KR20040047853A - 웨이퍼 페데스탈 경사 메카니즘 및 냉각 시스템 - Google Patents

웨이퍼 페데스탈 경사 메카니즘 및 냉각 시스템 Download PDF

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KR20040047853A
KR20040047853A KR10-2004-7004315A KR20047004315A KR20040047853A KR 20040047853 A KR20040047853 A KR 20040047853A KR 20047004315 A KR20047004315 A KR 20047004315A KR 20040047853 A KR20040047853 A KR 20040047853A
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위드알랜
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액셀리스 테크놀로지스, 인크.
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Abstract

본 발명은 웨이퍼를 장착 및 냉각시키기 위한 이온 주입기에 사용되는 웨이퍼 패드 어셈블리를 제공한다. 웨이퍼 패드 어셈블리는 웨이퍼를 장착하기 위한 상부면 및 하부면을 구비한 웨이퍼 지지 패드를 포함한다. 웨이퍼 지지 패드의 하부면은 입구 부분 및 반대 구성에 배열된 출구 부분을 구비한 냉각제 통로에 연결되며, 여기서 상기 입구 부분은 상기 출구 부분에 의해 균형이 맞추어진다. 하부면은 하우징의 상보형 베어링면과 결합 체결되는 외부 만곡면을 구비한 프레임에 연결되며, 여기서 상기 웨이퍼는 축 주위에서 경사 또는 회전될 수 있다.

Description

웨이퍼 페데스탈 경사 메카니즘 및 냉각 시스템{WAFER PEDESTAL TILT MECHANISM AND COOLING SYSTEM}
이온 주입기는 전도율-변경 불순물을 반도체 웨이퍼에 주입하는데 사용된다. 이를 달성하기 위해, 소망되는 불순물 물질이 이온 소스에 의해 이온화된 다음, 지시된 에너지의 이온 빔을 형성하도록 가속된다. 이온 빔은 이 때 상기 빔내의 이온이 반도체 재료를 통과하여 결정 격자에 매입되며, 이것에 의해 바람직한 전도 영역을 형성하도록 반도체 웨이퍼의 표면으로 향하게 된다.
반도체 웨이퍼가 처리되는 경우, 효과적인 이온 주입을 달성하기 위해 몇몇 중요 고려대상이 존재한다. 하나의 중요 요소는 스루풋, 또는 단위 시간 당 처리되는 웨이퍼의 수이다. 게다가, 웨이퍼 이송 시간, 이온 주입 시간 및 주입기 고장 시간은 다른 중요 고려대상이다. 또 다른 중요 요인은 고각 경사로 주입하는 능력이다. 일반적으로 약 20 내지 60도의 범위인 고도의 경사각은 상기 빔의 차단하에서 실리콘 구조의 도핑을 허용한다. 다른 중요 고려대상은 처리 동안 웨이퍼를 냉각시키는 능력이다.
직렬 주입기는 한 번에 하나씩 실리콘 웨이퍼를 처리한다. 배치(batch) 주입기는 다수의 또는 한 묶음의 웨이퍼를 동시에 처리한다. 전형적인 배치 이온 주입기는 처리되는 웨이퍼가 페데스탈에 장착되게 하는 회전 디스크를 사용한다. 배치 주입 시스템에서, 불균형 회전 조건이 발생되는 것없이 웨이퍼를 경사 및 냉각시키는 것이 중요하다. 이러한 조건은 예컨대 냉각제가 불균형 부하를 발생시키게 하는 위치로 모든 페데스탈이 동시에 이동되지 않는 경우 발생할 수 있다. 따라서, 고도의 웨이퍼 스루풋, 고도의 경사각 주입 능력의 균일한 도스(dose) 및 웨이퍼 냉각을 할 수 있는 이온 주입 시스템이 바람직하다.
본 발명은 일반적으로 반도체 웨이퍼를 처리하기 위한 이온 주입기에 관한 것으로, 특히 이온 주입기용 웨이퍼 지지 페데스탈 및 웨이퍼 냉각 시스템에 관한 것이다.
