JP3431336B2 - 電子ビーム露光装置および電子ビーム露光での近接効果補正方法 - Google Patents
電子ビーム露光装置および電子ビーム露光での近接効果補正方法Info
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Description
ンの描画等に用いられる電子ビーム露光装置および電子
ビーム露光での近接効果補正方法に関する。
細化に伴って、リソグラフィ装置としての電子ビーム露
光装置の重要性が高まってきている。この電子ビーム露
光装置は、光ステッパよりも解像度が高いという利点が
ある反面、光ステッパのような一括露光ができないため
にスループットが低いという不利な面を備えている。こ
のため、電子ビーム露光装置を用いて如何にしてスルー
プットをあげるかが重要な問題となる。
Proceedings of 35th International Symposium on ele
ctron,ion,and photon beams p.2981 に記述されてい
る。この電子ビーム描画装置は、図14に示すように構
成されている。
ビーム2を矩形の孔を持つ第1成型アパーチャ3に照射
し、矩形断面を持つビーム4を形成する。次に、この矩
形ビーム4を第2成型アパーチャ5に向けて第1成型ア
パーチャ3の像が第2成型アパーチャ5上に結ぶように
照射する。第2成型アパーチャ5には矩形または斜辺を
持った孔が設けられており、成型偏向器6によって第1
成型アパーチャ像と第2成型アパーチャ5の孔との重な
りを調整し、下流に異なる寸法の矩形または三角形の断
面を有するビーム7を形成する。この矩形または三角形
のビーム7を対物レンズ8によって縮小し、試料9の表
面に第2成型アパーチャ5の像を結ぶ。このとき、主偏
向器10、副偏向器11によってビーム7の照射位置を
所定の位置に移す。なお、図14中、12はプロジェク
ションレンズを示している。
は、次のようにして行われる。まず、試料9上の全描画
領域を最大偏向領域面積程度の小区画に分割し、偏向幅
が大きく比較的速度の遅い主偏向器10を用いて描画し
たい小区画にビーム7を導く。次に、この小区画内のビ
ーム7を偏向幅が小さく比較的速度の速い副偏向器11
を用いて照射したい箇所へ導いて照射する。
いる偏向器を駆動する電気回路では理想的なステップ波
形の信号を発生させることはできない。このため、その
信号波形には図15に示すように、有限の立上がり・立
下がり領域および信号が一定になるまでの振動領域が含
まれている。したがって、通常、偏向器を用いてビーム
を動かしている間あるいはビームの動きが所定の位置で
安定するまでの間は、ブランキング電極に電圧を加えて
ビームが試料9に到達しないようにしている。この時間
はセトリング時間tsと呼ばれている。そして、ビーム
が所定の位置に安定してから試料表面に所定の電荷量を
照射終了するまでの時間tdはブランキング電極の電圧
を0にして、すなわちビームをアンブランクにしてビー
ムを試料9に照射するようにしている。1つの小区画内
の描画が終了したら再び主偏向器10を用いて次に描画
すべき小区画にビームを移して描画を始める。さらに、
実際には主偏向器10の偏向幅が試料9の長さに比べて
短いので、適当な頻度で試料9を移動させて描画すべき
小区画が常に主偏向器10の偏向幅範囲に納まるように
している。
光装置を用いて試料上にパターンを描画する場合、その
描画に要する時間を決める要素は主に2つある。1つ
は、図15中にtsで示す時間、すなわち主偏向、副偏
向によるセトリング時間である。ここでは、セトリング
時間tsの総和をTsと略記する。成型偏向器6を動作
させる場合には、通常、同時に主または副偏向器も動作
させる。したがって、描画時間を考えるときには成型偏
向器6のセトリング時間は考えなくてもよい。また、多
くの場合、主偏向の回数は副偏向の回数に比べて著しく
少ないので、Tsは副偏向のセトリング時間と副偏向の
回数との積で近似できる。
なエネルギーを与えるのに要する時間であり、これはレ
ジスト感度と電子ビーム電流とで決められる。これは図
15中に示すtdの総和になる。ここでは、この時間を
Tdと略記する。
合、TdとTsとが同程度であり、いずれの時間も電子
ビーム直描を量産に適用しようとしたときに最低限望ま
れる時間、たとえば4GビットDRAMのパターンを描
画する場合で1ウェハ当たり2分であるのに対して二桁
以上長い。量産に電子ビーム直描を適用するためには、
Td,Tsの両方を現在より二桁程度以上短縮すること
が必要である。
としては従来から幾つか提案されている。代表的なもの
としては、Proceedings of 36th International Sympos
