JPS62219448A - 集束イオンビ−ム装置 - Google Patents
集束イオンビ−ム装置Info
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- JPS62219448A JPS62219448A JP6259986A JP6259986A JPS62219448A JP S62219448 A JPS62219448 A JP S62219448A JP 6259986 A JP6259986 A JP 6259986A JP 6259986 A JP6259986 A JP 6259986A JP S62219448 A JPS62219448 A JP S62219448A
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- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 title claims abstract description 42
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 abstract description 14
- 230000005465 channeling Effects 0.000 abstract description 5
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract 2
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 19
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は集束イオンビームに関し、更に詳しくは1台の
装置でマスクレスイオン注入と図形描画等を最適な条件
で行なわせるようにした装置に関する。
装置でマスクレスイオン注入と図形描画等を最適な条件
で行なわせるようにした装置に関する。
[従来技術]
液体イオン源を用いた′集束イオンビーム装置では、そ
のイオン源よりGa(ガリウム)、AU(金)をはじめ
、Si(シリコン)、Be(ベリリューム)、B(ホウ
素)、Zn(亜鉛>、sb(アンチモン)等の多種の金
属イオンが得られるため、半導体プロセスでの応用は、
■マスクレスイオン注入、■レジスト直接描画、■エツ
チング、■マスクリベアラー等広い範囲にわたっている
。
のイオン源よりGa(ガリウム)、AU(金)をはじめ
、Si(シリコン)、Be(ベリリューム)、B(ホウ
素)、Zn(亜鉛>、sb(アンチモン)等の多種の金
属イオンが得られるため、半導体プロセスでの応用は、
■マスクレスイオン注入、■レジスト直接描画、■エツ
チング、■マスクリベアラー等広い範囲にわたっている
。
第4図はこのような半導体プロセスで使用される従来の
集束イオンビーム装置の構成例を示す図である。図にお
いて、1は加速されたイオンビーム、2は静電型レンズ
で構成されイオンビームを後述する試料上に集束させる
対物レンズ、3a、3bは対物レンズの上方に配置され
偏向信号が供給される描画用偏向器、4は最終的にイオ
ンビームが照射される試料、5はイオンビームを7°傾
斜させて試料に照射させるために対物レンズと試料との
間に配置された直流電圧が印加される斜め照射用偏向器
である。
集束イオンビーム装置の構成例を示す図である。図にお
いて、1は加速されたイオンビーム、2は静電型レンズ
で構成されイオンビームを後述する試料上に集束させる
対物レンズ、3a、3bは対物レンズの上方に配置され
偏向信号が供給される描画用偏向器、4は最終的にイオ
ンビームが照射される試料、5はイオンビームを7°傾
斜させて試料に照射させるために対物レンズと試料との
間に配置された直流電圧が印加される斜め照射用偏向器
である。
このように構成された従来装置で、■のマスクレスイオ
ン注入を行なうには、試料4のチャンネリング効果を抑
えるため、斜め照射用偏向器5に図示しない直流電源よ
り直流電圧を印加し、イオンビームを垂直方向に対して
約7°の角度をつけて試料4に注入している。ここで、
チャンネリング効果とは、イオンビームが例えば3iの
単結晶の格子状原子配列の格子間隔の間に入ると、Si
原子に衝突しないで深く入ってしまう現象をいう。
ン注入を行なうには、試料4のチャンネリング効果を抑
えるため、斜め照射用偏向器5に図示しない直流電源よ
り直流電圧を印加し、イオンビームを垂直方向に対して
約7°の角度をつけて試料4に注入している。ここで、
チャンネリング効果とは、イオンビームが例えば3iの
単結晶の格子状原子配列の格子間隔の間に入ると、Si
原子に衝突しないで深く入ってしまう現象をいう。
それを避ける必要上からイオンビームを斜めに照射する
のである。
のである。
[発明が解決しようとする問題点]
ところで、このように構成された従来装置で、イオンビ
ームを7°傾斜した状態で試料に照射し、■のレジスト
直接描画、■のエツチング或いは■のマスクリベアラ−
等を行なうことができるが、このような大きな角度で偏
向されたイオンビームは、垂直に入射す るイオンビームに比較してイオンビーム径(プローブ径
)が大きくなる。従って、イオンビームを傾けた状態で
レジスト直接描画、エツチング、マスクリベアラ−等を
行なうと、イオンビーム径を極力小さくする必要がある
レジスト直接描画においては正確な描画ができなくなっ
