JPS59184443A - イオン打込装置 - Google Patents
イオン打込装置Info
- Publication number
- JPS59184443A JPS59184443A JP5503683A JP5503683A JPS59184443A JP S59184443 A JPS59184443 A JP S59184443A JP 5503683 A JP5503683 A JP 5503683A JP 5503683 A JP5503683 A JP 5503683A JP S59184443 A JPS59184443 A JP S59184443A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- angle
- implantation
- ion implantation
- vacuum
- ion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3171—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation for ion implantation
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、半導体製造工程の不純物添加に用いられるイ
オン打込装置に関する。
オン打込装置に関する。
従来多く用いられているイオン打込装置は第１図に示す
如き構成１有している。すなわち、打込イオン電流が１
ｒｎＡ以上のイオン打込装置においては、ウェハのビー
ム加熱による損傷全少なくするため、複数のウェハ全円
板の周辺に並べて、回転させながら、ビームを打込む装
置である。この装置は、個々のウェハが円板の１回転毎
に１回ビーム照射されるため、断続的なビーム打込とな
り、ウェハの温度上昇１抑えることができるという効果
！有している。このイオンビームは、ウェハに対して垂
直に打込れるのではなく、通常、７°程度の角度で打込
れる。これは、ウェハの結晶格子に対してイオンが奥深
く入る現象、いわゆるチャンネリング効果を避けるため
である。図中、１がイオンビーム、２がウェハ、３が回
転円板、４が回転円板３′ｆ！：駆動する友めのモータ
、５が真空用ダクト、６が打込室、７が回転用真空シー
ルである。なお、θはイオン打込角全示す。
如き構成１有している。すなわち、打込イオン電流が１
ｒｎＡ以上のイオン打込装置においては、ウェハのビー
ム加熱による損傷全少なくするため、複数のウェハ全円
板の周辺に並べて、回転させながら、ビームを打込む装
置である。この装置は、個々のウェハが円板の１回転毎
に１回ビーム照射されるため、断続的なビーム打込とな
り、ウェハの温度上昇１抑えることができるという効果
！有している。このイオンビームは、ウェハに対して垂
直に打込れるのではなく、通常、７°程度の角度で打込
れる。これは、ウェハの結晶格子に対してイオンが奥深
く入る現象、いわゆるチャンネリング効果を避けるため
である。図中、１がイオンビーム、２がウェハ、３が回
転円板、４が回転円板３′ｆ！：駆動する友めのモータ
、５が真空用ダクト、６が打込室、７が回転用真空シー
ルである。なお、θはイオン打込角全示す。
近年、半導体技術の進歩に伴い、超ＬＳＩといった半導
体素子が開発されるに至っている。このような超ＬＳＩ
などの微細化技術において、シリコンウェハ上のマスク
を通して打込む場合、第２図に示す如く、斜めにイオン
ビーム１２打込んだ場合、ウエノ・基板２上に輯けられ
ているマスク１０の隅にイオンが照射されないシャド一
部２０が生じ、プロセス上問題となることがある。これ
は、マスクのシャドー効果と称されている。
体素子が開発されるに至っている。このような超ＬＳＩ
などの微細化技術において、シリコンウェハ上のマスク
を通して打込む場合、第２図に示す如く、斜めにイオン
ビーム１２打込んだ場合、ウエノ・基板２上に輯けられ
ているマスク１０の隅にイオンが照射されないシャド一
部２０が生じ、プロセス上問題となることがある。これ
は、マスクのシャドー効果と称されている。
このようにイオン打込深さ全均一にするため、チャンネ
リング角衾つけることと、微細化に伴うシャドー効果！
避けることは、相矛盾するので、打込工程のケースバイ
ケースで、イオン打込角を調整する必要が生じてくる。
リング角衾つけることと、微細化に伴うシャドー効果！
避けることは、相矛盾するので、打込工程のケースバイ
ケースで、イオン打込角を調整する必要が生じてくる。
しかし、従来の装置は、ツオンビームの真空用ダクトに
対する打込室の角度は、装置の据付時に調整して決める
だけで、ユーザーが任意に調整することはできな゛かっ
た。
対する打込室の角度は、装置の据付時に調整して決める
だけで、ユーザーが任意に調整することはできな゛かっ
た。
本発明の目的は、イオン打込角衾任意に調整することの
できるイオン打込装置全提供することにある。
できるイオン打込装置全提供することにある。
〔発明の概要〕
本発明は、真空用タ］ントク打込室と１耐真空的、□５
□□え−ヵ８イオ７に。い射ヵ 向に対して任意の角度にもつように調整する調整機構全