도 1은 이온 주입 시스템의 평면도이며;
도 2는 본 발명의 웨이퍼 페데스탈 어셈블리 및 냉각 시스템의 측면도이며;
도 3은 도 2에 도시된 웨이퍼 페데스탈 어셈블리의 평면도이며;
도 4는 도 2에 도시된 본 발명의 웨이퍼 페데스탈 어셈블리 및 냉각 시스템의 정면도이며;
도 5는 도 4에 도시된 웨이퍼 페데스탈 어셈블리의 냉각제 통로에 대한 평면도이며;
도 6은 경사 위치로 도시된 본 발명의 웨이퍼 페데스탈 어셈블리 및 냉각 시스템의 측면도이며;
도 7은 배치형 이온 주입기의 디스크상에 장착된 다수의 웨이퍼 페데스탈 어셈블리에 대한 측면 사시도이고;
도 8은 직렬형 이온 주입기의 처리 체임버내에 장착된 단일 웨이퍼 페데스탈 어셈블리의 측면 사시도이다.
일양상에 있어서, 본 발명은 웨이퍼를 장착 및 냉각시키기 위한 하나 이상의 웨이퍼 패드 어셈블리를 포함하고 이온 주입기에 배치되는 웨이퍼 플랫폼을 제공한다. 상기 웨이퍼 패드 어셈블리는 웨이퍼를 장착하기 위한 상부면 및 하부면을 구비한 웨이퍼 지지 패드를 포함한다. 웨이퍼 지지 패드의 하부면은 입구 부분 및 반대 구성에 배열된 출구 부분을 구비한 냉각제 통로에 연결되며, 여기서 입구 부분의 질량은 출구 부분의 질량에 의해 균형이 맞추어진다.
다른 양상에 있어서, 본 발명은 웨이퍼를 장착하고 이온 주입기에 배치된 웨이퍼 패드 어셈블리를 제공한다. 웨이퍼 패드 어셈블리는 웨이퍼를 장착하기 위한 상부면 및 하나 이상의 냉각제 통로를 장착하기 위한 하부면을 구비한 웨이퍼 지지 패드를 포함한다. 하부면은 하우징의 상보형 베어링면과 결합 체결되는 외부 만곡면을 구비한 프레임에 연결되며, 여기서 웨이퍼는 패드에 장착된 웨이퍼 중심라인 축 주위에서 회전될 수 있다.
당업자는 첨부 도면을 고려하여 본 발명을 실시하는 베스트 모드로 바람직한 실시예의 다음 상세한 설명으로부터 본 발명의 이들 및 다른 양상과 장점을 용이하게 이해 및 감지할 것이다.
이제 도면을 참조하면, 도 1은 10으로 전체적으로 지시된 이온 주입기를 나타내며, 상기 이온 주입기는 터미널(12), 빔라인 어셈블리(14), 및 단부 스테이션(16)을 포함한다. 일반적으로, 터미널(12)은 이온 빔을 출력시키며, 빔라인 어셈블리(14)는 이온 빔의 초점, 이온 종류 및 에너지 레벨을 조정하고 상기 이온 빔을 단부 스테이션(16)에 위치된 웨이퍼(W)로 향하게 한다.
터미널(12)은 가스 박스(20)로부터의 도펀트 가스가 주입되는 체임버를 구비한 이온 소스(18)를 포함한다. 에너지는 양이온을 소스 체임버내에서 생성하도록 이온화가능한 도펀트 가스에 전달된다. 고전압 전원(24)에 의해 전력이 공급되는 추출 전극(22)은 양이온의 빔(26)을 소스 체임버로부터 추출하여 상기 추출된 이온을 질량 분석 마그넷(28)을 향해 가속시킨다. 질량 분석 마그넷(28)은 적절한 전하-대-질량 비의 이온만을 빔라인 어셈블리(14)상으로 보내는 기능을 한다. 질량 분석 마그넷(28)에 의해 제공되는 빔 경로(29)의 진공은 진공 펌프(30)에 의해 제공된다.