iumon electron,ion,and photon beams p.2759 に述べ
られているように、たとえば図16(a) 中の破線で囲ま
れた領域のパターンのように、単位パターンの繰り返し
が多く現れるパターンを描画する際に、それらを先に述
べた矩形パターンと三角形パターンとの組合せで描画す
るのではなく、たとえば第2成型アパーチャ5に図16
(b) に示すように、その繰り返しパターンの単位パター
ンに対応した孔13を設けておき、これらの孔13を使
って一度に複雑なパターンを描画するという方法があ
る。
またはセルプロジェクション方式と呼ばれている。ビー
ム断面積をある程度大きくしておけば、この方式によっ
て副偏向の回数を大幅に減らすことが可能である。詳し
い計算によると、本方式をたとえば4GビットDRAM
の量産レベルで用いるためには、ビームの大きさは約1
0ミクロン角以上必要であり、また用いるキャラクタの
パターンの数も一層当たり20程度必要である。
ては有限個のキャラクタを選択してパターン描画を行う
が、これをさらに進めて、図17に示すように試料9に
描画するパターン14の全てを第2成型アパーチャ5に
形成しておき、ビーム7で第2成型アパーチャ5上を一
定速度で走査し、同時に第2成型アパーチャ5と試料9
の両方を移動させるという方式も特開昭61−2831
21号公報で提案されている。本方式ではキャラクター
プロジェクション方式よりもセトリングに要する時間を
短縮できる。
Tdを短くするためには、レジストの感度の向上または
ビーム電流の増加が必要である。近年、レジスト開発が
進み、感度が従来に比べて一桁程度高いレジストが開発
されつつあり、近い将来Tdの一桁程度の短縮が期待さ
れている。しかし、これでも不十分である。したがっ
て、電子ビームの大電流化が必要となる。
子同士の相互作用が、特に電子密度の高いところでは無
視できなくなり、ビームの形状をぼかすことによりパタ
ーン精度を低下させる。図18は図14に示した従来装
置の結像系の概略図である。通常の電子ビーム露光装置
の光学系では電子源1としてLaB6 結晶を用いている
ため、電子源1のエミッタンスが小さい。クロスオーバ
15付近では通常ビーム径が小さく、大電流の場合には
電子密度が許容できない程に高くなる。クロスオーバ付
近での電子同士の相互作用を抑えて十分な精度を得るた
めにはビーム電流を下げて用いらざるを得ない。
に示す方法を用いてセトリング時間の総和Tsを短くし
たとしても、レジスト露光時間Tdを短縮できないの
で、描画時間の短縮には限界がある。
ていく場合に残された問題として、これまで紹介した方
法では近接効果の補正が難しいことを挙げることができ
る。表面にレジストの塗布された試料に電子を照射した
場合、試料(通常はSiウェハ)内で後方に散乱された
電子がレジストにエネルギを与えるため、たとえ究極に
近い細いビームを照射したとしても、レジストに与えら
れるエネルギの空間分布はほぼδ(r)+ηexp (−r
2 /β2 )に比例する。ここで、δ(r)はデルタ関数
であり、rはビームを照射した位置からの距離、ηは後
方散乱電子の効果の割合、βは後方散乱の特徴的な広が
りを表す。したがって、電子の照射密度が疎な領域と密
な領域とで、レジストに与えられるエネルギ密度が異な
り、このためにレジストを現像した場合に電子の照射領
域の形状、寸法と現像領域の形状、寸法に違いが生じ
る。これは近接効果と呼ばれている。
る。図19(a) の黒塗りの領域が電子を照射した部分で
ある。図19(b) は図19(a) 上の一点鎖線に沿った電
子の照射量の分布を示す。
るエネルギは、照射電子だけではなく、後方散乱電子に
よるものもある。レジストに与えられたエネルギの分布
を示すと、たとえば図19(d) のようになる。レジスト
の感光の閾値を図19(d) 中の破線で示す値に設定した
場合には、図19(c) に示すように、細い線は現像され
ない。レジストの感光の閾値を下げて、細い線も現像さ
れるようにすると、今度は太い線の線幅が広くなってし
まう。
して、図20(a) に示すように、電子の照射量を一様と
せずに分布を持たせることで、図20(b) に示すように
レジストに与えられたエネルギ分布を変え、図20(c)
に示すように所望のパターンを得るという方式がある。
これは照射量補正方式と呼ばれている。
ョン方式あるいはビームで第2成型アパーチャ上を走査
する方式で、たとえば図19(a) に示したようなパター
ンを発生する場合、電子の試料での後方散乱の代表的な
長さと同程度あるいはそれ以上にビーム寸法が大きくな
ると、照射量補正が行えず、近接効果が起きてしまう。
いては、ビームで第2成型アパーチャ上を走査する場合
に、その走査速度に変調をかけて照射量補正を行うこと
が述べられているが、その場合でもビーム径を所定の大