たり、又、エツチング、マスクリベアラ−等ではエツチ
ングm或いはマスク修正の場合の制御が正確にで°きな
い欠点があった。
ームを7°傾斜した状態で試料に照射し、■のレジスト
直接描画、■のエツチング或いは■のマスクリベアラ−
等を行なうことができるが、このような大きな角度で偏
向されたイオンビームは、垂直に入射す るイオンビームに比較してイオンビーム径(プローブ径
)が大きくなる。従って、イオンビームを傾けた状態で
レジスト直接描画、エツチング、マスクリベアラ−等を
行なうと、イオンビーム径を極力小さくする必要がある
レジスト直接描画においては正確な描画ができなくなっ
たり、又、エツチング、マスクリベアラ−等ではエツチ
ングm或いはマスク修正の場合の制御が正確にで°きな
い欠点があった。
本発明は以上の点に鑑みなされたもので、本発明の目的
は1台の集束イオンビーム装置でマスクレスイオン注入
、レジスト直接描画、エツチング、マスクリベアラ−等
の多目的な応用を可能にして、マスクレスイオン注入で
は、イオンビームを7゜傾斜させて試料に照射し、所謂
チャンネリング効果を抑えてイオン注入mを一定にし、
又、レジスト直接描画等に使用する場合には、イオンビ
ームを試料に対して垂直に照射しイオンビーム径を極力
小さくして正確な描画等を行なう装置を提供することを
目的としている。
は1台の集束イオンビーム装置でマスクレスイオン注入
、レジスト直接描画、エツチング、マスクリベアラ−等
の多目的な応用を可能にして、マスクレスイオン注入で
は、イオンビームを7゜傾斜させて試料に照射し、所謂
チャンネリング効果を抑えてイオン注入mを一定にし、
又、レジスト直接描画等に使用する場合には、イオンビ
ームを試料に対して垂直に照射しイオンビーム径を極力
小さくして正確な描画等を行なう装置を提供することを
目的としている。
[問題点を解決するための手段]
本発明の目的を達成するための本発明の構成は、イオン
ビームを試料上で走査するための対物レンズ上方に設け
られた図形描画用偏向器と、イオンビームを試料に対し
て傾斜して照射するための該対物レンズと試料間に設け
られた斜め照射用偏向器とを備え、選択信号に基づいて
前記斜め照射用偏向器に印加される直流電圧をオン/オ
フするように構成したことを特徴としている。
ビームを試料上で走査するための対物レンズ上方に設け
られた図形描画用偏向器と、イオンビームを試料に対し
て傾斜して照射するための該対物レンズと試料間に設け
られた斜め照射用偏向器とを備え、選択信号に基づいて
前記斜め照射用偏向器に印加される直流電圧をオン/オ
フするように構成したことを特徴としている。
[実施例1
以下図面に基づき本発明の実施例を詳述する。
第1図は本発明の一実施例の構成図である。第4図と同
じ部分には同一符号を用いている。第1図において、6
は増幅器7a、7bを介して描画用偏向器3a、3bに
走査信号を供給する走査信号発生器、8は斜め照射用偏
向器5に直流電圧を印加してイオンビームを傾斜させる
ための直流電源、9は斜め照射用偏向器5に印加される
直流電圧をオン/オフするスイッチ回路、10は走査信
号発生回路6及びスイッチ回路9を制御する制御回路、
11は制御回路、10にイオン注入又は他の描画を指示
する操作パネルである。
じ部分には同一符号を用いている。第1図において、6
は増幅器7a、7bを介して描画用偏向器3a、3bに
走査信号を供給する走査信号発生器、8は斜め照射用偏
向器5に直流電圧を印加してイオンビームを傾斜させる
ための直流電源、9は斜め照射用偏向器5に印加される
直流電圧をオン/オフするスイッチ回路、10は走査信
号発生回路6及びスイッチ回路9を制御する制御回路、
11は制御回路、10にイオン注入又は他の描画を指示
する操作パネルである。
このような構成において、操作パネル11によりマスク
レスイオン注入が選択されると、制御回路10はスイッ
チ回路9を制御して、スイッチ9aをオン状態にし、ス
イッチ9bをオフ状態にする。この制御によって、直流
電源8より斜め傾斜用偏向器5に直流電圧が印加される
ため、第2図に示すようにイオンビーム1は、試料4に
対して7°傾斜した状態で描画用偏向器3a、3bによ
って走査される。従って、試料4のチャンネリング効果
を防止してイオン注入を行なうことができる。又、操作
パネル11によりレジスト直接描画等のイオン注入以外
の描画が選択されると、制御回路10はスイッチ回路9
を制御して、スイッチ9aをオフ状態にし、スイッチ9
bをオン状態にする。この制御によって、斜め照射用偏
向器5は接地電位に保たれ、描画用偏向器3a、3bに
は走査信号発生器6より走査信号が供給されるため、第
3図に示すようにイオンビーム1は傾斜されない状態、
つまり試料4に略垂直にイオンビームを照射した状態で
走査されるため、イオンビーム径を極力小さくすること
ができる。従って、レジスト直接描画等においては正確
な描画が可能となり、又、エツチング、マスクリベアラ
−等ではエツチング量或いはマスク修正の制御を正確に
行なうことができる。
レスイオン注入が選択されると、制御回路10はスイッ
チ回路9を制御して、スイッチ9aをオン状態にし、ス
イッチ9bをオフ状態にする。この制御によって、直流
電源8より斜め傾斜用偏向器5に直流電圧が印加される
ため、第2図に示すようにイオンビーム1は、試料4に
対して7°傾斜した状態で描画用偏向器3a、3bによ
って走査される。従って、試料4のチャンネリング効果
