JPS61220264A - イオン打込装置 - Google Patents

イオン打込装置

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JPS61220264A
JPS61220264A JP6167085A JP6167085A JPS61220264A JP S61220264 A JPS61220264 A JP S61220264A JP 6167085 A JP6167085 A JP 6167085A JP 6167085 A JP6167085 A JP 6167085A JP S61220264 A JPS61220264 A JP S61220264A
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JP
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implantation
ion beam
ion
angle
electromagnet
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JP6167085A
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Eiji Tajima
田島 英司
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Hitachi Ltd
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Hitachi Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明はイオン打込装置に関するものである。
〔発明の背景〕
第3図から第5図にはイオン打込装置の従来例が示され
ている。同図に示されているようにイオン打込装置はイ
オンを生成し、これをイオンビーム1として加速放出す
るイオン源部2、イオンビーム1を打込みに必要な特定
の打込みイオンビーム3に分離する分離用電磁石4、打
込みイオンと一ム3を2方向に交互に偏向する偏向用電
磁石5、打込みイオンビーム3が夫々打込まれる2ケの
打込み室部6(6几、6L)等を備えている。そしてイ
オンビーム1の系は排気系7によって真空に保持される
と共に、打込み室部6は打込みベース側チャンバ8aと
、この打込みベース側チャンバ8aに真空パッキング9
を介して連結された所定方向に開放自在な円板側チャン
バ8bとで構成され、この円板側チャンバ8bにはその
外周側に打込みイオンビーム3が打込まれる複数個の着
脱自在なウェハ10を装着した回転、かつ上下移動自在
な回転円板11 (IIR,IIL)が設けられている
。なお第5図において9aはシールパッキング、12は
スライドベース、13は真空回転シール、14は回転用
モータ、15は走査用モータである。
このように構成されたイオン打込装置においてイオン源
部2でガスをイオン化し、生成したイオンを高圧でイオ
ンビーム1として加速引き出す。
このイオンビーム1を分離用電磁石4により%定の打込
みイオンビーム3(例えばP9イオン)に分離し、これ
を偏向用電磁石5の極性を変えて2方向に交互に偏向し
、夫々の打込み室部6B、6Lに打込み、夫々のウェハ
10に打込んでいた。ウェハlOは上述のように回転円
板11上の周辺に装着されておシ、回転円板11は回転
用モータ14により高速に回転する。回転円板11は更
に打込みイオンビーム3を横切る方向に走査用モータ1
51Cよシ並進運動し、ウェハ1oの温度上昇を防ぎ乍
ら打込みイオンビーム3が均一に打込まれるように制御
される。そして偏向用電磁石5で2方向に交互に偏向す
ることにより右側の打込み室部6Rに打込みイオンビー
ム3が打込まれている間に、左側の打込み室部6Lに新
しいウェハ10を交換準備し、次の打込みイオンビーム
3の打込みに待機するようにしてるる。このように打込
みイオンビーム3の打込みとウェハ1oの交換とを交互
に繰シ返すことKより、ウェハ1oの打込み処理数を大
きくするようにしている。なおウェハ10の交換は次の
ようにして行なわれる。すなわち夫々の打込み室部6几
、6Lの回転円板11R,、IILが所定方向すなわち
直角に開いて水平に設置されるが、この水平に設置され
る回転円板11R,IILと夫々対応した位置に設けら
れたウェハ自動交換装置16 (16R,16L3によ
って自動交換される。
ところでこの打込装置では次に述べるような不具合があ
った。第4図の打込み室部6ル、6Lにおけるウェハ1
0交換の場合の回転円板11R111Lの配置から明ら
かなように、回転円板11B、。
11Lが開いて水平に設置される角度が広くなっている
ため、ウェハ自動交換装置16B、16Lを含めた配置
が広くなっている。また従来、ウェハ10に対する打込
みイオンビーム3の打込み角度はチャネリングを防ぐた
め7度に固定されてい友が、この斜め打込みによるパタ
ーンの影が問題となシ、0度(垂直)打込みの要望が出
てきた。
このように打込み角度を変更したい場合は打込み室部6
そのものの配置変えをしなければならないのみならず、
ウェハ自動交換装ht16もそれに伴って再配置、再調
整しなければならないが、数トンもめる打込み室部6の
移動、ウェハ自動交換装置16の再設定はこれらが設置
されているクリーンルーム内では殆んど不可能である。
第6図にはイオン打込装置の他の従来例が示されている