きさに小さくする必要があり、さらに一定速度で走査す
る場合に比べて回路が複雑となるので、動作が遅くな
り、結果として描画時間が長くなることは避けられな
い。
る方式のほかに、図21に示すように、複数の電子源を
二次元あるいは一次元に配置して、それぞれのビームを
ON/OFFすることでパターン化されたビームを得る方式
が、たとえば特公平3−35775号公報で提案されて
いる。
17との間に引き出し電圧18が印加されて電子が各電
子源16より放出される。引き出し電極17の下流には
ブランキング板19,20が設けてあり、それぞれがス
イッチ21を介して、電源22,23あるいはアース線
と接続される。ブランキング板19,20が接地されて
いるときは、電子はブランキング板24に開けられた開
口25より取り出され、電源22,23に接続されてい
るときはブランクされる。各スイッチ21は独立に制御
されるので、各電子源16からの電子の放出を独立に制
御できる。
74715号公報では図22に示すように、成型アパー
チャの位置27にビームの透過を独立に制御するための
ブランキングアパーチャ28を二次元あるいは一次元に
配置して複数電子源と同等の効果を得るという方式を提
案している。なお、図中、29,30はブランキング板
を示し、29は接地されており、30は独立に接地(OF
F )または電圧が印加(ON)される。
キング板に対応するアパーチャ28を通過した電子は軌
道を曲げられ、途中図示していないブランキングアパー
チャにおいて阻止される。したがって、試料9上には各
ブランキングアパーチャ列のON /OFF パターンに応じ
てパターン化されたビーム26が得られる。
ば、原理的には予めパターン化されたアパーチャを用意
しなくても任意のパターン化されたビームを発生するこ
とが可能となる。
を短縮するためには、極めて速いビームの ON /OFF が
必要となる。たとえば、0.1 ミクロンのパターンを精度
良く描くためには、0.01ミクロン幅内に20万個の電子源
を配置し、2 ミリ幅の電子ビームを得るとして、試料を
100mm/sec で動かすとすると、各電子源のON/OFF のサ
イクルは、10MHz となる。20万個の電子源をこの速度で
操作することは極めて困難で現実的でない。
露光装置では電子源で発生した電子を有効に利用してい
ないという問題があった。これは図23に示すように、
電子源1からの電子の放射角分布が一様ではないためで
あり、実際には、電子の分布がほぼ一様と見てよいごく
狭い範囲から放出される電子のみを利用している。電子
源1より放出された電子ビーム31は概略同図に示す電
流分布を持っている。成型アパーチャを用いてパターン
化されたビームを得る場合、アパーチャ上での電流分布
は所定の一様性を持つことが必要である。したがって、
利用できる電子ビームは、たとえば32で示す部分だけ
となる。このため、多くの場合、ビームの利用率は1%
以下である。これは電子源1として、LaB6 を用いる
場合も、電界放出型電子源を用いる場合も同様である。
これは大電流の電子ビームを利用したい場合には問題と
なる。
ョン方式では、ステンシルマスクを利用するために、た
とえば中抜きの輪といったパターンのビームを発生する
ことが原理的に困難である。
されているように、パターンをメンブレン上に形成した
マスクを用い、マスクでの電子の散乱角の違いを用いて
試料上でビーム強度にコントラストを与える方法(SC
ALPEL方式) が提案されている。
ものである。電子源41より放出された電子ビーム42
はたとえばエネルギが150keVで、レンズ43によってク
ロスオーバを形成した後メンブレンマスク44に照射さ
れ、これを透過した後レンズ45で集束され、アパーチ
ャ板46に開けられた穴47を通過した後、再びレンズ
49で集束されて試料50に照射される。
散乱の小さい領域51と散乱の大きい領域52とにパタ
ーン化されている。散乱の小さい領域はたとえば1000オ
ングストロームのSiNで形成されており、散乱の大き
い領域は散乱の小さい領域の上に厚さ500 オングストロ
ームのタングステンを付けたものとなっている。
い場合にクロスオーバの像が結像される位置にアパーチ
ャ板46が設けられ、さらに上記位置に穴47が設けら
れている。メンブレンマスク44で受ける散乱の小さい
電子はほとんどがアパーチャ板46の穴47を通過す
る。一方、散乱の大きい電子のほとんどは、穴47の周
囲の領域53に衝突する。したがって、メンブレンマス
ク44の像が試料50上に結像するようにレンズ49を
調節しておけば、メンブレンマスク44のパターン像を
試料50に描画することができる。
ーム露光装置にあっても、前述の如く後方散乱電子によ
って照射領域以外でもレジストが露光されるという、い
わゆる近接効果が起きるため、レジストを現像した後の
