CN115305460A - 半导体处理腔室及pecvd镀膜设备 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 52
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 49
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title claims abstract description 17
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 75
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 66
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 39
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 15
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 11
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 claims description 10
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 6
- 238000013459 approach Methods 0.000 claims description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 109
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 12
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/20—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof such devices or parts thereof comprising amorphous semiconductor materials
- H01L31/202—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof such devices or parts thereof comprising amorphous semiconductor materials including only elements of Group IV of the Periodic Table
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
本申请涉及半导体设备技术领域，提供了一种半导体处理腔室及PECVD镀膜设备，其中，半导体处理腔室包括腔体和第一发热件，腔体具有进气口和出气口，第一发热件容置于腔体内，位于进气口与腔室内的基片放置区域之间的气体流动路径上。本申请能够提高加热效率。
Description
技术领域
本申请涉及半导体设备技术领域，特别是涉及一种半导体处理腔室及PECVD镀膜设备。
背景技术
在半导体技术领域，需要对基片进行各种处理，处理时基片的温度需要进行控制，将温度范围控制在工艺所需求的范围内，在产业中，相关控制的精确、高效能够提高稳定性以及减少工时，从而降低成本。
例如对硅片进行扩散时，需要将硅片加热到一定的温度，扩散完成后需要将热量散发出去，升温、保持一定温度以及降温的过程中需要温度的精确控制，加热、降温效率将会影响整个工序的时间。
例如在泛半导体技术领域，太阳能电池片制造中对这些过程控制的要求越来越高，随着太阳能发电的普及，光伏产品的需求量越来越大，由于产量的不断增加，对制造光伏产品的设备要求也越来越高。制造光伏产品的设备不仅要增加产能，而且硅片尺寸越来越大，对电池片效率要求也越来越高。