。これは打込みイオンビーム3の打込み角度を調整する
角度調整用電磁石17(17B、。
17L)を備えておシ、特開昭56−48052号公報
に示されているVarian社の120−10型イオン
打込装置である。この装置は市販されているが打込みイ
オンビーム3の均一打込みのため回転円板11は回転の
みで、横方向の並進運動はせず、打込ミイオンビーム3
を走査するようにしている。
偏向用電磁石5で打込みイオンビーム3を偏向走査して
いるので、打込みイオンビーム3が広がらず平行ビーム
となるように2ケの角度調整用電磁石17R,17Lで
角度を調整する。この角度調整用電磁石17B、17L
は特殊な形状の磁極をしていて打込みイオンビーム3が
走査されるので大形であるが、打込みイオンビーム3を
平行に揃え、ウェハ10に対する打込み角度を一定に保
つ機能を有している。しかし一般に打込みイオンビ、−
ム3を広範囲に走査するこの装置は打込みイオンビーム
3が両端でくずれるので、打込み均一性は打込みイオン
ビーム3を固定して回転円板11を並進運動させるのに
比べ劣っている。そしてこの打込装置も打込みイオンビ
ーム3の打込み角度を変更するには、打込み室部6を打
込みイオンビーム3に対して配置変更しなければならず
、前述の場合と同様に困難な作業が必要である。
〔発明の目的〕
本発明は以上の点に鑑みなされたものであり、打込み室
部周りの設置場所を縮小してウェハへの打込み角度を簡
単に変えることを可能としたイオン打込装置を提供する
ことを目的とするものである。
〔発明の概要〕
すなわち本発明はイオンを生成し、これをイオンビーム
として加速放出するイオン源部と、前記イオンビームを
打込みに必要な特定の打込みイオンビームに分離する分
離用電磁石と、前記打込みイオンビームを2方向に交互
に偏向する偏向用電磁石と、前記偏向された夫々の打込
みイオンビー−ムの打込み角度を夫々調整する2ケの角
度調整用電磁石と、前記打込み角度が調整された打込み
イオンビームが夫々打込まれる2ケの打込み室部とを備
え、前記イオンビームの系は排気系によって真空に保持
されると共に、前記打込み室部は打込みベース側チャン
バと、この打込みベース側チャンバに真空パフキングを
介して連結された所定方向に開放自在な円板側チャンバ
とを有し、この円板側チャンバにはその外周側に前記打
込みイオンビームが打込まれる複数個の着脱自在なウェ
ハを装着した回転、かつ上下移動自在な回転円板が設け
られているイオン打込装置において、前記角度調整用電
磁石を前記打込みイオンビームの打込み角度が調整自在
に形成したことを4?徴とするものであり、これによっ
て角度調整用電磁石は打込みイオンビームの打込み角度
が調整自在に形成されるようになる。
〔発明の実施例〕
以下、図示した実施例に基づいて本発明を説明する。第
1囮には本発明の一実施例が示されている。なお従来と
同じ部品には同じ符号を付したので説明を省略する。本
実施例では角度調整用電磁石17a (17aR,17
aL)を打込みイオンビーム3の打込み角度が調整自在
に形成した。このようにすることによシ角度調整用電磁
石17aは打込みイオンビーム3の打込み角度が調整自
在となって、2ケの打込み室部6R,6Lを夫々の円板
側チャンバを開いた場合に夫々の回転円板11R,11
1,が同位置にくるように配置できるようになり、打込
み室部6周りの設置場所を縮小してウェハ10への打込
み角度を簡単に変えることを可能としたイオン打込装置
を得ることができる。
すなわち角度調整用電磁石17a(17aR。
17aL)を電磁的に打込みイオンビーム3の打込み角
度が変えられるようにしたので、例えば右側の角度調整
用電磁石17aRではその磁場強度を変えることにより
打込みイオンビーム3を、打込みイオンビーム3 R1
,3R1のようにその打込み角度を変えることができる
。左側の角度調整用電磁石17aLも同様にその磁場強
度を変えることによシ打込みイオンビーム3を、打込み
イオンビーム3L1,3L*のようにその打込み角度を
変えることができる。この場合に同図から明らかなよう
に打込みイオンビーム3B*、3Liは31111.3
Ltよシも打込みイオンビーム3の角度変更が大きいが
、これは角度調整用電磁石17aの磁場強度を打込みイ
オンビーム3 Rx 、 3 Lxのそれよシも大きく
したからである。このように角度調整用電磁石178に
形成したので、2ケの打込み室部6几、6Lを夫々の回
転円板11R111Lを所定方向の直角に開いた場合に
、夫々の回転円板111−L、11Lが同じ位置にくる
ように配置できるようになって、打込み室部6f(、、
6Lを同図に記載さnているように直交するようは配置
できるようになる。このようにすれば回転円板11B、
11Lは直角に開かれるので、同位置に位置するように
なる(回転円板11Rが開いている場合は上述のように
回転円板11Lは打込まれているので、支障なく同位置
へ位置させることがテキル)。このように角度調整用電
磁石173R。
17aLと打込み室部6R,6Lとの配置を適当に設定
することができ、ウェハ10への打込み角度を7度から
0度に変える場合は角度調整用電磁石17a比、17a
Lの磁場強度を変えればよくなって、従来のように打込
み室部6R,6Lの位置を変える要がなく、ウェハ自動
交換装置i16の再配置、再調整の要がなくなシ、ウェ
ハ10への打込み角度の変更を容易にすることができ、
稼動率が大幅に向上する。そして打込み室部6R,6L
は直交するように配置され、その間の同位置に夫夫の回
