JPH11150082A - 半導体ウエハーに対するイオン注入方法及び装置 - Google Patents
半導体ウエハーに対するイオン注入方法及び装置Info
- Publication number
- JPH11150082A JPH11150082A JP31856497A JP31856497A JPH11150082A JP H11150082 A JPH11150082 A JP H11150082A JP 31856497 A JP31856497 A JP 31856497A JP 31856497 A JP31856497 A JP 31856497A JP H11150082 A JPH11150082 A JP H11150082A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor wafer
- ion beam
- center
- outer periphery
- scanning
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体ウエハー１４に対するイオンの注入
を、イオン化装置１１から発射されるイオンビーム２を
半導体ウエハー１４の表面に対して照射することによっ
て行う場合に、一枚の半導体ウエハーに対してイオン注
入を行うに必要な時間を短くする。 【手段】 イオン化装置１１から半導体ウエハー１４の
表面に対して発射されるイオンビーム１２を、半導体ウ
エハーの外周から中心に向かう渦巻き状か、或いは、半
導体ウハエーの中心から外周に向かう渦巻き状にスキャ
ンする。
を、イオン化装置１１から発射されるイオンビーム２を
半導体ウエハー１４の表面に対して照射することによっ
て行う場合に、一枚の半導体ウエハーに対してイオン注
入を行うに必要な時間を短くする。 【手段】 イオン化装置１１から半導体ウエハー１４の
表面に対して発射されるイオンビーム１２を、半導体ウ
エハーの外周から中心に向かう渦巻き状か、或いは、半
導体ウハエーの中心から外周に向かう渦巻き状にスキャ
ンする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハーの
表面に対して、各種の不純物をイオンの形態にて注入す
る方法、及び、その装置に関するものである。
表面に対して、各種の不純物をイオンの形態にて注入す
る方法、及び、その装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体ウエハーに対するイオン
の注入は、図３に示すように、適宜の材料をイオン化す
るイオン化装置１から発射されるイオンビーム２を、支
持部材３に装着した半導体ウエハー４の表面に対して照
射することによって行うもので、この場合において、従
来は、前記イオン化装置１と、半導体ウハエー４との間
に、イオン化装置１から発射されるイオンビーム２を上
下方向に偏向する垂直偏向手段５と、左右方向に偏向す
る水平偏向手段６とを設け、この垂直偏向手段５及び水
平偏向手段６にて、図４に示すように、前記イオンビー
ム２を前記半導体ウエハー４を含む矩形の領域Ａ内を、
左右方向にジクザク状に往復しながら上から下向きに又
は下から上向きにスキャンすることにより、前記矩形の
領域Ａ内に位置している半導体ウエハー４の全表面に対
してイオンの注入を行うように構成している。
の注入は、図３に示すように、適宜の材料をイオン化す
るイオン化装置１から発射されるイオンビーム２を、支
持部材３に装着した半導体ウエハー４の表面に対して照
射することによって行うもので、この場合において、従
来は、前記イオン化装置１と、半導体ウハエー４との間
に、イオン化装置１から発射されるイオンビーム２を上
下方向に偏向する垂直偏向手段５と、左右方向に偏向す
る水平偏向手段６とを設け、この垂直偏向手段５及び水
平偏向手段６にて、図４に示すように、前記イオンビー
ム２を前記半導体ウエハー４を含む矩形の領域Ａ内を、
左右方向にジクザク状に往復しながら上から下向きに又
は下から上向きにスキャンすることにより、前記矩形の
領域Ａ内に位置している半導体ウエハー４の全表面に対
してイオンの注入を行うように構成している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の方法
は、前記したように、イオン化装置１から発射されるイ
オンビーム２を、垂直偏向手段５及び水平偏向手段６に
て、前記半導体ウエハー４を含む矩形の領域Ａ内を左右
方向にジグザグ状に往復しながら上から下向きに又は下
から上向きにスキャンするものであって、前記イオンビ
ーム２をスキャンする領域Ａが矩形であるのに対し、半
導体ウエハー４は円形であり、換言すると、前記イオン
ビーム２を、円形の半導体ウエハー４の全体を含む矩形
の領域Ａ内をスキャンするものであることにより、この
矩形の領域Ａ内における四隅部には、図４に斜めの平行
線を施したように、半導体ウエハー４に対してイオンを
行わなうことなくイオンビームがただスキャンするだけ
の無駄な部分ができ、しかも、この無駄な部分の半導体
