JPH05264797A - ビーム照射方法及びその装置 - Google Patents

ビーム照射方法及びその装置

Info

Publication number
JPH05264797A
JPH05264797A JP9190092A JP9190092A JPH05264797A JP H05264797 A JPH05264797 A JP H05264797A JP 9190092 A JP9190092 A JP 9190092A JP 9190092 A JP9190092 A JP 9190092A JP H05264797 A JPH05264797 A JP H05264797A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
irradiation
deflecting
waveform
electromagnet
target
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP9190092A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroyuki Watanabe
洋之 渡邊
Norimoto Sagawa
準基 佐川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Engineering Co Ltd
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Engineering Co Ltd
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Engineering Co Ltd, Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Engineering Co Ltd
Priority to JP9190092A priority Critical patent/JPH05264797A/ja
Publication of JPH05264797A publication Critical patent/JPH05264797A/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Abstract

(57)【要約】 【目的】 加速されたビームを規定の領域に照射するに
あたって、任意のビーム照射量分布を得ることにある。 【構成】 ビーム発生源1より発したビームを前段加速
器2及びシンクロトロン3により加速し、ビームスキャ
ナー装置4でターゲット7に照射する。ビームスキャナ
ー装置4は、シンクロトロン3により加速されたビーム
をターゲット7に照射する際、X軸偏向用電磁石5とY
軸偏向用電磁石6が形成する磁場波形を適当に歪ませ、
この歪みに対応した照射野8内の点のビーム照射量を任
意に変える。このようにして、任意のビーム照射量分布
を得る。また、ターゲット、電磁石、電極又はビーム発
生源の駆動波形を適当に歪ませ、同様に、任意のビーム
照射量分布を得る。さらに、X軸とY軸偏向用の通電波
形又は駆動波形を非同期にして、照射野に一層より均一
な照射を得る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、加速された荷電粒子ビ
ーム(以下、単にビームという)を一定の領域に照射す
るビーム照射方法及びその装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、ビームスキャナー装置は、加速器
システムの一機器として、物理実験や工学実験及び医療
の分野において用いられてきた。しかし、従来の技術で
は、ビームを照射するダーゲットにおいて、その照射野
の任意の点の照射量を変化させることは不可能である。
従って、例えば、がん治療のように特定の領域の照射量
を増加させたい場合には、ターゲットの直前に適当な形
状の吸収体を配置して、意図する照射分布を得る必要が
あった。又、ビームのスポット径は有限であり、このた
め、照射野端には照射量の落ち込みが必然的に発生す
る。そこで、物理実験等において一定の領域にできるだ
け均一な照射が欲しい場合には、必要照射領域を小さく
して使用するか、あるいは、照射野端における影響がな
くなるまでオーバースキャンするしかなかった。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術では、次
