JPS63245921A - バイポ−ラ型半導体装置の製造方法 - Google Patents
バイポ−ラ型半導体装置の製造方法Info
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- JPS63245921A JPS63245921A JP7998887A JP7998887A JPS63245921A JP S63245921 A JPS63245921 A JP S63245921A JP 7998887 A JP7998887 A JP 7998887A JP 7998887 A JP7998887 A JP 7998887A JP S63245921 A JPS63245921 A JP S63245921A
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- Bipolar Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はバイポーラ型半導体装置の製造方法に関し、特
にそのエミッタ部形成のためのイオン注入による不純物
導入方法に関するものである。
にそのエミッタ部形成のためのイオン注入による不純物
導入方法に関するものである。
第４図は、従来行われていたエミッタの不純物導入方法
を示す断面図である０図において、１は半導体基板ある
いはエピタキシャル層等の素子を形成するための層、２
はベース層、３は絶縁膜、４はエミッタの拡散孔、５は
エミッタを形成するためのイオン注入ビームである。
を示す断面図である０図において、１は半導体基板ある
いはエピタキシャル層等の素子を形成するための層、２
はベース層、３は絶縁膜、４はエミッタの拡散孔、５は
エミッタを形成するためのイオン注入ビームである。
次に、−例としてｎｐｎトランジスタの製造方法につい
て説明する。
て説明する。
第４図において、まず素子を形成するエピタキシャルＮ
１などの中に、ｐ型の不純物を導入し、熱処理によりベ
ース層２を形成する０次に、シリコン酸化膜などの絶縁
膜３を被着し、エミッタを形成しようとする場所を開孔
して拡散孔４を形成する。その後、イオン注入などによ
り、砒素やリンなどのｎ形不純物を導入し、さらに熱処
理を行なってエミツタ層（図示せず）を形成していた。
１などの中に、ｐ型の不純物を導入し、熱処理によりベ
ース層２を形成する０次に、シリコン酸化膜などの絶縁
膜３を被着し、エミッタを形成しようとする場所を開孔
して拡散孔４を形成する。その後、イオン注入などによ
り、砒素やリンなどのｎ形不純物を導入し、さらに熱処
理を行なってエミツタ層（図示せず）を形成していた。
ここで上記イオン注入におけるビーム５はチャネリング
を防ぐために半導体装置の主表面に対しである程度角度
（一般には約７°）を持って斜めに注入される。
を防ぐために半導体装置の主表面に対しである程度角度
（一般には約７°）を持って斜めに注入される。
従来のエミッタ形成方法によれば、前述の様に、絶縁膜
に開孔を開けて斜め方向からイオン注入を行っていたが
、半導体装置の微細化が進み、さらに接合が浅くなって
くると、イーオンを斜め方向から注入することによる影
響が大きく現われる。すなわち、絶縁膜３がある厚みを
持っているため、ウェハの主表面に対して、角変θで傾
けられた注入ビーム５によれば、第５図に示すように、
エミッタの拡散孔４内にはｎ型不純物が注入された領域
６１の隣に不純物が注入されない領域６２が必ずできて
しまい、エミッタ・ベース間のショート等トランジスタ
特性の不良の原因となるという問題点があった。
に開孔を開けて斜め方向からイオン注入を行っていたが
、半導体装置の微細化が進み、さらに接合が浅くなって
くると、イーオンを斜め方向から注入することによる影
響が大きく現われる。すなわち、絶縁膜３がある厚みを
持っているため、ウェハの主表面に対して、角変θで傾
けられた注入ビーム５によれば、第５図に示すように、
エミッタの拡散孔４内にはｎ型不純物が注入された領域
６１の隣に不純物が注入されない領域６２が必ずできて
しまい、エミッタ・ベース間のショート等トランジスタ
特性の不良の原因となるという問題点があった。
本発明は、上記の様な問題点を解消するためになされた
もので、エミッタ拡散孔内において、均一な不純物導入
を行うことができ、半導体装置の微細化が進み接合が浅
くなっても、トランジスタ特性の良好な半導体装置を製
造できるバイポーラ型半導体装置の製造方法を得ること
を目的としている。
もので、エミッタ拡散孔内において、均一な不純物導入
を行うことができ、半導体装置の微細化が進み接合が浅
くなっても、トランジスタ特性の良好な半導体装置を製
造できるバイポーラ型半導体装置の製造方法を得ること
を目的としている。
本発明に係る半導体装置の製造方法は、エミッタの不純
物導入時に、半導体基板の主表面を回転させながらイオ
ン注入を行なう工程を含むものである。
物導入時に、半導体基板の主表面を回転させながらイオ
ン注入を行なう工程を含むものである。
本発明においては、エミッタ形成のためのイオン注入は
、半導体基板を回転させながら行われるから、エミッタ
拡散孔の表面段差による注入の不均一さをなくすことが
でき、エミッタ・ ベース間のショート等の不良のない
半導体装置を製造できる。
、半導体基板を回転させながら行われるから、エミッタ
拡散孔の表面段差による注入の不均一さをなくすことが
でき、エミッタ・ ベース間のショート等の不良のない
半導体装置を製造できる。
以下、本発明の一実施例を図について説明する。
第１図は、本発明の一実施例によるバイポーラ型半導体
