JPS6066814A - 半導体デバイスの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野コ 本発明はイオン注入によって半導体テバイス内に埋込層
を形成するための方法に係り、更に具体的には、本発明
はシリコン・デバイスにおいてヒ素をイオン注入したサ
ブコレクタを形成する方法に係るものである。

［従来技術］ サブコレクタを形成するために従来いくつかの技術が用
いられている。最もよく知られている方法は″閉鎖型カ
プセル拡散法″（以下単にカプセル法という）である。

このカプセル法においては、酸化物のマスク層を介して
Ｐ型シリコン基板内にヒ素の様な不純物が拡散され、バ
イポーラ・トランジスタのサブコレクタとして知られる
高度に１へ一プしたＮ１低抵抗率領域が形成される。こ
の目的のためにヒ素が広く用いられる。その理１１０よ
以後の加熱処理工程においてもその領域が局部化した状
態で維持されねばならないからである。用い♂られる不
、１ｌＩｌｉ物は次の２つの条件を満足しなければなら
ない。即ち第１に、半導体デバイス処理に現在用いられ
ているホウ素及びリンの様な他の不純物と比へて低い拡
散係数を有するものであること、第２に、シリコンを１
０１９原子／ｄを越えた過剰ｉ１ｔ　ｌ’−ピンクして
所望の低抵抗率のサブコレクタを形成するために高い溶
解度の限度を有するものであることの２つの条件を満足
しなければならなしＡ　。

ナブコレクタ形成ステップに続いて、酸化物のマスク層
か除去さね、基板上にＮ型コレクタ層がエビクキシＡノ
ル（ａｔ月）成長される。従ってＮ′″サフコレクタた
１はＮｃｐｉ層及びＩ）型基板の間にサン］ニーｒソチ
された形になる。公知の手順によってベース及びエミッ
タが形成される。

カプセルθζは確立された方法であるが、イオン注入技
術に従ってエミッタ及びベースの面領域を形成する新し
いバイポーラ技術の開発によって、）１眉）シ法と比へ
て１・−ズ量制御、プロフィルの融通１′１、プＩＬＩ
セス白動化、安全性等の点でイオン注入によって呈せら
れる大きな利点を享受するために、完全にイオン注入に
よって形成さＡしるデバイスの必要性が生じた。

カプセル法の代りにイオン注入を用いることによって次
の様な利点を期待しうる。

第１に、カプセル法においては、排気及び急冷によるカ
プセルの爆縮、Ａｓ粉による汚染、ウェハの背面被覆等
の公知の不利点が呈せられ、イオン注入法より高い温度
でプロセスが実施され、時間も長くかかるという不利点
があるがイオン注入法においてはこれらの不利点を回避
しうるであろう。

第２に、カプセル法においてサブコレクタを形成するの
に必要な溶解度の限度（−１−ｏ　”　Ｂａｔ子／　ａ
＋？　）に近いヒ素の高ドーズ嵐がイオン注入法におけ
る低いドーズ量（約２Ｘ　Ｉ　ＯＩ　Ｇ原子／　ａｌ　
）で置きかえられ、こＪしによってより高度な制御がで
きるという利点′が呈せられるであろう。

しかしながらカプセル法からイオン注入法への技術転換
は困難なくして行なわれ得ない。プロセス操作及び生産
性に関するカプセル法における適合性の問題から技術的
課題が派生する。高度な製造」二の安定性を呈する処ま
で成熟したカプセル法と競合する事自体が多くの困難を
克服するための大きな課題である。

克服すべき第１の困難点は、サブコレクタを形成するた
めに必要とされる高いドーズ量においてＡｓの様な不純
物を注入すると、半導体結晶格子に損傷か生じるという
事から派生する。その損傷は市原であって、アニールを
行なっても完全には治紛し得ない非結晶領域が生じる。

第２の困ｘｉｃ点は、約２５０人の厚さの二酸化シリコ
ンの様な相対的に薄いパンシベーション用の材料を通し
てイオン注入を行なう現在用いられている方法から生じ
る。

いわゆるスクリーン層と称されるこの薄い層を用いる利
点は公知である。例えばその層はキャップｊ：’Ｉとし
、て用いられる。すなわち周囲の汚染物質に刻してシリ
コン基板のどの個所も露出されない。

