JPS63218140A - イオン注入装置 - Google Patents
イオン注入装置Info
- Publication number
- JPS63218140A JPS63218140A JP5234587A JP5234587A JPS63218140A JP S63218140 A JPS63218140 A JP S63218140A JP 5234587 A JP5234587 A JP 5234587A JP 5234587 A JP5234587 A JP 5234587A JP S63218140 A JPS63218140 A JP S63218140A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- platen
- fixing disk
- semiconductor wafer
- semiconductor
- Prior art date
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- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 16
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims abstract description 11
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000007943 implant Substances 0.000 claims abstract 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 36
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 241000894006 Bacteria Species 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体素子！Ｕａ装置の内の半導体ウェーハに
不純物を注入するイオン注入装置に関するものである。
不純物を注入するイオン注入装置に関するものである。
従来この種のイオン注入装置はウェーハ固定ディスクに
複数枚のウェー７１を固定し、ウエーノ・固定ディスク
を回転させ、イオンビームをＸ方向に電気的走査して半
導体ウェーノ・に不純物を注入する機構となっていた。
複数枚のウェー７１を固定し、ウエーノ・固定ディスク
を回転させ、イオンビームをＸ方向に電気的走査して半
導体ウェーノ・に不純物を注入する機構となっていた。
第３図に従来装置の斜視図を示す。
上述した従来のイオン注入装置は、パッヂ処理となって
いるので今後ますます半導体ウェーハの大口径化が進む
と１バツチで処理できる枚数も少なくなり、同じ枚数を
処理しようとすると装置が大型化してしまう。また、ビ
ーム電流が大きくなるとイオンビームを電気的に走査す
ることが困難になってくるという欠点がある。
いるので今後ますます半導体ウェーハの大口径化が進む
と１バツチで処理できる枚数も少なくなり、同じ枚数を
処理しようとすると装置が大型化してしまう。また、ビ
ーム電流が大きくなるとイオンビームを電気的に走査す
ることが困難になってくるという欠点がある。
本発明のイオン注入装置は、ウェーハを固定し冷却する
ウェーハ固定ディスクとウェーハ固定ディスクを回転１
駆動させるためのモーターの付いたプラテンと、プラテ
ン支持板によシブラテン全体を速度をコントロールしな
がら上下動させる機構を有している。
ウェーハ固定ディスクとウェーハ固定ディスクを回転１
駆動させるためのモーターの付いたプラテンと、プラテ
ン支持板によシブラテン全体を速度をコントロールしな
がら上下動させる機構を有している。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の斜視図である。プラテン１
はプラテン支持板７によシ支持され、プラテン１とプラ
テン支持板７との角度はジ冒インド部にて変更可能とす
る。プラテンｌにはウェーハ固定ディスク２が取りつけ
てあシ、半導体ウェーハ４をウェーハホルダー３によシ
固定する。このウェーハ固定ディスク２には高電流のイ
オンビームにも耐え得るように冷却機構をほどこす。
はプラテン支持板７によシ支持され、プラテン１とプラ
テン支持板７との角度はジ冒インド部にて変更可能とす
る。プラテンｌにはウェーハ固定ディスク２が取りつけ
てあシ、半導体ウェーハ４をウェーハホルダー３によシ
固定する。このウェーハ固定ディスク２には高電流のイ
オンビームにも耐え得るように冷却機構をほどこす。
プラテン１の裏面にはモーター５が取シつけてあシ、そ
のモーター５によシウェーハ固定ディスク２をウェーハ
固定ディスク回転方向９のように高速回転させる。同時
にプラテン１をプラテン上下動方向６のように上下動さ
せる。第２図はウェーハ動作説明図である。第２図のよ
うにイオンビームスポットｌＯが半導体ウェーハ４の外
周に当たる時は低速で、中心付近では高速でというよう
に上下動速度レベル１２を変化させることにより半導体
ウェーハ４の面内均一に不純物を注入することが可能と
なる。
のモーター５によシウェーハ固定ディスク２をウェーハ
固定ディスク回転方向９のように高速回転させる。同時
にプラテン１をプラテン上下動方向６のように上下動さ
せる。第２図はウェーハ動作説明図である。第２図のよ
うにイオンビームスポットｌＯが半導体ウェーハ４の外
周に当たる時は低速で、中心付近では高速でというよう
に上下動速度レベル１２を変化させることにより半導体
ウェーハ４の面内均一に不純物を注入することが可能と
なる。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、半導体ウェーハを単独に
ウェーハ固定ディスクに固定し、回転及び上下動させイ
オンビームを電気的に走査することなくウェーハに不純
物を注入することによυ、電気的に走査することが困難
な高電流のイオンビームでの注入もできる効果がある。
ウェーハ固定ディスクに固定し、回転及び上下動させイ
オンビームを電気的に走査することなくウェーハに不純
物を注入することによυ、電気的に走査することが困難
な高電流のイオンビームでの注入もできる効果がある。
また、枚葉処理なのでウェーハの大口径化が進んでもフ
ロアスペースをとらず、ウェーハハンドリングも簡単に
