JPS626947B2 - - Google Patents
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- JPS626947B2 JPS626947B2 JP51128422A JP12842276A JPS626947B2 JP S626947 B2 JPS626947 B2 JP S626947B2 JP 51128422 A JP51128422 A JP 51128422A JP 12842276 A JP12842276 A JP 12842276A JP S626947 B2 JPS626947 B2 JP S626947B2
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C11/00—Component parts, details or accessories not specifically provided for in groups B05C1/00 - B05C9/00
- B05C11/02—Apparatus for spreading or distributing liquids or other fluent materials already applied to a surface ; Controlling means therefor; Control of the thickness of a coating by spreading or distributing liquids or other fluent materials already applied to the coated surface
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は工作片を保持するための装置に関し、
特に半導体ウエーハをその製作期間中遠心力の作
用で保持するための装置に関する。
特に半導体ウエーハをその製作期間中遠心力の作
用で保持するための装置に関する。
本発明の装置は色々な種類及び色々な形の物品
を保持するために用いることができるが、特に円
板状の半導体ウエーハを米国特許第3778626号に
記載のような放射ビームで処理する場合それを保
持するための応用に設計された。
を保持するために用いることができるが、特に円
板状の半導体ウエーハを米国特許第3778626号に
記載のような放射ビームで処理する場合それを保
持するための応用に設計された。
上記米国特許に記載のように、イオン打込みに
関して、工作片例えば半導体ウエーハは走査円板
に取付けられて放射ビームに対して動かされる。
その運動はターゲツト板の回転とそれの一定ビー
ム通路に対する横の運動を含みそれにより放射ビ
ームが工作片上に予定の通路で衝突して所望の打
込みイオン量と打込みパターンの調整を可能なら
しめるようにする。
関して、工作片例えば半導体ウエーハは走査円板
に取付けられて放射ビームに対して動かされる。
その運動はターゲツト板の回転とそれの一定ビー
ム通路に対する横の運動を含みそれにより放射ビ
ームが工作片上に予定の通路で衝突して所望の打
込みイオン量と打込みパターンの調整を可能なら
しめるようにする。
本発明は、回転板と、この回転板の中心を通り
回転板に対し垂直な第1の軸を回転軸として回転
板を回転させる駆動手段と、工作片を把持するホ
ールダと、を具備する工作片の回転支持装置であ
つて、ホールダを回転板と平行でかつ第1の軸と
交わらない第2の軸を枢軸として回転板に取り付
けると共にホールダの重心および枢軸を回転板の
中心から周辺に向かう径方向においてこの順に位
置させかつ枢軸をホールダの重心を通り回転板と
平行な面外に位置させたことを特徴とするもので
ある。ホールダは、工作片例えば半導体ウエーハ
を回転板の上で装着且つ取外すことを容易ならし
めしかも回転板の回転中自動的積極的クランプ作
用を可能ならしめるチヤツク装置を具備すること
ができる。このような本発明の回転支持装置は特
に上記米国特許第3778626号に記載された装置に
よる半導体ウエーハのイオン打込みに用いるのに
適している。
回転板に対し垂直な第1の軸を回転軸として回転
板を回転させる駆動手段と、工作片を把持するホ
ールダと、を具備する工作片の回転支持装置であ
つて、ホールダを回転板と平行でかつ第1の軸と
交わらない第2の軸を枢軸として回転板に取り付
けると共にホールダの重心および枢軸を回転板の
中心から周辺に向かう径方向においてこの順に位
置させかつ枢軸をホールダの重心を通り回転板と
平行な面外に位置させたことを特徴とするもので
ある。ホールダは、工作片例えば半導体ウエーハ
を回転板の上で装着且つ取外すことを容易ならし
めしかも回転板の回転中自動的積極的クランプ作
用を可能ならしめるチヤツク装置を具備すること
ができる。このような本発明の回転支持装置は特
に上記米国特許第3778626号に記載された装置に
よる半導体ウエーハのイオン打込みに用いるのに
適している。
このチヤツクは回転支持体の回転軸から離隔し