パターンにぼけが生じる。
式が提案されている。1つはドーズ量補正と呼ばれるも
ので、パターンの場所毎に電子の照射量を変えて、全体
として、露光領域とそれ以外の領域とで後方散乱電子を
含めた電子の照射量に必要なコントラストを与えるとい
ものである。
448 に示されるGHOST法と呼ばれるものである。こ
れは、後方散乱電子の分布が入射電子の分布に比べて極
めて広いことを利用したもので、露光領域への第1回目
の露光の後に、露光領域以外の領域に露光領域での後方
散乱電子による露光量と同じだけの電子を散乱電子の分
布と同程度となるように予めぼかして照射(第2回目の
露光)するようにしている。
で広い領域を一括して露光しようとする場合には不可能
である。なお、電子ビームでメンブレンマスク44上を
走査する場合には可能であるが、電子の走査速度を場所
毎に変化させる必要があり、実現は容易ではない。一
方、GHOST法を適用する場合には、このような問題
は発生しないが、メンブレンマスク44のパターンを反
転したマスクを別に用意する必要があるので、マスクの
製作と交換に要する費用と時間は無視できないものとな
る。
子ビーム露光装置にあっては、主に、大電流化が難しい
こと、近接効果の補正が困難であることという問題があ
り、量産装置として求められる描画時間の大幅な短縮が
困難であった。
るいは一部を解決できる電子ビーム露光装置および電子
ビーム露光での近接効果補正方法を提供することを目的
としている。
に、第1の発明では、電子ビームを成型アパーチャに通
して得たパターン化ビームで露光する電子ビーム露光装
置において、複数の電子源よりなる電子源装置を備え、
かつ上記複数の電子源から放出される電子ビームの上記
成型アパーチャ上での電流分布が、必要な一様性もしく
は分布をもつために電子ビーム同士の重なりを設定する
重なり設定手段を備えている。
を移動させる手段や電子源装置から放出される複数の電
子ビームで成型アパーチャを走査する手段で実現するこ
ともできる。
複数の電子源単位に成型アパーチャに照射される電流を
制御する電流制御手段を備えていることが好ましい。さ
らに、電子源装置としては、1つの電子源から放出され
た電子ビームを複数の開口部を有するブランキングアパ
ーチャを通過させることによって実質的に複数の電子源
を構成しているものを用いることもできる。
発明では、電子ビームの軌道に沿って配置された少なく
とも1枚の成型アパーチャを用い、上記電子ビームで上
記成型アパーチャ上を走査することにより、上記成型ア
パーチャの像を試料上に露光する電子ビーム露光装置に
おいて、電子源から放出される電流を制御する電流制御
手段と、クロスオーバ領域においてビームの一部または
全部を選択的に遮断する手段とを備え、上記両手段のう
ちの少なくとも一方の手段で上記成型アパーチャにより
パターン化される電子ビームの電流密度を制御してい
る。
発明では、複数の電子源を用い、各電子源から放出され
る電子ビームを成型アパーチャ上に重なりをもって照射
し、該成型アパーチャを通過した成型ビームを用いて露
光する電子ビーム露光を実行するに際し、上記電子源単
位もしくは複数の電子源単位に上記成型アパーチャに照
射される電流を制御することによって露光領域内のドー
ズ分布を制御し、これによって近接効果を補正してい
る。
発明では、電子ビームの軌道に沿って配置された少なく
とも1枚の成型アパーチャを用い、上記電子ビームで上
記成型アパーチャ上を走査することにより、上記成型ア
パーチャの像を試料上に露光する電子ビーム露光を実行
するに際し、電子源から放出される電流の制御とクロス
オーバ領域においてビームの一部または全部を選択的に
遮断する制御との少なくとも一方の制御により、上記成
型アパーチャによりパターン化される電子ビームの電流
密度を制御することによって露光領域内のドーズ分布を
制御し、これによって近接効果を補正している。
数の電子源よりなる電子源装置を用いているので、電子
源のエミッタンスを実効的に大きくすることができ、ク
ロスオーバ位置での電流密度を下げることが可能とな
る。これにより、大電流ビームを用いて精度の良い描画
が可能となる。また、成型アパーチャ上での電流分布が
必要な一様性もしくは分布を持つように電子ビーム同士
の重なりを設定する重なり設定手段を設けているので、
各電子源から放出される電子の角度分布の広い範囲を利
用でき、高い電流利用効率を得ることができるので、T
dの短縮化に寄与できる。
置では、電子源から放出される電流を制御する電流制御
手段およびクロスオーバ領域において電子ビームの一部
および全部を選択的に遮断する手段の少なくとも一方を
用いているので、1つのパターン化されたビーム内での
電流密度制御に寄与できる。
では、電子源単位もしくは複数の電子源単位に電流を制