のような問題がある。まず、照射野において任意の照射
量分布を得ようとすると、ビームスキャナー装置以外に
吸収体を加工し、これを配置せねばならない。又、照射
野において均一な照射量分布を得ようとすると、必要照
射領域を小さくするかあるいは必要以上にオーバースキ
ャンしなければならない。このオーバースキャンをする
ためには、ビームスキャナー用電磁石(又は電極)から
照射野までの間のビームダクトやバルブ等の真空部品の
サイズを必要以上に大きくすることを意味する。本発明
の目的は、以上のような問題点を解決し、ビームを照射
する照射領域において任意の照射量分布を与えることが
でき、又、均一な照射量分布を必要とする場合には、一
定の照射領域の中で最大の均一照射領域の確保を可能に
するビーム照射方法及びその装置を提供することにあ
る。
【0004】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明では以下のような手段を用いる。 (1)ビームを偏向させる電磁石又は電極の通電波形に
適当な歪みを与え、意図する領域のビーム領域のビーム
照射量を増加させる。 (2)ターゲット、電磁石、電極又はビーム発生源を駆
動させ、その駆動波形に適当な歪みを与え、意図する領
域のビーム照射量を増加させる。 (3)特に、照射野において均一な照射分布を必要とす
る場合には、その端部の照射量の必然的な落ち込みを補
うために、上記(1)、(2)を用いて照射野端部の照
射量を増加させる。さらに、水平偏向用電磁石又は電極
の通電波形と垂直偏向用電磁石又は電極の通電波形を適
当な非同期パターンとするか、ターゲット、電磁石、電
極又はビーム発生源の水平駆動波形と垂直駆動波形を適
当な非同期パターンとする。
【0005】
【作用】以下、本発明の作用を図を用いて説明する。図
11の照射野8のある点(x0,y0)における照射量D
(x0,y0)は、ビーム電流値分布をガウス分布と仮定
して、後述する(数1)式で表わされる。ここで、ビー
ムの照射速度 √(dx/dt)2+(dy/dt)2
は、 √(dBx/dt)2+(dBy/dt)2 (Bx,ByはそれぞれX軸、Y軸偏向用電磁石の磁
場)に比例する。この為、図10の磁場波形を適当に歪
ませると、この歪んだ部分と照射野において対応する場
所の照射量が増える。この原理に基づき、ビームを偏向
させる電磁石(又は電極)であるX軸偏向用電磁石、Y
軸偏向用電磁石の磁場(又は電場)を組合せ、2つの電
磁石(又は電極)の磁場(又は電場)波形を図10の点
丸印12の部分に示すように歪ませると、磁場波形が図
10の歪んでいる部分12と対応する図11の領域13
の照射量が増加することになる。このようにして、X
軸、Y軸偏向用電磁石(又は電極)の磁場(又は電場)
波形を、即ち、それぞれの通電電流波形(又は電圧波
形)を適当に歪ませることにより、照射野8における照
射量分布をコントロールすることができる。また、ター
ゲット、電磁石、電極又はビーム発生源を駆動させ、そ
の駆動波形に適当な歪みを与えても、同様の効果が得ら
れる。また、照射野8における照射量分布を均一な照射
分布とする場合は、X軸偏向用電磁石、Y軸偏向用電磁
石(又は電極)の通電波形のそれぞれの波頭部分を歪ま
せる。上述した原理により、この波頭部分に対応する場
所即ち照射野端の照射量が増え、照射野8に均一な照射
が可能となる。さらに、図13のように、X軸とY軸偏
向用の通電波形を非同期(非同期分を矢印により示す)
とすると、ビームの走査線は、図14に示す如く少しず
つずれ、照射野に一層より均一な照射が可能となる。ま
た、ターゲット、電磁石、電極又はビーム発生源の水平
駆動波形と垂直駆動波形を適当な非同期パターンとして
も、同様の効果が得られる。
【0006】
【実施例】以下、本発明の実施例を詳細に説明する。本
発明の第1の実施例を図1を用いて説明する。図1は、
ビームスキャナー装置を含んだ加速器(ビーム照射装置
と呼称する)を示す。図1において、ビーム照射装置
は、ビーム発生源1、前段加速器2、シンクロトロン3
及びビームスキャナー装置4から構成される。そのビー
ムスキャナー装置4の典型的な構成は、図1に拡大して
示すように、ビームを水平方向に曲げるためのX軸偏向
用電磁石5と垂直方向に曲げるためのY軸偏向用電磁石
6及びそれぞれの電磁石の電源(図示せず)とからなっ
ている。なお、7はターゲット、8は照射野を示す。ビ
ーム発生源1から発したビームは、前段加速器2を経