た位置に少なくとも1つ設けられ、回転支持体が
回転していないときは工作片の装着及び取外しが
自由にできる間隔を有し且つ回転支持体が回転し
ているときは工作片をフランプできる間隔を有す
るよう遠心力により間隔可変の第1及び第2の把
持手段を含む。
た位置に少なくとも1つ設けられ、回転支持体が
回転していないときは工作片の装着及び取外しが
自由にできる間隔を有し且つ回転支持体が回転し
ているときは工作片をフランプできる間隔を有す
るよう遠心力により間隔可変の第1及び第2の把
持手段を含む。
本発明に従えば、そのチヤツクは工作片を支持
体の平面に対して処理のため要求される角度に指
向するようにされる。特に、このような半導体ウ
エーハの傾斜した方向はそれの「結晶軸外れイオ
ン打込み」をするに適し、基板材料の不活性イオ
ン又はイオンビームによる予備ボンバードを必要
とする不定形層を通しての打込みのような余分の
処理段階を要することなしにチヤンネリングをな
くしないまでも減少することができる。
体の平面に対して処理のため要求される角度に指
向するようにされる。特に、このような半導体ウ
エーハの傾斜した方向はそれの「結晶軸外れイオ
ン打込み」をするに適し、基板材料の不活性イオ
ン又はイオンビームによる予備ボンバードを必要
とする不定形層を通しての打込みのような余分の
処理段階を要することなしにチヤンネリングをな
くしないまでも減少することができる。
本発明の好ましい実施例につき述べるに、第1
図及び第2図は工作片例えば半導体ウエーハを放
射ビームで、例えば前記米国特許第3778626号に
記載するような方法で処理するための装置を示
す。
図及び第2図は工作片例えば半導体ウエーハを放
射ビームで、例えば前記米国特許第3778626号に
記載するような方法で処理するための装置を示
す。
その構造はハウジング3内に取付けられその中
で案内柱4に沿つて往復直線運動のできるような
モータ2を具備し、この柱はモータ2に設けられ
た適当な摺動孔(図示せず)を通つて延びてい
る。モータ2の往復動はそれに固定され且つ送り
ネジ棒6の周りにネジ結合された走行ナツト5に
より得られ、このネジ棒はハウジング3の外部に
封じ関係で適当に取付けられた可逆モータ7によ
り回わされる。
で案内柱4に沿つて往復直線運動のできるような
モータ2を具備し、この柱はモータ2に設けられ
た適当な摺動孔(図示せず)を通つて延びてい
る。モータ2の往復動はそれに固定され且つ送り
ネジ棒6の周りにネジ結合された走行ナツト5に
より得られ、このネジ棒はハウジング3の外部に
封じ関係で適当に取付けられた可逆モータ7によ
り回わされる。
ハウジング3はまた取付用ブロツク8を有し、
それに突出する案内ロツド9が固定され、これら
のロツドはブラケツト11の摺動孔10に挿通さ
れる。ハウジング3はまたジヤーナルブロツク1
2を有し、その中にブラケツト11上に支持され
た駆動モータ13により回わされる可逆送りネジ
棒12aが取付けられ、それによりハウジング3
を処理室14と封じ係合に入れるように又はそれ
から出すように動かすことができる。
それに突出する案内ロツド9が固定され、これら
のロツドはブラケツト11の摺動孔10に挿通さ
れる。ハウジング3はまたジヤーナルブロツク1
2を有し、その中にブラケツト11上に支持され
た駆動モータ13により回わされる可逆送りネジ
棒12aが取付けられ、それによりハウジング3
を処理室14と封じ係合に入れるように又はそれ
から出すように動かすことができる。
変型として、同じ作用は両方向進退自在の空気
シリンダによつても得られる。
シリンダによつても得られる。
ブラケツト11は直立枠体15に枢着して取付
けられ、その周りにハウジング3を図示しない適
当な手段により90゜回動せしめ、第1図示の直立
する装入と取外しの位置から第2図に示すような
処理室14と封じ係合するため回わされた工作位
置へ持ち来たすことができる。
けられ、その周りにハウジング3を図示しない適
当な手段により90゜回動せしめ、第1図示の直立
する装入と取外しの位置から第2図に示すような
処理室14と封じ係合するため回わされた工作位
置へ持ち来たすことができる。
モータ2の軸16に可回転走査円板又は支持板
17が取付けられ、これは上面に半導体ウエーハ
18を固定するための複数のチヤツク装置を収容
する。これらのチヤツク装置は平衡した分布関係
で走査円板17の各々対応する凹所19内に配置
される。
17が取付けられ、これは上面に半導体ウエーハ
18を固定するための複数のチヤツク装置を収容
する。これらのチヤツク装置は平衡した分布関係
で走査円板17の各々対応する凹所19内に配置
される。
一般に、これらのチヤツク装置はモータ軸16
の軸線に対してこれに垂直の平面内において半径
方向に離隔する関係に分散されることになる。
の軸線に対してこれに垂直の平面内において半径
方向に離隔する関係に分散されることになる。
これらのチヤツク装置(第3図及び第4図)は
二個の固定された(横に隔たつて)ウエーハクラ
ンプ20を具備し、これらは凹所19内で走査円
板17に対して21において単点取付けされ、こ