御するようにしているので、1つのパターン化されたビ
ーム内で電流密度を制御することができ、大口径電子ビ
ームを用いた場合でも照射量補正による近接効果補正の
効果的な実施に寄与できる。
では、電子源から放出される電流の制御とクロスオーバ
領域において電子ビームの一部および全部を選択的に遮
断する制御との少なくとも一方を用いているので、1つ
のパターン化されたビーム内での電流密度制御に寄与で
きる。
る。図1には本発明の一実施例に係る電子ビーム露光装
置の概略構成が示されている。
してなる電子源装置を示し、102はアパーチャを示
し、103はアパーチャ102に描画するパターン形状
に合致する形状に形成された開口部を示している。10
4は電子源装置101を構成している各電子源からのビ
ームレットを示し、105は各ビームレットのアパーチ
ャ102上での特徴的な広がりを示す円を示し、106
は試料を示し、107は開口部103の試料106上の
像を示している。
像を試料106上に導く図示しない電子光学系が設けら
れている。また、アパーチャ102をステップ的あるい
は連続的に移動させる図示しない機構が設けてあり、ア
パーチャ102を固定した場合よりも多くのパターンを
露光することが可能となっている。
チャ102上において必要な均一性が得られるだけ重な
るように重なり設定手段によって設定されている。すな
わち、今、図2(a) に示すように、1つの電子源から放
出される電子の電流分布がアパーチャ102上におい
て、(1/(r2 +a2 ))2 に比例するとする。な
お、rは電流分布の中心からの距離、aは電流分布の広
がりを表すパラメータで、これは電子源、電子源よりの
距離等で決まる。この例では、各電子源からの電流の分
布の中心が間隔d=a/2で格子状に並ぶようにしてあ
り、図2(b) に示すようにアパーチャ102上での電流
分布の一様性が0.1%以下となっている。なお、これ以上
の一様性が必要な場合には、間隔dを狭くするか、もし
くは1つの電子源からの電流の広がりaを広くすること
によって実現できる。
チャ102の縁の部分を除けば、各電子源から放出され
た電子のほとんどをアパーチャ102の開口部103に
通すことができるので、電子の利用効率を極めて高くす
ることができる。また、アパーチャ102の縁の付近で
はビームレット104の間隔を若干狭くする等により、
さらに若干の利用効率の向上が可能である。また、電子
源を複数個用いることで実効的に電子源のエミッタンス
を大きくできる。したがって、クロスオーバ位置108
において大電流が狭い領域に集中するのを避けることが
できるので、電子間の相互作用によるビーム軌道のずれ
やエネルギ分散の増加を防ぐことができる。
置に限られるものではなく、図3に示すように一次元に
配置することも可能である。さらに、電子源装置101
からの各ビームレット104は真に重なる必要はなく、
図4に示すように、矢印方向にみたときに各ビームレッ
トが重なって見えるようにアパーチャ102上に照射し
て、アパーチャ102を矢印の方向に移動させたり、ビ
ームレット104を矢印の方向に走査したりすることで
も必要な重なりを持たせることができる。
ものであるが、種々の構成を採用できる。たとえば、電
子源装置101,101aの各ビームレット104の電
流を独立にON/OFFあるいは多値制御するようにしてもよ
い。
す。この例において、電子源列111は同電位の基板1
12上に二次元に配置されている。サプレッサ113、
引き出し電極114と基板112との間に電源115,
116で適当な電位を与えることによってビームレット
104が得られる。
キングアパーチャ118を設け、ブランキング電極11
9に電位を加えることで、各ビームレット104をON/O
FFもしくは電流を制御する。
対と、下流側の対の長さを適当に調整して、ブランキン
グ電極119に電位を与えてクロスオーバ117を移動
させてもアパーチャ102上のビーム電流分布は殆ど変
化しないようにできる。
102上の特徴的な広がりを示す前述した円105の半
径は、この円105の試料106上の像の半径が試料1
06での電子の後方散乱の分布の特徴的な大きさよりも
十分に小さくしておくことが好ましい。また、アパーチ
ャ102上での電流密度分布が近接効果補正に必要なだ
けのコントラストが得られる程度に小さくしておくこと
が望ましい。たとえば円105の試料106上の像の半
径が、試料106での電子の後方散乱の分布の特徴的な
大きさの5分の1程度であれば多くの場合は十分であ
る。こうすることによって、図19で説明した近接効果
を補正する場合、図20(a) を近似する電流分布を容易
に得ることができる。
を制御することによって、アパーチャ102を通過して
パターン化されたビームはその電流分布が近接効果補正
に必要な分布となっており、近接効果の問題も解決され
