KR100311494B1 - 포토레지스트 패터닝방법 - Google Patents

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Abstract

포토레지스트와 이온주입층과의 기울기를 조절하는 것에 의해 원하는 부분에 정확하게 이온이 주입될 수 있도록 하는데 적당한 포토레지스트 패터닝방법을 제공하기 위한 것으로, 틸트 이온주입시 마스크로 사용하는 포토레지스트 패턴 형성방법에 있어서, 상기 포토레지스트 패턴의 단면이 기울기를 갖도록 형성하되 상기 포토레지스트 패턴의 기울기가 상부쪽에서보다 하부쪽에서 더 큰 경사각을 갖도록 형성함을 특징으로 한다.

Description

포토레지스트 패터닝방법{METHOD FOR PATTERNING PHOTORESIST}
본 발명은 반도체 소자의 제조방법에 관한 것으로, 특히 틸트(tilt) 이온 주입을 위한 포토 공정에서 포토레지스트의 기울기를 조절하여 원하는 부분에 이온이 주입될 수 있도록 하는데 적당한 포토레지스트 패터닝방법에 관한 것이다.
일반적으로 포토 공정은 반도체 소자 제조공정에서 중요한 공정중의 하나로 각종 식각 및 이온주입에 따른 마스크로 이용된다.
하지만, 소자가 고집적화됨에 따라 포토 공정또한 여러가지 문제를 안게 되었으며, 그 중 하나가 이온주입을 위한 마스크 형성시 포토레지스트의 간격이 매우 좁아지고 있다는 것이다.
이하, 종래 기술에 따른 포토레지스트 패터닝방법을 첨부된 도면을 참조하여 설명하기로 한다.
도 1은 이온주입을 위해 형성된 포토레지스트의 형태를 보여주고 있다.
도 1에 도시한 바와 같이, 포토레지스트(12)의 기울기가 기판(11)에 대해 수직하게 형성되어 있음을 알 수 있다.
도면부호 '13'는 실제로 이온이 주입되기를 원했던 부분이고, '14'는 실제로 이온이 주입되는 부분이며, '15'는 게이트 전극을 지시한다.
소자의 집적도가 향상됨에 따라 포토레지스트(12)의 간격이 매우 좁아지게 됨에도 불구하고, 포토레지스트(12)가 기판에 대해 수직하게 형성되어 있을 경우, 틸트 이온 주입을 실시하면, 포토레지스트(12)의 프로파일에 의해 포토레지스(12)와 기판이 접하는 부분에만 이온이 주입된다.
이와 같은 종래 기술에 따르면, 소자의 고집적화되면서 포토레지스트의 간격이 점점 좁아지는 경향이 있으며, 이런 경우에 틸트 이온주입을 실시할 경우, 포토레지스트의 높이로 인해 원하는 부분에 이온이 주입되지 않고 원하지 않은 부분에 이온이 주입되는 결과를 초래하게 되는 문제점이 있었다.
본 발명은 상기한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로, 포토레지스트와 이온주입층과의 기울기를 조절하는 것에 의해 원하는 부분에 정확하게 이온이 주입될 수 있도록 하는데 적당한 포토레지스트 패터닝방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
도 1은 종래 기술에 따른 포토레지스트 패터닝방법을 설명하기 위한 도면
도 3은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 포토레지스트 패터닝방법을 설명하기 위한 도면
도 4는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 포토레지스트 패터닝방법을 설명하기 위한 도면
도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
21,31,41 : 이온주입층 22,32,43 : 포토레지스트
42 : 이온주입 방지막
상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 포토레지스트 패터닝방법은 틸트 이온주입시 마스크로 사용하는 포토레지스트 패턴 형성방법에 있어서, 상기 포토레지스트 패턴의 단면이 기울기를 갖도록 형성하되 상기 포토레지스트 패턴의 기울기가 상부쪽에서보다 하부쪽에서 더 큰 경사각을 갖도록 형성함을 특징으로 한다.
이하, 본 발명의 포토레지스트 패터닝방법을 첨부된 도면을 참조하여 설명하기로 한다.
이어서, 도 3은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 포토레지스트 패터닝방법을설명하기 위한 도면이다.
도 3에 도시한 바와 같이, 포토레지스트(22)의 단면이 기울기를 갖도록 형성함에 있어서, 포토레지스트의 상부쪽 기울기와 이온주입층(21)에 인접하는 하부쪽 기울기를 서로 다르게 형성한다.
즉, 포토레지스트(22)의 상부쪽 기울기에 비해 하부쪽 기울기가 더 큰 경사면을 갖도록한다.
즉, 포토레지스트(22)를 경사지게 형성할 경우, 포토레지스트(22)와 이온주입층(21)이 접하는 부분의 포토레지스트(22)의 두께가 얇아지게 되는데, 이때, 이온이 얇은 포토레지스트(22)를 통과하여 원하지 않는 부분에 이온이 주입될 수도 있으므로 미리 상기 이온주입층(21)과 접하는 부분의 포토레지스트(22)의 경사각을 크게하여 그 두께를 충분히 유지하도록 하였다.
따라서, 도면에서도 알 수 있듯이 원하는 부분에만 이온이 주입되는 것을 알 수 있다.
한편, 도 4는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 포토레지스트 패터닝방법을 설명하기 위한 도면으로써, 포토레지스트(43)의 하부면에 이온주입 방지막(42)을 형성하였
즉, 이온주입층(41)상에 이온이 잘 주입되지 않는 이온주입 방지막(42)을 형성한다.
이후, 포토공정을 진행하여 상기 포토레지스트(43)의 단면이 기울기를 갖도록 패터닝한다.
이때, 기울기의 정도는 이온주입 방지막(42)에 대해 45~60°를 유지한다.
그리고 상기 이온주입 방지막(42)을 식각하여 이온주입층(41)의 표면을 노출시킨 후, 틸트 이온주입을 실시한다.
이와 같이, 포토레지스트(43)의 하부에 이온주입 방지막(42)을 형성한 후, 이온을 주입하게 되면, 기울기로 인해 포토레지스트(43)의 두께가 얇아진 부분으로 이온이 주입되지 않고 원하는 부분에만 이온이 주입된다.
이상에서 상술한 바와 같이, 본 발명의 포토레지스트 패터닝방법은 포토레지스트의 기울기를 조절하는 것에 의해 포토레지스트에 의한 좁은 오픈 영역에서도 틸트 이온 주입을 용이하게 진행할 수가 있다.

Claims (4)

  1. 틸트 이온주입시 마스크로 사용하는 포토레지스트 패턴 형성방법에 있어서,
    상기 포토레지스트 패턴의 단면이 기울기를 갖도록 형성하되 상기 포토레지스트 패턴의 기울기가 상부쪽에서보다 하부쪽에서 더 큰 경사각을 갖도록 형성함을 특징으로 하는 포토레지스트 패터닝방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 포토레지스트 패턴의 하부쪽 기울기의 정도는 이온이 주입층으로부터 45~60°를 유지하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 패터닝방법.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 포토레지스트 패턴의 하부에 이온주입 방지막을 더 포함하여 형성하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 패터닝방법.
  4. 제 4 항에 있어서, 상기 이온주입 방지막은 이온주입층에 대해 수직하게 형성하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 패터닝방법.
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