しかしながら、スクリーン層の中に汚染イオンが捕獲さ
４しる。大抵のｊ８合、この汚染イオンはドーパント・
イオンとイオン注入装置の側壁やアパーチャの様な部分
との衝突によって生じる。拡散及び酸化の様な高温の熱
処理において、スクリーン層に捕獲されたこれらの汚染
イオンが法板内に拡散し、イオン注入した領域を汚染す
る。

ＩＢＭ　ＴＤＢ　Ｖｏｌ、］、９、Ｎａ３、Ａｕｇｕｓ
ｔ；　１９７６、ｐｐ、８　６　５　、　同Ｖｏ１．１
　９　、　Ｎａ８、　、Ｊ　ａ　１１１４　ａ　ｒ　ｙ
１９７７、ｐｐ、３０５１−３０５２及び同Ｖｏ１．２
Ｑ、Ｎａ３、Ａｕｇｕｓｔ　１９７７、ｐｐ、１００３
−１００４等には薄いスクリーン層を通してイオンｔ）
：入したサブコレクタを形成すると共に重積欠陥、パイ
プなどのイオン注入プロセスに固有の欠陥の数を最小に
する問題について開示している。

半導体における競合のための優位性を維持するには、こ
れまで完全には達成されなかった。イオン注入法の技術
的及び経済的利点（改善されたプロセス収率、より高い
生産性ｉ１Ｍびにコストの点から非常に好ましい事態を
提供する生産ラインの終端における生産収率の増大等）
の全てに到ノｔする前に上述の様ないくつかの問題点を
完全に解決することが必要である。

［発明か解決しようとする問題点コ 従って本発明の目的はカプセル法に代って、上述の困１
ｆ１．点を完全に克服すると同時にデバイスの（Ｊ−能
を維持しうるイオン注入法を提供することである。

本発明の更に他の目的は、イオン注入した領域の汚染及
び損傷をまねく事なく、イオン注入によって半導体基板
に埋設したサブコレクタを形成する方法を提供すること
である。

［問題点を解決するだめの手段］ 一実施例において、２　Ｘ　１０１″′原子／ｄより低
いＩ（−ズ量て、サブコレクタを形成すべきＰ型シリコ
ン栽板の領域に薄いスクリーン酸化物層を通してヒ素イ
オンを注入し、上記スクリーン酸化物層の」二部（酸素
雰囲気の露出される事による汚染イオンに含む）を部分
的にエツチングし、次いで基板を不活性雰囲気において
アニールする事によって損傷を治癒すると共に一ル板内
にヒ、素原子を再分散させる。酸素雰囲気におけるスク
リーン酸化物層の元の厚さを再生させるステップによっ
て、完全なエピタキシャル層の成長が可能となるという
予期しなかった効果の奏せられる事が見出された。

［実施例］ ウェハはホウ素をドープしたＰ型シリコン基板であって
、＜１００＞結晶方位及びＩ　０−２０Ω・σの抵抗率
を有している。

カプセル法及びイオ注入法のサブコレクタ・パターン・
エツチング処理は１つの例外を除いて同一である。カプ
セル法における拡散ウェハにおいては、エピタキシャル
付着において生じるオー１〜ドーピングの問題の故に、
ウェハの背面の酸化物がサブコレクタ酸化物エツチング
において除去されない事が必要である。ランダム欠陥の
発生防止に大きく寄与するこのデバイスの背面の処理は
イオン注入サブコレクタにおいては必要でない。

第１Ａ図はサブコレクタ酸化物エツチング後の構造を示
す。二酸化シリコン・マスク即ちフィールド酸化物１の
厚さは約３５００人である。

ウェハは有機性及び金属性の汚染物を除去する様に設計
したｌＩｕａｎｇのクリーニング処理をうける。

この目的を達成するのに用いる溶液は希釈ＨＦ、水酸ア
ンモニウム−過酸化水素ならびに塩酸−過酸化水素であ
る。このＩｔ　ｕ　ａ　ｎ　（４クリーニングは均一な
酸化物成長に必要な絶対的なりリーン度を保証する事を
目的としている。

乾燥○、を入れた７８０℃の酸化炉にウェハを入れる。

炉温度を９００℃まで上げる。付加的なりリーニング手
順として系を通して１％＋１（ｌを流す。２２５人の厚
さの成長が行なわれた時点で炉温度を７８０″Ｃまで下
げた。