のことは半導体ウエーハ18の周面輪郭に対して
回動調整ができるようにする。これらのチヤツク
装置はまた第三の浮動ウエーハクランプ22を具
備し、これはモータ軸16の軸線に対して半径方
向に作動可能であり、そのため固定クランプ20
と協動してそれらの間にウエーハ18を固定する
ことができる。作動において、ウエーハ18はク
ランプ部材20と22の各受け面23上に置か
れ、その閉じた位置においてそれらの間にクラン
プ上部張出し24(第4A図)の下に置かれて固
定される。
二個の固定された(横に隔たつて)ウエーハクラ
ンプ20を具備し、これらは凹所19内で走査円
板17に対して21において単点取付けされ、こ
のことは半導体ウエーハ18の周面輪郭に対して
回動調整ができるようにする。これらのチヤツク
装置はまた第三の浮動ウエーハクランプ22を具
備し、これはモータ軸16の軸線に対して半径方
向に作動可能であり、そのため固定クランプ20
と協動してそれらの間にウエーハ18を固定する
ことができる。作動において、ウエーハ18はク
ランプ部材20と22の各受け面23上に置か
れ、その閉じた位置においてそれらの間にクラン
プ上部張出し24(第4A図)の下に置かれて固
定される。
浮動クランプ22は鍾り26に25で同じく単
点取付けられ(ウエーハ輪郭調整のために)、こ
の鍾りは走査円板の凹所19(第5図)の壁29
に設けられた半径方向に延びる孔27,28内に
摺動自在に取付けられる。第3図に示す実施例に
おいて、鍾り26は対応孔28と摺動関係に係合
するロツドで構成され、そのロツドの一端は半球
状に形成されており、他方その他端は対応孔27
内に同様の係合関係にあり、この孔は走査円板1
7の周面にまで延び、その中に引止めネジ31が
設けられる。孔27内にネジ31と鍾り即ちロツ
ド26の端面との間に圧縮バネ32が取付けら
れ、これは浮動クランプ22を開放位置において
モータ軸16の軸線の方へバイアスしている。引
止めネジ31はまたバイアスバネ32の装入前の
クランプ力を調整するためにも用いられる。
点取付けられ(ウエーハ輪郭調整のために)、こ
の鍾りは走査円板の凹所19(第5図)の壁29
に設けられた半径方向に延びる孔27,28内に
摺動自在に取付けられる。第3図に示す実施例に
おいて、鍾り26は対応孔28と摺動関係に係合
するロツドで構成され、そのロツドの一端は半球
状に形成されており、他方その他端は対応孔27
内に同様の係合関係にあり、この孔は走査円板1
7の周面にまで延び、その中に引止めネジ31が
設けられる。孔27内にネジ31と鍾り即ちロツ
ド26の端面との間に圧縮バネ32が取付けら
れ、これは浮動クランプ22を開放位置において
モータ軸16の軸線の方へバイアスしている。引
止めネジ31はまたバイアスバネ32の装入前の
クランプ力を調整するためにも用いられる。
また鍾り、即ちロツド26には方向決め兼放出
ピン33が設けられ、これはウエーハ載置の際ウ
エーハ18の切欠き34と係合し且つ取外しの際
ウエーハ18をクランプ20の上部張出しから外
ずすためのものである。
ピン33が設けられ、これはウエーハ載置の際ウ
エーハ18の切欠き34と係合し且つ取外しの際
ウエーハ18をクランプ20の上部張出しから外
ずすためのものである。
ウエーハ18の載置の際、ハウジング3は第1
図に示すように直立位置に置かれ、走査円板17
は静止し、rpm.ω=0である。この状態で、ク
ランプ素子22はバネ32によりバイアスされ
て、チヤツク装置への載置即ち装着が妨害されな
い開放位置にあり、そこで全ての被処理例えば第
3図に示すように6個のウエーハが装入され、位
置決めピン33はウエーハ切欠き34と係合す
る。ハウジング3が第1図に示すように直立位置
に置かれることにより、ウエーハ18のチヤツク
装置への装着は水平面内で出来るようになるから
その作業性がよい。
図に示すように直立位置に置かれ、走査円板17
は静止し、rpm.ω=0である。この状態で、ク
ランプ素子22はバネ32によりバイアスされ
て、チヤツク装置への載置即ち装着が妨害されな
い開放位置にあり、そこで全ての被処理例えば第
3図に示すように6個のウエーハが装入され、位
置決めピン33はウエーハ切欠き34と係合す
る。ハウジング3が第1図に示すように直立位置
に置かれることにより、ウエーハ18のチヤツク
装置への装着は水平面内で出来るようになるから
その作業性がよい。
装着が完了した後、走査円板17はモータ2に
より加速されてその最終速度(例えばω=500〜
1000rpm.)に達し、その間円板17は水平位置
にある。
より加速されてその最終速度(例えばω=500〜
1000rpm.)に達し、その間円板17は水平位置
にある。
回転中、鍾り26に作用する遠心力はバネ32
のバイアスに打勝ち、浮動のクランプ部材22を
ウエーハ18と接触する位置へ持来たし、それを
クランプ部材20へ当てて上部張出し24の下に
固定する。走査円板17がそのクランプされたウ
エーハ18と共に回転する状態で、ハウジング3
は回わされて走査円板17を第2図に示すように
