JPS63301453A - イオン打込方法及びその装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はたとえば半導体装置製造用等に用いられるイオ
ン打込装置に関する。

〔従来の技術〕

たとえば半導体ウェーハ面に均一にイオンを打込む打込
み装置にあっては、半導体結晶の組織に応じて所定分布
の打ち込み深さを得るため、イオン打込み角度を変化さ
せる必要性が生じる。

従来にあっては、ウェーハ装着のための円板における各
ウェーハ毎の載置台を個々にそれぞれ装置に対して角度
変位させる手段（特開昭６１−１１６７４６号公報参照
）、あるいはイオン打込室自体をイオン照射方向に対し
て角度変位させる手段を具備させたものが知られている
。

第４図は、イオン打込室自体をイオン照射方向に対して
角度変位させる従来構成について示したものである。イ
オン源１、イオン加速部２、イオンビーム軌道３を通し
てイオンはイオン打込室６内に照射されるようになって
いる。イオン打込室６内にはウェーハ搭載用円板６が内
在され、この円板６はモータ７により回転さめるように
なっている。そして前記イオン打込室９はそれ自体回動
できるようになっており、照射イオンに対してウェーハ
搭載用円板６上の半導体ウェーハの角度を変化させるよ
うになっている。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかしながら、従来の装置にあっては、上記各手段の角
度変位を行なうためには、専用の部品に変換したり、あ
るいは専問家によるビームラインの調整を必要とするも
のであり、ビー１１の打込角度を任意に変更できるとい
うことは配慮されていなかった。

したがって、微少な調整も困難となるものであることか
ら、イオン打込みにあってはいわゆるシャドウ現象ある
いはチャタリング等に対し充分な対策ができないもので
あった。

それ故、本発明の目的は、常時最適なイオン打込角度が
容易に得られ、これにより微細な半導体装に開発のプロ
セス条件幅を拡大し得るイオン打込装置に関する。

〔問題点を解決するための手段〕

このような目的を達成するために、本発明は、イオン源
から加速されたイオンが導びかれるイオン軌道部と、こ
のイオン軌道部のイオン照射口に対向して配置されるウ
ェーハ搭載用円板と、この円板を支持しこの円板の回転
手段が搭載されている支持板と、この支持板を支持し前
記イオン軌道部からのイオン照射方向とほぼ直角方向へ
移動可能な移動体と、からなり、前記支持板は１前記移
動体に対して回動可能な手段が備えられていることを特
徴とするものである。

〔作用〕

このように構成することにより、前記支持板を移動体に
対して所定角度回動させ、これを固定支持することがで
きるようになる。この場合、前記ウェーハ搭載用円板は
イオン照射方向に対して所定の角度に保持させることが
でき、しかもこの角度は微細に設定することができる。

したがって、常時最適なイオン打込角度が容易に得られ
、これにより微細な半導体装置開発のプロセス条件幅を
拡大することができるようになる。

〔実施例〕

第１図は本発明によるイオン打込装置の一実施例を示す
構成図である。同図において、真空室であるイオン打込
室９の外部には、イオン源１が配置され、このイオン源
１からのイオンはイオン加速部２により加速され、イオ
ンビーム軌道３に沿って前記イオン打込室９内に打込ま
れるようになっている。なお、前記イオンビーム軌道３
の中途部にはイオン分離部４が配置されている。前記イ
オン打込室９の内部には走査プレート１７が走査ガイド
１４によって案内されて、前記イオンビー１１軌道３か
らのイオン照射方向と直交する方向へ移動できるように
なっている。前記走査プレート１７の移動は、前記イオ
ン打込室９外に配置されたモータ１８の回転とともに回
転するボールネジ１６による回転−直線移動変換機構を
介して、なされるようになっている。なお、前記イオン
打込室９における前記ボールネジ１６の貫通部には回転
真空シールガイド１５が設けられている。

前記走査プレート１７には円板保持機構１３が配置され
、この円板保持機構１３にはウェーハ搭載用円板６とこ
のウェーハ搭載用円板６を回転するモータ７とが取付け
られている。前記ウェーハ搭載用円板６の前記イオンビ
ーム軌道３側の主面の周辺には、複数の半導体ウェーハ
１１が該円板６と同軸の仮想の円に沿って等間隔に配置
されている。前記イオンビーム軌道３のイオン照射口は
前記半導体ウェーハ１１の一つに対向されたものとなっ
ており、前記イオンビーム軌道３からのイオン照射は、
前記走査プレート１７の移動に伴って径方向へ変化する
ようになっている。なお、前記ウェーハ搭載用円板６を
回転するモータ７は大気と通ずるモータチャンバ１０内
に配置され、放熱効果をもたらすようにしている。

前記円板保持機構１３は、第２図の平面図に示すように
、走査プレート１７上に載置され、該走査プレート１７
の移動方向における一端部は前記走査プレート１７とピ
ン１２により止められ、また他端部は該移動方向に直交
する方向に並設させた２個のボルト１８により締めつけ
られている。

前記ピン１２は、第３図に示すように、その取付は部を
中心にして前記円板保持機構１３を走査プレート１７に
対して図中へ方向に回動できるようにしたものである。

また、このピン１２の取付け部を中心とした円弧状の長
孔２１が２個形成され、この長孔２１を通して前記ボレ
１−１８が前記走査プレート１７に締結されている。

このように構成されたイオン打込装置は、第３図に示す
ボルト１８を緩め、円板保持機構１３を走査プレー１〜
１７に対して所定角度回動させ、その後前記ボルト１８
を締めることにより、曲記円板保持機構１３に保持され
ているウェーハ搭載用円板６をイオンビーム軌道３から
のイオン照射に対して所定の角度に容易に設定できしか
も微細に調整することができるようになっている。

したがって、常時最適なイオン打込み角度が容易に得ら
れ、これにより微細な半導体装置開発のプロセス条件幅
を拡大することができる。

〔発明の効果〕

以上説明したことから明らかなように、本発明によるイ
オン打込装置によれば、常時最適なイオン打込み角度が
容易に得られ、これにより微細な半導体装置開発のプロ
セス条件幅を拡大させることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明によるイオン打込装置の一実施例を示す
全体構成図、第２図は前記イオン打込装置に用いられる
円板保持機構の周辺の一実施例を示す平面構成図、第３
図は前記円板保持機１１の走査プレートに対する取付は
機構の一実施例を示す構成図、第４図は従来によるイオ
ン打込装置の一例を示す構成図である。 １・・・イオン源、２・・・イオン加速部、３・・・イ
オンビーム軌道、４・・・イオン分離部、５・・イオン
偏向部、６・・・ウェーハ搭載用円板、７，８・・・モ
ータ、９・・イオン打込室、１０・・・モータチャンバ
、１１・・・半導体ウェーハ、１２・・ピン、１３　・
円板保持機構、１４　ａ　／　ｂ　　・走査ガイド、１
５・・・回転真空シールガイド、１６・・・ボールネジ
、１７・・・走査プレート、１８・・・ボルト。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、イオン源から加速されたイオンが導びかれるイオン
   軌道部と、このイオン軌道部のイオン照射口に対向して
   配置されるウェーハ搭載用円板と、この円板を支持しこ
   の円板の回転手段が搭載されている支持板と、この支持
   板を支持し前記イオン軌道部からのイオン照射方向とほ
   ぼ直角方向へ移動可能な移動体と、からなり、前記支持
   板は前記移動体に対して回動可能な手段が備えられてい
   ることを特徴とするイオン打込装置。