スクリーン酸化物層は下記の４つの重要な機能を有する
。

（１）　スパッタした汚染物からシリコンを保護するこ
と。

（２）　放射ｉＷ起損償を不動化すること。

（３）　、？Ａ品学的なチャンネリングを阻止すべくイ
オン方向をランタム化すること。

（４）　サブコレクタのアニールＩ］左Ｌ−セいア易γ
ド後の再分布加熱サイクルにおいてヒ素の外方拡散を阻
止すること。

注入したヒ素のプロフィルの完全性を保証するために、
酸化物層の厚さを正確に制御する事が１つの要件である
。しかしながらこの様な制御はエミッタのイオン注入の
場合には基本的な技術である。なぜならば本発明に従う
プロセスにおいて示したエネルギでもってイオン注入を
行なう際には、酸化物の厚さの小さな変動でもトランジ
スタ・デバイス・パラメータにおける大きな変動を生じ
るからである。スクリーン酸化物２が生成された構造を
第１Ｂ図に示す。

サブコレクタ領域３を画成するためにマスキンク材を用
いることなくウェハにイオン・ビー１１（エネルギ：５
０ＫｅＶ、ドーズ量：　２　Ｘ　１０　”　ＪＪＩ子／
ｃｎ？）を直接照射する。シリコン内に５０ＫｃｖのＡ
ｓ”が貫通しない程度にフィール１−酸化物かｊＩＩい
（３５００人）のでマスキング工程は必要てなしＸＩ。

シリコン表面に対する法線＜１００＞からオフセット角
度７°で０．５−５．０ｒｎＡのビーム電流を用いてヒ
素イオンを注入する。ＡΩディスクの溝部にウェハを配
置する。

垂直方向にゆっくり動くディスクにおいてスピンさせる
事によってビームを横切ってウェハを走査することによ
って、ビームはディスクを放射方向に横切って動く。デ
ィスクの垂直運動の速度は１／ｒ（ｒはディスクにおけ
るビームの放射方向位置）だけ減衰させる。これによっ
てディスクを横切ってドーズ量の均一性が保証さ屁る。

これによってできた構造体を第１Ｃ図に示す。

イオン注入パラメータはＲｐ＝３２５人、σ＝１２０人
である。

注入ドーズ量は２．０Ｘ１０１６イオン／ｄにセットし
た。収率最適化ドーズ量レベルであるこの値は最良の歩
留りを保証すると同時に製品の性能をも維持しうる様に
最適化した。より低いドーズ量を用いてもより高い収率
が得られたが、回路の性能に対する相当高いサブコレク
タ・シート抵抗の影響によって、現存する製品において
実施することができなかった。この″収率最適化ドーズ
量しベル″に関する更に詳細なデータを後で説明する。

第２図及び第３図に関するイオン注入ザブコレクタを用
いるパイプ欠陥の改善に関する説明を参照されたい。

イオン注入後、希釈ＨＦ液においてスクリーン酸化物層
を部分的にエツチングする。これによってエピタキシの
品質に有害な影響を与えるスパッタされた金属の様な汚
染物を取除く。およそ１゜０人の酸化物を除去する（第
１Ｄ図）。　イオン注入部のアニールを次の手順で行な
う。

スクリーン酸化物の再成長：イオン注入サブコレクタ・
アニール・サイクルの第１の部分でウェハを７８０℃の
酸素雰囲気にさらす。これは前にエツチングしたスクリ
ーン酸化物キャップ部の１５゜さの完全性を保持するた
めで厄る。従って酸化物の成長はおよそ１００人に制限
さ九る。これが本発明のキイになるステップである。こ
の事は第４図に関連して後述する。

再分布：加熱サイクルの残りはｌ　３−００　℃の温度
でＡｒ雰囲気において９０分間実施される。イオン注入
損傷がアニールされ、ヒ素が１．３±０゜２μの深度ま
で再分布する。ＣＯ＃１〜２　Ｘ　１０””原子／ａｉ
ｌ（広がり抵抗測定）。これによって生じた構造体を第
１Ｅ図に示す。

スクリーン酸化物エツチング：　ｅｐｉ成長を除いてイ
オン注入サブコレクタを設けるために後のプロセスは変
更されない。このエツチング工程によってシリコン界面
におけるヒ素の蓄積（ｐｉｌｅ−ｕｐ）が相当減じ、よ
ってカプセル法と比較してｅｐｉ層成長の際のオートド
ーピングがより少ない。結果として、ｅｐｉ層はカプセ
ル法を用いた製品とのデバイス性能のトランスペアレン
ジ−（ ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｃｙ）を維持する様に適当に補償
される。