垂直平面内に持来たし、これは処理室14の開口
35と合わされ、ウエーハ18が円柱37(パツ
キン押え38により処理室14へ固定される)内
のイオンビーム36(図示しない適当な発生源か
らの)の集束軸を通過して回転走査されるような
位置に置かれる。この回わされた位置において、
ハウジング3は送りネジ棒12Aとモータ13に
より(又は図示しない二重作用シリンダにより)
動かされて処理室14の開口35の周りに封じ関
係に(例えばOリングなどにより)持来たされ
る。この状態で、本装置は導管39を介して真空
ポンプ(図示せず)により粗引きされ、導管40
を介して高真空ポンプ(図示しない)により最終
圧にまで持来たされる。
のバイアスに打勝ち、浮動のクランプ部材22を
ウエーハ18と接触する位置へ持来たし、それを
クランプ部材20へ当てて上部張出し24の下に
固定する。走査円板17がそのクランプされたウ
エーハ18と共に回転する状態で、ハウジング3
は回わされて走査円板17を第2図に示すように
垂直平面内に持来たし、これは処理室14の開口
35と合わされ、ウエーハ18が円柱37(パツ
キン押え38により処理室14へ固定される)内
のイオンビーム36(図示しない適当な発生源か
らの)の集束軸を通過して回転走査されるような
位置に置かれる。この回わされた位置において、
ハウジング3は送りネジ棒12Aとモータ13に
より(又は図示しない二重作用シリンダにより)
動かされて処理室14の開口35の周りに封じ関
係に(例えばOリングなどにより)持来たされ
る。この状態で、本装置は導管39を介して真空
ポンプ(図示せず)により粗引きされ、導管40
を介して高真空ポンプ(図示しない)により最終
圧にまで持来たされる。
作動真空状態に達すると、イオンビーム36は
図示しない分析用、加速用、集束用各素子を経て
ウエーハ18上に向けられる。ウエーハ18は同
時に、前記米国特許第3778626号に記載のよう
に、モータ7と送りネジ棒6によりビーム36を
横切つて半径方向に動かされ、それにより予定の
パターンに従つてウエーハ18への所望のイオン
打込みを行なうようにしてもよい。
図示しない分析用、加速用、集束用各素子を経て
ウエーハ18上に向けられる。ウエーハ18は同
時に、前記米国特許第3778626号に記載のよう
に、モータ7と送りネジ棒6によりビーム36を
横切つて半径方向に動かされ、それにより予定の
パターンに従つてウエーハ18への所望のイオン
打込みを行なうようにしてもよい。
イオン打込みの後、本装置は周囲圧にまで上げ
られ、ハウジング3は処理室から後退せしめられ
て直立位置へ回わされ、ここで円板17は水平の
装入及び取外し位置にあり、静止にまで減速され
る。走査円板17が減速するとき、鍾り26に作
用する遠心力は減少して、バネ32のバイアス力
が鍾り26と浮動クランプ22を引戻しウエーハ
18をピン33により全てのクランプ20,22
から自由な位置へ放出することができる点に達
し、ここでウエーハはベルヌイピツクアツプ、真
空チヤツクなどにより適当に取外しができる。
られ、ハウジング3は処理室から後退せしめられ
て直立位置へ回わされ、ここで円板17は水平の
装入及び取外し位置にあり、静止にまで減速され
る。走査円板17が減速するとき、鍾り26に作
用する遠心力は減少して、バネ32のバイアス力
が鍾り26と浮動クランプ22を引戻しウエーハ
18をピン33により全てのクランプ20,22
から自由な位置へ放出することができる点に達
し、ここでウエーハはベルヌイピツクアツプ、真
空チヤツクなどにより適当に取外しができる。
第6図は本発明の他の実施例を示し、同図にお
いてチヤツク装置は走査円板17の適当な各凹所
に取付けるために分離した形で作られている。図
示の形態において、チヤツク装置はその凹所19
Aに取付けられた円形支持体41の凹所42に取
付けられた板の形をしている鍾り26Aを具備す
る。この装置は鍾り26Aにモータ軸16の軸線
に関して半径方向の運動を与える。支持体41の
半径方向に延びる凹所42は鍾り26Aをモータ
軸16の軸線の方に内側へバイアスするバネ32
Aを収納する。鍾り26Aはそのバイアスバネ3
2Aによる延び出しを、鍾り26Aの下面に支持
体41の適当な開口44へ垂下しているストツプ
ピン43を介して、制限することにより支持体4
1に引止められる。鍾り26Aとバイアスバネ3
2Aは支持体41にネジ46により固定される蓋
板45によりそれらの凹所に引止められる。二個
の半径方向に固定されたクランプ素子20Aはウ
エーハ18の周囲の輪郭調整に適応するためにピ
ボツトピン21Aにより単点取付けされる。クラ
ンプ素子20Aの回動は適当なストツプピン47
により制限される。第三の浮動クランプ素子22
Aは鍾り26Aへピボツトピン25Aの周りに同
じく単点取付けされ、その振れはストツプピン4
8により制限される。クランプ素子20Aと22
Aは前実施例と同じように構成され、即ち第4A
図に示すような支持面23及び引止め用上部張出
し又は唇24を有する。
いてチヤツク装置は走査円板17の適当な各凹所