빔라인 어셈블리(14)는 직각 렌즈(32), 플래그 패러데이(flag faraday)(34), 전자 샤워(shower)(36), 및 선택적으로 이온 빔 가속/감속 전극(도시되지 않음)을 포함한다. 직각 렌즈(32)는 터미널(12)에 의해 이온 빔 출력을 집속시키고 플래그 패러데이(34)는 시스템 셋업 동안 이온 빔 특성을 측정한다. 선택적 가속/감속 전극은 집속된 이온 빔을 단부 스테이션(16)의 웨이퍼로 주입하기 전에 바람직한 에너지 레벨로 가속 또는 감속시키는데 사용될 수 있다. 빔라인 어셈블리(14)에 의해 제공되는 빔 경로의 진공은 진공 펌프(38)에 의해 제공된다.
단부 스테이션(16)은 다수의 웨이퍼(W)가 페데스탈에 장착되어 있는 주위에 회전가능한 디스크(40)와 같은 웨이퍼 플랫폼을 포함한다. 회전 디스크 구동 메카니즘(42)은 회전 운동을 상기 디스크에 제공하기 위해 설치되고, 선형 구동 메카니즘(44)은 선형 운동을 상기 디스크에 제공하기 위해 또한 설치된다. 로봇 아암(46)은 로드록 체임버(48)를 매개로 하여 웨이퍼(W)를 디스크(40)에 적재시킨다. 상기 시스템의 동작은 단부 스테이션(16)의 단부에 위치된 오퍼레이터 제어 스테이션(50)에 의해 제어된다.
웨이퍼가 장착되어 있는 회전가능한 디스크(40)상의 페데스탈은 도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따라 구성된 웨이퍼 패드 어셈블리(100)를 각각 포함한다. 100으로 전체적으로 도시된 웨이퍼 패드 어셈블리는 그 위에 장착된 웨이퍼의 고각도 경사를 0 내지 약 45도의 범위로 제공한다. 경사는 본원에서 도 6에 도시된 바와 같이 웨이퍼 패드 어셈블리(100)의 x, y, z 좌표계의 z 축 주위에서 웨이퍼(W)의 회전으로 정의된다. 바람직하게도, 각 웨이퍼(W)의 기하학적 중심은 각 웨이퍼가 이의 기하학적 중심 주위에서 경사지도록 z 축으로 정렬된다.
각 웨이퍼(W)는 기계 또는 정전 클램프 또는 당업자에게 공지되어 있는 다른 수단과 같은 하나 이상의 종래의 클램프(104)를 매개로 하여 웨이퍼 지지 패드(102)상에 장착되어 이 패드에 클램프된다. 웨이퍼 지지 패드(102)는 그 위에 웨이퍼(W)를 장착하기 위한 실질적으로 편평한 상부면(101)를 갖는 원형 플레이트를 포함한다. 웨이퍼 지지 패드(102) 및 웨이퍼를 냉각시키기 위해 냉각제를 순환시키기 위한 하나 이상의 냉각제 통로(103)(이하 "냉각제 통로"라 칭함)가 웨이퍼지지 패드(102)의 하부면에 장착된다. 냉각제 통로(103)는 딥 브레이징, 기계적 파스너 또는 당업자에게 공지되어 있는 어떤 다른 종래의 수단에 의해 웨이퍼 지지 패드(102)에 장착될 수 있다. 냉각제 통로(103)는 원형 단면을 갖고 알루미늄과 같은 높은 열 전도율을 갖는 재료로 구성되는 것이 바람직하다. 냉각제 통로의 내부면은 테플론(PTFE)과 같은 마모 방지 코팅 또는 패드 기재의 저하를 방지시키는 어떤 다른 형태의 하드코팅으로 코팅되는 것이 훨씬 더 바람직하다.
