JPS62274621A (ja) * | 1986-05-22 | 1987-11-28 | Mitsubishi Electric Corp | イオン注入方法 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62285355A (ja) * | 1986-06-03 | 1987-12-11 | Mitsubishi Electric Corp | イオン注入装置 |
| US4929840A (en) * | 1989-02-28 | 1990-05-29 | Eaton Corporation | Wafer rotation control for an ion implanter |
| US4943728A (en) * | 1989-02-28 | 1990-07-24 | Eaton Corporation | Beam pattern control system for an ion implanter |
| US4975586A (en) * | 1989-02-28 | 1990-12-04 | Eaton Corporation | Ion implanter end station |
| JP2009170062A (ja) * | 2008-01-21 | 2009-07-30 | Ulvac Japan Ltd | 磁性膜へのイオン注入方法およびイオン注入装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0834093B2 (ja) | 1996-03-29 |
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