に取付けるために分離した形で作られている。図
示の形態において、チヤツク装置はその凹所19
Aに取付けられた円形支持体41の凹所42に取
付けられた板の形をしている鍾り26Aを具備す
る。この装置は鍾り26Aにモータ軸16の軸線
に関して半径方向の運動を与える。支持体41の
半径方向に延びる凹所42は鍾り26Aをモータ
軸16の軸線の方に内側へバイアスするバネ32
Aを収納する。鍾り26Aはそのバイアスバネ3
2Aによる延び出しを、鍾り26Aの下面に支持
体41の適当な開口44へ垂下しているストツプ
ピン43を介して、制限することにより支持体4
1に引止められる。鍾り26Aとバイアスバネ3
2Aは支持体41にネジ46により固定される蓋
板45によりそれらの凹所に引止められる。二個
の半径方向に固定されたクランプ素子20Aはウ
エーハ18の周囲の輪郭調整に適応するためにピ
ボツトピン21Aにより単点取付けされる。クラ
ンプ素子20Aの回動は適当なストツプピン47
により制限される。第三の浮動クランプ素子22
Aは鍾り26Aへピボツトピン25Aの周りに同
じく単点取付けされ、その振れはストツプピン4
8により制限される。クランプ素子20Aと22
Aは前実施例と同じように構成され、即ち第4A
図に示すような支持面23及び引止め用上部張出
し又は唇24を有する。
この実施例は走査円板17がモータ2により軸
16の軸線の周りに回転するとき上記と略同様に
作用する。
16の軸線の周りに回転するとき上記と略同様に
作用する。
本発明の他の態様によれば、この第二実施例の
チヤツク装置(第7図及び第8図)はイオン打込
みの期間中チヤンネル効果を制御する手段を具備
する。チヤンネル作用はウエーハ18に導入され
るイオンが互いに且つ半導体ウエーハ内の結晶学
方向と平行であるとき起る。本発明のこの態様
は、ウエーハを入射イオンビーム36に対してチ
ヤンネル方向から故意に外して、例えばシリコン
半導体ウエーハの場合、〔111〕又は〔110〕結晶
軸方向から7゜又は8゜傾斜し、更に17゜又は18
゜回転した位置に、指向させることによりチヤン
ネル作用の制御を可能にする。
チヤツク装置(第7図及び第8図)はイオン打込
みの期間中チヤンネル効果を制御する手段を具備
する。チヤンネル作用はウエーハ18に導入され
るイオンが互いに且つ半導体ウエーハ内の結晶学
方向と平行であるとき起る。本発明のこの態様
は、ウエーハを入射イオンビーム36に対してチ
ヤンネル方向から故意に外して、例えばシリコン
半導体ウエーハの場合、〔111〕又は〔110〕結晶
軸方向から7゜又は8゜傾斜し、更に17゜又は18
゜回転した位置に、指向させることによりチヤン
ネル作用の制御を可能にする。
本発明により提供される手段はチヤツク装置の
そのような適当な方向付けを得ることを可能にす
る。これは例えば凹所ネジ51によりチヤツク支
持体41の下面に固定された取付用ブロツク50
により行なわれる。チヤツク装置は、例えばネジ
54により走査円板凹所19Aの底壁55に固定
されたヨーク53内の二つのピボツト点52にブ
ロツク50を取付けることにより、走査円板17
に懸吊される。
そのような適当な方向付けを得ることを可能にす
る。これは例えば凹所ネジ51によりチヤツク支
持体41の下面に固定された取付用ブロツク50
により行なわれる。チヤツク装置は、例えばネジ
54により走査円板凹所19Aの底壁55に固定
されたヨーク53内の二つのピボツト点52にブ
ロツク50を取付けることにより、走査円板17
に懸吊される。
ピボツト点52はチヤツク装置の重心56より
距離Xだけ下で、走査円板41の周面へ向けて重
心56の外方に置かれる。装入及び取外し作業の
際、チヤツク装置は可調整レベルネジ57により
走査円板17の水平面に平行に維持される。常
時、ピボツト点52の軸線はモータ軸16の軸線
から隔たりそれと直角の線上にある。
距離Xだけ下で、走査円板41の周面へ向けて重
心56の外方に置かれる。装入及び取外し作業の
際、チヤツク装置は可調整レベルネジ57により
走査円板17の水平面に平行に維持される。常
時、ピボツト点52の軸線はモータ軸16の軸線
から隔たりそれと直角の線上にある。
ウエーハをチヤツク装置に載置する操作が完了
して後、走査円板17は水平載置位置のままで加
速されてその最終走査速度(例えばω=500〜
1000rpm)に達する。加速の際、遠心力はクラン
プ素子22Aをウエーハ18へ当てて半径方向に
外方へ動かし、それをクランプ素子20Aへ当て
て固定する。同時に、ピボツト点52は図示のよ
うにチヤツク装置の重心56からずれているか
ら、回転の遠心力はチヤツク装置を走査円板17
の平面に対して、調整ネジ58により決定される
予定の角度まで傾斜させる。
して後、走査円板17は水平載置位置のままで加
速されてその最終走査速度(例えばω=500〜
1000rpm)に達する。加速の際、遠心力はクラン
プ素子22Aをウエーハ18へ当てて半径方向に
外方へ動かし、それをクランプ素子20Aへ当て
て固定する。同時に、ピボツト点52は図示のよ