装置の製造方法を説明するための断面図であり、図にお
いて、１は素子を形成するためのある時刻Ｔ１における
イオン注入ビーム、５２はイオン注入ビーム５１とは異
なる時刻Ｔ８におけフタ拡散孔４内のイオン注入ビーム
５１によってはイオン注入されない領域である。
装置の製造方法を説明するための断面図であり、図にお
いて、１は素子を形成するためのある時刻Ｔ１における
イオン注入ビーム、５２はイオン注入ビーム５１とは異
なる時刻Ｔ８におけフタ拡散孔４内のイオン注入ビーム
５１によってはイオン注入されない領域である。
次に作用効果について説明する。
第１図において、半導体基板ｌ内にベース層２を形成し
、エミッタの拡散孔４を形成するところ迄は、従来例と
同一であるからここでは省略する。
、エミッタの拡散孔４を形成するところ迄は、従来例と
同一であるからここでは省略する。
エミッタの拡散孔４の形成後、イオン注入によりｎ型の
不純物（砒素、リンなど）を注入するが、この際、半導
体基板１の主表面を、たとえば基板主表面の中心に立つ
法線を軸としてイオン注入している間中あるいは一定時
間のみ回転させる。ここで、この回転は連続的であって
も、離散的であっても良い、そうすることによりイオン
注入ビーム５１の様な入射方向のビームばかりでなく、
半導体基板が半回転した後にはイオン注入ビーム５２の
様な入射方向からビームが半導体基板上に降り注がれる
事になる。したがって、時刻Ｔ、で発生した非注入領域
６２にも、時刻Ｔ、においては注入が行なわれるため、
従来の様に注入が全く行なわれない領域は存在しなくな
りエミッタ内には、比較的均一に不純物導入が行なわれ
る。
不純物（砒素、リンなど）を注入するが、この際、半導
体基板１の主表面を、たとえば基板主表面の中心に立つ
法線を軸としてイオン注入している間中あるいは一定時
間のみ回転させる。ここで、この回転は連続的であって
も、離散的であっても良い、そうすることによりイオン
注入ビーム５１の様な入射方向のビームばかりでなく、
半導体基板が半回転した後にはイオン注入ビーム５２の
様な入射方向からビームが半導体基板上に降り注がれる
事になる。したがって、時刻Ｔ、で発生した非注入領域
６２にも、時刻Ｔ、においては注入が行なわれるため、
従来の様に注入が全く行なわれない領域は存在しなくな
りエミッタ内には、比較的均一に不純物導入が行なわれ
る。
ところで注入ビームのウェハの主表面に対する角度は、
実際にはビーム５１と５２の場合で若干具なる。これを
第２図を用いて説明すると、第２図において、１は半導
体基板、１１は注入ビームの中心線、１２は半導体基板
１を通り、注入ビームの中心線１１に垂直な線、０は注
入ビームの出射点、５３は注入ビームのうち、半導体基
板１の出射点０に近い点Ａに当たるビーム、５４は半導
体基板１の出射点０から遠い点Ｂに当たるビームである
。半導体基板ｌのＡ点、Ｂ点でのビームの角度θ１．θ
４は図では角度θ３．θｔ （θ１゜θ２はそれぞれ注
入ビームの中心線１１とビーム５１．５２のなす角度）
で決まる。これらは、と表現される。また上記ビーム５
３．５４は、半導体基板１表面の一点たとえば点Ｂから
見た場合、第３図の様に見える。つまり実際に注入ビー
ム５３．５４が降り注ぐ角度（基板１の表面の法線１０
と注入ビーム５３．５４のなす角度）θ、１．θ４、は θ、１＝θ３−□−θ−θ１ θ４．＝□−θ４＝θ＋θ２ となる。しかし、実際にはθはチャネリングを防ぐため
に傾けられた角度で通常７″〜８６の値であり、θ、や
θ２は、注入装置のイオンビーム出射点Ｏから半導体基
板１までの距離と半導体基板１の径とで定まるが、これ
はθより充分小さい事が多く、またそうでなくても、θ
を大きくする事により問題はなくなる。したがって、注
入ビームの角度θについては、チャネリングを防ぐため
に半導体基板ｌを傾けた量でほとんど決まると考えて良
い。
実際にはビーム５１と５２の場合で若干具なる。これを
第２図を用いて説明すると、第２図において、１は半導
体基板、１１は注入ビームの中心線、１２は半導体基板
１を通り、注入ビームの中心線１１に垂直な線、０は注
入ビームの出射点、５３は注入ビームのうち、半導体基
板１の出射点０に近い点Ａに当たるビーム、５４は半導
体基板１の出射点０から遠い点Ｂに当たるビームである
。半導体基板ｌのＡ点、Ｂ点でのビームの角度θ１．θ
４は図では角度θ３．θｔ （θ１゜θ２はそれぞれ注
入ビームの中心線１１とビーム５１．５２のなす角度）
で決まる。これらは、と表現される。また上記ビーム５
３．５４は、半導体基板１表面の一点たとえば点Ｂから
見た場合、第３図の様に見える。つまり実際に注入ビー
ム５３．５４が降り注ぐ角度（基板１の表面の法線１０
と注入ビーム５３．５４のなす角度）θ、１．θ４、は θ、１＝θ３−□−θ−θ１ θ４．＝□−θ４＝θ＋θ２ となる。しかし、実際にはθはチャネリングを防ぐため
に傾けられた角度で通常７″〜８６の値であり、θ、や
θ２は、注入装置のイオンビーム出射点Ｏから半導体基
板１までの距離と半導体基板１の径とで定まるが、これ
はθより充分小さい事が多く、またそうでなくても、θ
を大きくする事により問題はなくなる。したがって、注
入ビームの角度θについては、チャネリングを防ぐため
に半導体基板ｌを傾けた量でほとんど決まると考えて良
い。
このように本実施例によれば不純物導入にイオン注入を
用いるｎｐｎｌ−ランジスタの製造方法において、不純
物を導入してエミッタを形成する際基板１を回転させる
ようにしたので、シャドー効果つまり未注入領域の発生
を防止でき、エミッタ・ペースショート等の不良の発生
を防止できる。
