JP2010040593A - イオン注入装置及び方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明のイオン注入は、回転駆動機構により回転される回転体の回転軸回りに同心円状に配置された複数の半導体ウェーハ28を回転させ、かつ回転体を振り子状に揺動させる揺動機構により揺動させながらイオンを照射するものであり、回転駆動機構、揺動機構、及びイオンの照射タイミングを制御してイオンをウェーハの全面にわたってスキャンする。特に、(b)に示すように、イオン注入プロセス全体を2回に分けて、1回目のイオンビーム40のウェーハの揺動方向Aのイオン注入スキャンピッチの間に、2回目のイオンビーム42のイオン注入スキャンピッチを設定することにより、ウェーハ揺動方向のSOI膜厚及びBOX膜厚の周期的なムラを抑制し、ストライプの発生を低減する。
【選択図】図4
Description
12 イオン源
14 質量分離器
17 イオンビーム
18 モータ
22 回転軸
24 回転体
26 アーム
28 半導体ウェーハ
30 支持盤
32 揺動アーム
34 揺動機構
40 1回目のイオンビーム
42 2回目のイオンビーム
44 イオン注入が行なわれない位置
Claims (4)
- 回転駆動機構により回転される回転体と、該回転体の回転軸回りに放射状に延在された複数のアームと、該各アームに設けられた半導体ウェーハの支持盤と、前記回転体、前記各アーム、及び前記各支持盤を一体に振り子状に揺動させる揺動機構と、前記回転駆動機構により回転されながら前記揺動機構により揺動される前記半導体ウェーハに対してイオンを照射するイオン注入手段とを備え、前記回転駆動機構、前記揺動機構、及び前記イオンの照射タイミングを制御して前記イオンを前記半導体ウェーハの全面にわたってスキャンするイオン注入装置において、
前記半導体ウェーハの全面にわたるイオン注入は、前記半導体ウェーハの揺動開始位置及び前記イオンの照射タイミングの少なくとも一方の条件を変えて複数回行われ、各回のイオン注入時の前記半導体ウェーハの揺動方向のイオン注入位置が互いにずらされてなるイオン注入装置。 - 前記半導体ウェーハの全面にわたるイオン注入は、前記半導体ウェーハの揺動開始位置及び前記イオンの照射タイミングの少なくとも一方の条件を変えて2回行われ、1回目のイオン注入時の前記半導体ウェーハの揺動方向のイオン注入スキャンピッチの間に、2回目のイオン注入スキャンピッチが設定されてなる請求項1のイオン注入装置。
- 回転駆動機構により回転される回転体の回転軸回りに同心円状に配置された複数の半導体ウェーハを前記回転駆動機構により回転させ、かつ前記回転体を揺動させる揺動機構により揺動させながらイオンを照射して、前記回転駆動機構、前記揺動機構、及び前記イオンの照射タイミングを制御して前記イオンを前記半導体ウェーハの全面にわたってスキャンするイオン注入方法において、
前記半導体ウェーハの全面にわたるイオン注入を、前記半導体ウェーハの揺動位置及び前記イオンの照射タイミングの少なくとも一方の条件を変えて複数回行い、各回のイオン注入時の前記半導体ウェーハの揺動方向のイオン注入位置を互いにずらすイオン注入方法。 - 前記半導体ウェーハの全面にわたるイオン注入を、前記半導体ウェーハの揺動位置及び前記イオンの照射タイミングの少なくとも一方の条件を変えて2回行い、1回目のイオン注入時の前記半導体ウェーハの揺動方向のイオン注入スキャンピッチの間に、2回目のイオン注入スキャンピッチを設定する請求項3のイオン注入方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008198864A JP2010040593A (ja) | 2008-07-31 | 2008-07-31 | イオン注入装置及び方法 |
US12/511,447 US20100025597A1 (en) | 2008-07-31 | 2009-07-29 | Ion implanting device and method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008198864A JP2010040593A (ja) | 2008-07-31 | 2008-07-31 | イオン注入装置及び方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010040593A true JP2010040593A (ja) | 2010-02-18 |
Family
ID=41607373
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008198864A Pending JP2010040593A (ja) | 2008-07-31 | 2008-07-31 | イオン注入装置及び方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20100025597A1 (ja) |
JP (1) | JP2010040593A (ja) |
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- 2008-07-31 JP JP2008198864A patent/JP2010040593A/ja active Pending
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---|---|
US20100025597A1 (en) | 2010-02-04 |
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