る。
同時に移動させることで試料106にパターンを描画す
る場合には、各ビームレット104の電流を対応するパ
ターン上の照射位置に応じて制御する必要がある。しか
し、いわゆるマルチビーム方式で各ビームレットがパタ
ーンの最小寸法を描く場合に比べれば、その制御に必要
な速度は格段に遅くてもよい。たとえばマルチビーム方
式で最小寸法0.1 ミクロンのパターンを描く場合に、必
要な精度を得るためには試料106上において直径0.01
ミクロン程度のビームレットが必要となる。試料が100m
m/sec で移動しているとすると、各ビームレットを10MH
z で制御することが必要である。しかも、その場合に
は、たとえば2ミリの幅を描画するために20万個の電子
源が必要となる。
径を30ミクロン程度とし、電流分布制御を5 ミクロン程
度で行うとすると、20kHz 程度の速度でよく、電子源の
数も400 個程度で済むことになり、実現は遥かに容易で
ある。また、電子源の配置密度をこれよりも高くし、幾
つかの電子源を1つの単位にして制御するという方式を
とることもできる。このようにすることで電子源単体の
電流放出の揺らぎを平均化することができる。
提にしているが、複数のビームを発生するようにしても
よい。図6には1個の電子源からの電子を途中でビーム
レットに分割して、それぞれのビームレットの電流を制
御するようにした実施例が示されている。
ーム202を電極を設けたアパーチャ列203に照射し
てビームレットを得る。アパーチャ列203には各ビー
ムレットを集束させるレンズが設けてあり、アパーチャ
列203を通過したビームレットは一旦集束した後で広
がり、アパーチャ102で必要な電流分布の均一性が得
られるように重なっている。
ーチャ部分203aの拡大図が示されている。この例で
は、分割されたビームレット104を電極211によっ
て生じさせた電場によって偏向し、電流制限用アパーチ
ャ212によってビームの一部あるいは全部を遮断する
ことにより、各ビームレット104の電流を制限するこ
とができるようにしている。
る方法は、先の図5に示した例と同じである。本構成で
は、電子源から放射された電流の利用効率が先の例に比
べて劣るが、他の利点は備えている。
原理を説明するための図が示されている。まず、この電
子ビーム露光装置の露光方法を説明する。
02は第1の成型アパーチャ303の開口部304の形
に成型され、第2の成型アパーチャ305上に照射され
る。ここで、第2の成型アパーチャ305上に開口部3
04の像306が形成されるように光学系が設定されて
いる。
パターン形状の開口部307が設けてある。像306の
大きさは開口部307より小さいので、開口部307の
像を試料308上に得るために第2の成型アパーチャ3
05上を走査する必要がある。この例では走査方法とし
て、いわゆるラスター走査を用いており、これによって
精度よく等速で走査でき、折り返しに要する時間を除け
ば、ベクトル走査におけるようなセトリング時間は不要
となる。したがって、実効的には大口径のパターン化さ
れたビームを用いるのとほぼ等しいスループットの向上
を期待できる。なお、第1の成型アパーチャ303を省
略して、丸いビームを第2の成型アパーチャ305に照
射する方式も可能である。
は、開口部307の試料308上の像309では電流密
度が一定となり、近接効果が生じる。そこで、本実施例
では次のようにしている。
ン制御回路310によって電子源301の電流を制御し
たり、ブランキング板311に印加する電圧を変化させ
ることで電流密度を制御している。ここで、ブランキン
グ板311に電圧を印加してブランキングする場合もア
パーチャ303の開口部304上の電流分布の一様性が
保たれるように、上流側のブランキング板対と下流側の
ブランキング板対の偏向感度が調整してある。これによ
り、電流密度を変化させても像306の電流密度分布は
一様に保たれる。
し、313はブランキングアパーチャを示し、314は
成型偏向器を示し、315は偏向器駆動回路を示し、3
16は上記各回路を制御する制御回路を示している。
ビーム成型とが独立であるため、それぞれが干渉するこ
となく精度の良い制御が可能となる。また、図9に示す
ようにブランキング板311と独立に電流変調板317
を設けることも可能である。すなわち、ブランキング板
311は電流の大きい変化を受け持ち、電流変調板31
7は細かい変化を受け持つようにすることで、電流の変
調を細かく行うことが電気回路的に容易となる。ブラン
キング板、変調板の2種類だけではなく、電流変調の細
かさの必要に応じて種類を増やしてより細かい制御を行
うことも可能である。ブランキング板および各電流変調
板の配置は図9の例に限らず、異なるクロスオーバ位置
に設けてもよい。また、ブランキング板だけでなく電子