希釈ＨＦにおいて５分間のエツチングを行なう。

これは次の様な目的で行なう。

−分離パターンのエツチングにおけるエツチング傾斜（
ｂｉａｓ）を最小にするためにフィールド酸化物を薄く
する。

−再酸化すべき領域の上のスクリーン酸化物を完全に除
去する。

サブコレクタ再酸化：カプセル法でもって作ったウェハ
におけるのと同じ様に５０００人の再酸化をイオン注入
ウェハにおいて実施する。

イオン注入した領域において熱酸化が幾分助長されるの
で、イオン注入領域の寸法と一致した深度の２．３百オ
ングストロームの凹所（ｒｅｃｅｓｓ）が存在する。こ
の凹所は公知であって、後のマスキング・ステップの際
の埋設されたサブコレクタに対する整合のインジケータ
として広く用いらＡしる。その理由は透明な０２５層を
通して見る事ができるからである。

次にイオン注入ザブコレクタを用いるパイプ欠陥の改善
を説明する。

１′パイプ”と“も九制限収率（ＬｅａｋａｇｅＬｉｍ
ｉｔｅｄ　Ｙｉａｌｄ−Ｌ　Ｌ＋　Ｙ　）　”との関係
：製品収率は、半導体の欠陥を最少にすると同時に、デ
バイスのパラメトリック分布を最適収率゛に中心付ける
プロセスの能力によって最終的に決定される。大抵な場
合、電気的な半導体のパイボーラ欠陥は過剰な接合ちれ
として生じる。この様なもれ電流によってデバイス及び
回路の正常な動作か得られず、製造収率が制限される。

その結果、バイポーラ・プロセスの技術者はプロセスの
もれ制限収率寄与度のモニタと改善に拘束される。トラ
ンジスタの全体的なもれ制限収率はデバイス内のリーク
路（エミツターヘース、コレクターベース及びコレクタ
ーエミッタ間）の尺度である。コレクターエミッタ間の
リーク路はＬＬＹに対して最も重大な要禦である。高度
のコレクターエミッタ間のもオシを生しやすい半導体欠
陥は″パイプ″ど称ぜられる。パイプの制限及び削除は
全てのバイポーラ製造業者における大きな技術的課題で
あった。

パイプはＢＶｃｃｏテストによってパラメツトリックに
検出する。最低の電圧基準に対するテストの結果を１３
Ｖｃｅｏもしくはパイプ収率（ｐｉｐｅｙｉｅｌｄｓ）
を用いて示す。パイプはｎ−ｐ−ｎトランジスタにおい
て、エミッタ領域及びコレクタ領域の間の細い高抵抗の
Ｎ型導通路として生じる。

パイプはエミッタ領域もしくはサブコレクタ領域のいず
れからも発生する。例えばウェハ応力、有害汚染物、欠
品学的欠陥等の多くの要因によってパイプが生じ、影響
を受ける。パイプはランタムに分布する。

以下のデータはエミッタ及びサブコレクタの両方をイオ
ン注入したトランジスタを用いた実験から得たものであ
る。

基本的なパラメータとしてのドーズ量について説明する
。

イオン注入サブコレクタ・プロセスを用いる最初の実験
の目的はＲｓに関してプロセスをカプセル法と同一にす
る正確なＡｓドーズ爪を定義することであった。その結
果、カプセル法におｌづるＲｓと等価であると計算され
た公称値近辺に種々の１〜−ズ量レベルを設定して実験
を反復した。予４１すしていなかった事であるが、ドー
ズ・レベルに対してＬＬＹが非常に敏感であることが発
見された。

ドーズ・レベルが低くなると非常に高い収率が呈せられ
たのである。これを第２図に示す。第２図は、ヒ素イオ
ン注六ドーズ量に対して大型のいわゆる５ｉ−ｐｒｏｂ
ａｂｌｅ　Ｔｒａｎｓｉｓｔ、ｏｒ構造体において測定
したパイプ収率（％）をプロセットした図である（×印
はイオン注入サブコレクタの場合、Ｏ印はカプセル・サ
ブコレクタの場合を示す）。生成物のテスト位置を用い
て行なったカプセル法及びイオン注入法のドーズ量を比
較する実験において、第３図のクラブに示すように、ド
ーズ量がより少ないとパイプ欠陥密度が小さくなる事実
が見出され、カプセル法における欠陥レベル（破線で示
す）よりも相当な改善が得られた。高いドーズ量のウェ
ハ及び低いドーズ基のウェハの間の顕著な物理的差異を
判定することはできなかった。最高ドーズ量のサンプル
においてはエツチングによる孔（ピン１〜）密度が幾分
高かったが、収率の差及び欠陥の差を説明するには不十
分であった。しかしなから、イオン注入サブコレクタ・
プロセスの効果は明らかであった。イオン注入されたサ
ブコレクタの収率のポテンシャルを高くするには、可能
なかきりにおいて最低のドーズ・レベルか選択される。