うにチヤツク装置の重心56からずれているか
ら、回転の遠心力はチヤツク装置を走査円板17
の平面に対して、調整ネジ58により決定される
予定の角度まで傾斜させる。
所望の回転速度に達すると、走査円板17は次
にハウジング3と共に回わされて、イオン打込み
のための処理室14内へ協動係合する垂直平面に
達する。ウエーハ18はイオンビーム36の入射
に対して予定の角度(例えば7゜)だけ垂直から
外れるように回わされているので、打込み作業中
チヤンネル効果は抑圧される。
にハウジング3と共に回わされて、イオン打込み
のための処理室14内へ協動係合する垂直平面に
達する。ウエーハ18はイオンビーム36の入射
に対して予定の角度(例えば7゜)だけ垂直から
外れるように回わされているので、打込み作業中
チヤンネル効果は抑圧される。
第1図及び第2図は本発明の一実施例を示す立
面図である。第3図は第1図の線3―3に沿つて
取つた平面図である。第4図は本発明による一つ
のウエーハチヤツクの詳細を示す斜視図である。
第4A図は第4図の線4A―4Aに沿つて取つた
断面図である。第5図は第3図の線5―5に沿つ
て取つた断面図である。第6図は本発明の他の実
施例を示す斜視図である。第7図は第6図の線7
―7に沿つて取つた断面図である。第8図は第7
図の実施例につき回転中遠心力の下にある空間的
方向付けを示す。 2,7,13…モータ、3…ハウジング、14
…処理室、17…走査円板、18…工作片(ウエ
ーハ)、20…ウエーハクランプ、21,25…
単点取付点、22…浮動ウエーハクランプ、23
…受け面、24…上部張出し、26,26A…鍾
り、31…引止めネジ、32…圧縮バネ、33…
向き決め兼放出ピン、34…切欠き、36…イオ
ンビーム、41…円形支持体、42…矩形凹所、
43,47,48…ストツプピン、50…取付用
ブロツク、52…ピボツト点、53…ヨーク、5
6…重心。
面図である。第3図は第1図の線3―3に沿つて
取つた平面図である。第4図は本発明による一つ
のウエーハチヤツクの詳細を示す斜視図である。
第4A図は第4図の線4A―4Aに沿つて取つた
断面図である。第5図は第3図の線5―5に沿つ
て取つた断面図である。第6図は本発明の他の実
施例を示す斜視図である。第7図は第6図の線7
―7に沿つて取つた断面図である。第8図は第7
図の実施例につき回転中遠心力の下にある空間的
方向付けを示す。 2,7,13…モータ、3…ハウジング、14
…処理室、17…走査円板、18…工作片(ウエ
ーハ)、20…ウエーハクランプ、21,25…
単点取付点、22…浮動ウエーハクランプ、23
…受け面、24…上部張出し、26,26A…鍾
り、31…引止めネジ、32…圧縮バネ、33…
向き決め兼放出ピン、34…切欠き、36…イオ
ンビーム、41…円形支持体、42…矩形凹所、
43,47,48…ストツプピン、50…取付用
ブロツク、52…ピボツト点、53…ヨーク、5
6…重心。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 回転板と、該回転板の中心を通り該回転板に
対し垂直な第1の軸を回転軸として前記回転板を
回転させる駆動手段と、工作片を把持するホール
ダと、を具備する工作片の回転支持装置であつ
て、 前記ホールダを前記回転板と平行でかつ前記第
1の軸と交わらない第2の軸を枢軸として前記回
転板に取付けると共に前記ホールダの重心および
前記枢軸を前記回転板の中心から周辺に向かう径
方向においてこの順に位置させかつ前記枢軸を前
記ホールダの重心を通り前記回転板と平行な面外
に位置させたことを特徴とする工作片の回転支持
装置。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US05/631,013 US3993018A (en) | 1975-11-12 | 1975-11-12 | Centrifugal support for workpieces |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5260482A JPS5260482A (en) | 1977-05-18 |
JPS626947B2 true JPS626947B2 (ja) | 1987-02-14 |
Family
ID=24529437
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP51128422A Granted JPS5260482A (en) | 1975-11-12 | 1976-10-27 | Rotary support device for work pieces |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3993018A (ja) |
JP (1) | JPS5260482A (ja) |