を防止してイオン注入を行なうことができる。又、操作
パネル11によりレジスト直接描画等のイオン注入以外
の描画が選択されると、制御回路10はスイッチ回路9
を制御して、スイッチ9aをオフ状態にし、スイッチ9
bをオン状態にする。この制御によって、斜め照射用偏
向器5は接地電位に保たれ、描画用偏向器3a、3bに
は走査信号発生器6より走査信号が供給されるため、第
3図に示すようにイオンビーム1は傾斜されない状態、
つまり試料4に略垂直にイオンビームを照射した状態で
走査されるため、イオンビーム径を極力小さくすること
ができる。従って、レジスト直接描画等においては正確
な描画が可能となり、又、エツチング、マスクリベアラ
−等ではエツチング量或いはマスク修正の制御を正確に
行なうことができる。
尚、上記実施例は例示であり、本発明は他の態様で実施
することができる。上記実施例では、斜め照射用偏向器
を1段で構成したが、色収差を低減するために2段構成
としても良く。この場合には、印加される直流電圧を同
時にオン/オフするように制御すれば良い。又、加速電
圧に連動して直流Wi源を制御してイオンビームの傾斜
角度を制御するように構成しても良い。
することができる。上記実施例では、斜め照射用偏向器
を1段で構成したが、色収差を低減するために2段構成
としても良く。この場合には、印加される直流電圧を同
時にオン/オフするように制御すれば良い。又、加速電
圧に連動して直流Wi源を制御してイオンビームの傾斜
角度を制御するように構成しても良い。
[発明の効果]
以上詳細に説明したように本発明によれば、1台の集束
イオンビーム装置でマスクレスイオン注入、レジスト直
接描画等の多目的な応用が可能となり、マスクレスイオ
ン注入では所謂チャンネリング効果を防止し、又、レジ
スト直接描画等ではイオンビームを試料に対して垂直に
照射しイオンビーム径を極力小さくすることができるた
め正確な描画等を行なう装置が提供される。
イオンビーム装置でマスクレスイオン注入、レジスト直
接描画等の多目的な応用が可能となり、マスクレスイオ
ン注入では所謂チャンネリング効果を防止し、又、レジ
スト直接描画等ではイオンビームを試料に対して垂直に
照射しイオンビーム径を極力小さくすることができるた
め正確な描画等を行なう装置が提供される。
第1図は本発明の一実施例の構成図、第2図。
第3図は本発明を説明するための図、第4図は従来例を
示す図である。 1:イオンビーム、2:対物レンズ、3a、3b=描画
用偏向器、4:試料、5:斜め照射用偏向器、6:走査
信号発生器、7a、7b:増幅器、8:直流電源、9:
スイッチ回路、10:制御回路、11:操作パネル。
示す図である。 1:イオンビーム、2:対物レンズ、3a、3b=描画
用偏向器、4:試料、5:斜め照射用偏向器、6:走査
信号発生器、7a、7b:増幅器、8:直流電源、9:
スイッチ回路、10:制御回路、11:操作パネル。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)イオンビームを試料上で走査するための対物レンズ
上方に設けられた図形描画用偏向器と、イオンビームを
試料に対して傾斜して照射するための該対物レンズと試
料間に設けられた斜め照射用偏向器とを備え、選択信号
に基づいて前記斜め照射用偏向器に印加される直流電圧
をオン/オフするように構成した集束イオンビーム装置
。 2)前記斜め照射用偏向器に印加される直流電圧によつ
てイオンビームを7°傾斜させて試料に照射するように
構成した特許請求の範囲第1項記載の集束イオンビーム
装置。 3)前記斜め照射用偏向器を2段構成とした特許請求の
範囲第1項又は第2項記載の集束イオンビーム装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6259986A JPS62219448A (ja) | 1986-03-20 | 1986-03-20 | 集束イオンビ−ム装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6259986A JPS62219448A (ja) | 1986-03-20 | 1986-03-20 | 集束イオンビ−ム装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62219448A true JPS62219448A (ja) | 1987-09-26 |
JPH0456419B2 JPH0456419B2 (ja) | 1992-09-08 |
Family
ID=13204952
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6259986A Granted JPS62219448A (ja) | 1986-03-20 | 1986-03-20 | 集束イオンビ−ム装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62219448A (ja) |
-
1986
- 1986-03-20 JP JP6259986A patent/JPS62219448A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0456419B2 (ja) | 1992-09-08 |
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