JPH1064471A - イオン注入装置 - Google Patents
イオン注入装置Info
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- JPH1064471A JPH1064471A JP8217085A JP21708596A JPH1064471A JP H1064471 A JPH1064471 A JP H1064471A JP 8217085 A JP8217085 A JP 8217085A JP 21708596 A JP21708596 A JP 21708596A JP H1064471 A JPH1064471 A JP H1064471A
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- Japan
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- wafer
- ion
- motor
- radiating material
- ion beam
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Abstract
(57)【要約】
【課題】最適なウエハの冷却でイオンビームをウエハに
注入可能なイオン注入装置を提供する。 【解決手段】イオン源から取り出されたイオンビームを
ウエハに打込むイオン注入装置において、ウエハ保持手
段が、イオンビームが上記ウエハに照射する面と反対側
の面で上記ウエハを保持するウエハホルダからなり、上
記ウエハと上記ウエハホルダとの間に、上記ウエハホル
ダと輻射率の異なる材料の輻射材を設置した。
注入可能なイオン注入装置を提供する。 【解決手段】イオン源から取り出されたイオンビームを
ウエハに打込むイオン注入装置において、ウエハ保持手
段が、イオンビームが上記ウエハに照射する面と反対側
の面で上記ウエハを保持するウエハホルダからなり、上
記ウエハと上記ウエハホルダとの間に、上記ウエハホル
ダと輻射率の異なる材料の輻射材を設置した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はイオン注入装置に関
する。
する。
【０００２】
【従来の技術】従来のイオン注入装置は、例えば、特開
平1−189845 号公報に記載のように、イオン源から取り
出されたイオンビームを処理室内に設置されたウエハに
打込んでいた。この際、ウエハとウエハホルダとの間の
冷却は両者の間に、ガスを封入する、ガス冷却構造が一
般的であった。
平1−189845 号公報に記載のように、イオン源から取り
出されたイオンビームを処理室内に設置されたウエハに
打込んでいた。この際、ウエハとウエハホルダとの間の
冷却は両者の間に、ガスを封入する、ガス冷却構造が一
般的であった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで近年、ＳｉＭ
ＯＸ用のイオン注入装置が研究開発されており、このイ
オン注入装置では、シリコンウエハの所定の深さに酸素
イオンを注入し、その後、アニール処理を行うことによ
り、シリコンウエハ中にＳｉＯ2 の層を形成している。
このＳｉＯ2 層を絶縁基板とすることにより、従来のイ
オン注入装置のようにＳｉＯ2 の基板上にシリコン層を
形成するものに比べて高速応答のウエハを実現できる。
ＯＸ用のイオン注入装置が研究開発されており、このイ
オン注入装置では、シリコンウエハの所定の深さに酸素
イオンを注入し、その後、アニール処理を行うことによ
り、シリコンウエハ中にＳｉＯ2 の層を形成している。
このＳｉＯ2 層を絶縁基板とすることにより、従来のイ
オン注入装置のようにＳｉＯ2 の基板上にシリコン層を
形成するものに比べて高速応答のウエハを実現できる。
【０００４】しかし、従来のイオン注入装置ではウエハ
の冷却に、ウエハとウエハホルダとの間で、ガス冷却構
造を用いており、ＳｉＭＯＸ用にこの構造を用いると、
従来のイオン注入装置より、ビームのエネルギが高いた
め、ウエハホルダが高温になり、ガスがリークを起こし