具体到异质结太阳能电池领域，异质结电池片工艺理论效率达到28％以上，是目前理论效率最高的工艺路线，并且该工艺路线工序简单，只有4道工序，比目前主流的PERC(Passivated Emitter and Rear Cell，射极钝化及背电极)和TOPCON(Tunnel OxidePassivated Contact，隧穿氧化层钝化接触)工艺路线减少5道以上工序，具有极好的发展前景。异质结电池工艺流程的4道工序分别为制绒清洗、非晶硅薄膜沉积、导电膜沉积、丝网印刷电极。其中非晶硅薄膜可以采用PECVD(Plasma Enhanced Chemical VaporDeposition，等离子体增强化学气相沉积法)来进行沉积，具体包括进料腔室、加热腔室、工艺腔室、隔离腔室和下料腔室等腔室，在一些具体的应用场景下，需要进行加热，腔室内通常需要设置加热部件，目前主要的加热方式为采用热辐射的方式加热基片，加热效率低，温度控制效率上来看，还需要进行提高。
发明内容
有鉴于此，本申请主要解决的技术问题是如何提高处理腔室的加热效率，提供一种半导体处理腔室及PECVD镀膜设备。
为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是提供一种半导体处理腔室，半导体处理腔室包括腔体和第一发热件。腔体具有进气口和出气口。第一发热件容置于腔体内，位于进气口与腔体内的基片放置区域之间的气体流动路径上。
本申请的一些实施例中，进气口的数量为多个，多个进气口分别对应第一发热件的不同位置设置。
本申请的一些实施例中，半导体处理腔室包括多个进气管路以及多个流量控制器。进气管路与进气口一一对应，各进气管路通过相对应的进气口向腔体内输入气体。流量控制器与进气管路一一对应，各流量控制器设置于相对应的进气管路上，用于控制相对应的进气管路内气体的流量大小。
本申请的一些实施例中，第一发热件为平板状，垂直于气体流动路径的中心路径设置，且具有多个沿气体流动路径贯穿的第一孔洞。
本申请的一些实施例中，第一发热件包括不锈钢板及内嵌于不锈钢板的电阻丝。
本申请的一些实施例中，多个第一孔洞在对应进气口位置处的排布密度小于在其余位置处的排布密度，和/或多个第一孔洞在对应进气口位置处的孔径小于在其余位置处的孔径。
本申请的一些实施例中，半导体处理腔室包括匀气板。匀气板容置于腔体内，位于气体流动路径上，且位于进气口和第一发热件之间，匀气板垂直于气体流动路径的中心路径设置，且具有多个沿气体流动路径贯穿的第二孔洞。其中，腔体的内壁面在对应进气口位置处具有与进气口连通的凹槽，匀气板盖设于凹槽。
本申请的一些实施例中，多个第二孔洞在对应进气口位置处的排布密度小于在其余位置处的排布密度，和/或多个第二孔洞在对应进气口位置处的孔径小于在其余位置处的孔径。
本申请的一些实施例中，以第一发热件朝向进气口一侧表面为投影面，第一孔洞和第二孔洞相互不重叠。
本申请的一些实施例中，半导体处理腔室包括隔热板，隔热板容置于腔体内，位于气体流动路径上，且位于匀气板和第一发热件之间，隔热板垂直于气体流动路径的中心路径设置，且具有多个沿气体流动路径贯穿的第三孔洞。
本申请的一些实施例中，以第一发热件朝向进气口一侧表面为投影面，第一孔洞、第二孔洞以及第三孔洞相互不重叠。
本申请的一些实施例中，隔热板的数量为多个，多个隔热板沿气体流动路径间隔设置。
本申请的一些实施例中，以第一发热件朝向进气口一侧表面为投影面，多个隔热板上的第三孔洞相互不重叠。
本申请的一些实施例中，半导体处理腔室包括加热器，加热器用于在气体进入腔体前加热气体。
本申请的一些实施例中，半导体处理腔室包括第二发热件和驱动件。第二发热件活动设置于腔体中，并能够接近或远离基片放置区域，以可选择地接触位于基片放置区域的承载件，以通过热传导的方式加热承载件，进而加热承载于承载件上的基片。驱动件用于驱动第二发热件接近或远离基片放置区域。
为解决上述技术问题，本申请还提供一种PECVD镀膜设备，包括进料腔室、加热腔室、工艺腔室、隔离腔室和下料腔室，进料腔室、加热腔室、工艺腔室、隔离腔室或下料腔室为上述任一半导体处理腔室。本申请的有益效果是：区别于现有技术，本申请中，第一发热件能够发热，能够通过热辐射的方式加热基片放置区域的基片，另外，气体通过进气口进入腔体后，先经过第一发热件，被第一发热件加热后，再流动到基片放置区域，加热基片。由此，提高了加热效率。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。其中：
图1是本申请PECVD镀膜设备一实施例的结构示意图；
图2是其它技术中承载件位于加热腔室的示意图；
图3是本申请半导体处理腔室一实施例的结构示意图；
图4是本申请半导体处理腔室一实施例的结构示意图；
图5是图4中的局部视图A的放大图；
图6是本申请承载件位于一实施例的半导体处理腔室中的结构示意图。
具体实施方式