て、シンクロトロン3に入射され加速される。加速され
たビームは、シンクロトロン3より取り出されて、ビー
ム輸送系を介してビームスキャナー装置4により、ター
ゲット7の規定の領域(照射野)8に照射される。ここ
で、ビームスキャナー装置4において、ビームは基本的
に2次元照射を行うため、水平方向(X軸方向)偏向用
の電磁石5と垂直方向(Y軸方向)偏向用の電磁石6を
組み合わせて用いられる。上流の加速器で加速されたビ
ームは、X軸偏向用電磁石5のY軸方向の磁場によりX
軸方向に曲げられ、Y軸偏向用電磁石6のX軸方向磁場
によりY軸方向に曲げられる。それぞれの電磁石の磁場
波形は、例えば図2のように、3角波から成り立ってい
る。なお、横軸は時間、縦軸は磁束密度を示す。この2
つの電磁石を組み合わせ、得られたX軸偏向用とY軸偏
向用の磁場波形から、図3のように、ターゲツト7の照
射野8に2次元のビーム照射を得る。なお、照射野8の
実線はビーム走査線を示す。
【0007】本実施例は、2つの電磁石の磁場波形を図
10のように歪ませることを特徴とする。つまり、X軸
偏向用電磁石5、Y軸偏向用電磁石6の磁場波形を点丸
印12の部分に示すように歪ませることにある。いま、
図11の照射野8のある点(x0,y0)における照射量
D(x0,y0)は、ビーム電流値分布をガウス分布と仮
定して、次の式で表わされる。
【数1】 (照射波形に沿って積分) ここで、ビームの照射速度 √(dx/dt)2+(d
y/dt)2 は、 √(dBx/dt)2+(dBy/dt)2 (Bx,ByはそれぞれX軸、Y軸偏向用電磁石の磁
場)に比例する。この為、図10の磁場波形を適当に歪
ませると、この歪んだ部分と照射野において対応する場
所の照射量が増える。この原理に基づき、結果として、
X軸偏向用電磁石5、Y軸偏向用電磁石6の磁場の組合
せにより、磁場波形が図10の歪んでいる点丸印12の
部分と対応する図11の領域13の照射量が増加するこ
とになる。従って、X軸5、Y軸偏向用電磁石6の磁場
波形を、即ち、それぞれの通電電流波形を適当に歪ませ
ることにより、照射野8における照射量分布をコントロ
ールすることができる。
【0008】また、照射野8における照射量分布を均一
な照射分布とする場合は、本実施例の特殊な場合であ
り、照射野端における照射量を増やすことを特徴とす
る。通常、照射するビームの径は、照射野の大きさに比
べて有限の大きさであるため、ビームを照射した領域の
端の方では、図15に示すように必然的に照射量が落ち
る。図15は、ターゲット7における照射野8のビーム
照射に対して、X軸方向、Y軸方向のそれぞれの照射野
端の照射量が、符号14に示すようにそれぞれ落ちる様
子を示す。そこで、X軸偏向用電磁石5、Y軸偏向用電
磁石6の通電波形のそれぞれの波頭部分を歪ませ、図1
2のようにX軸、Y軸偏向用磁束密度の3角波のそれぞ
れの波頭部分12に歪みを生じさせる。上述した原理に
より、この波頭部分12に対応する場所即ち照射野端に
おける照射量が増え、図15の符号15に示すように均
一な照射が可能となる。さらに、図13に示すように、
X軸とY軸偏向用の通電波形を非同期(非同期分を矢印
により示す)とすると、ビームの走査線は、図14に示
す如く少しずつずれる。これにより、照射野に一層より
均一な照射が可能となる。
【0009】以上、ビームを偏向する手段として、別体
に設けた水平偏向用と垂直偏向用の2つの電磁石を用い
たが、例えば図4に示すように、水平偏向用と垂直偏向
用の2つの電磁石を一体にした電磁石9の場合でも、
又、図5のように、電磁石の代わりにX軸偏向用電極1
0、Y軸偏向用電極11から成る電極を用いた場合で
も、同様である。また、本実施例では上流の加速器をシ
ンクロトロンとしたが、これはサイクロトロンであろう
と、線型加速器であろうと事情は変わらない。
【0010】本発明の第2の実施例を図6に示す。本実
施例においては、ビームを偏向させる電磁石や電極を使
用せず、ターゲット7を駆動させることにより、ビーム
照射を行うことを特徴とする。図6において、ビームを
一方向に偏向させ、ターゲット7に照射する。そこで、
ターゲット7を図示の矢印のようにX軸方向とY軸方向
に駆動し、この駆動を適当に歪ませることにより、駆動
波形を歪ませる。図10、図11について上述したよう
に、この歪んだ駆動波形の部分12と対応する照射野8
の場所13の照射量は増え、照射野8における照射量分
布をコントロールする。また、照射野8における照射量