도 3 및 도 5에 도시된 바와 같이, 냉각제 통로(103)는 웨이퍼 지지 패드(102)의 중심점 근처에 위치된 입구 단부(106) 및 출구 단부(108)를 갖는다. 특히, 입구 단부(106) 및 출구 단부(108)의 기하학적 중심은 상기 패드(102)의 기하학적 중심에서 등거리인 반대 구성으로 이격되어 있다[이것은 그 위에 장착된 웨이퍼(W)의 중심에 대응함]. 냉각제 통로는 웨이퍼 지지 패드(102)의 x 축 주위에서 대칭인 구불구불한 형태로 배열된다.
예시적 목적을 위해 도 3에 도시된 바와 같이, 냉각제 통로는 2개의 부분 "103a" 및 "103b"로 표시되며, 여기서 103a는 냉각제 통로의 입구 부분을 나타내고, 103b는 냉각제 통로의 출구 부분을 나타낸다. 도 3에 더 도시된 바와 같이, 부분 103a 및 103b는 x 축 주위에서 대칭이다. 이러한 대칭은 103b로 표시된 냉각제 통로의 출구 부분에 위치된 냉각제의 질량에 의해 균형이 맞추어지는 냉각제 통로(103a)의 입구 부분에 위치된 냉각제의 질량과 관계있다. 입구 냉각제 통로(103a)의 단부(110)는 출구 냉각제 통로의 입구 단부(112)에 공급된다. 입구 냉각 부분 103a 및 출구 냉각 부분 103b는 냉각제 통로의 입구 부분(103a)에 위치된 냉각제의 질량이 냉각제 통로의 출구 부분에 위치된 냉각제의 질량에 의해 균형이 맞추어지도록 많은 다른 구성(도시되지 않음)으로 배열될 수 있다.
입구 및 출구 냉각제 통로에 제공된 냉각제는 물, 부동액, 프레온 또는 이의 혼합물과 같은 어떤 적당한 냉각 유체, 또는 당업자에게 공지되어 있는 어떤 다른 적당한 냉각제일 수 있다.
도 2를 다시 참조하면, 웨이퍼 지지 패드(102)의 하부면은 고정 커버 플레이트(130)에 고정된다. 또한, 상기 커버 플레이트(130)는 편평한 원형 플레이트이고 알루미늄 재료로 제조되는 것이 바람직하며, 냉각제 통로를 둘러싸고 조립체를 레이디어스(radius) 프레임에 장착시키는 기능을 한다. 상기 커버는 개별적인 입구 및 출구 냉각 유체 통로의 단부들(106, 108)을 수용하기 위한 입구 피드 홀(132) 및 출구 리턴 홀(134)을 더 포함한다.
웨이퍼 패드 레이디어스 프레임(200)은 커버 플레이트(130)의 하부면에 장착된다. 레이디어스 프레임(200)은 z 축 주위에서 웨이퍼 패드 어셈블리의 회전 또는 "경사 동작"을 허용하도록 외부 만곡면을 갖는 외부 마모면(202)을 포함하며(도 6 참조), 이는 또한 장착된 웨이퍼의 상부에 대한 기하학적 중심선이다. 외부 마모면(202)은 외부 볼록면을 갖고 캠 하우징(300)의 상보형 베어링면(302)과 슬라이딩가능한 체결로 정렬된다.
외부 마모면(202)은 베어링면을 슬라이딩가능하게 체결하기 때문에, 웨이퍼는 이의 기하학적 중심 주위에서 회전되는 것이 바람직하다. 외부 마모면의 레이디어스 형태는 0도에서 약 45도까지의 웨이퍼 경사를 허용한다. 외부 마모면(202)은경질 크롬, 니켈 도금 스틸 또는 알루미늄 재료와 같은 낮은 마찰 계수를 갖는 재료로 형성된다.