転円板11R,、IILが開かれるようになるので、打
込み室部6周辺の設置場所が縮小するのみならず、従来
のように2ケのウェハ自動交換装置16を設ける要がな
く、1ケのウェハ自動交換装置16を共用できるように
なる。
なお本実施例では打込み角度を7度から0度に変える場
合について説明したが、これのみに限るものでないこと
は云うまでもない。
第2図には本発明の他の実施例が示されている。
本実施例は打込み室部6R,6Lを夫々の回転円板11
R,IILを開いた場合に、夫々る回転円板11R,I
ILが隣接した平行位置にくるように、並置した。この
場合も打込み室部6ル、6L周りの設置場所を縮小して
ウェハ10への打込み 1角度が自在に変えられるよう
になって、前述の場合と同様な作用効果を奏することが
できる。なお同図において打込みイオンビーム3R3,
3Laは直進しているが、これは夫々の角度調整用電磁
石17aR,17aLの磁場強度を零にした場合である
〔発明の効果〕
上述のように本発明は打込み室部層シの設置場所を縮小
してウェハへの打込み角度が簡単に変えられるようにな
って、打込み室部層シの設置場所を縮小してウェハへの
打込み角度を簡単に変えることを可能としたイオン打込
装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明のイオン打込装置の一実施例の平面図、
第2図は本発明のイオン打込装置の他の実力例の平面図
、第3図は従来のイオン打込装置の側面図、第4図は第
3図の平面図、第5図は従来のイオン打込装置の打込み
室部の概略縦断側面図、第6図は従来のイオン打込装置
の他の例の平面図である。 1・・・イオンビーム、2・・・イオン源部、3,3R
t e3R2,3Rg 、3L1.3L鵞、3L3・・
・打込みイオンビーム、4・・・分離用電磁石、5・・
・偏向用電磁石、6.6R,6L・・・打込み室部、7
・・・排気系、8a・・・打込みペース側チャンバ、8
b・・・内側板チャンバ、9・・・真空パッキング、1
0・・・ウェハ、11.1ift、IIL・・・回転円
板、14・・・回転用モータ、15・・・走査用モータ
、16.16几。 16 L−・・ウェハ自動交換装置、17a、17aR
*佑1図 も2図 佑6図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、イオンを生成し、これをイオンビームとして加速放
    出するイオン源部と、前記イオンビームを打込みに必要
    な特定の打込みイオンビームに分離する分離用電磁石と
    、前記打込みイオンビームを2方向に交互に偏向する偏
    向用電磁石と、前記偏向された夫々の打込みイオンビー
    ムの打込み角度を夫々調整する2ケの角度調整用電磁石
    と、前記打込み角度が調整された打込みイオンビームが
    夫夫打込まれる2ケの打込み室部とを備え、前記イオン
    ビームの系は排気系によつて真空に保持されると共に、
    前記打込み室部は打込みベース側チャンバと、この打込
    みベース側チャンバに真空パッキングを介して連結され
    た所定方向に開放自在な円板側チャンバとを有し、この
    円板側チャンバにはその外周側に前記打込みイオンビー
    ムが打込まれる複数個の着脱自在なウェハを装着した回
    転、かつ上下移動自在な回転円板が設けられているイオ
    ン打込装置において、前記角度調整用電磁石を前記打込
    みイオンビームの打込み角度が調整自在に形成したこと
    を特徴とするイオン打込装置。 2、前記角度調整用電磁石が、その磁場強度を変えて前
    記打込みイオンビームの打込み角度を変えるように形成
    されたものである特許請求の範囲第1項記載のイオン打
    込装置。
JP6167085A 1985-03-26 1985-03-26 イオン打込装置 Granted JPS61220264A (ja)

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JPH0523013B2 JPH0523013B2 (ja) 1993-03-31

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01500310A (ja) * 1986-04-09 1989-02-02 イクリプス・イオン・テクノロジー・インコーポレイテッド イオンビーム走査方法および装置
JPH06196119A (ja) * 1992-12-24 1994-07-15 Hitachi Ltd 高エネルギーイオン打ち込み装置
JP2021022676A (ja) * 2019-07-29 2021-02-18 株式会社アルバック イオン注入方法及びイオン注入装置

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5648052A (en) * 1979-09-17 1981-05-01 Varian Associates Method of double deflecting and scanning charged particle beam and condenser
JPS59184443A (ja) * 1983-04-01 1984-10-19 Hitachi Ltd イオン打込装置

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