源のエミッションそのものを引き出し電圧の調整等によ
って制御することで電流密度を調整することも可能であ
る。ここで説明している電子ビーム露光装置では走査す
るビームの断面が後方散乱の広がりよりも十分小さいよ
うにしてある。したがって、ビーム源として、図1,図
3に示した実施例の如く複数の電子源の集合を用い、各
ビームレットを独立に制御する代わりに全ビームレット
を同一に制御するという方式も可能である。ビームレッ
トは一次元あるいは二次元に配置することができる。
の別の例を説明するための図が示されている。この例
は、図24を用いて説明したSCALPEL法を採用
し、かつGHOST法を用いて近接効果を補正する方法
に本発明を適用した例である。したがって、図24と同
一機能部分を同一符号で示し、詳しい説明は省略する。
法では、露光領域への第1回目の露光の後、露光領域以
外に露光領域での後方散乱電子による露光量と同じだけ
の電子を散乱電子の分布と同程度になるように第2回目
の露光を行う必要がある。
に際しては図10(a) に示すように、従来と同様にマス
ク44で電子が散乱されない場合にクロスオーバの像が
結像される位置に穴47を有した第1のアパーチャ板4
6を用いる。そして、第2回目の露光を行うときには、
図10(b) に示すように上記クロスオーバの像が結像さ
れる位置には穴が開いておらず、周囲の主に散乱の大き
い電子が結像される位置に穴401を有した第2のアパ
ーチャ板402に交換するようにしている。
いて近接効果補正を行う場合に、第1回目の露光の後に
アパーチャ板を交換して第2回目の露光を行うようにし
ている。この時に、レンズ49を適当に調整して、試料
50上ではGHOST法の第2回目の露光に必要なだけ
ぼけた像が領域403上で得られるようにしている。
レンマスク44のパターンを反転した別のマスクを用意
する必要がないので、コストの低減を図ることができ
る。図11には本発明に係る近接効果補正方法のさらに
別の例を説明するための図が示されている。
LPEL法を採用し、かつGHOST法を用いて近接効
果を補正する方法に本発明を適用した例である。したが
って、図24および図10と同一機能部分を同一符号で
示し、詳しい説明は省略する。
に第1のアパーチャ板46を第2のアパーチャ板402
に交換して第2回目の露光を行う方式を採用している
が、この例では、先の例の第1のアパーチャ板46に設
けられた穴47に相当する穴と第2のアパーチャ板40
2に設けられた穴401に相当する穴とを図中左右方向
に位置的にずらして設けた1枚のアパチャー板404を
用いるとともにレンズ45の下にビーム偏向器405を
設け、第1回目の露光を行うときには図11(a)に示す
ように前述したクロスオーバ像を穴47へ移動さ、第2
回目の露光を行うときには図11(b) に示すようにクロ
スオーバ像を穴401が設けられている領域の中心へ移
動させるようにしている。
遥かに簡単に近接効果補正を行うことができる。図12
には本発明に係る近接効果補正方法のさらに異なる例を
説明するための図が示されている。
LPEL法を採用し、かつGHOST法を用いて近接効
果を補正する方法に本発明を適用した例である。したが
って、図24および図10と同一機能部分は同一符号で
示し、詳しい説明は省略する。
を採用しているが、この例ではビーム成型用のアパーチ
ャ板406と偏向器407とを使ってマスク44上を電
子ビーム408でラスター走査する方式と、図10に示
した第1回目の露光終了後に第1のアパーチャ板46を
第2のアパーチャ板402に交換して第2回目の露光を
行う方式とを併用している。
を同期させて移動させることで、偏向器407の能力に
制限されずに大面積のマスクを用いて大きなパターンを
試料50上に描くことが可能である。なお、このラスタ
ー走査方式と図11に示した偏向器405を用いてアパ
ーチャの切り替えを行う方式とを併用した方式を採用す
ることも有効である。
のさらに異なる例を説明するための図が示されている。
この例も、図24を用いて説明したSCALPEL法を
採用し、かつGHOST法を用いて近接効果を補正する
方法に本発明を適用した例である。したがって、図24
および図10と同一機能部分は同一符号で示し、詳しい
説明は省略する。
アパーチャ板46に設けられた穴47に相当する穴と図
10(b) に示される第2のアパーチャ板402に設けら
れた穴401に相当する穴とを同心的に設けた1枚のア
パーチャ409を用いている。
い電子の通過量がGHOST法での第2回目の露光に必
要な量となるように決めらている。すなわち、穴401
には必要に応じて薄膜を取り付け、散乱の大きい電子に
よる試料50上の像がGHOST法での第2回目の露光
に必要な程度にぼけるように電子を散乱させている。