为使本申请的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图，对本申请的具体实施方式做详细的说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅用于解释本申请，而非对本申请的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本申请相关的部分而非全部结构。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本申请保护的范围。
在本申请实施例的描述中，术语“和/或”，仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，单独存在B，同时存在A和B这三种情况。
请参阅图1，图1是本申请PECVD镀膜设备一实施例的结构示意图。
PECVD镀膜设备是通过等离子体增强化学气相沉积法在基片上镀膜的设备。基片可以为硅片。
在一些实施例中，PECVD镀膜设备包括依次设置的进料腔室101、加热腔室102、工艺腔室103、隔离腔室104、下料腔室105以及承载件6。承载件6承载基片在进料腔室101、加热腔室102、工艺腔室103、隔离腔室104和下料腔室105中的任意一者中保持以及在任意两者之间传输。具体地，承载件6用于承载基片，并带动基片依次经过进料腔室101、加热腔室102、工艺腔室103、隔离腔室104和下料腔室105。承载件6进入各腔室后，停留一段时间，以使得基片被处理。承载件6进入各腔室的方式不作限定，在一些实施例中，承载件6通过输送组件被输送进各腔室，在另一些实施例中，可以通过机械手抓取承载件6后放置于各腔室。
在一些实施例中，进料腔室101用于使得承载件6和基片进入PECVD镀膜设备，并将其初步加热。加热腔室102用于将承载件6和基片再次加热，使其升温至工艺所需温度。工艺腔室103用于将承载件6和基片加热以维持工艺所需温度，并对基片镀膜。隔离腔室104用于使得承载件6和基片初步冷却，冷却方式例如为自然冷却。下料腔室105用于使得承载件6和基片再次冷却，并传送出PECVD镀膜设备。
在一些实施例中，工艺腔室103在真空状态下对基片进行镀膜。进料腔室101用于使得承载件6和基片进入PECVD镀膜设备。加热腔室102位于进料腔室101和工艺腔室103之间，可选择地与进料腔室101或工艺腔室103连通，使得大气环境与真空环境之间存在缓冲区。下料腔室105用于使得承载件6和基片传送出PECVD镀膜设备。隔离腔室104位于下料腔室105和工艺腔室103之间，可选择地与下料腔室105或工艺腔室103连通，使得大气环境与真空环境之间存在缓冲区。
请参阅图2，图2是其它技术中承载件504位于加热腔室501的示意图。
其它技术中，加热腔室501内固定设置有第一发热板502和第二发热板503，第一发热板502和第二发热板503在竖向间隔设置。承载件504承载基片并携带基片进入加热腔室501后，第一发热板502和第二发热板503均与承载件504间隔设置，分别自基片的上下两侧通过热辐射的方式加热基片。
其它技术中，加热腔室501的加热效率低。
本申请的半导体处理腔室能够同时通过热辐射和热传导的方式加热承载件6上的基片，提高加热效率。热传导具体指：高温气体流动到基片处，接触并加热基片。
本申请的半导体处理腔室能够应用至上述的PECVD镀膜设备的进料腔室101、加热腔室102、工艺腔室103、隔离腔室104或下料腔室105。
下文以加热腔室102为例，介绍本申请的半导体处理腔室。
请参阅图3，图3是本申请半导体处理腔室一实施例的结构示意图。
半导体处理腔室包括腔体2和第一发热件36。
腔体2具有进气口32和出气口34。在一些实施例中，腔体2由腔体盖板201及下腔体202组成。图示实施例中，出气口34的数量为一个，设置于下腔体202的底部。气体可以为氢气、氩气。气体由进气口32流入腔体2，并由出气口34流出腔体2。进气口32和出气口34被配置成使得气体沿预定路径流动。在图3所示实施例中，气体流动路径的中心路径由上至下。
腔体2内具有基片放置区域50。该基片放置区域50为一虚拟区域、非实体。承载件6携带基片进入腔体2后，基片处于该基片放置区域50。
第一发热件36容置于腔体2内，位于进气口32与腔体2内的基片放置区域50之间的气体流动路径上。在图示实施例中，第一发热件36位于进气口32下方、基片放置区域50上方。第一发热件36能够发热。
基片处于基片放置区域50后，第一发热件36与基片间隔设置。由于第一发热件36能够发热，第一发热件36能够通过热辐射的方式加热基片。另外，气体通过进气口32进入腔体2后，先经过第一发热件36，被第一发热件36加热后，再流动到基片放置区域50，加热基片。在一些实施例中，第一发热件36的温度为200至350摄氏度，经过第一发热件36的气体能够被加热至150至300摄氏度。经过第一发热件36的气体又能够通过热传导的方式加热基片。由此，半导体处理腔室提高了加热效率。
