JPS62115638A - イオン注入装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明はイオン注入装置に関する。

（従来の技術） 周知のようにこの種装置は、半導体装置の製造過程にお
いてイオン源から引き出したイオンビームをウェハー表
面の所要領域に注入するのに使用されている。通常はウ
ェハー表面ののうちイオン注入領域以外の表面にマスク
を施しておいてから。

全表面にイオンビームを注入する。

このイオン注入に際し、その注入角（ウェハーの法線に
対するイオンビームの注入方向の傾斜角）を零度（前記
法線と注入方向とが平行する場合）とすることはなく、
一般には成る角度をもたすことが普通である。これは注
入角が零度であると。

イオンがウェハーの格子に沿って深く入りすぎてしまい
、その注入深さを任意に制御することができなくなるか
らである。そのためイオンがこのウェハーを非晶質のよ
うに感する程度にイオンビームに対してウェハーを傾斜
させて、注入角を成る角度となるようにしているのであ
る。

ところでこのようにウェハーを傾斜させると次のような
問題が生ずる。すなわち前述のようにウェハーの表面に
マスクを施す場合、そのマスクもイオンビームに対して
傾斜するので、このマスクの厚さに応じた影がウェハー
の表面に形成されるようになる。この影の部分にはイオ
ンがなんら注入されないので、そのためイオンの注入の
均一化。

微細化が要求されるのに伴って障害が生じ、歩留まりが
低下するなどの欠点が生ずる。

（発明が解決しようとする問題点） この発明はウェハーの表面にマスクを形成した場合でも
、その影の部分へのイオンの注入が損われないようにす
ることを目的とする。

（問題点を解決するための手段） この発明はウェハーに対するイオンビームの注入角が予
め設定した角度を維持した状態で、ウェハーの位置を可
変自在としたことを特徴とする。

（実施例） この発明の実施例を図によって説明する。１はウェハー
で、これはたとえばプラテン２の表面に支持される。３
はマスク、４はイオンビームの注入方向を示す矢印、５
はウェハー１の法線、θは注入角（イオンビームの注入
方向４と法線５との間の角度）を示す。

以上の構成は通常のこの種装置と特に相違するところは
なく、ウェハー（プラテン２）を予め定めた注入角θだ
け矢印４に対して傾斜させておき、マスク３によってイ
オンの注入を避ける領域をマスク３によって覆っておい
てから、ウェハー１をイオンビームに曝す、これによっ
てウェハー１の所定領域にイオンが注入されるようにな
る。この場合マスク３の厚さに応じて、ウェハー１の表
面に影６ができ、この影の部分にはイオンが注入されな
いようになるにのことは冒頭に述べたとおりである。

そのためこの実施例では、プラテン２を紙面に垂直の軸
を中心として回動自在に支持しである。

具体的にはプラテン２に回転軸７を設置し、この回転軸
７を回転させることによってプラテン２を回転させる。

このときの第１図の状態から第２図の状態までの回転角
度は、注入角をθとするとき。

２θとする。

すると第１図の場合は回転軸心を通る法線とこの回転軸
心に向かうイオンビームの注入方向の関係は、法線が注
入方向よりも上に位置しているのに対し、第２図の場合
は下に位置するようになる。

換言すれば、注入方向を中心として法線は上下に移動し
たことになる。しかしこの移動によっても注入角は正負
に変更しただけであって、その値に変更はない。

このように第１図の状態から第２図の状態に変化したと
きは、先の影６の部分はイオンビームに対して曝される
ようになり、これによってこれまでイオンが注入されな
かった部分でも注入角θを維持した状態（ただし前述の
ように正負の変更がある）で、これが注入されるように
なる。

なおこの場合は今度はマスク３の反対側の部分によって
影６Ａが形成され、この部分にはイオンが注入されない
ようになる。そのため交互に第１図の状態と第２図の状
態とにすれば、両方の影６．６Ａに注入することができ
るようになる。この場合の状態の切換は、一定時間毎に
行うか、または予想注入時間を複数に分割してその時間
の経過毎に切り換えるようにすればよい。実際にはこの
ように切り換えると１両方の影のイオン注入量は他の部
分のそれより少ないので、処理すべきウェハーの内容に
より、最良の条件を設定すればよい。

以上の実施例はウェハー１は２位置を取る例であったが
、これに限られるものではなく、たとえばウェハーを歳
差運動させるようにしてもよい。

すなわちイオンビームに対する法線の傾斜角度をθに維
持したまま、イオンビームの方向を中心軸として法線が
歳差運動するようにウェハー１を旋回させればよい。こ
れによればマスクの全周にわたって影となる部分に対す
るイオンの注入が可能となる。

なお図の実施例では１回転軸７をプラテン２の中央に設
けているが、その設置位置は任意であり、たとえばプラ
テン２の下端面または上端面に回転軸を設け、これを回
転させることによってプラテン２を回転させるようにし
てもよい。

（発明の効果） 以上詳述したようにこの発明によれば、イオン注入にあ
たり、ウェハーの表面にマスクが設けてあっても、その
マスクの影によるイオンの注入の不均一を簡単に回避す
ることができるといった効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の実施例を示す側面図、第２図はウェ
ハーの位置を変更させた状態を示す側面図である。 １・・・ウェハー、２・・・プラテン、３・・・マスク
、４・・・イオンビームの注入方向、５・・・法線、６
・・・影、７・・・回転軸。 も７口 楕２図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. イオンを注入しようとするウェハーを、前記イオンの注
   入方向に対して予め定めた注入角だけ傾斜させた状態で
   、前記イオンを前記ウェハーに注入するイオン注入装置
   において、予め定められた前記注入角を維持した状態で
   前記ウェハーの位置を可変自在としてなるイオン注入装
   置。