果補正のための露光も同時に行われることになり、露光
に要する時間を大幅に短縮できる。なお、図13に示す
例では一括転写方式を採用しているが、図12に示す例
のようにビームでマスク上を走査する方式と併用するこ
ともできる。
は、クロスオーバ位置に第2のアパーチャを設けること
で、反転パターンを容易に得ることができる。なお、本
発明は、上述した各実施例に限定されるものではなく、
本発明の要旨の範囲内で具体的な電子光学系の構造やビ
ームの走査方法等を選択できることは勿論である。
大電流化もしくは近接効果補正の容易化を図ることがで
きるので、描画時間の短縮化に寄与できる。
概念図
めの図
念図
部の概略構成図
ビーム露光装置の概念図
る電子ビーム露光装置の概念図
実施する電子ビーム露光装置の概念図
する電子ビーム露光装置の概念図
を実施する電子ビーム露光装置の概念図
るための図
るための図
明するための図
法を説明するための図
の図
めの図
マスク 46…アパーチャ 47…穴 50…試料 101,101a
…電子源装置 102…アパーチャ 103…開口部 104…ビームレット 105…ビームレットのアパーチャでの広がりを示す円 106,308…試料 111…電子源列 112…基板 113…サプレッ
サ 114…引き出し電極 117…クロスオ
ーバ 118…ブランキングアパーチャ 119…ブランキ
ング電極 201…電子源 203…アパーチ
ャ列 203a…1つのアパーチャ部 303…第1の成
型アパーチャ 304,307…開口部 305…第2の成
型アパーチャ 310…電流エミッション回路 311…ブランキ
ング板 313…ブランキングアパーチャ 314…成型偏向
器 315は偏向器駆動回路 317…電流変調
板 401…穴 402…第2のア
パチャー板 404,409…アパーチャ板 405…偏向器
Claims (7)
- 【請求項1】複数の電子源と、上記電子源からの電子ビ
ームを通すことでパターン化ビームを得る成型アパーチ
ャに照射される電流を、上記電子源を単位としてもしく
は上記電子源の複数個を単位として試料上の照射位置に
応じて動的に制御する電流制御手段とを備えた電子源装
置と、 上記複数の電子源から放出される電子ビームの上記成型
アパーチャ上での電流分布が、必要な一様性もしくは分
布をもつために電子ビーム同士の重なりを設定する重な
り設定手段とを備えていることを特徴とする電子ビーム
露光装置。 - 【請求項2】前記重なり設定手段は、前記成型アパーチ
ャを移動させる手段であることを特徴とする請求項1に
記載の電子ビーム露光装置。 - 【請求項3】前記重なり設定手段は、前記電子源装置か
ら放出される複数の電子ビームで前記成型アパーチャを
走査する手段であることを特徴とする請求項1に記載の
電子ビーム露光装置。 - 【請求項4】前記電子源装置は、1つの電子源から放出
された電子ビームを複数の開口部を有するブランキング
アパーチャを通過させることによって実質的に複数の電
子源を構成していることを特徴とする請求項1に記載の
電子ビーム露光装置。 - 【請求項5】電子ビームの軌道に沿って配置された少な
くとも1枚の成型アパーチャを用い、上記電子ビームで
上記成型アパーチャ上を走査することにより、上記成型
アパーチャの像を試料上に露光する電子ビーム露光装置
において、電子源から放出される電流を制御する電流制
御手段と、クロスオーバ領域においてビームの一部また
は全部を選択的に遮断する手段とを備え、上記両手段の
うちの少なくとも一方の手段で上記成型アパーチャによ
りパターン化される電子ビームの電流密度を制御してい
ることを特徴とする電子ビーム露光装置。 - 【請求項6】複数の電子源を用い、各電子源から放出さ
れる電子ビームを成型アパーチャ上に重なりをもって照
射し、該成型アパーチャを通過した成型ビームを用いて
露光する電子ビーム露光を実行するに際し、上記電子源
単位もしくは複数の電子源単位に上記成型アパーチャに
照射される電流を制御することによって露光領域内のド
ーズ分布を制御することを特徴とする電子ビーム露光で
の近接効果補正方法。 - 【請求項7】電子ビームの軌道に沿って配置された少な
くとも1枚の成型アパーチャを用い、上記電子ビームで
上記成型アパーチャ上を走査することにより、上記成型
アパーチャの像を試料上に露光する電子ビーム露光を実
行するに際し、電子源から放出される電流の制御および
クロスオーバ領域においてビームの一部または全部を選
択的に遮断する制御の少なくとも一方の制御により、上
記成型アパーチャによりパターン化される電子ビームの
電流密度を制御して露光領域のドーズ分布を制御するこ
とを特徴とする電子ビーム露光での近接効果補正方法。
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