般けることにより、イオン打込角全任意に調整すること
ができるようにしようと゛いうものである。
□□え−ヵ８イオ７に。い射ヵ 向に対して任意の角度にもつように調整する調整機構全
般けることにより、イオン打込角全任意に調整すること
ができるようにしようと゛いうものである。
以下、本発明の実施例について説明する。
第３図には、本発明の一実施例が示されている。
図において、第１図図示従来例と同一の符号の付されて
いるものは、同一の部品・同一の機能１肩するものであ
る。すなわち、１はイオンビーム、２はウェハ、３は回
転円板、４はモータ、５は真空用ダクト、６は打込室、
７は回転用真空シール、８は真空ベローズ、３０は打込
角調整用駆動モータ、３１は駆動用ガイドレール、９は
（打込各調整用）駆動軸である。
いるものは、同一の部品・同一の機能１肩するものであ
る。すなわち、１はイオンビーム、２はウェハ、３は回
転円板、４はモータ、５は真空用ダクト、６は打込室、
７は回転用真空シール、８は真空ベローズ、３０は打込
角調整用駆動モータ、３１は駆動用ガイドレール、９は
（打込各調整用）駆動軸である。
イオンビーム１に対するウェハ２の打込角θは、打込角
調整用駆動軸９衾中心にして、打込角調整用駆動モータ
３０により、駆動用ガイドシール３１上−打込室６が駆
動して、調整される。真空用ダクト５と打込室６は、真
空ベローズ８で結合されているので、打込室６を駆動し
ても、高真空に保たれる。
調整用駆動軸９衾中心にして、打込角調整用駆動モータ
３０により、駆動用ガイドシール３１上−打込室６が駆
動して、調整される。真空用ダクト５と打込室６は、真
空ベローズ８で結合されているので、打込室６を駆動し
ても、高真空に保たれる。
したがって、本実施例によれば、イオン打込角を任意の
値θ。に設定することができる。
値θ。に設定することができる。
第４図に、本発明の他の実施例が示されている。
図において、第３図図示実施例と同一の符号の付されて
いるものは、同一の部品・同一の機能を有するものであ
る。本実施例が、第３図図示実施例と異る点は、真空用
ダクト５にイオンビーム衾走査する電磁石４０に設ける
と共に、イオンビームの走査に伴う打込角の変動全補正
するｔめの打込角調整用駆動モータ全制御する制御装置
５０Ｘ−設けた点である。
いるものは、同一の部品・同一の機能を有するものであ
る。本実施例が、第３図図示実施例と異る点は、真空用
ダクト５にイオンビーム衾走査する電磁石４０に設ける
と共に、イオンビームの走査に伴う打込角の変動全補正
するｔめの打込角調整用駆動モータ全制御する制御装置
５０Ｘ−設けた点である。
本実施例において、打込角θｏ１設定する場合には、制
御装置５０で、θ。に駆動モータ３（１設定する。次に
ビーム走査により打込１実施する時は、電磁石４０の出
力に応じて、駆動モータ３０に駆動して、ウェハ２に対
するビームの打込角が１、常にθ。に保つように、打込
室６全Δθ補正する。
御装置５０で、θ。に駆動モータ３（１設定する。次に
ビーム走査により打込１実施する時は、電磁石４０の出
力に応じて、駆動モータ３０に駆動して、ウェハ２に対
するビームの打込角が１、常にθ。に保つように、打込
室６全Δθ補正する。
したがって、本実施例によれば、打込角調整機構が簡単
な構造で、イオンビームに対するウェハの打込角を任意
に調整できるので、半導体製造工程において問題となる
、チャンネリング効果や、シャドー効果衾 けることが
でき、イオン打込技術の信頼性が向上し、工業的効果が
犬である。
な構造で、イオンビームに対するウェハの打込角を任意
に調整できるので、半導体製造工程において問題となる
、チャンネリング効果や、シャドー効果衾 けることが
でき、イオン打込技術の信頼性が向上し、工業的効果が
犬である。
〔発明の効果〕、２
以上説明したように、未発明によれば、イオン打込角全
任意に調整することができる。
任意に調整することができる。
第１図は従来のイオン打込装置の構成図、第２図は第１
Ｃｉ４に基づくシャドー効果全説明する図、第３図は本
発明の実施例に示す図、第４図は本発明の他の実施例を
示す図である。
Ｃｉ４に基づくシャドー効果全説明する図、第３図は本
発明の実施例に示す図、第４図は本発明の他の実施例を
示す図である。
Claims (1)
- １、加速された特定のイオン種７回転する円板の周辺に
複数並べられた平面のウェハに打込むイオン打込装置に
おいて、ビームラインの真空用ダクトと打込室とｔ耐真
空的に接続すると共に、打込室がイオン入射方向に対し
て任意の角度？もつように調整する調整機構？設けるこ
とにエリ、イオン打込室内に設けられているウェハに対
してイオン打込角が調整できるようにしたことに特徴と
するイオン打込装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5503683A JPS59184443A (ja) | 1983-04-01 | 1983-04-01 | イオン打込装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5503683A JPS59184443A (ja) | 1983-04-01 | 1983-04-01 | イオン打込装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59184443A true JPS59184443A (ja) | 1984-10-19 |
