JPS6181621A - 半導体素子の製造装置 - Google Patents
半導体素子の製造装置Info
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- JPS6181621A JPS6181621A JP20317084A JP20317084A JPS6181621A JP S6181621 A JPS6181621 A JP S6181621A JP 20317084 A JP20317084 A JP 20317084A JP 20317084 A JP20317084 A JP 20317084A JP S6181621 A JPS6181621 A JP S6181621A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- ion implantation
- outgas
- photoresist
- chamber
- Prior art date
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- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、半導体素子製造装置、特にウェー・−上に塗
布されたフォトレジストにイオン注入を行なうイオン注
入装置に関するものである。
布されたフォトレジストにイオン注入を行なうイオン注
入装置に関するものである。
(従来の技術)
従来のイオン注入装置の注入室を第2図により説明する
。第2図に示す様に注入室は、チャン・ぐ−14A及び
14Bと、このチャン・ぐ−内に回転軸13により支持
されたディスク12と、このディスク上に取付けられた
ウェハーホルダー11とによシ構成さf’L ’5 。
。第2図に示す様に注入室は、チャン・ぐ−14A及び
14Bと、このチャン・ぐ−内に回転軸13により支持
されたディスク12と、このディスク上に取付けられた
ウェハーホルダー11とによシ構成さf’L ’5 。
(発明が解決しようとする問題点)
従来のイオン注入装置により、フォトレジストが塗布さ
れたウェハー上にイオン注入を行うと、フォトレジスト
からのアウトガスにより、注入室内の真空度が著しく悪
化する。この様な、注入室内の真空度が悪化した状態で
、ウェー・−へのイオン注入を行えば、イオンビームと
、圧入室内の力゛ス分子との相互作用により、イオンと
、ガス原子間で電荷のやり取りが起こる事によるドーズ
量のミスカウント、及び、イオンとガス原子の衝突によ
るガス分子のノックオン等が発生し、半導体素子の電気
的特性に悪影曾を及ぼす。
れたウェハー上にイオン注入を行うと、フォトレジスト
からのアウトガスにより、注入室内の真空度が著しく悪
化する。この様な、注入室内の真空度が悪化した状態で
、ウェー・−へのイオン注入を行えば、イオンビームと
、圧入室内の力゛ス分子との相互作用により、イオンと
、ガス原子間で電荷のやり取りが起こる事によるドーズ
量のミスカウント、及び、イオンとガス原子の衝突によ
るガス分子のノックオン等が発生し、半導体素子の電気
的特性に悪影曾を及ぼす。
本発明は、上記の点に鑑みなされ念ものであシ、イオン
注入による、フォトレジスト等からのアウトがスを防止
することのできる半導体素子の製造装置を提供するもの
である。
注入による、フォトレジスト等からのアウトがスを防止
することのできる半導体素子の製造装置を提供するもの
である。
(問題点を解決するための手段)。
本発明は半導体素子を製造するのに用いるイオン注入装
置において、注入前にウェハー上のンオトレノスト全加
熱してアウトガスを生起させる輻射線式と−メを具備し
たことを特徴とする半導体素子の製造装置である。
置において、注入前にウェハー上のンオトレノスト全加
熱してアウトガスを生起させる輻射線式と−メを具備し
たことを特徴とする半導体素子の製造装置である。
(実施例)
以下に、本発明による実施例を、第1図により説明する
。第1図において、本発明装置はチャンバー24A及び
24Bと、回転軸23により支持されたディスク22と
、ウェハーホルダー21とで注入室を構成した点は従来
と同じである。本発明はチャンバー 24Aの内側に、
ウェハーホルダー21にセットされたウェハーの7オト
レソストを加熱する輻射線式ヒーター25を設けたもの
である。
。第1図において、本発明装置はチャンバー24A及び
24Bと、回転軸23により支持されたディスク22と
、ウェハーホルダー21とで注入室を構成した点は従来
と同じである。本発明はチャンバー 24Aの内側に、
ウェハーホルダー21にセットされたウェハーの7オト
レソストを加熱する輻射線式ヒーター25を設けたもの
である。
実施例ておいて、注入室内で注入する場合、まず注入前
に、ディスク22ヲ回転させながら、輻射線式ヒーター
25により、ウェハーを加熱し、ウェハー上の7オトレ
ノスト等からアウトガスを生起させる。このアウトガス
は一時的なものであり、時間と共に減少する為、真空ポ
ンプにより注入室内を真空引きし1続ければ、真空度は
しだいに回復する。この様にアウトがスが減少し、真空
度が回復した時点でヒーター25による加熱全土め、イ
オン注入を開始する。
に、ディスク22ヲ回転させながら、輻射線式ヒーター
25により、ウェハーを加熱し、ウェハー上の7オトレ
ノスト等からアウトガスを生起させる。このアウトガス
は一時的なものであり、時間と共に減少する為、真空ポ
ンプにより注入室内を真空引きし1続ければ、真空度は
しだいに回復する。この様にアウトがスが減少し、真空
度が回復した時点でヒーター25による加熱全土め、イ
オン注入を開始する。
(発明の効果)
本発明は以上説明したように、注入前にウェハーのフォ
トレジストからアウトがスを生起して排気した後イオン
注入を行なうようにしたので、フォトレジスト等を塗布
したウェハーに高ドーズ量のイオン注入を行う場合であ
っても注入中に真空度の悪化全招くことがなく、イオン
注入を行うことができ、したがって注入室内の真空度悪