在一些实施例中，进气口32的数量为多个，多个进气口32分别对应第一发热件36的不同位置设置。在图示实施例中，进气口32的数量为两个，两个进气口32间隔地设置于腔体盖板201。在其它实施例中，进气口32的数量可以为三个或三个以上。在一些实施例中，第一发热件36为矩形板状，多个进气口32对应地呈矩形阵列。在一些实施例中，第一发热件36为环形板状，多个进气口32对应地呈圆形阵列。如此设置，使得从多个进气口32流入的气体能够均匀地流到第一发热件36上，从而使得气体能够被均匀地加热，进而使得气体能够均匀地加热基片。
在一些实施例中，半导体处理腔室包括多个进气管路(图未示)以及多个流量控制器(MFC，Mass Flow Controller)(图未示)。进气管路与进气口32一一对应，各进气管路通过相对应的进气口32向腔体2内输入气体。流量控制器与进气管路一一对应，各流量控制器设置于相对应的进气管路上，用于控制相对应的进气管路内气体的流量大小。在一些实施例中，流量控制器为现有技术。在一些实施例中，用阀替代流量控制器。
例如，在生产过程中，发现基片的第一区域的温度相较于其它区域温度较低，可以调节对应第一区域的流量控制器，增大对应第一区域的气体的输入量。如此设置，可以根据具体需求，调节腔体2内不同区域输入的气体的流量，从而使得气体能够均匀地加热基片。
气体被第一发热件36加热的具体方案如下：
在一些实施例中，第一发热件36为平板状，垂直于气体流动路径的中心路径设置，且具有多个沿气体流动路径贯穿的第一孔洞38。具体地，在图示实施例中，第一发热件36水平摆放，第一孔洞38沿竖向贯穿第一发热件36。气体通过各第一孔洞38穿过第一发热件36，并在穿过第一发热件36的过程中，被第一发热件36加热。在一应用场景中，基片平铺在承载件6上，具有较大的表面积，相对应地，第一发热件36采用平板状，一方面，第一发热件36的热辐射的面积较大，另一方面，被第一发热件36加热后的气体较为分散，从而使得基片能够均匀受热。
在一些实施例中，第一发热件36包括不锈钢板及内嵌于不锈钢板的电阻丝。不锈钢板能够被加热至650摄氏度，而传统的铝板能够被加热至400摄氏度，相比于铝板，不锈钢板被加热后能够达到的最高温度能够提高大约250摄氏度，更高的加热温度提高加热效率和加热速度，降低加热时间，从而提高产能。
在一些实施例中，多个第一孔洞38在第一发热件36上均布，各第一孔洞38的孔径一致。在该实施例中，由于进气口32距离各个第一孔洞38的距离不一致，气体更容易在接近进气口32的位置处穿过第一发热件36，这样容易造成气流不均匀。为了使气流均匀地流向基片表面，还作如下改善。
在一些实施例中，多个第一孔洞38在对应进气口32位置处的排布密度小于在其余位置处的排布密度。例如，进气口32对应第一发热件36的中央区域设置，那么，第一发热件36的中央区域的第一孔洞38的排布密度小于其余区域。如此设置，增加了气体在接近进气口32的位置处穿过第一发热件36的难度。通过合理设置第一孔洞38的排布密度，可以使得气体均匀地穿过第一发热件36，进而使得基片被均匀地加热。
在一些实施例中，多个第一孔洞38在对应进气口32位置处的孔径小于在其余位置处的孔径。例如，进气口32对应第一发热件36的中央区域设置，那么，第一发热件36的中央区域的第一孔洞38的孔径小于其余区域。如此设置，增加了气体在接近进气口32的位置处穿过第一发热件36的难度。通过合理设置第一孔洞38的孔径，可以使得气体均匀地穿过第一发热件36，进而使得基片被均匀地加热。
在一些实施例中，多个第一孔洞38在对应进气口32位置处的排布密度以及孔径均小于在其余位置处。
在另外一些实施例中，第一发热件36也可以为翅片状，多个第一发热件36并排设置，气体从相邻两个第一发热件36之间的缝隙穿过。由此，能够增加第一发热件36与气体的接触面积，提高第一发热件36加热气体的效率。
本申请不对第一发热件36的具体结构作限制，第一发热件36能够加热气体即可。
请参阅图4和图5，图4是本申请半导体处理腔室一实施例的结构示意图，图5是图4中的局部视图A的放大图。
在一些实施例中，半导体处理腔室包括腔体2、第一发热件36以及匀气板40。
腔体2的内壁面在对应进气口32位置处具有与进气口32连通的凹槽44。具体地，在图示实施例中，凹槽44的开口向下，进气口32位于凹槽44的底部的中央，将凹槽44与外侧连通。