Families Citing this family (38)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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US4385083A (en) * | 1980-08-25 | 1983-05-24 | Applied Magnetics Corporation | Apparatus and method for forming a thin film of coating material on a substrate having a vacuum applied to the edge thereof |
US4433246A (en) * | 1981-05-12 | 1984-02-21 | Varian Associates, Inc. | Blackbody radiation source for producing constant planar energy flux |
US4391597A (en) * | 1981-06-29 | 1983-07-05 | Beckman Instruments, Inc. | Hanger for centrifuge buckets |
US4453080A (en) * | 1981-07-20 | 1984-06-05 | Varian Associates, Inc. | Temperature control of a workpiece under ion implantation |
US4468410A (en) * | 1982-08-18 | 1984-08-28 | Immunomed Corp. | Method and apparatus for producing a microscopic specimen slide |
US5389793A (en) * | 1983-08-15 | 1995-02-14 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and methods for ion implantation |
US4535721A (en) * | 1983-12-01 | 1985-08-20 | California Linear Circuits, Inc. | Apparatus for rotating a wafer |
US4604020A (en) * | 1984-03-26 | 1986-08-05 | Nanometrics Incorporated | Integrated circuit wafer handling system |
US4733091A (en) * | 1984-09-19 | 1988-03-22 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for ion implantation of semiconductor wafers |
DE3588132T2 (de) * | 1984-09-19 | 1997-04-03 | Applied Materials Inc | Vorrichtung zum Scannen von Wafern |
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KR100239761B1 (ko) * | 1997-05-06 | 2000-01-15 | 윤종용 | 포커스드 이온 빔(fib) 장비의 웨이퍼 홀더 구조 |
US5998294A (en) * | 1998-04-29 | 1999-12-07 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Method for forming improved electrical contacts on non-planar structures |
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US6516816B1 (en) * | 1999-04-08 | 2003-02-11 | Applied Materials, Inc. | Spin-rinse-dryer |
DE19957758C2 (de) * | 1999-12-01 | 2001-10-25 | Steag Rtp Systems Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zum Ausrichten von scheibenförmigen Substraten |
CN1565045A (zh) * | 2002-07-26 | 2005-01-12 | 应用材料公司 | 旋转-清洗-干燥器用的亲水部件 |
DE102005035904B4 (de) * | 2005-07-28 | 2012-01-12 | Leybold Optics Gmbh | Vorrichtung zum Behandeln von Substraten |