分布を均一な照射分布とする場合は、本実施例の特殊な
場合であり、ターゲット7をX軸方向とY軸方向に駆動
し、第1の実施例において述べた原理により、照射野端
における照射量を増やすことを特徴とする。即ち、ター
ゲット7をX軸方向とY軸方向に駆動し、その駆動波形
のそれぞれの波頭部分を歪ませれば、図12のようにX
軸、Y軸偏向用磁束密度の3角波のそれぞれの波頭部分
12に歪みを生じ、上述したように、照射野端における
照射量が増え、図15の符号15に示すように均一な照
射が可能となる。さらに、図13に示すように、ターゲ
ット7のX軸とY軸用駆動波形を非同期とすると、ビー
ムの走査線は、図14に示す如く少しずつずれ、上述し
たと同様に、照射野に一層より均一な照射が可能とな
る。これにより、実施例1と同様の効果が得られる。
【0011】本発明の第3の実施例を図7に示す。本実
施例においては、ビーム発生源1を直接駆動させること
により、ビーム照射を行うことを特徴とする。図7にお
いて、ビーム発生源1を図示の矢印のようにX軸方向と
Y軸方向に駆動して、ビームを偏向させる。そこで、ビ
ーム発生源1の駆動を適当に歪ませ、ビームをターゲッ
ト7に照射する。ビーム発生源1の駆動の歪みにより、
ビームの照射波形に歪みが生じ、上述した原理により、
照射野8における照射量分布をコントロールする。ま
た、照射野8における照射量分布を均一な照射分布とす
る場合は、本実施例の特殊な場合であり、ビーム発生源
1をX軸方向とY軸方向に駆動し、上述したと同様に、
照射野端における照射量を増やす。さらに、照射野に一
層より均一な照射が可能とするには、ビーム発生源1の
X軸とY軸用駆動波形を非同期とする。これにより、実
施例1と同様の効果が得られる。
【0012】本発明の第4の実施例を図8に示す。本実
施例においては偏向用電磁石(又は電極)10を回転さ
せることにより、ビーム照射を行うことを特徴とする。
ビームは、偏向用電磁石(又は電極)の磁場方向と強度
により偏向することは図1において述べた通りである。
図6において、偏向用電磁石(又は電極)10を図示の
矢印のように回転し、同時に、偏向用電磁石(又は電
極)の通電電流(電圧)波形の強度を調整すると、ビー
ムは、偏向され、図示のようにターゲット7に照射され
る。そこで、偏向用電磁石(又は電極)10の回転駆動
を適当に歪ませると、この回転駆動波形の歪により、ビ
ームの照射波形に歪みが生じ、照射野8における照射量
分布をコントロールする。これにより、実施例1と同様
の効果が得られる。
【0013】本発明の第5の実施例を図9に示す。本実
施例においては、偏向用電磁石(又は電極)10によ
り、ビームを一方向に偏向させ、ターゲット7を回転さ
せることにより、ビーム照射を行うことを特徴とする。
図9において、偏向用電磁石(又は電極)10によるビ
ームの偏向を一方向として、偏向用電磁石(又は電極)
の通電電流(電圧)波形の強度を調整し、同時に、ター
ゲット7を図示の矢印のように回転させると、ビーム
は、図示のように、ターゲット7に照射される。そこ
で、ターゲット7の回転駆動を適当に歪ませると、この
回転駆動波形の歪みにより、ビームの照射波形に歪みが
生じ、照射野8における照射量分布をコントロールす
る。これにより、実施例1と同様の効果が得られる。
【0014】
【発明の効果】本発明によれば、次の様な効果を得るこ
とができる。 (1)本発明によれば、規定の照射領域において、任意
の照射量分布を容易に得ることができる為、イオンビー
ムによる治療に使用するビーム吸収体を製作・配置する
必要がなくなり、経済的に有利であり、また、治療効率
もアップする。 (2)また、物理実験等においてできるだけ広い面積に
均一なビーム照射量分布を得たい場合には、本発明によ
り、必要以上のオーバースキャンをすることなしに目的
が達せられる。従って、実施例1,3,4,5のように
スキャンニングを行う場合には、ビーム偏向点からター
ゲットまでの間に存在する真空機器(ビームダクト、真
空バルブ、絶縁ダクト等)のサイズを最小に抑えること
ができ、又、実施例2のようにスキャンニングを行う場
合には、駆動範囲を最小に抑えることができるので、経
済的に非常に有利である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例を説明するビーム照射装
置を示す図。
【図2】本発明の作用を説明するためのビーム偏向用磁
場波形を示す図
【図3】本発明の作用を説明するためのターゲットにお
ける照射波形を示す図