化に伴うドーズ量のミスカウント、及びガス分子のノッ
クオン等を防止でき、半導体素子の電気的特性の悪化を
防止できる効果を有するものである。
トレジストからアウトがスを生起して排気した後イオン
注入を行なうようにしたので、フォトレジスト等を塗布
したウェハーに高ドーズ量のイオン注入を行う場合であ
っても注入中に真空度の悪化全招くことがなく、イオン
注入を行うことができ、したがって注入室内の真空度悪
化に伴うドーズ量のミスカウント、及びガス分子のノッ
クオン等を防止でき、半導体素子の電気的特性の悪化を
防止できる効果を有するものである。
第1図は本発明に依る注入室の実施例を説明する為の断
面図、第2図は従来のイオン注入室全説明する為の断面
図である。 21・・・ウェハーホルダー、22・・・ディスク、2
3・・・回転軸、24A 、 24B・・・チャンバー
、25・・・輻射線式ヒー タ −。
面図、第2図は従来のイオン注入室全説明する為の断面
図である。 21・・・ウェハーホルダー、22・・・ディスク、2
3・・・回転軸、24A 、 24B・・・チャンバー
、25・・・輻射線式ヒー タ −。
Claims (1)
- 半導体素子の製造に用いるイオン注入装置において、
注入前にウェハー上のフォトレジストを加熱してアウト
ガスを生起させる輻射線式ヒーターを具備したことを特
徴とする半導体素子の製造装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20317084A JPS6181621A (ja) | 1984-09-28 | 1984-09-28 | 半導体素子の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20317084A JPS6181621A (ja) | 1984-09-28 | 1984-09-28 | 半導体素子の製造装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6181621A true JPS6181621A (ja) | 1986-04-25 |
Family
ID=16469609
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP20317084A Pending JPS6181621A (ja) | 1984-09-28 | 1984-09-28 | 半導体素子の製造装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6181621A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1997030467A1 (en) * | 1996-02-16 | 1997-08-21 | Eaton Corporation | Ion beam shield for implantation systems |
JP2004146581A (ja) * | 2002-10-24 | 2004-05-20 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
EP1768163A1 (en) * | 2005-09-27 | 2007-03-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Ion implantation apparatus |
US7312464B2 (en) | 2004-03-31 | 2007-12-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | Ion implantation apparatus |
-
1984
- 1984-09-28 JP JP20317084A patent/JPS6181621A/ja active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1997030467A1 (en) * | 1996-02-16 | 1997-08-21 | Eaton Corporation | Ion beam shield for implantation systems |
US5895923A (en) * | 1996-02-16 | 1999-04-20 | Eaton Corporation | Ion beam shield for implantation systems |
JP2004146581A (ja) * | 2002-10-24 | 2004-05-20 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
US7683372B2 (en) | 2002-10-24 | 2010-03-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd | Semiconductor apparatus and method for manufacturing the same |
JP4627964B2 (ja) * | 2002-10-24 | 2011-02-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US7312464B2 (en) | 2004-03-31 | 2007-12-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | Ion implantation apparatus |
EP1768163A1 (en) * | 2005-09-27 | 2007-03-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Ion implantation apparatus |
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