真空度を低下させる。また、ウエハが高温になりすぎ結
晶構造が破壊されるといったプロセス上での問題がある
ことが判明した。
の冷却に、ウエハとウエハホルダとの間で、ガス冷却構
造を用いており、ＳｉＭＯＸ用にこの構造を用いると、
従来のイオン注入装置より、ビームのエネルギが高いた
め、ウエハホルダが高温になり、ガスがリークを起こし
真空度を低下させる。また、ウエハが高温になりすぎ結
晶構造が破壊されるといったプロセス上での問題がある
ことが判明した。
【０００５】本発明の目的は、最適なウエハの冷却でイ
オンビームをウエハに注入可能なイオン注入装置を提供
することにある。
オンビームをウエハに注入可能なイオン注入装置を提供
することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明はイオン源から取り出されたイオンビームを
ウエハに打込むイオン注入装置で、ウエハとウエハを保
持するウエハホルダとの間に、ウエハ非接触で輻射材
（例えば、Ｓｉ）を設置することにより、ウエハからの
輻射熱量を増減し、ウエハ温度を任意の値に設定するこ
とが可能とし得るものとなる。
に、本発明はイオン源から取り出されたイオンビームを
ウエハに打込むイオン注入装置で、ウエハとウエハを保
持するウエハホルダとの間に、ウエハ非接触で輻射材
（例えば、Ｓｉ）を設置することにより、ウエハからの
輻射熱量を増減し、ウエハ温度を任意の値に設定するこ
とが可能とし得るものとなる。
【０００７】また、輻射材の面積を変えることによって
も、輻射熱量を増減し、ウエハ温度を任意の値に設定す
ることが可能とし得るものとなる。
も、輻射熱量を増減し、ウエハ温度を任意の値に設定す
ることが可能とし得るものとなる。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明の一実施例について、以下
図面を用いて説明する。
図面を用いて説明する。
【０００９】図２は本発明の一実施例によるＳｉＭＯＸ
用イオン注入装置の説明図である。イオン源１００から
放出されたイオンビームは、質量分離器２００によって
所定の質量を有するイオン、即ち、イオン注入に用い
る、例えば、酸素イオンが分離され、取り出される。質
量分離器２００によって取り出されたイオンビームＸ
は、処理室３００の入射口３０１から処理室３００に入
射する。イオン源１００，質量分離器２００および処理
室３００は、気密連結されており、それらの内部は、真
空に保たれている。
用イオン注入装置の説明図である。イオン源１００から
放出されたイオンビームは、質量分離器２００によって
所定の質量を有するイオン、即ち、イオン注入に用い
る、例えば、酸素イオンが分離され、取り出される。質
量分離器２００によって取り出されたイオンビームＸ
は、処理室３００の入射口３０１から処理室３００に入
射する。イオン源１００，質量分離器２００および処理
室３００は、気密連結されており、それらの内部は、真
空に保たれている。
【００１０】処理室２００内には、回転ディスク３１０
が設置されており、この回転ディスク３１０の外周に複
数のウエハホルダ３２０が配置されており、このウエハ
ホルダ３２０にシリコンウエハが固定される。回転ディ
スク３１０は、回転するとともに、左右に揺動する。イ
オンビームＸの断面積は、ウエハホルダ３２０に固定さ
れるシリコンウエハの面積に比べて小さいため、回転デ
ィスク３１０が、回転および揺動することにより、シリ
コンウエハの全表面に目的とするイオンを打ち込むこと
ができる。
が設置されており、この回転ディスク３１０の外周に複
数のウエハホルダ３２０が配置されており、このウエハ
ホルダ３２０にシリコンウエハが固定される。回転ディ
スク３１０は、回転するとともに、左右に揺動する。イ
オンビームＸの断面積は、ウエハホルダ３２０に固定さ
れるシリコンウエハの面積に比べて小さいため、回転デ
ィスク３１０が、回転および揺動することにより、シリ
コンウエハの全表面に目的とするイオンを打ち込むこと
ができる。
【００１１】処理室３００の後方には、イオン注入対象
物のウエハを出し入れする準備室４００が接続されてい
る。準備室４００には、ウエハの搬送を行う搬送ロボッ