【図4】ビーム照射装置を説明するための図
【図5】ビーム照射装置を説明するための図
【図6】本発明の第2の実施例を説明するための図
【図7】本発明の第3の実施例を説明するための図
【図8】本発明の第4の実施例を説明するための図
【図9】本発明の第5の実施例を説明するための図
【図10】本発明の作用を説明するための歪みを与えた
磁場波形を示す図
【図11】本発明の作用を説明するためのターゲットに
おける照射波形を示す図
【図12】本発明の均一な照射を行う場合の歪み磁場波
形を示す図
【図13】本発明の均一な照射を行う場合の非同期磁場
波形を示す図
【図14】本発明の均一な照射を行う場合のターゲット
における照射波形を示す図
【図15】本発明のの均一な照射を行う場合の照射量分
布を示す図
【符号の説明】
1 ビーム発生源 2 前段加速器 3 シンクロトロン 4 ビームスキャナー装置 5 X軸偏向用電磁石 6 Y軸偏向用電磁石 7 ターゲット 8 照射野 9 X軸偏向用とY軸偏向用電磁石を一体にした電磁石 10 X軸偏向用電極 11 Y軸偏向用電極 12 波形の歪み 13 ターゲット上において照射量が多くなる部分 14 従来技術による照射量分布 15 本発明による照射量分布

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 加速された荷電粒子ビームを偏向して一
    定の領域に照射するビーム照射方法において、荷電粒子
    ビームの偏向に歪みを与え、この歪みに対応した領域内
    の点のビーム照射量を任意に変えることを特徴とするビ
    ーム照射方法。
  2. 【請求項2】 請求項1において、ビームの偏向に与え
    る歪みは、規定の照射領域の端部に対応し、この端部の
    ビーム照射量を増やし、規定の照射領域の照射量分布を
    一定とすることを特徴とするビーム照射方法。
  3. 【請求項3】 請求項1又は請求項2において、ビーム
    の偏向を水平方向と垂直方向とし、水平方向に偏向する
    波形と垂直方向に偏向する波形を非同期とすることを特
    徴とするビーム照射方法。
  4. 【請求項4】 加速された荷電粒子ビームと、ビームを
    偏向する手段と、照射野内にビームを照射するターゲッ
    トから成るビーム照射装置において、ビームの偏向に歪
    みを与え、この歪みに対応した照射野内の点のビーム照
    射量を任意に変えることを特徴とするビーム照射装置。
  5. 【請求項5】 請求項4において、ビームを偏向する手
    段は、ビーム偏向用電磁石又は電極から成り、ビーム偏
    向用電磁石又は電極が形成する磁場波形又は電場波形に
    適当な歪みを与えることを特徴とするビーム照射装置。
  6. 【請求項6】 請求項4において、ビームを偏向する手
    段は、ビームを一方向に偏向すると共にビームを照射す
    るターゲットを駆動し、このターゲットの駆動波形を適
    当に歪ませることを特徴とするビーム照射装置。
  7. 【請求項7】 請求項4において、ビームを偏向する手
    段は、ビーム発生源から成り、このビーム発生源を駆動
    し、ビーム発生源の駆動波形を適当に歪ませることを特
    徴とするビーム照射装置。
  8. 【請求項8】 請求項4ないし請求項7のいずれかにお
    いて、ビームの偏向に与える歪みは、規定の照射野の端
    部に対応し、この端部のビーム照射量を増やし、規定の
    照射野の照射量分布を一定とすることを特徴とするビー
    ム照射装置。
  9. 【請求項9】 請求項4ないし請求項7のいずれか又は
    請求項8において、ビームの偏向を水平方向と垂直方向
    とし、水平方向に偏向する波形と垂直方向に偏向する波
    形を非同期とすることを特徴とするビーム照射装置。
  10. 【請求項10】 請求項4において、ビームを偏向する
    手段は、ビーム偏向用電磁石又は電極から成り、ビーム
    偏向用電磁石又は電極を回転駆動すると共にその磁場又
    は電場の強度を調整し、ビーム偏向用電磁石又は電極の
    回転駆動波形に適当な歪みを与えることを特徴とするビ
    ーム照射装置。
  11. 【請求項11】 請求項4において、ビームを偏向する
    手段は、ビーム偏向用電磁石又は電極の磁場又は電場の
    強度を調整すると共にビームを照射するターゲットを回
    転駆動し、このターゲットの回転駆動波形に適当な歪み