도 4에 도시된 바와 같이, 레이디어스 프레임(200)은 반대 측벽(201)에 대해 직사각형 단면을 갖는다. 하나 이상의 만곡 캠 종동절 레이스웨이(204)가 측벽(201)내에 장착된다. 2개의 반대 레이스웨이(204)가 사용되는 것이 바람직하다. 상기 캠 종동절 레이스웨이(204)는 외부 마모면(202)과 같이 동일한 만곡을 갖는다. 레이디어스 프레임(200)을 캠 하우징(300)에 고정시키는 기능을 하는 한편 웨이퍼가 경사질 수 있게 하도록 상기 프레임(200)의 외부 마모면(202)이 캠 베어링면(302)에 슬라이딩가능하게 체결되게 하는 하나 이상의 캠 종동절(205)이 레이스웨이(204) 각각내에 수용된다(도 2 다시 참조). 또한, 상기 캠 종동절(205)은 이하에 더 상세히 설명되는 바와 같이 스피닝 디스크(40)의 원심 부하를 캐리시키는 기능을 할뿐만 아니라 냉각제 통로(103)의 회전 입구 및 출구 단부(106, 108) 및 고정 통로 또는 라인(206 및 208) 사이에 위치된 밀봉 갭을 유지시키는 기능을 한다.
캠 하우징(300)은 일반적으로 반대편 평행 측벽(304), 캠 베어링면(302), 및 내부 캐비티(306)와 직사각형 형태를 갖는다. 측벽들 중 하나는 내부 캐비티의 내부 부분을 액세스하기 위한 이동가능한 플레이트에 의해 부분적으로 형성되는 것이 바람직하다. 측벽(304)은 레이디어스 프레임(200)이 간섭없이 회전할 수 있도록 끝을 자른 내부 코너(305)를 구비하는 것이 바람직하다.
캠 베어링면(302)의 만곡 하부측을 따라 및 이 하부측에 연결되어 있는 피드및 리턴 냉각 라인(206, 208)이 내부 캐비티(306)에 포함된다. 피드 및 리턴 냉각 라인(206, 208)은 냉각제 통로(103)의 개별적인 단부(106, 108)와 유체로 연결되어 있다. 냉각제 통로(103)의 단부(106, 108)는 회전하거나 또는 반-반구 레이디어스 프레임(200)으로 경사지고 이 단부는 회전 동안 비-회전 리턴 및 피드 냉각 라인(206, 208)과 유체 연결을 유지시킨다.
게다가, 반-반구 레이디어스 프레임(200)이 회전하기 때문에, 상기 프레임(200)의 외부 마모면(202) 및 베어링면(302)의 인터페이스는 밀봉부로서 냉각제가 만곡 베어링면(302)의 통로(310)로부터 빠져나오는 것을 방지하는 기능을 한다. 하나 이상의 그루브(도 2 참조)는 캠 베어링면(302)의 통로(310) 주변을 둘러싸는 것이 바람직하며, 여기서 하나 이상의 밀봉부(320), 바람직하게는 O-링은 냉각제가 내부 캐비티로부터 빠져나오는 것을 방지하도록 그곳에 설치된다. 선택적인 제 2 세트의 그루브 및 밀봉부는 캠 하우징(300)으로부터의 냉각제 누출에 대한 인디케이터(indicator)로 사용된다.
도 7에 도시된 바와 같이, 웨이퍼 페데스탈 어셈블리(100)는 액츄에이터에 연결하기 위한 플랜지를 더 포함한다. 액츄에이터는 링크 장치, 케이블, 전기 액츄에이터 또는 상기 동작을 웨이퍼 패드의 이동가능한 부분으로 컨베이시키는 어떤 적당한 수단을 포함할 수 있다. 도 7은 그 위에 장착된 본 발명의 2 이상의 웨이퍼 페데스탈 어셈블리를 구비한 이온 주입기 디스크의 측면 사시도를 예시한다. 웨이퍼 페데스탈 어셈블리(100)는 45도 방위(x-축에 관하여)로 z-축 주위에서 경사져 도시되어 있다. 냉각제(이 경우에는 물) 분배 허브(500)는 페데스탈 어셈블리의 리턴 및 피드 라인(206, 208)과 유체 연결되어 방사상 외부로 연장되어 있는 냉각제 매니폴드 시스템 라인(502, 504)을 구비한 디스크(40)의 중심 부분 근처에 위치된 것으로 도시되어 있다.