しかしながら、収率から見てカプセル法による生成品に
対して性能上の１−ランスペアレンジ−を保証するため
にはドーズ基を２ＸＩＯ”イオン／ｄまでしか減じるこ
とができなかった。

イオン注入サブコレクタ・プロセスにおけるＳＩＭＳプ
ロフィルが標準のカプセル法におけるプロフィルと比較
された。共に５０００人サブコレクタ再酸化の前及び後
について行なわれた。両方のプロフィルにおいて、カプ
セル法に比へてイオン注入法の場合Ａｓ表面蓄積におけ
る５０％減が見られた。拡がり抵抗測定を行なった結果
１−２ＸＩＯ”原子／ｄの表面ＣＯが呈せられた。この
結果をＳＩＭＳプロフィルと比較すること、によって、
カプセル・プロセスの場合相当多量の不活性なヒ素の存
在することが分った。このことは不活性なヒ素のかたま
り（クラスタ）が結晶学的な欠陥の形成に寄与しうろこ
とを示唆する。

最近の製造」二の経験からして、ハＳｉ積とデバイス欠
陥との間の関連性が支持される傾向にある。

ｅｐｉ層の前加熱処理にともなうプロセス制御の間題の
故に、相当数のプロセス工程において低温を用いる段階
が存在する。これによってカプセル生成品に関して致命
的なパイプの増加が見られた。

しかしなから、イオン注入法による生成品の場合は、こ
の不利点は生しない。カプセル・プロセスにおいては、
蓄積されたＡｓの通常の蒸発が低温工程によって阻止さ
匙、よってクラスタが生じる。

しかしなから、イオン注入を用いる生成品はＡｓか相当
少なく、表面蓄積を減じるためのＡｓの蒸発に依存しな
いので、イオン注入生成品は低温工Ｒ＋に敏感でない。

ヒ素のクラスタ形成の程度が、低ドーズ量のサブコＩｉ
’、ｔ’ｌ・イオン注入と品ドーズ量のサブ１＋１／ク
タ・イオン注入との間の収率の差を説明するための根拠
となるがもし札ない。しかしながら、矛Ｊｉ’、ｉ点が
２つの理由がら生じる。第１に、低ドーズ−：１（のイ
オン注入ウェハと高ドーズ量のイオン注入ウェハとの間
にはエツチング分析における検出可能な差異がない事、
第２に、高ドーズ量のウェハは概してカプセル法による
制御の場合よりも高い収率を呈することである。もしも
カプセル法におけるより低い収率がシリコン−酸化物界
面における過剰なＡｓ菩蓄積・よるものであるならば、
明らかな代替手段はＡ　Ｓ　１度を低下させ、カプセル
法におけるサブコレクタ抵抗率をイオン注入法における
レベルまで高めることである。より低いソース重量（ｓ
ｏｕｒｃｅνｅｉｇｈｔ）のカプセル法のプロセスに関
してはわずかな改善が見られたが、収Σｐの増加はイオ
ン注入法によって得られるレベルに達しなかった。

イオン注入電流は４ｍＡまではＬＬＹ及び生成品の収率
には有害な影響を与えないことが一連の実験によって分
かった。

スクリーン酸化物再酸化の機能を説明する。米国特許第
３９４５８５６号明細岩には、アニール加熱サイクルの
前のＳｉＯ□再成長はイオン注入されたヒ素イオンの被
覆のためにのみ必要であって、よってアニール前のエツ
チングが行なわれない場合には必要でないと述べられで
あるが、本発明においては、この成長プロセスは欠陥の
消去及び許容しうるデバイス収率をうるために不可欠で
ある。

更にこの再成長はスクリーン酸化物の全てもしくは半分
についてイオン注入後のエツチングの有無にかかわらず
実施しなければならず、許容しうるデバイス収率を保証
するために最小厚さく約２２５人）まで実施しなければ
ならない。