    を与えることを特徴とするビーム照射装置。
JP9190092A 1992-03-17 1992-03-17 ビーム照射方法及びその装置 Granted JPH05264797A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9190092A JPH05264797A (ja) 1992-03-17 1992-03-17 ビーム照射方法及びその装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9190092A JPH05264797A (ja) 1992-03-17 1992-03-17 ビーム照射方法及びその装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH05264797A true JPH05264797A (ja) 1993-10-12

Family

ID=14039448

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP9190092A Granted JPH05264797A (ja) 1992-03-17 1992-03-17 ビーム照射方法及びその装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH05264797A (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007260222A (ja) * 2006-03-29 2007-10-11 Osaka Univ 荷電粒子線偏向装置および荷電粒子線照射装置
JP2013096949A (ja) * 2011-11-04 2013-05-20 Hitachi Ltd 走査電磁石および荷電粒子ビーム照射装置
WO2016067820A1 (ja) * 2014-10-28 2016-05-06 国立研究開発法人 放射線医学総合研究所 荷電粒子ビーム照射装置
JP2016083344A (ja) * 2014-10-28 2016-05-19 国立研究開発法人放射線医学総合研究所 荷電粒子ビーム照射装置
JP2019191031A (ja) * 2018-04-26 2019-10-31 株式会社日立製作所 粒子線照射装置および粒子線治療システム
WO2021020004A1 (ja) * 2019-07-26 2021-02-04 株式会社日立製作所 走査電磁石および粒子線治療システム

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS50121698A (ja) * 1974-03-12 1975-09-23
JPS50122162A (ja) * 1974-03-12 1975-09-25
JPS60188900A (en) * 1984-03-09 1985-09-26 Nippon Electric Co Radiation irradiating device
JPS60236100A (en) * 1984-05-10 1985-11-22 Nippon Electric Co Linear type particle accelerator
JPS6344200B2 (ja) * 1982-03-29 1988-09-02 Hitachi Ltd
JPS6344199B2 (ja) * 1982-12-15 1988-09-02 Mitsubishi Electric Corp

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS50121698A (ja) * 1974-03-12 1975-09-23
JPS50122162A (ja) * 1974-03-12 1975-09-25
JPS6344200B2 (ja) * 1982-03-29 1988-09-02 Hitachi Ltd
JPS6344199B2 (ja) * 1982-12-15 1988-09-02 Mitsubishi Electric Corp
JPS60188900A (en) * 1984-03-09 1985-09-26 Nippon Electric Co Radiation irradiating device
JPS60236100A (en) * 1984-05-10 1985-11-22 Nippon Electric Co Linear type particle accelerator