ト４１０及びウエハを収納する収納カセット４２０が設
置されている。搬送ロボット４１０は、収納カセット４
２０に収納されたウエハを取り出し、その先端を処理室
３００内に挿入して、ウエハをウエハホルダ３２０に装
着する。さらに、搬送ロボット４１０は、イオン注入
後、ウエハホルダ３２０からウエハを取り出し、収納カ
セット４２０に収納する。
物のウエハを出し入れする準備室４００が接続されてい
る。準備室４００には、ウエハの搬送を行う搬送ロボッ
ト４１０及びウエハを収納する収納カセット４２０が設
置されている。搬送ロボット４１０は、収納カセット４
２０に収納されたウエハを取り出し、その先端を処理室
３００内に挿入して、ウエハをウエハホルダ３２０に装
着する。さらに、搬送ロボット４１０は、イオン注入
後、ウエハホルダ３２０からウエハを取り出し、収納カ
セット４２０に収納する。
【００１２】処理室３００と準備室４００により、イオ
ン注入装置のエンドステーションを構成している。
ン注入装置のエンドステーションを構成している。
【００１３】次に、図３，図４を用いて、処理室３００
内の回転ディスク３１０の構造について説明する。
内の回転ディスク３１０の構造について説明する。
【００１４】図３は本発明の一実施例によるイオン注入
装置の回転ディスク装置の正面図である。図４は、図３
の側面図である。
装置の回転ディスク装置の正面図である。図４は、図３
の側面図である。
【００１５】図３で、１７枚のウエハ３３０が設置され
たウエハホルダ３２０が、回転ディスク３１０の円周上
に等ピッチで配置され、その回転ディスク３１０の任意
のウエハ位置にイオンビームＸが照射される。回転ディ
スク３１０はその中央に位置する円形部３１２と、円形
部３１２から９０゜の等間隔で十字型に延在する４本の
アーム部３１４，３１５，３１６，３１７と、このアー
ム部３１４，３１５，３１６，３１７の外周に位置する
リング部３１８から構成される。１７個のウエハホルダ
３２０は、このリング部３１８に取り付けられている。
中央の円形部３１２の後ろには、内部にモータを有する
インナーチャンバ３４０が取り付けられており、モータ
の回転力が回転ディスク３１０に伝えられ、回転ディス
ク310を矢印Ａ方向に回転する。なお、インナーチャン
バ３４０の詳細な構造については、図４を用いて後述す
る。
たウエハホルダ３２０が、回転ディスク３１０の円周上
に等ピッチで配置され、その回転ディスク３１０の任意
のウエハ位置にイオンビームＸが照射される。回転ディ
スク３１０はその中央に位置する円形部３１２と、円形
部３１２から９０゜の等間隔で十字型に延在する４本の
アーム部３１４，３１５，３１６，３１７と、このアー
ム部３１４，３１５，３１６，３１７の外周に位置する
リング部３１８から構成される。１７個のウエハホルダ
３２０は、このリング部３１８に取り付けられている。
中央の円形部３１２の後ろには、内部にモータを有する
インナーチャンバ３４０が取り付けられており、モータ
の回転力が回転ディスク３１０に伝えられ、回転ディス
ク310を矢印Ａ方向に回転する。なお、インナーチャン
バ３４０の詳細な構造については、図４を用いて後述す
る。
【００１６】インナーチャンバ３４０は、左右からチル
ト軸３５０，３５２によってコ字状のシャフト３６０に
対して回動可能に支持されている。シャフト３６０に
は、モータ３５４が固定されており、モータ３５４の回
転軸がチルト軸３５２の端部に結合されており、モータ
３５４を正転若しくは逆転することにより、回転ディス
ク３１０は、チルト軸３５０，３５２を中心として回動
して、イオンビームＸに対する傾き角度を可変できる。
ト軸３５０，３５２によってコ字状のシャフト３６０に
対して回動可能に支持されている。シャフト３６０に
は、モータ３５４が固定されており、モータ３５４の回
転軸がチルト軸３５２の端部に結合されており、モータ
３５４を正転若しくは逆転することにより、回転ディス
ク３１０は、チルト軸３５０，３５２を中心として回動
して、イオンビームＸに対する傾き角度を可変できる。
【００１７】コ字状のシャフト３６０は、その基部でシ
ャフト３６２に固定されており、シャフト３６２は、ス