ウエハー４における全表面積に対する割合が大きくて、
一枚の半導体ウエハーに対してイオン注入を行うに必要
な時間がそれだけ長くなるから、作業能率が低くて、コ
ストのアップを招来すると言う問題があった。
は、前記したように、イオン化装置１から発射されるイ
オンビーム２を、垂直偏向手段５及び水平偏向手段６に
て、前記半導体ウエハー４を含む矩形の領域Ａ内を左右
方向にジグザグ状に往復しながら上から下向きに又は下
から上向きにスキャンするものであって、前記イオンビ
ーム２をスキャンする領域Ａが矩形であるのに対し、半
導体ウエハー４は円形であり、換言すると、前記イオン
ビーム２を、円形の半導体ウエハー４の全体を含む矩形
の領域Ａ内をスキャンするものであることにより、この
矩形の領域Ａ内における四隅部には、図４に斜めの平行
線を施したように、半導体ウエハー４に対してイオンを
行わなうことなくイオンビームがただスキャンするだけ
の無駄な部分ができ、しかも、この無駄な部分の半導体
ウエハー４における全表面積に対する割合が大きくて、
一枚の半導体ウエハーに対してイオン注入を行うに必要
な時間がそれだけ長くなるから、作業能率が低くて、コ
ストのアップを招来すると言う問題があった。
【０００４】本発明は、この問題を解消したイオン注入
方法と、その装置とを提供することを技術的課題とする
ものである。
方法と、その装置とを提供することを技術的課題とする
ものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この技術的課題を達成す
るため本発明の方法は、「イオン化装置から半導体ウエ
ハーの表面に対して発射されるイオンビームを、半導体
ウエハーの外周から中心に向かう渦巻き状か、或いは、
半導体ウハエーの中心から外周に向かう渦巻き状にスキ
ャンすることを特徴とする。」ものである。
るため本発明の方法は、「イオン化装置から半導体ウエ
ハーの表面に対して発射されるイオンビームを、半導体
ウエハーの外周から中心に向かう渦巻き状か、或いは、
半導体ウハエーの中心から外周に向かう渦巻き状にスキ
ャンすることを特徴とする。」ものである。
【０００６】また、本発明の装置は、「半導体ウエハー
と、この半導体ウエハーの表面に対してイオンビームを
発射するイオン化装置との間に、前記イオン化装置から
発射されるイオンビームを、半導体ウエハーの外周から
中心に向かう渦巻き状か、或いは、半導体ウハエーの中
心から外周に向かう渦巻き状にスキャンするようにした
偏向手段を配設したことを特徴とする。」ものである。
と、この半導体ウエハーの表面に対してイオンビームを
発射するイオン化装置との間に、前記イオン化装置から
発射されるイオンビームを、半導体ウエハーの外周から
中心に向かう渦巻き状か、或いは、半導体ウハエーの中
心から外周に向かう渦巻き状にスキャンするようにした
偏向手段を配設したことを特徴とする。」ものである。
【０００７】
【発明の作用・効果】このように、イオン化装置から半
導体ウエハーの表面に対して発射されるイオンビーム
を、半導体ウエハーの外周から中心に向かう渦巻き状
か、或いは、半導体ウハエーの中心から外周に向かう渦
巻き状にスキャンすることにより、イオンビームをスキ
ャンする領域が、半導体ウエハーと同じ円形になるか
ら、半導体ウエハーの周りにイオンビームがただスキャ
ンするだけの無駄な部分ができることを殆ど無くするこ
とができるか、前記無駄な部分を僅少にすることができ
るのである。
導体ウエハーの表面に対して発射されるイオンビーム
を、半導体ウエハーの外周から中心に向かう渦巻き状
か、或いは、半導体ウハエーの中心から外周に向かう渦
巻き状にスキャンすることにより、イオンビームをスキ
ャンする領域が、半導体ウエハーと同じ円形になるか
ら、半導体ウエハーの周りにイオンビームがただスキャ
ンするだけの無駄な部分ができることを殆ど無くするこ
とができるか、前記無駄な部分を僅少にすることができ
るのである。
【０００８】従って、本発明によると、一枚の半導体ウ
エハーに対してイオン注入を行うに必要な時間を短くで
きるから、作業能率が高くて、コストの低減を達成でき
る効果を有する。
エハーに対してイオン注入を行うに必要な時間を短くで
きるから、作業能率が高くて、コストの低減を達成でき
る効果を有する。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を、図
１及び図２の図面について説明する。この図において符
号１４は、支持部材１３に装着した半導体ウエハーを、
符号１１は、適宜の材料をイオン化するイオン化装置を
各々示し、このイオン化装置１１から前記半導体ウエハ
ー１４の表面に向かってイオンビーム１２を発射するよ
うにすることにより、前記半導体ウエハー１４の表面に
対してイオンの注入を行う。
１及び図２の図面について説明する。この図において符
号１４は、支持部材１３に装着した半導体ウエハーを、
符号１１は、適宜の材料をイオン化するイオン化装置を
各々示し、このイオン化装置１１から前記半導体ウエハ
ー１４の表面に向かってイオンビーム１２を発射するよ