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007260222A (ja) * 2006-03-29 2007-10-11 Osaka Univ 荷電粒子線偏向装置および荷電粒子線照射装置
JP2013096949A (ja) * 2011-11-04 2013-05-20 Hitachi Ltd 走査電磁石および荷電粒子ビーム照射装置
WO2016067820A1 (ja) * 2014-10-28 2016-05-06 国立研究開発法人 放射線医学総合研究所 荷電粒子ビーム照射装置
JP2016083344A (ja) * 2014-10-28 2016-05-19 国立研究開発法人放射線医学総合研究所 荷電粒子ビーム照射装置
CN106999729A (zh) * 2014-10-28 2017-08-01 国立研究开发法人量子科学技术研究开发机构 带电粒子束照射装置
US10090132B2 (en) 2014-10-28 2018-10-02 National Institutes For Quantum And Radiological Science And Technology Charged particle beam irradiation apparatus
CN106999729B (zh) * 2014-10-28 2019-07-30 国立研究开发法人量子科学技术研究开发机构 带电粒子束照射装置
JP2019191031A (ja) * 2018-04-26 2019-10-31 株式会社日立製作所 粒子線照射装置および粒子線治療システム
WO2021020004A1 (ja) * 2019-07-26 2021-02-04 株式会社日立製作所 走査電磁石および粒子線治療システム
JP2021019747A (ja) * 2019-07-26 2021-02-18 株式会社日立製作所 走査電磁石および粒子線治療システム

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5267294A (en) Radiotherapy apparatus
US7772577B2 (en) Particle beam therapy system
JP2019150662A (ja) 荷電ハドロンビームの供給
US6218675B1 (en) Charged particle beam irradiation apparatus
JP5143606B2 (ja) 荷電粒子線照射装置
US8153990B2 (en) Particle beam therapy system
JP4452848B2 (ja) 荷電粒子線照射装置および回転ガントリ
JP4474549B2 (ja) 照射野形成装置
US7856086B2 (en) X-ray generator
US3193717A (en) Beam scanning method and apparatus
JPH0793121B2 (ja) 二次元磁気走査を用いたイオン照射装置および関連装置
JPH11142600A (ja) 荷電粒子線照射装置及び照射方法
WO2008103747A1 (en) Compact scanned electron-beam x-ray source
JP2000214298A (ja) 荷電粒子線照射装置及びその装置に用いるエネルギ―コンペンセ―タ、並びに荷電粒子線照射方法
JP2001000562A (ja) 治療装置
JP2002299207A (ja) 荷電粒子ビーム描画装置
JPH05264797A (ja) ビーム照射方法及びその装置
JPH08257148A (ja) 回転ガントリ
US20120313015A1 (en) Irradiation apparatus and irradiation method for depositing a dose in a target volume
JP2007175540A (ja) 粒子線照射装置の制御システム及びその制御方法
JP2011050660A (ja) 粒子線治療システム及び粒子線照射方法
JP6486141B2 (ja) 粒子線治療装置および粒子線調整方法
JPH11142596A (ja) 荷電粒子ビーム出射装置
JP3547812B2 (ja) 粒子ビーム装置及びそれを用いた医療装置
JP6640997B2 (ja) 粒子線治療装置