匀气板40容置于腔体2内，匀气板40盖设于凹槽44。匀气板40位于气体流动路径上，且位于进气口32和第一发热件36之间，匀气板40垂直于气体流动路径的中心路径设置，且具有多个沿气体流动路径贯穿的第二孔洞42。具体地，在图示实施例中，匀气板40水平摆放，第二孔洞42沿竖向贯穿匀气板40。匀气板40与腔体2的侧壁之间形成匀气空腔(凹槽44)。气体从进气口32流入匀气空腔，再通过多个第二孔洞42流入腔体2内。通过凹槽44、匀气板40，使得气流分散开来(横截面增大)，从而能够更均匀地流经多个第一孔洞38。
在一些实施例中，多个第二孔洞42可以均布于匀气板40。
通常，气体更容易在匀气板40在对应进气口32位置处穿过匀气板40，这样容易造成气体温度不均匀。为此，还作如下改善。
在一些实施例中，多个第二孔洞42在对应进气口32位置处的排布密度小于在其余位置处的排布密度。
在一些实施例中，多个第二孔洞42在对应进气口32位置处的孔径小于在其余位置处的孔径。
在一些实施例中，多个第二孔洞42在对应进气口32位置处的排布密度以及孔径均小于在其余位置处。
在一些实施例中，以第一发热件36朝向进气口32一侧表面为投影面，第一孔洞38和第二孔洞42相互不重叠。也就是说，第一孔洞38、第二孔洞42相互错位。气体由第二孔洞42流出后，会同时在横向、竖向流动一段距离，才能进入第一孔洞38。由此，使得气流分散开来(横截面增大)，从而能够更均匀地流经多个第一孔洞38。
通常，半导体处理腔室内部设置有隔热板，隔热板邻近腔体2的侧壁设置，用于将腔体2内部的热量反射回去，降低腔体2侧壁的温度、防止热量散失、降低能耗，同时提高腔体2内温度均匀性。
在本申请中，常规隔热板容易阻挡气体的流动，为此，本申请还作如下改进。
在一些实施例中，半导体处理腔室还包括隔热板46，隔热板46容置于腔体2内，位于气体流动路径上，且位于匀气板40和第一发热件36之间，隔热板46垂直于气体流动路径的中心路径设置，且具有多个沿气体流动路径贯穿的第三孔洞48。具体地，在图示实施例中，隔热板46水平摆放，位于匀气板40的下方、第一发热件36的上方。第三孔洞48沿竖向贯穿隔热板46。
在本实施例中，气体依次流经进气口32、多个第二孔洞42、多个第三孔洞48、多个第一孔洞38以及基片放置区域50。隔热板46具有一定的温度，气体经过隔热板46的过程中，能够被隔热板46加热。在一些实施例中，第一发热件36的温度为200至350摄氏度，隔热板46的温度为150至200摄氏度。气体先被隔热板46加热后，再被第一发热件36加热，由此，能够进一步提高加热气体的效率。
在一些实施例中，多个第三孔洞48均布于隔热板46。
在一些实施例中，以第一发热件36朝向进气口32一侧表面为投影面，第一孔洞38、第二孔洞42以及第三孔洞48相互不重叠。也就是说，第一孔洞38、第二孔洞42以及第三孔洞48相互错位。气体由第二孔洞42流出后，会同时在横向、竖向流动一段距离，才能进入第三孔洞48。气体在横向流动过程中，能够被隔热板46朝向匀气板40一侧表面加热。气体由第三孔洞48流出后，会同时在横向、竖向流动一段距离，才能进入第一孔洞38。气体在横向流动过程中，能够被隔热板46和第一发热件36的一对相对表面加热。如此设置，能够提高加热气体的效率。
在一些实施例中，隔热板46的数量为多个，多个隔热板46沿气体流动路径间隔设置。具体地，图示实施例中，在腔体2的顶部，隔热板46的数量为两个，两个隔热板46在竖向间隔设置。
在隔热板46的数量为多个的时候，以第一发热件36朝向进气口32一侧表面为投影面，多个隔热板46上的第三孔洞48相互不重叠。气体由一个隔热板46的第三孔洞48流出后，会同时在横向、竖向流动一段距离，才能进入另一个隔热板46的第三孔洞48。气体在横向流动过程中，能够被两个隔热板46的一对相对表面加热。
图示实施例中，仅在腔体2的顶部的隔热板设置有第三孔洞48，在腔体2的其余区域的隔热板未设置有第三孔洞48，以提高保温效果。
在一些实施例中，半导体处理腔室还包括加热器(图未示)，加热器用于在气体进入腔体2前加热气体。加热器可以设置于腔体2外，气体被加热器加热后，再由进气口32流入腔体2。由此，能够进一步地提高加热气体的效率。
请参阅图6，图6是本申请承载件6位于一实施例的半导体处理腔室中的结构示意图。
在上述任一实施例的基础上，半导体处理腔室还包括第二发热件4和驱动件(图未示)。
第二发热件4活动设置于腔体2中，并能够接近或远离基片放置区域50，以可选择地接触位于基片放置区域50的承载件6，以通过热传导的方式加热承载件6，进而加热承载于承载件6上的基片。具体地，第二发热件4内部可以设置有电阻丝，电阻丝通电后发热。第二发热件4沿竖向滑动配合于腔体2，能够升、降。