できるので安価に装置を構成できるという効果がある。
ロアスペースをとらず、ウェーハハンドリングも簡単に
できるので安価に装置を構成できるという効果がある。
第１図は本発明のイオン注入装置の斜視図、第２図は本
発明のイオン注入装置におけるウェーハ動作説明図、第
３図は従来のイオン注入装置の斜視図である。 １・・・・・・プラテン、２・・・・・・ウェーハ固定
ディスク、３・・・・・・ウェーハホルダー、４・・・
・・・半導体ウェーハ、５・・・・・・モーター、６・
・・・・・プラテン上下動方向、７・・・・・・プラテ
ン支持板、８・・・・・・イオンビーム、９・・・・・
・ウェーハ固定ディスク回転方向、１０・・・・・・イ
オンビームスポット、１１・・・・・・ウエーノ１上下
動範囲１２・・・・・・上下動速度レベル、１３・・・
・・・イオンビームの走査方向。 代理人 弁理士 内 原 晋 ゝ；；Ｓ、・。 ＄ ｌ 菌 茅 ２ 囚 茅 ３Ｉ！ｒ
発明のイオン注入装置におけるウェーハ動作説明図、第
３図は従来のイオン注入装置の斜視図である。 １・・・・・・プラテン、２・・・・・・ウェーハ固定
ディスク、３・・・・・・ウェーハホルダー、４・・・
・・・半導体ウェーハ、５・・・・・・モーター、６・
・・・・・プラテン上下動方向、７・・・・・・プラテ
ン支持板、８・・・・・・イオンビーム、９・・・・・
・ウェーハ固定ディスク回転方向、１０・・・・・・イ
オンビームスポット、１１・・・・・・ウエーノ１上下
動範囲１２・・・・・・上下動速度レベル、１３・・・
・・・イオンビームの走査方向。 代理人 弁理士 内 原 晋 ゝ；；Ｓ、・。 ＄ ｌ 菌 茅 ２ 囚 茅 ３Ｉ！ｒ
Claims (1)
- 半導体素子製造装置のうち半導体ウェーハに不純物を注
入するイオン注入装置において半導体ウェーハを単独に
ウェーハ固定ディスクで回転させプラテン本体を上下動
させることによりイオンビームを電気的に走査すること
なくウェーハ面内均一に不純物注入が可能な機構を有す
ることを特徴とするイオン注入装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62052345A JPH0748365B2 (ja) | 1987-03-06 | 1987-03-06 | イオン注入装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62052345A JPH0748365B2 (ja) | 1987-03-06 | 1987-03-06 | イオン注入装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63218140A true JPS63218140A (ja) | 1988-09-12 |
| JPH0748365B2 JPH0748365B2 (ja) | 1995-05-24 |
Family
ID=12912219
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62052345A Expired - Fee Related JPH0748365B2 (ja) | 1987-03-06 | 1987-03-06 | イオン注入装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0748365B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7053386B1 (en) | 2000-02-04 | 2006-05-30 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for implanting semiconductor wafer substrates |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53119671A (en) * | 1977-03-28 | 1978-10-19 | Toshiba Corp | Ion implanting method |
| JPS5478091A (en) * | 1977-12-05 | 1979-06-21 | Hitachi Ltd | Ion implanting unit |
| JPS61211951A (ja) * | 1985-03-14 | 1986-09-20 | Fujitsu Ltd | イオン注入装置 |
| JPS625549A (ja) * | 1985-07-02 | 1987-01-12 | Sumitomo Electric Ind Ltd | イオン注入装置 |
-
1987
- 1987-03-06 JP JP62052345A patent/JPH0748365B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53119671A (en) * | 1977-03-28 | 1978-10-19 | Toshiba Corp | Ion implanting method |
| JPS5478091A (en) * | 1977-12-05 | 1979-06-21 | Hitachi Ltd | Ion implanting unit |
| JPS61211951A (ja) * | 1985-03-14 | 1986-09-20 | Fujitsu Ltd | イオン注入装置 |
| JPS625549A (ja) * | 1985-07-02 | 1987-01-12 | Sumitomo Electric Ind Ltd | イオン注入装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7053386B1 (en) | 2000-02-04 | 2006-05-30 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for implanting semiconductor wafer substrates |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0748365B2 (ja) | 1995-05-24 |
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