キャン軸３６４に固定されている。スキャン軸３６４の
端部には、２点鎖線で示すギア３６６が固定されてい
る。ギア３６６は、モータ370の回転軸に固定されたギ
ア３６８と結合している。従って、モータ３７０を正逆
転する事により、ギア３６６が矢印Ｂ方向に正逆転し、
回転ディスク３１０は、矢印Ｃ，Ｃ′方向に揺動する。
その揺動角は、図示するように、ψである。イオンビー
ムＸの位置は固定であるので、回転ディスク３１０の揺
動により、相対的にイオンビームＸによってウエハ３３
０上を走査できる。
ャフト３６２に固定されており、シャフト３６２は、ス
キャン軸３６４に固定されている。スキャン軸３６４の
端部には、２点鎖線で示すギア３６６が固定されてい
る。ギア３６６は、モータ370の回転軸に固定されたギ
ア３６８と結合している。従って、モータ３７０を正逆
転する事により、ギア３６６が矢印Ｂ方向に正逆転し、
回転ディスク３１０は、矢印Ｃ，Ｃ′方向に揺動する。
その揺動角は、図示するように、ψである。イオンビー
ムＸの位置は固定であるので、回転ディスク３１０の揺
動により、相対的にイオンビームＸによってウエハ３３
０上を走査できる。
【００１８】次に図４を用いて回転ディスク３１０のチ
ルト機構について説明する。
ルト機構について説明する。
【００１９】図４で、ウエハ３３０が設置されたウエハ
ホルダ３２０が、回転ディスク310の外周上に配置さ
れ、その回転ディスク３１０の任意のウエハ位置にイオ
インビームＸが照射される。回転ディスク３１０の中央
の円形部３１２の後ろには、ディスク座３１９がインロ
ー結合されている。ディスク座３１９に取り付けられた
シャフト３４１は、モータ３４２の回転軸に結合されて
いる。また、シャフト３４１は、絶縁物３４３を介し
て、インナーチャンバ３４０に回動自在に取り付けられ
ている。モータ３４２には、磁気シール３４４が取り付
けられ、さらに、冷却のための給排水口３４５が取り付
けられており、モータ３４２を冷却している。モータ３
４２が配置されているインナーチャンバ３４０内は、大
気圧に保たれており、その外側は真空であるので、イン
ナーチャンバ３４０内の封止のために磁気シール３４４
が設けられている。インナーチャンバ３４０の内部は、
大気圧となっており、その内部には乾燥空気の吹き出し
口３４７が設けられており、乾燥空気をチャンバ内に導
入できる。これは、モータ３４２を大気圧で動作できる
ようにし、しかも、冷却を水冷方式としたため、インナ
ーチャンバ３４０の内部が結露する可能性があるので、
外部より乾燥空気を取り込んでインナーチャンバ３４０
内を乾燥させ、結露を防ぐようにしているためである。
ホルダ３２０が、回転ディスク310の外周上に配置さ
れ、その回転ディスク３１０の任意のウエハ位置にイオ
インビームＸが照射される。回転ディスク３１０の中央
の円形部３１２の後ろには、ディスク座３１９がインロ
ー結合されている。ディスク座３１９に取り付けられた
シャフト３４１は、モータ３４２の回転軸に結合されて
いる。また、シャフト３４１は、絶縁物３４３を介し
て、インナーチャンバ３４０に回動自在に取り付けられ
ている。モータ３４２には、磁気シール３４４が取り付
けられ、さらに、冷却のための給排水口３４５が取り付
けられており、モータ３４２を冷却している。モータ３
４２が配置されているインナーチャンバ３４０内は、大
気圧に保たれており、その外側は真空であるので、イン
ナーチャンバ３４０内の封止のために磁気シール３４４
が設けられている。インナーチャンバ３４０の内部は、
大気圧となっており、その内部には乾燥空気の吹き出し
口３４７が設けられており、乾燥空気をチャンバ内に導
入できる。これは、モータ３４２を大気圧で動作できる
ようにし、しかも、冷却を水冷方式としたため、インナ
ーチャンバ３４０の内部が結露する可能性があるので、
外部より乾燥空気を取り込んでインナーチャンバ３４０
内を乾燥させ、結露を防ぐようにしているためである。
【００２０】インナーチャンバ３４０は、左右からチル
ト軸３５２によってコ字状のシャフト３６０に対して回
動可能に支持されている。シャフト３６０には、モータ