DE102006007446B3 (de) * | 2006-02-17 | 2007-08-02 | Stangl Semiconductor Equipment Ag | Vorrichtung und Verfahren zum gleichmäßigen Beschichten von Substraten |
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US9421617B2 (en) * | 2011-06-22 | 2016-08-23 | Tel Nexx, Inc. | Substrate holder |
US10316412B2 (en) | 2012-04-18 | 2019-06-11 | Veeco Instruments Inc. | Wafter carrier for chemical vapor deposition systems |
JP5794194B2 (ja) * | 2012-04-19 | 2015-10-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
US10167571B2 (en) | 2013-03-15 | 2019-01-01 | Veeco Instruments Inc. | Wafer carrier having provisions for improving heating uniformity in chemical vapor deposition systems |
US8991329B1 (en) | 2014-01-31 | 2015-03-31 | Applied Materials, Inc. | Wafer coating |
US9947572B2 (en) * | 2014-03-26 | 2018-04-17 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing apparatus |
DE102016115614A1 (de) * | 2016-08-23 | 2018-03-01 | Aixtron Se | Suszeptor für einen CVD-Reaktor |
CN106282951B (zh) * | 2016-08-30 | 2018-07-06 | 河南科技大学 | 一种磁控溅射镀膜机用的基片固定夹具及使用方法 |
RU172780U1 (ru) * | 2017-02-27 | 2017-07-24 | ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "Брянский государственный технический университет" | Устройство для закрепления изделий на планшайбе центрифуги |
CN107805793A (zh) * | 2017-09-28 | 2018-03-16 | 中国航发动力股份有限公司 | 一种具有双侧交叉夹持结构的涡轮叶片涂层制备装置 |
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---|---|---|---|---|
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US2916290A (en) * | 1956-10-05 | 1959-12-08 | Union Mfg Co | Chuck with pivoted jaw |
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US3352280A (en) * | 1964-05-01 | 1967-11-14 | Coulter Electronics | Centrifugal apparatus for slide staining |
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US3938815A (en) * | 1975-03-31 | 1976-02-17 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Chuck having jaw counterbalance mechanism |
-
1975
- 1975-11-12 US US05/631,013 patent/US3993018A/en not_active Expired - Lifetime
-
1976
- 1976-10-27 JP JP51128422A patent/JPS5260482A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5260482A (en) | 1977-05-18 |
US3993018A (en) | 1976-11-23 |
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