うにすることにより、前記半導体ウエハー１４の表面に
対してイオンの注入を行う。
【００１０】この場合において、前記イオン化装置１１
と、半導体ウハエー１４との間に、イオン化装置１１か
ら発射されるイオンビーム１２を上下方向に偏向する垂
直偏向手段１５と、左右方向に偏向する水平偏向手段１
６とを配設し、前記水平偏向手段１６には、正弦波形を
発生する信号発生器１７からの波形信号を入力とするゲ
インコントロールアンプ１８を接続する一方、前記垂直
偏向手段１５には、位相を９０度ずらせた正弦波形を発
生する信号発生器１９からの波形信号を入力とするゲイ
ンコントロールアンプ２０を接続する。
と、半導体ウハエー１４との間に、イオン化装置１１か
ら発射されるイオンビーム１２を上下方向に偏向する垂
直偏向手段１５と、左右方向に偏向する水平偏向手段１
６とを配設し、前記水平偏向手段１６には、正弦波形を
発生する信号発生器１７からの波形信号を入力とするゲ
インコントロールアンプ１８を接続する一方、前記垂直
偏向手段１５には、位相を９０度ずらせた正弦波形を発
生する信号発生器１９からの波形信号を入力とするゲイ
ンコントロールアンプ２０を接続する。
【００１１】更に、前記水平偏向手段１６に対するゲイ
ンコントロールアンプ１８及び垂直偏向手段１５に対す
るゲインコントロールアンプ２０に、三角形波形を発生
する信号発生器２１からの波形信号を入力とする非線形
アンプ２２を接続する。つまり、この構成により、前記
イオン化装置１１から半導体ウエハー１４に向かって発
射されるイオンビーム１２を、半導体ウハエー１４の中
心から外周に向かう渦巻き状にスキャンさせる。
ンコントロールアンプ１８及び垂直偏向手段１５に対す
るゲインコントロールアンプ２０に、三角形波形を発生
する信号発生器２１からの波形信号を入力とする非線形
アンプ２２を接続する。つまり、この構成により、前記
イオン化装置１１から半導体ウエハー１４に向かって発
射されるイオンビーム１２を、半導体ウハエー１４の中
心から外周に向かう渦巻き状にスキャンさせる。
【００１２】これにより、イオンビーム１２をスキャン
する領域が、半導体ウエハー１４と同じ円形になるか
ら、半導体ウエハー１４の周りにイオンビーム１２がた
だスキャンするだけの無駄な部分ができることを殆ど無
くすることができるか、前記無駄な部分を僅少にするこ
とができるのである。なお、前記実施の形態は、イオン
ビーム１２を半導体ウハエー１４の中心から外周に向か
う渦巻き状にスキャンさせる場合であったが、これに代
えて、イオンビーム１２を、半導体ウハエー１４の外周
から中心に向かう渦巻き状にスキャンさせるようにして
も良いことは言うまでもなく、また、前記非線形アンプ
２２には、前記渦巻き状にスキャンさせるときの半径方
向のピッチ間隔Ｐを増減調節するためのピッチ間隔調節
手段２３が設けられている。
する領域が、半導体ウエハー１４と同じ円形になるか
ら、半導体ウエハー１４の周りにイオンビーム１２がた
だスキャンするだけの無駄な部分ができることを殆ど無
くすることができるか、前記無駄な部分を僅少にするこ
とができるのである。なお、前記実施の形態は、イオン
ビーム１２を半導体ウハエー１４の中心から外周に向か
う渦巻き状にスキャンさせる場合であったが、これに代
えて、イオンビーム１２を、半導体ウハエー１４の外周
から中心に向かう渦巻き状にスキャンさせるようにして
も良いことは言うまでもなく、また、前記非線形アンプ
２２には、前記渦巻き状にスキャンさせるときの半径方
向のピッチ間隔Ｐを増減調節するためのピッチ間隔調節
手段２３が設けられている。
【００１３】ところで、前記イオン化装置１１から半導
体ウエハー１４に向かって発射されるイオンビーム１２
を、前記したように、半導体ウハエー１４の中心から外
周に向かう渦巻き状か、或いは、半導体ウハエー１４の
外周から中心に向かう渦巻き状にスキャンさせる場合に
おいて、渦巻き状にスキャンさせるときの半径方向のピ
ッチ間隔Ｐが、半導体ウエハー１４の外周から中心まで
の間において一定であると、半導体ウエハー１４の中心
部分に対するイオンの注入量が多くなると言うように、
イオンの注入にバラ付きが発生することになる。
体ウエハー１４に向かって発射されるイオンビーム１２
を、前記したように、半導体ウハエー１４の中心から外
周に向かう渦巻き状か、或いは、半導体ウハエー１４の
外周から中心に向かう渦巻き状にスキャンさせる場合に
おいて、渦巻き状にスキャンさせるときの半径方向のピ
ッチ間隔Ｐが、半導体ウエハー１４の外周から中心まで
の間において一定であると、半導体ウエハー１４の中心
部分に対するイオンの注入量が多くなると言うように、
イオンの注入にバラ付きが発生することになる。
【００１４】これを回避するには、例えば、前記非線形
アンプ２２に対する信号発生器２１における三角形波形
を、当該三角形波形のうち一つの辺を直線に代えて湾曲
線したものにすると言う手段等により、渦巻き状にスキ
ャンさせるときの半径方向のピッチ間隔Ｐを、半導体ウ
エハー１４における中心の部分において広くするように
すれば良いのである。