354が固定されており、このモータ３５４の回転軸がチ
ルト軸３５２の端部に結合されており、モータ３５４を
正転若しくは逆転する事により、回転ディスク３１０は
チルト軸３５０，３５２を中心として矢印Ｄ方向に回動
可能である。回転ディスク３１０を実線で示す位置から
矢印Ｃ方向に破線で示す位置に回動することにより、イ
オンビームＸに対するウエハ３３０の傾き角度θを変え
る。
ト軸３５２によってコ字状のシャフト３６０に対して回
動可能に支持されている。シャフト３６０には、モータ
354が固定されており、このモータ３５４の回転軸がチ
ルト軸３５２の端部に結合されており、モータ３５４を
正転若しくは逆転する事により、回転ディスク３１０は
チルト軸３５０，３５２を中心として矢印Ｄ方向に回動
可能である。回転ディスク３１０を実線で示す位置から
矢印Ｃ方向に破線で示す位置に回動することにより、イ
オンビームＸに対するウエハ３３０の傾き角度θを変え
る。
【００２１】モータ３５４は、サーボモータを用いてお
り、モータ３５４の回転は、モータの回転軸に取り付け
られたエンコーダから出力するパルスによって検知され
る。ウエハの傾き角度θを変えるには、モータ制御回路
３４８は、回転ディスク310を傾ける角度に対応するパ
ルス数を供給し、モータ３５４が回転し、それに伴って
エンコーダから出力するパルス数を計数し、両者のパル
ス数が等しくなるまで、モータ３５４を回転することに
より、モータを所定角度θまで傾けることができる。こ
こで、傾ける角度は、図４で実線で示される従来の位置
から７°，14°，２８°の３種類とする。即ち、図４に
おける角度θを８３°，７６°，６２°となるように回
転ディスクの角度を制御できる。
り、モータ３５４の回転は、モータの回転軸に取り付け
られたエンコーダから出力するパルスによって検知され
る。ウエハの傾き角度θを変えるには、モータ制御回路
３４８は、回転ディスク310を傾ける角度に対応するパ
ルス数を供給し、モータ３５４が回転し、それに伴って
エンコーダから出力するパルス数を計数し、両者のパル
ス数が等しくなるまで、モータ３５４を回転することに
より、モータを所定角度θまで傾けることができる。こ
こで、傾ける角度は、図４で実線で示される従来の位置
から７°，14°，２８°の３種類とする。即ち、図４に
おける角度θを８３°，７６°，６２°となるように回
転ディスクの角度を制御できる。
【００２２】さらに、ウエハの交換をする際には、モー
タ制御回路３４８からの制御信号によってモータ３５４
を駆動し、回転ディスク３１０を実線で示す位置から破
線で示す回転ディスク３１０′の位置まで矢印Ｄ方向に
回動し、回転ディスク３１０を水平状態にして行われ
る。
タ制御回路３４８からの制御信号によってモータ３５４
を駆動し、回転ディスク３１０を実線で示す位置から破
線で示す回転ディスク３１０′の位置まで矢印Ｄ方向に
回動し、回転ディスク３１０を水平状態にして行われ
る。
【００２３】シャフト３６０は、その基部でシャフト３
６２に溶接固定されており、シャフト３６２は、スキャ
ン軸３６４に固定されている。スキャン軸３６４は、４
個のベアリング３６５ａ，３６５ｂ，３６５ｃ，３６５
ｄによりハウジング３６３に回転可能に支持されてい
る。スキャン軸３６４の右端部には、ギア３６６が固定
されている。ギア３６６は、モータ３７０の回転軸に固
定されたギア３６８と結合されている。従って、モータ
制御回路３４８からの制御信号によりモータ370を正逆
転することにより、回転ディスク３１０は、揺動する。
その揺動角ψは、スキャン軸３６４に取り付けられたエ
ンコーダ３６７によって検出できる。
６２に溶接固定されており、シャフト３６２は、スキャ
ン軸３６４に固定されている。スキャン軸３６４は、４
個のベアリング３６５ａ，３６５ｂ，３６５ｃ，３６５
ｄによりハウジング３６３に回転可能に支持されてい
る。スキャン軸３６４の右端部には、ギア３６６が固定
されている。ギア３６６は、モータ３７０の回転軸に固
定されたギア３６８と結合されている。従って、モータ
制御回路３４８からの制御信号によりモータ370を正逆
転することにより、回転ディスク３１０は、揺動する。
その揺動角ψは、スキャン軸３６４に取り付けられたエ
ンコーダ３６７によって検出できる。
【００２４】以上説明したように、回転ディスク３１０
は、その中心位置にモータ３４２が配置され、モータ３
４２により回転する。また、モータ３４２は内部が大気
圧となっているインナーチャンバ３４０内に配置されて
いる。回転ディスク３１０は、イオンビームＸに対し、
イオン注入角θを変えられるように、チルト軸３５０，
３５２を中心に傾斜する構造となっている。また、回転
ディスク３１０は、ビームＸがウエハ全面に照射される
ように、スキャン軸３６４を中心にスキャン角ψにて往
復円弧運動ができるようになっている。
は、その中心位置にモータ３４２が配置され、モータ３
４２により回転する。また、モータ３４２は内部が大気
圧となっているインナーチャンバ３４０内に配置されて
いる。回転ディスク３１０は、イオンビームＸに対し、
イオン注入角θを変えられるように、チルト軸３５０，
３５２を中心に傾斜する構造となっている。また、回転
ディスク３１０は、ビームＸがウエハ全面に照射される
ように、スキャン軸３６４を中心にスキャン角ψにて往
復円弧運動ができるようになっている。
【００２５】従って、本実施例によれば、チルト軸を中
心にして回転ディスクが傾斜する構造となっているた
め、ウエハへイオンが打ち込まれる際の打込み角（ビー
ム入射角）を可変できるので、イオンをウエハに打込む
際のチャネリング現象を考慮して、最適なイオン打込み
を行うことができる。したがって、ＳｉＭＯＸ用のイオ
ン注入装置として用いることにより、最適のＳｉＯ2 層
を形成できるので、高速応答のＳｉＭＯＸシリコンウエ
ハを製造できる。
心にして回転ディスクが傾斜する構造となっているた
め、ウエハへイオンが打ち込まれる際の打込み角（ビー
ム入射角）を可変できるので、イオンをウエハに打込む
際のチャネリング現象を考慮して、最適なイオン打込み
を行うことができる。したがって、ＳｉＭＯＸ用のイオ
ン注入装置として用いることにより、最適のＳｉＯ2 層
を形成できるので、高速応答のＳｉＭＯＸシリコンウエ
ハを製造できる。
【００２６】また、イオンビームを移動させずに、回転
ディスクに取り付けられたウエハを移動する方式とした
ので、イオン注入分布の均一化を図ることができるよう
になった。即ち、従来のイオンビーム自体を可変磁場に
よってスキャンする方式では、磁場によるスキャンによ
ってイオンビームの密度も変化することとなったが、イ
オンビームを移動させずに、ウエハを取り付けた回転デ
ィスクを回転するようにしたので、イオンビームの密度
が変化することなく、均一密度でのイオン注入が可能と
なった。また、スキャン軸を中心に回転ディスクを揺動
することにより、イオン注入分布の均一化が図れる。な
お、回転ディスクは揺動だけでなく、別の機構により、
往復移動するようにしてもよい。いずれにしても、複数
枚のウエハに順次イオンビームを照射するために、ウエ
ハ側を回転させ、さらに、この回転方向にほぼ直交する
方向に往復移動することにより、個々のウエハ内でイオ
ンビームの位置を変えてイオンビームを照射することが
できる。
ディスクに取り付けられたウエハを移動する方式とした
ので、イオン注入分布の均一化を図ることができるよう
になった。即ち、従来のイオンビーム自体を可変磁場に
よってスキャンする方式では、磁場によるスキャンによ
ってイオンビームの密度も変化することとなったが、イ
オンビームを移動させずに、ウエハを取り付けた回転デ
ィスクを回転するようにしたので、イオンビームの密度
が変化することなく、均一密度でのイオン注入が可能と
なった。また、スキャン軸を中心に回転ディスクを揺動
することにより、イオン注入分布の均一化が図れる。な
お、回転ディスクは揺動だけでなく、別の機構により、
往復移動するようにしてもよい。いずれにしても、複数
枚のウエハに順次イオンビームを照射するために、ウエ
ハ側を回転させ、さらに、この回転方向にほぼ直交する
方向に往復移動することにより、個々のウエハ内でイオ
ンビームの位置を変えてイオンビームを照射することが
できる。
【００２７】図１を用いて、図３,図４に示したホルダ
の詳細構造を説明する。
の詳細構造を説明する。
【００２８】図１は、イオン注入装置のウエハホルダの
横断面であり、図３のＭ−Ｍ断面を示す。ウエハ３３０
は、ウエハホルダ（例えば、皿上で外側につばが付いて
いる）３２０に周辺部を保持されており、その中心部
は、空間となっている。その空間部に、ウエハホルダと
輻射率の異なる材質（例えば、Ｓｉ等）でできた輻射材
３２９を配置する。ここで輻射の式より輻射熱は
横断面であり、図３のＭ−Ｍ断面を示す。ウエハ３３０
は、ウエハホルダ（例えば、皿上で外側につばが付いて
いる）３２０に周辺部を保持されており、その中心部
は、空間となっている。その空間部に、ウエハホルダと
輻射率の異なる材質（例えば、Ｓｉ等）でできた輻射材
３２９を配置する。ここで輻射の式より輻射熱は
【００２９】
【数１】
【００３０】で表される。
【００３１】ε1＝ウエハ３３０の吸収率，ε2＝輻射材
質３２９の吸収率 Ｔ1＝ウエハ３３０の温度， Ｔ2＝輻射材質３２９の温
度 Ｓ′＝輻射材の面積とする。
質３２９の吸収率 Ｔ1＝ウエハ３３０の温度， Ｔ2＝輻射材質３２９の温
度 Ｓ′＝輻射材の面積とする。
【００３２】輻射材３２９に、例えば、ウエハホルダ３
２０よりも高い吸収係数のものを選ぶことにより、ウエ
ハ３３０が高温になると、その輻射熱を輻射材３２９が
吸収するのでウエハ３３０から輻射材３２９に移動する
輻射熱が大きくなるため、ウエハ３３０を低い温度に設
定可能となる。また、輻射材にＳｉを用いることにより
ウエハ３３０に対して異物の汚染をなくすことができ
る。
２０よりも高い吸収係数のものを選ぶことにより、ウエ
ハ３３０が高温になると、その輻射熱を輻射材３２９が
吸収するのでウエハ３３０から輻射材３２９に移動する
輻射熱が大きくなるため、ウエハ３３０を低い温度に設
定可能となる。また、輻射材にＳｉを用いることにより
ウエハ３３０に対して異物の汚染をなくすことができ
る。
【００３３】また、上式からもわかるように輻射材の面
積Ｓ′を変化させることにより輻射熱量を増減させるこ
とができる。つまり、面積を変えることによってウエハ
温度を任意の値に設定可能である。
積Ｓ′を変化させることにより輻射熱量を増減させるこ
とができる。つまり、面積を変えることによってウエハ
温度を任意の値に設定可能である。
【００３４】本実施例によれば、輻射熱量を増減して、
ウエハ温度を任意の値に設定することが可能となる。
ウエハ温度を任意の値に設定することが可能となる。
【００３５】
【発明の効果】本発明によれば、イオン注入装置で、ウ
エハとウエハホルダの間に輻射材を設置することによ
り、輻射熱量を増減させることで、ウエハ温度を任意の
値に設定することが可能とし得るものとなる。
エハとウエハホルダの間に輻射材を設置することによ
り、輻射熱量を増減させることで、ウエハ温度を任意の
値に設定することが可能とし得るものとなる。
【図１】本発明の一実施例によるイオン注入装置のウエ
ハホルダの断面図。
ハホルダの断面図。
【図２】本発明の一実施例によるイオン注入装置の説明
図。
図。
【図３】本発明の一実施例によるイオン注入装置の回転
ディスクの正面図。
ディスクの正面図。
【図４】図３の側面図。
３００…処理室、３１０…回転ディスク、３２０…ウエ
ハホルダ、３２９…輻射材、３３０…ウエハ、３４２，
３５４，３７０…モータ、３４７…乾燥空気吐き出し
口、３４８…モータ制御回路、３５０，３５２…チルト
軸、３６４…スキャン軸。
ハホルダ、３２９…輻射材、３３０…ウエハ、３４２，
３５４，３７０…モータ、３４７…乾燥空気吐き出し
口、３４８…モータ制御回路、３５０，３５２…チルト
軸、３６４…スキャン軸。
Claims (3)
- 【請求項１】イオン源から取り出されたイオンビームを
ウエハに打込むイオン注入装置において、ウエハ保持手
段が、イオンビームが上記ウエハに照射する面と反対側
の面で上記ウエハを保持するウエハホルダからなり、上
記ウエハと上記ウエハホルダとの間に、上記ウエハホル
ダと輻射率の異なる材料の輻射材を設置したことを特徴
とするイオン注入装置。 - 【請求項２】上記輻射材が、上記ウエハホルダと輻射率
の異なるＳｉである請求項１に記載のイオン注入装置。 - 【請求項３】請求項１において、上記輻射材の面積が可
変型になっている請求項１に記載のイオン注入装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8217085A JPH1064471A (ja) | 1996-08-19 | 1996-08-19 | イオン注入装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8217085A JPH1064471A (ja) | 1996-08-19 | 1996-08-19 | イオン注入装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1064471A true JPH1064471A (ja) | 1998-03-06 |
Family
ID=16698602
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8217085A Pending JPH1064471A (ja) | 1996-08-19 | 1996-08-19 | イオン注入装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1064471A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003045371A (ja) * | 2001-07-19 | 2003-02-14 | Applied Materials Inc | イオン注入装置の基板支持部材およびイオン注入装置 |
| JP2007007644A (ja) * | 2005-06-07 | 2007-01-18 | Vladimir Yakovlevich Shiripov | ディスプレイ製造におけるシャドウマスクの洗浄方法（変形）および装置 |
| JP2010040593A (ja) * | 2008-07-31 | 2010-02-18 | Sumco Corp | イオン注入装置及び方法 |
| JP2010109345A (ja) * | 2008-10-03 | 2010-05-13 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Ｓｏｉ基板の作製方法 |
-
1996
- 1996-08-19 JP JP8217085A patent/JPH1064471A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003045371A (ja) * | 2001-07-19 | 2003-02-14 | Applied Materials Inc | イオン注入装置の基板支持部材およびイオン注入装置 |
| JP2007007644A (ja) * | 2005-06-07 | 2007-01-18 | Vladimir Yakovlevich Shiripov | ディスプレイ製造におけるシャドウマスクの洗浄方法（変形）および装置 |
| JP2010040593A (ja) * | 2008-07-31 | 2010-02-18 | Sumco Corp | イオン注入装置及び方法 |
| JP2010109345A (ja) * | 2008-10-03 | 2010-05-13 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Ｓｏｉ基板の作製方法 |
| US8658508B2 (en) | 2008-10-03 | 2014-02-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing SOI substrate |
| JP2014179644A (ja) * | 2008-10-03 | 2014-09-25 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Ｓｏｉ基板の作製方法 |
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