Family
ID=12987427
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5503683A Pending JPS59184443A (ja) | 1983-04-01 | 1983-04-01 | イオン打込装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59184443A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61220264A (ja) * | 1985-03-26 | 1986-09-30 | Hitachi Ltd | イオン打込装置 |
| JPS63301453A (ja) * | 1987-06-01 | 1988-12-08 | Hitachi Ltd | イオン打込方法及びその装置 |
| JPH02139846A (ja) * | 1988-11-21 | 1990-05-29 | Sumitomo Eaton Noba Kk | イオン注入装置 |
| JPH0337948A (ja) * | 1989-06-30 | 1991-02-19 | Nec Corp | 集束イオンビーム装置 |
| WO2006039724A2 (en) * | 2004-10-01 | 2006-04-13 | Axcelis Technologies, Inc. | Bellows liner for an ion beam implanter |
| WO2008045458A2 (en) * | 2006-10-11 | 2008-04-17 | Axcelis Technologies, Inc. | Sensor for ion implanter |
| JP2011520221A (ja) * | 2008-04-24 | 2011-07-14 | アクセリス テクノロジーズ， インコーポレイテッド | 高電流イオン注入のための低汚染、低エネルギーのビームラインアーキテクチャ |
-
1983
- 1983-04-01 JP JP5503683A patent/JPS59184443A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61220264A (ja) * | 1985-03-26 | 1986-09-30 | Hitachi Ltd | イオン打込装置 |
| JPH0523013B2 (ja) * | 1985-03-26 | 1993-03-31 | Hitachi Ltd | |
| JPS63301453A (ja) * | 1987-06-01 | 1988-12-08 | Hitachi Ltd | イオン打込方法及びその装置 |
| JPH02139846A (ja) * | 1988-11-21 | 1990-05-29 | Sumitomo Eaton Noba Kk | イオン注入装置 |
| JPH0337948A (ja) * | 1989-06-30 | 1991-02-19 | Nec Corp | 集束イオンビーム装置 |
| WO2006039724A2 (en) * | 2004-10-01 | 2006-04-13 | Axcelis Technologies, Inc. | Bellows liner for an ion beam implanter |
| WO2006039724A3 (en) * | 2004-10-01 | 2006-07-06 | Axcelis Tech Inc | Bellows liner for an ion beam implanter |
| US7205556B2 (en) | 2004-10-01 | 2007-04-17 | Axcelis Technologies, Inc. | Bellows liner for an ion beam implanter |
| WO2008045458A2 (en) * | 2006-10-11 | 2008-04-17 | Axcelis Technologies, Inc. | Sensor for ion implanter |
| WO2008045458A3 (en) * | 2006-10-11 | 2008-06-26 | Axcelis Tech Inc | Sensor for ion implanter |
| JP2011520221A (ja) * | 2008-04-24 | 2011-07-14 | アクセリス テクノロジーズ， インコーポレイテッド | 高電流イオン注入のための低汚染、低エネルギーのビームラインアーキテクチャ |
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