アンプ２２に対する信号発生器２１における三角形波形
を、当該三角形波形のうち一つの辺を直線に代えて湾曲
線したものにすると言う手段等により、渦巻き状にスキ
ャンさせるときの半径方向のピッチ間隔Ｐを、半導体ウ
エハー１４における中心の部分において広くするように
すれば良いのである。
【図１】本発明の実施の形態を示す斜視図である。
【図２】図１のII−II視拡大図である。
【図３】従来の例を示す斜視図である。
【図４】図３のIII −III 視拡大図である。
１１ イオン化装置 １２ イオンビーム １３ 支持部材 １４ 半導体ウエハー １５ 垂直偏向手段 １６ 水平偏向手段 １７，１９，２１ 信号発生器 １８，２０ ゲインコントロールアンプ ２２ 非線形アンプ ２３ ピッチ間隔調節手段
Claims (2)
- 【請求項１】イオン化装置から半導体ウエハーの表面に
対して発射されるイオンビームを、半導体ウエハーの外
周から中心に向かう渦巻き状か、或いは、半導体ウハエ
ーの中心から外周に向かう渦巻き状にスキャンすること
を特徴とする半導体ウエハーに対するイオン注入方法。 - 【請求項２】半導体ウエハーと、この半導体ウエハーの
表面に対してイオンビームを発射するイオン化装置との
間に、前記イオン化装置から発射されるイオンビーム
を、半導体ウエハーの外周から中心に向かう渦巻き状
か、或いは、半導体ウハエーの中心から外周に向かう渦
巻き状にスキャンするようにした偏向手段を配設したこ
とを特徴とする半導体ウエハーに対するイオン注入装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31856497A JPH11150082A (ja) | 1997-11-19 | 1997-11-19 | 半導体ウエハーに対するイオン注入方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31856497A JPH11150082A (ja) | 1997-11-19 | 1997-11-19 | 半導体ウエハーに対するイオン注入方法及び装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11150082A true JPH11150082A (ja) | 1999-06-02 |
Family
ID=18100549
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31856497A Pending JPH11150082A (ja) | 1997-11-19 | 1997-11-19 | 半導体ウエハーに対するイオン注入方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11150082A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013232363A (ja) * | 2012-05-01 | 2013-11-14 | Ulvac Japan Ltd | 照射方法、処理装置 |
| CN104835711A (zh) * | 2014-02-11 | 2015-08-12 | 英飞凌科技股份有限公司 | 具有离子束导向单元的注入装置、半导体器件及制造方法 |
| US11569641B2 (en) | 2020-11-16 | 2023-01-31 | Nrd Llc | Ionizer bar |
-
1997
- 1997-11-19 JP JP31856497A patent/JPH11150082A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013232363A (ja) * | 2012-05-01 | 2013-11-14 | Ulvac Japan Ltd | 照射方法、処理装置 |
| CN104835711A (zh) * | 2014-02-11 | 2015-08-12 | 英飞凌科技股份有限公司 | 具有离子束导向单元的注入装置、半导体器件及制造方法 |
| US9809877B2 (en) | 2014-02-11 | 2017-11-07 | Infineon Technologies Ag | Ion implantation apparatus with ion beam directing unit |
| US11569641B2 (en) | 2020-11-16 | 2023-01-31 | Nrd Llc | Ionizer bar |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20040105 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040210 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20040622 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |