JPH01189845A - イオン注入装置 - Google Patents
イオン注入装置Info
- Publication number
- JPH01189845A JPH01189845A JP1353388A JP1353388A JPH01189845A JP H01189845 A JPH01189845 A JP H01189845A JP 1353388 A JP1353388 A JP 1353388A JP 1353388 A JP1353388 A JP 1353388A JP H01189845 A JPH01189845 A JP H01189845A
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- JP
- Japan
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- wafer
- beam scan
- wafer holder
- holder
- ion implantation
- Prior art date
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- Pending
Links
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims abstract description 19
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims description 11
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 abstract description 10
- 239000007943 implant Substances 0.000 abstract description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 27
- 230000005465 channeling Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 241000257465 Echinoidea Species 0.000 description 2
- 244000145845 chattering Species 0.000 description 2
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明は半導体単結晶基板にイオン注入を行なうイオン
注入装置に関する。
注入装置に関する。
（従来の技術）
従来のイオンビーム単方向スキャン−ウェハ公転タイプ
のイオン注入装置は一般的に第２図に示すようにイオン
ビームスキャン方向４の法線方向に傾き角θを設けたウ
ェハホルダー２を有しており、又そのウェハホルダー２
はビームスキャン方向４の一法線方向に公転軸Ｍを中心
に公転する機構となっている。
のイオン注入装置は一般的に第２図に示すようにイオン
ビームスキャン方向４の法線方向に傾き角θを設けたウ
ェハホルダー２を有しており、又そのウェハホルダー２
はビームスキャン方向４の一法線方向に公転軸Ｍを中心
に公転する機構となっている。
このような従来装置によるイオン注入を行った場合の問
題点はイオン注入後のキャリアプロファイルがウニ八面
内で均一にならないことである。
題点はイオン注入後のキャリアプロファイルがウニ八面
内で均一にならないことである。
このことを第３図（ｂ）に示す（１００）を中心とした
ステレオ投影図を用いて説明する。−船釣に被イオン注
入半導体基板は（１００） 、 （１１０） 、 （１
１１）等のような低指数で表わされる表面方位を有して
いる。ここでは（１００）表面方位（１１０）オリエン
テーションフラット基板を例に説明する。
ステレオ投影図を用いて説明する。−船釣に被イオン注
入半導体基板は（１００） 、 （１１０） 、 （１
１１）等のような低指数で表わされる表面方位を有して
いる。ここでは（１００）表面方位（１１０）オリエン
テーションフラット基板を例に説明する。
イオン注入時はシャドーウィングや横方向散乱を極力抑
える意味から基板に対しより垂直な方向からイオン注入
を行なう必要がある（参考文献：６２巻応物２８Ｐ −
Ｙ−８）、 現在イオン注入時の軸チャネリング、面
チャネリングを避ける意味からウェハ１をイオンビー１
ｚ ３の方向に対し装置から十装置傾けてイオン注入を
行なっている。ウェハを傾けることによって＜１００＞
軸によるチャネリング現象を回避し、傾き方向を選ぶこ
とにより（１１０） 、 （１００）面によるチャネリ
ング現象を回避することが出来る。
える意味から基板に対しより垂直な方向からイオン注入
を行なう必要がある（参考文献：６２巻応物２８Ｐ −
Ｙ−８）、 現在イオン注入時の軸チャネリング、面
チャネリングを避ける意味からウェハ１をイオンビー１
ｚ ３の方向に対し装置から十装置傾けてイオン注入を
行なっている。ウェハを傾けることによって＜１００＞
軸によるチャネリング現象を回避し、傾き方向を選ぶこ
とにより（１１０） 、 （１００）面によるチャネリ
ング現象を回避することが出来る。
しかし、前述した従来のイオン注入装置でイオン注入を
行なったウェハにはウニ八面内でキャリアプロファイル
の不均一性が見られる。これはイオン注入時のチャタリ
ング現象がウェハ中心部では回避することが出来てもウ
ェハ周辺部では（１１０）。
行なったウェハにはウニ八面内でキャリアプロファイル
の不均一性が見られる。これはイオン注入時のチャタリ
ング現象がウェハ中心部では回避することが出来てもウ
ェハ周辺部では（１１０）。
又は（１００）面によるチャタリング現象が回避できて
ないことによる。
ないことによる。
（発明が解決しようとする課題）
本発明は、従来のイオン注入装置によるイオン注入角度
は第３図（ｂ）中に示したようにウェハ中心部は非チャ
ネリング領域でイオン注入されるが他の部分は（１１０
） 、及び（１００）面によるチャネリング領域にかか
るためウニ八面内でのキャリアプロファイルに不均一性
が生じるが、これを改良することにより、大口径（例え
ば、５１φ）のウェハに均一なイオン注入を行なうこと
のできるイオン注入装置を提供することを目的とする。
は第３図（ｂ）中に示したようにウェハ中心部は非チャ
ネリング領域でイオン注入されるが他の部分は（１１０
） 、及び（１００）面によるチャネリング領域にかか
るためウニ八面内でのキャリアプロファイルに不均一性
が生じるが、これを改良することにより、大口径（例え
ば、５１φ）のウェハに均一なイオン注入を行なうこと
のできるイオン注入装置を提供することを目的とする。
（課題を解決するための手段）
本発明のイオンビーム単方向スキャン−ウェハ公転タイ
プイオン注入装置は該ビームスキャン方向の一方にウェ
ハ傾き角を有するウェハホルダーを備え、該ウェハホル
ダーは該ビームスキャン方向に対し法線方向に平行移動
するよう構成されている。
プイオン注入装置は該ビームスキャン方向の一方にウェ
ハ傾き角を有するウェハホルダーを備え、該ウェハホル
ダーは該ビームスキャン方向に対し法線方向に平行移動
するよう構成されている。
（作用）
本発明のイオン注入装置で、単一方向のビームスキャン
のみ行なった場合のイオン注入ではイオン注入角度は第
３図（ａ）中の斜線で示したイオンビーム照射領域５の
領域となる。
のみ行なった場合のイオン注入ではイオン注入角度は第
３図（ａ）中の斜線で示したイオンビーム照射領域５の
領域となる。
つまりウェハ全面イオン注入角度はチャネリング現象の
極力影響を受けない領域に収っていることが分る。
極力影響を受けない領域に収っていることが分る。
（客甥；実施例）
本発明による装置は第１図に示す。なお、ビームスキャ
ンの構成以外は第２図で示した従来装置と同様の構造で
良いので、同一部分については同一符号を付してその説
明を省略する。換言すれば、イオン注入装置のビームス
キャン方向４とウェハホルダー２の傾き方向θの相対関
係が所定の関係を有しているものである。すなわち、ウ
ェハホルダーをビー１１スキヤン方向に対し法線方向に
平行移動するよう構成している。そのため第１図に示し
たウェハ公転タイプ装置に限らずイオンビームスキャン
方向の法線方向にウェハが平行に移動するタイプの装置
にも有効である。
ンの構成以外は第２図で示した従来装置と同様の構造で
良いので、同一部分については同一符号を付してその説
明を省略する。換言すれば、イオン注入装置のビームス
キャン方向４とウェハホルダー２の傾き方向θの相対関
係が所定の関係を有しているものである。すなわち、ウ
ェハホルダーをビー１１スキヤン方向に対し法線方向に
平行移動するよう構成している。そのため第１図に示し
たウェハ公転タイプ装置に限らずイオンビームスキャン
方向の法線方向にウェハが平行に移動するタイプの装置
にも有効である。
又ウェハホルダー公転タイプイオン注入装置においては
第１，２図に示したＲ□、Ｒ２が異なるためビームスキ
ャン速度が一定ならばウェハホルダー中心に近い半径Ｒ
１の部分とウェハホルダー中の差が生じる。なお、Ｒｏ
はウェハの中心距離である。そのためイオンビームスキ
ャン速度ＶＸＳを制御してＶｘｓ−Ｒ＝ＣＣ＝一定とな
るような方法が考えられる。
第１，２図に示したＲ□、Ｒ２が異なるためビームスキ
ャン速度が一定ならばウェハホルダー中心に近い半径Ｒ
１の部分とウェハホルダー中の差が生じる。なお、Ｒｏ
はウェハの中心距離である。そのためイオンビームスキ
ャン速度ＶＸＳを制御してＶｘｓ−Ｒ＝ＣＣ＝一定とな
るような方法が考えられる。
本発明によれば、大口径のウェハであってもウェハ内の
キャリアプロファイルを均一にイオン注入することがで
きる。
キャリアプロファイルを均一にイオン注入することがで
きる。
第１図は本発明の実施例を示す３角法で表示する図、第
２図は従来の装置を説明する図、第３図は三次元（ステ
レオ）投影図である。 １・・・ウェハ ２・・・ウェハホルダー３・
・・イオンビーム ４・・・イオンビームスキャン方向 ５・・・イオンビーム照射領域 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 同 松山光之 ｌｌＯ 第３図
２図は従来の装置を説明する図、第３図は三次元（ステ
レオ）投影図である。 １・・・ウェハ ２・・・ウェハホルダー３・
・・イオンビーム ４・・・イオンビームスキャン方向 ５・・・イオンビーム照射領域 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 同 松山光之 ｌｌＯ 第３図
Claims (1)
- イオンビーム単方向スキャン−ウェハ公転タイプイオ
ン注入装置において、該ビームスキャン方向の一方にウ
ェハ傾き角を有するウェハホルダーを備え、該ウェハホ
ルダーを該ビームスキャン方向に対し法線方向に平行移
動するよう構成したことを特徴とするイオン注入装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1353388A JPH01189845A (ja) | 1988-01-26 | 1988-01-26 | イオン注入装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1353388A JPH01189845A (ja) | 1988-01-26 | 1988-01-26 | イオン注入装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01189845A true JPH01189845A (ja) | 1989-07-31 |
Family
ID=11835799
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1353388A Pending JPH01189845A (ja) | 1988-01-26 | 1988-01-26 | イオン注入装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01189845A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5932883A (en) * | 1996-07-03 | 1999-08-03 | Hitachi, Ltd. | Ion implanter for implanting ion on wafer with low contamination |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61267251A (ja) * | 1985-05-21 | 1986-11-26 | Toshiba Corp | 半導体不純物注入装置 |
| JPS6215743A (ja) * | 1985-07-12 | 1987-01-24 | Nissin Electric Co Ltd | イオン処理装置 |
-
1988
- 1988-01-26 JP JP1353388A patent/JPH01189845A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61267251A (ja) * | 1985-05-21 | 1986-11-26 | Toshiba Corp | 半導体不純物注入装置 |
| JPS6215743A (ja) * | 1985-07-12 | 1987-01-24 | Nissin Electric Co Ltd | イオン処理装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5932883A (en) * | 1996-07-03 | 1999-08-03 | Hitachi, Ltd. | Ion implanter for implanting ion on wafer with low contamination |
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