KR960004820Y1 - 포토레지스트 패턴 구조 - Google Patents

Abstract

내용없음.

Description

포토레지스트 패턴 구조

제1도는 종래의 포토레지스트 패턴 구조를 나타낸 단면도.

제2도는 제1도를 설명하기 위한 참고도.

제3도는 본 고안 포토레지스트 패턴 구조를 나타낸 단면도.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

1 : 기판 2 : 필드산화막

3 : 게이트 4 : P/R

본 고안은 웨어퍼에 경사(Tilt) 각을 유지하면서 이온을 주입하는 경우에도 포토레지스트(이하에서 P/R이라함)의 구조를 변경함으로써 이온주입이 정확하게 이루어질 수 있도록 한 포토레지스트 패턴 구조에 관한 것이다.

종래에는 제1도에 도시된 바와 같이 기판(1) 위에 형성된 필드산화막(2)이나 게이트(3)상에 P/R(4)을 도포한 후 소정패턴을 얻기 위하여 사진식각공정에 의해 P/R(4)을 직작으로 예치시킨 상태에서 화살표와 같이 경사지게 이온을 주입하는 경우에 있어서는 상기 P/R(4)의 두께가 형성되었을 경우에는 이온주입이 정확하게 이루어지지 않아 ''A''와 같은 빗금친 부분에는 이온이 주입되지 않았다.

즉, 제2도에서 보면 P/R(4)을 기판(1)에 대해 수직으로 예치하여 패턴을 형성할 경우 이온을 경사지게 주입하게 되면 원하는 이온주입 영역은 구간(X)이었으나 구간(X1)으로 이온이 이동(Shift)되어 결국 구간(Y)에는 이온이 주입되지 않게 되었다.

따라서 본 고안은 상기와 같은 종래의 결점을 감안하여 안출된 것으로 P/R을 경사지게 예치하여 이러한 P/R패터의 구조를 사다리꼴로 형상하므로 기판의 어느 부분이나 이온이 정확하게 주입될 수 있게 한 것이다.

이하에서 본 고안을 첨부된 도면 제3도에 의하여 상술하면 다음과 같다.

본 고안은 기판(1) 위에 필드산화막(2)과 게이트(3)등이 형성된 구조에 있어서, 상기 구조상에 P/R(4)을 도포한 후 소정패턴으로 형성하기 위해 사진식각 공정을 통해 P/R(4)을 이온주입각도(θ1) 이상의 각도(θ)를 가진 사디리꼴의 패턴으로 구성하여서 이루어진 것이다.

이와 같이 구성된 본 고안은 P/R패턴(4)이 이온주입각도(θ1) 이상의 각도(θ)를 가진 사다리 형태로 경사지게 구성되어 있기 때문에 경사진 각도(θ1)로 이온을 주입하여도 이온이 기판(1)에 정확하게 주입되어, 예컨대 소오스/드레인 영역을 형성할 수가 있는 것이다.

이상과 같은 본 고안에 의하면 P/R(4)의 개선된 구조에 의하여 이온이 정확하게 기판(1)에 주입되어 결국 소자의 특성을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.

Claims (2)

1. (정정) 반도체 기판(1)상에 형성되는 소정의 패턴으로 패터닝된 포토레지스트 패턴(4)에 있어서, 상기 포토레지스트 패턴(4)이 소정각도(θ)로 경사진 사다리형태로 된 것을 특징으로 하는 포토레지스트 패턴 구조.
2. (신설)제1항에 있어서, 상기 포토레지스트 패턴(4)의 경사각도(θ)는 상기 포토레지스트 패턴(4)을 경사이온주입시의 마스크로 사용할 경우 상기 경사이온주입 각도(θ1) 이상의 크기를 갖는 각도임을 특징으로 하는 포토레지스트 패턴 구조.