웨이퍼 냉각 시스템이 웨이퍼를 경사지게 하는 어셈블리와 관련하여 도시 및 설명되었을 지라도, 상기 참조된 냉각 시스템은 이러한 적용에 제한되지 않는다. 예컨대, 웨이퍼 냉각 시스템은 또한 종래의 배치 또는 직렬 이온 주입기에 사용될 수 있었다. 게다가, 웨이퍼 페데스탈 경사 메카니즘이 배치형 이온 주입기에 주로 사용되는 것으로 도시되었을 지라도, 본 발명은 직렬 이온 주입기와 관련하여 또한 사용될 수 있었다. 마지막으로, 웨이퍼 페데스탈 경사 메카니즘은 다른 냉각 시스템에 또한 사용될 수 있었다.
도 8은 직렬형 이온 주입기의 처리 체임버(506)내에 장착된 단일 웨이퍼 페데스탈 어셈블리(100)의 실시를 도시한다. 페데스탈 어셈블리는 외부 슬리브(512)내에 배치된 내부 아암(510)을 포함하는 텔레스코픽 아암 어셈블리(508)에 의해 고정 위치 이온 빔(26) 정면에 위치된다. 페데스탈 어셈블리(100)는 내부 아암(110)에 직접 장착된다.
페데스탈 어셈블리상의 웨이퍼는 동시에 x-축 및 z-축을 따라 고정 위치 이온 빔(26) 정면에서 스캔된다. x-스캔은 선형 병진기(514)에 의해 x-축을 따라 텔레스코픽 아암 어셈블리(508)를 이동시킴으로써 달성된다. 슬라이딩 밀봉부(516)는 처리 체임버내에서 진공 상태를 유지하기 위해 선형 병진기(514) 및 처리 체임버(506) 사이에 설치된다. 처리 체임버 벽내의 슬롯(518)은 x-축을 따라 텔레스코픽 아암 어셈블리의 상기 선형 이동을 허용한다. 냉각제 채널(520)은 텔레스코픽 아암 어셈블리를 통하여 냉각제를 외부 소스(도시되지 않음)로부터 제공하기 위해 내부 아암내에 설치된다. 냉각제 채널(520)은 페데스탈 어셈블리(100)의 리턴 및 피드 라인(206, 208)과 유체로 연결되어 있다.
z-스캔은 내부 아암(510)을 텔레스코픽 아암 어셈블리(508)의 외부 슬리브(512) 내부로 및 이 슬리브 외부로 텔레스코핑함으로써 달성된다. x-스캔 및 z-스캔 선형 이동을 달성하기 위한 액츄에이터 메카니즘(도시되지 않음)은 당업계에 공지되어 있다. x-스캔 및 z-스캔 이동은 이온 빔 및 주입되는 웨이퍼의 표면의 관계가 도시된 바와 같이 경사질 때 웨이퍼의 전체 표면을 따라 고정되도록 주입 처리 동안 동시에 수행된다. 즉, 주입되는 웨이퍼 표면 및 빔 경로에 따른 특정 포인트 사이의 거리는 주입 처리를 통하여 일정해진다. 도 8의 실시예에서, 웨이퍼 페데스탈 어셈블리(100)는 y-축 주위에서 경사져 있다.
본 발명은 이의 특정 실시예에 관하여 도시 및 설명되었을 지라도, 이것은 제한이라기 보다는 오히려 예시 목적을 위한 것이고, 본원에 도시 및 설명된 특정 실시예의 다른 변화 및 수정은 첨부된 클레임들에 정의된 바와 같이 본 발명의 의도된 정신 및 범위내에서 당업자에게 명백해질 것이다.