用いるｎｐｎｌ−ランジスタの製造方法において、不純
物を導入してエミッタを形成する際基板１を回転させる
ようにしたので、シャドー効果つまり未注入領域の発生
を防止でき、エミッタ・ペースショート等の不良の発生
を防止できる。
なお、上記実施例では、シリコン酸化膜などに拡散孔を
開孔した場合を挙げたが、これは勿論、レジストに拡散
孔を形成して選択的にイオン注入してもよい。
開孔した場合を挙げたが、これは勿論、レジストに拡散
孔を形成して選択的にイオン注入してもよい。
以上の様に、零発廟にかかるバイポーラ型半導体装置の
製造方法によれば、イオン注入により不純物を導入する
場合に、半導体基板を回転させるようにしたので、表面
段差の凹凸による非注入部分の発生を防止でき、エミッ
タ・ベース間のショート等の不良のないバイポーラトラ
ンジスタが得られる効果がある。
製造方法によれば、イオン注入により不純物を導入する
場合に、半導体基板を回転させるようにしたので、表面
段差の凹凸による非注入部分の発生を防止でき、エミッ
タ・ベース間のショート等の不良のないバイポーラトラ
ンジスタが得られる効果がある。
第１図は、本発明の一実施例による半導体装置の製造方
法を説明するための断面図、第２図及び第３図はそれぞ
れ半導体基板に入射するイオンビームの角度を示すため
の模式図、第４図、第５図はそれぞれ従来の半導体装置
の製造方法を説明するための断面図である。 注入ビーム、５２は時刻Ｔ２における注入ビーム、６１
はイオン注入領域、６２はイオン未注入領域である。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
法を説明するための断面図、第２図及び第３図はそれぞ
れ半導体基板に入射するイオンビームの角度を示すため
の模式図、第４図、第５図はそれぞれ従来の半導体装置
の製造方法を説明するための断面図である。 注入ビーム、５２は時刻Ｔ２における注入ビーム、６１
はイオン注入領域、６２はイオン未注入領域である。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (2)
- （１）エミッタの不純物の導入にイオン注入法を用いる
バイポーラ型半導体装置の製造方法において、 上記エミッタの不純物導入時に半導体基板を回転させな
がらイオン注入を行なう工程を含むことを特徴とするバ
イポーラ型半導体装置の製造方法。 - （２）上記回転は連続的あるいは離散的に行なうことを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載のバイポーラ型半
導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7998887A JPS63245921A (ja) | 1987-04-01 | 1987-04-01 | バイポ−ラ型半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7998887A JPS63245921A (ja) | 1987-04-01 | 1987-04-01 | バイポ−ラ型半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63245921A true JPS63245921A (ja) | 1988-10-13 |
Family
ID=13705689
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7998887A Pending JPS63245921A (ja) | 1987-04-01 | 1987-04-01 | バイポ−ラ型半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63245921A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5073514A (en) * | 1989-07-18 | 1991-12-17 | Sony Corporation | Method of manufacturing mis semiconductor device |
| US5270226A (en) * | 1989-04-03 | 1993-12-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Manufacturing method for LDDFETS using oblique ion implantion technique |
-
1987
- 1987-04-01 JP JP7998887A patent/JPS63245921A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5270226A (en) * | 1989-04-03 | 1993-12-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Manufacturing method for LDDFETS using oblique ion implantion technique |
| US5073514A (en) * | 1989-07-18 | 1991-12-17 | Sony Corporation | Method of manufacturing mis semiconductor device |
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