第４図は欠陥レベルに対するアニール（７８０℃）の際
の０２サイクル時間の効果を示す。曲線１はアニール後
のスクリーン酸化物の厚さくＡ）の変化を示す。曲線■
及び■は２つの異なったイオン注入装置に関する欠陥レ
ベルを示す。１〇−１５分の範囲のアニール時間につい
てはいずれの’ｂｆ合も欠陥レベルがゼロである。これ
は元のスクリーン酸化物の厚さにおよそ近い厚さの場合
に相当する。

第５図はチップ回路密度（トランジスタ・エミッタの数
）の関斂としてのＢＶｃｅｏＶｃｅ率を示ず。両回線と
も３Ｘ５ミクロンのエミッタ接点を用いてブロン１〜し
たものである（Φ印はカプセル・プロセスの場合のプロ
ット、Δ印は全部イオン注入を用いたプロセスの場合の
プロン１〜である）。

イオン注入プロセスによってパイプ密度が大幅に減少し
てより高い収率でＶＬＳＩ回路を製造しうろことが明ら
かである。

サブコレクタにおけるドーズ量を減じる事によって更に
収率を高くすることができる。

更に最適化したドーズ量と酸化物再成長を組合せること
によって、収率の相当な」１昇が呈せられた。

［発明の効果コ 従来技術における閉鎖型のカプセル・プロセス及びイオ
ン注入プロセスと比べて本発明のプロセスの奏する効果
は次のとおりである。

標準的な閉鎖型カプセル・プロセスと比へて。

イオン注入サブコレクタ・プロセスを用いることによっ
てサブコレクタのシー１〜抵抗に関する３つのσ分布を
５０％も改善することができる。

ヒ素注入ドーズ量を変えることによって異なったシート
抵抗を容易にうろことができる（電子的制御）。これは
カプセル・プロセスの場合と比べてトーバン１へ制御の
画期的な改善であって、拡散されるへきヒ素のトーパン
１−の量が機械的なソース重量ｉ１１！ｉ定のみによっ
て決定される。

従来技術と比べて蓄積されるヒ素が相当少なく且つヒ素
のクラスタ形成が少ないことによって結晶学的な欠陥が
著しく減じることによって、本発明のイオン注入サブコ
レクタ・プロセスを用いる場合、最終テストにおける収
率が相当改善される。

【図面の簡単な説明】

第］Ａ図ないし第１Ｅ図は本発明の実施例の各工程を説
明する図、第２図は収率対Ａｓドーズ爪のグラフ、第３
図はパイプ欠陥密度対Ａｓドーズ量のグラフ、第４図は
欠陥レベルに対するＱ２サイクル時間の効果を示すグラ
フ、第５図は収率列エミッタ数のグラフである。 １・・・・フィールド酸化物、２・・・・スクリーン酸
化物、３・・・・サフコレクタ領域。 第１頁の続き ０発　明　者　グレコリイ・バイロ ン・フオーニイ 汲ｂ　明　者　ショーツ０フレビン、 ジュニア ６’４発　明　者　ロナルド・アルパート・カップ アメリカ合衆国ニューヨーク州ホープウェル・ジャンク
ション、ピック・ウィック・ニステーラ、アール・ディ
７番地 アメリカ合衆国ニューヨーク州ホープウェル・ジャンク
ション、クローブ・ブランチ・ロード、クローブ・ブラ
ンチ・アブドア番地 アメリカ合衆県国ニューヨーク州ストームヴイル、リー
タウン・ロード、ボックス３３幡地

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 埋込Ｐ；’Ｊを含む半導体デバイスの製造方法において
   、 第］−）ｊ’Ａ電型の基板上に所定のパターンに従って
   酸化物マスク層に形成し、 −１−記ノ、（機の露出領域に上記酸化物マスク層より
   ｌ：ψい酸化物スクリーン層を形成し、−１−記」す（
   込Ｊｊｌを形成するために」二部スクリーン層を通して
   上記基板内に第２導電型領域形成不純物イど５イオンン
   １１人し、 １°記スクリーンＪｊηの？’ｊ染さ汎た上層部を部分
   的にエツチングし、 酸化？゛ｉｉ囲気いて一］−記基板を加熱する事により
   １．記スクリーンｈ′Ｉｌの厚さを少くとも」二部エツ
   チンタの前のＩ’ノさにし、 不？、智′１雰囲気に於いて」−記基板を加熱する事に
   より損（ゞ／、　ｆ（消滅させ、」１記不純物を再分布
   せしめる事を含む上記半導体デバイスの製造方法。