Claims (18)

  1. 이온 주입기내에 배치되고 웨이퍼를 장착 및 냉각시키기 위한 하나 이상의 웨이퍼 패드 어셈블리를 포함하는 웨이퍼 플랫폼에 있어서,
    상기 웨이퍼 패드 어셈블리는 상기 웨이퍼를 장착하기 위한 상부면 및 하부면을 구비한 웨이퍼 지지 패드를 포함하고, 상기 웨이퍼 지지 패드의 하부면은 입구 부분 및 반대 구성에 배열된 출구 부분을 구비한 냉각제 통로에 연결되며, 여기서 입구 부분의 질량은 출구 부분의 질량에 의해 균형이 맞추어지는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 플랫폼.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 입구 부분의 입구 및 상기 출구 부분의 출구는 상기 상부면의 중심에 근접해 위치되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 플랫폼.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 냉각제 통로는 구불구불한 구성으로 배열되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 플랫폼.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 입구 부분 및 출구 부분은 대칭 구성으로 배열되는 것을 특징으로 하는웨이퍼 플랫폼.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 웨이퍼 지지 패드의 하부면은 하우징의 상보형 베어링면과 결합 체결되는 외부 만곡면을 구비한 프레임에 연결되며, 여기서 웨이퍼는 축 주위에서 회전될 수 있는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 플랫폼.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 베어링면은 피드 라인 및 리턴 라인 각각에 유체 연결되는 피드 통로 및 리턴 통로를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 플랫폼.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 피드 라인 및 상기 리턴 라인은 냉각제 통로의 입구 및 출구 각각에 유체로 연결되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 플랫폼.
  8. 제 5 항에 있어서,
    상기 프레임은 하나 이상의 캠 종동절을 매개로 하여 하우징에 고정된 만곡 레이스웨이를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 플랫폼.
  9. 제 6 항에 있어서,
    상기 프레임의 외부 만곡면은 베어링면의 피드 및 리턴 통로를 밀봉하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 플랫폼.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 하나 이상의 웨이퍼 패드 어셈블리는 그 위에 위치된 복수의 웨이퍼 패드 어셈블리를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 플랫폼.
  11. 웨이퍼를 장착하고 이온 주입기에 배치된 웨이퍼 패드 어셈블리에 있어서,
    상기 웨이퍼 패드 어셈블리는 웨이퍼를 장착하기 위한 상부면 및 하부면을 구비한 웨이퍼 지지 패드를 포함하고, 상기 하부면은 하우징의 상보형 베어링 면과 결합 체결되는 외부 만곡면을 구비한 프레임에 연결되며, 여기서 상기 웨이퍼는 축 주위에서 회전될 수 있는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 패드 어셈블리.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 만곡면은 볼록인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 패드 어셈블리.
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 프레임은 하나 이상의 캠 종동절을 매개로 하여 하우징에 고정된 만곡 레이스웨이를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 패드 어셈블리.
  14. 제 11 항에 있어서,
    상기 웨이퍼는 축 주위에서 약 0도 내지 약 45도의 범위로 경사질 수 있는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 패드 어셈블리.
  15. 제 11 항에 있어서,
    상기 프레임은 다수의 캠 종동절을 매개로 하여 하우징에 고정된 반대 레이스웨이를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 패드 어셈블리.
  16. 제 11 항에 있어서,
    상기 웨이퍼 지지 패드의 하부면에 연결된 냉각제 통로를 더 포함하고; 상기 냉각제 통로는 입구 부분 및 출구 부분을 구비하며, 여기서 상기 입구 부분의 질량은 상기 출구 부분의 질량에 의해 균형이 맞추어지는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 패드 어셈블리.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 베어링면은 리턴 통로 및 피드 통로를 더 포함하며, 여기서 상기 리턴 통로는 리턴 라인 및 냉각제 통로의 출구에 유체로 연결되고; 상기 피드 통로는 피드 라인 및 냉각제 통로의 입구에 유체로 연결되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 패드 어셈블리.
  18. 제 16 항에 있어서,
    상기 베어링면은 상기 리턴 통로 및 상기 피드 통로를 밀봉하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 패드 어셈블리.
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