驱动件用于驱动第二发热件4接近或远离基片放置区域50。驱动件可以为气缸。
在承载件6进入腔体2前，第二发热件4处于第一预定位置，以避免阻碍承载件6进入腔体2。当承载件6进入腔体2后，第二发热件4移动至第二预定位置(第二发热件4接近并接触承载件6)，第二发热件4加热承载件6。加热预定时间后，第二发热件4返回第一预定位置(远离承载件6)，以避免阻碍承载件6离开腔体2。第二发热件4能够同时以热辐射和热传导的方式加热承载件6，进而加热承载件6上的基片。
在一些实施例中，第二发热件4的主体材质为不锈钢，内部嵌设有电阻丝。采用不锈钢材质，温度可以提高至650摄氏度。而传统的铝材质，温度只能达到400摄氏度。由此，能够进一步地提高加热效率。
以上所述仅为本申请的实施方式，并非因此限制本申请的专利范围，凡是利用本申请说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本申请的专利保护范围内。
Claims (16)
1.一种半导体处理腔室，其特征在于，包括：
腔体，所述腔体具有进气口和出气口；
第一发热件，所述第一发热件容置于所述腔体内，位于所述进气口与所述腔体内的基片放置区域之间的气体流动路径上。
2.根据权利要求1所述半导体处理腔室，其特征在于，
所述进气口的数量为多个，多个所述进气口分别对应所述第一发热件的不同位置设置。
3.根据权利要求2所述半导体处理腔室，其特征在于，包括：
多个进气管路，所述进气管路与所述进气口一一对应，各所述进气管路通过相对应的所述进气口向所述腔体内输入气体；
多个流量控制器，所述流量控制器与所述进气管路一一对应，各所述流量控制器设置于相对应的所述进气管路上，用于控制相对应的所述进气管路内气体的流量大小。
4.根据权利要求1所述半导体处理腔室，其特征在于，
所述第一发热件为平板状，垂直于所述气体流动路径的中心路径设置，且具有多个沿所述气体流动路径贯穿的第一孔洞。
5.根据权利要求4所述半导体处理腔室，其特征在于，
所述第一发热件包括不锈钢板及内嵌于所述不锈钢板的电阻丝。
6.根据权利要求4所述半导体处理腔室，其特征在于，
多个所述第一孔洞在对应所述进气口位置处的排布密度小于在其余位置处的排布密度，和/或
多个所述第一孔洞在对应所述进气口位置处的孔径小于在其余位置处的孔径。
7.根据权利要求4所述半导体处理腔室，其特征在于，包括：
匀气板，所述匀气板容置于所述腔体内，位于所述气体流动路径上，且位于所述进气口和所述第一发热件之间，所述匀气板垂直于所述气体流动路径的中心路径设置，且具有多个沿所述气体流动路径贯穿的第二孔洞；
其中，所述腔体的内壁面在对应所述进气口位置处具有与所述进气口连通的凹槽，所述匀气板盖设于所述凹槽。
8.根据权利要求7所述半导体处理腔室，其特征在于，
多个所述第二孔洞在对应所述进气口位置处的排布密度小于在其余位置处的排布密度，和/或
多个所述第二孔洞在对应所述进气口位置处的孔径小于在其余位置处的孔径。
9.根据权利要求7所述半导体处理腔室，其特征在于，
以所述第一发热件朝向所述进气口一侧表面为投影面，所述第一孔洞和所述第二孔洞相互不重叠。
10.根据权利要求7所述半导体处理腔室，其特征在于，包括：
隔热板，所述隔热板容置于所述腔体内，位于所述气体流动路径上，且位于所述匀气板和所述第一发热件之间，所述隔热板垂直于所述气体流动路径的中心路径设置，且具有多个沿所述气体流动路径贯穿的第三孔洞。
11.根据权利要求10所述半导体处理腔室，其特征在于，
以所述第一发热件朝向所述进气口一侧表面为投影面，所述第一孔洞、所述第二孔洞以及所述第三孔洞相互不重叠。
12.根据权利要求10所述半导体处理腔室，其特征在于，
所述隔热板的数量为多个，多个所述隔热板沿所述气体流动路径间隔设置。
13.根据权利要求12所述半导体处理腔室，其特征在于，
以所述第一发热件朝向所述进气口一侧表面为投影面，多个所述隔热板上的所述第三孔洞相互不重叠。
14.根据权利要求1所述半导体处理腔室，其特征在于，包括：
加热器，所述加热器用于在气体进入所述腔体前加热所述气体。
15.根据权利要求1所述半导体处理腔室，其特征在于，包括：
第二发热件，所述第二发热件活动设置于所述腔体中，并能够接近或远离所述基片放置区域，以可选择地接触位于所述基片放置区域的承载件，以通过热传导的方式加热所述承载件，进而加热承载于所述承载件上的基片；
驱动件，所述驱动件用于驱动所述第二发热件接近或远离所述基片放置区域。
16.一种PECVD镀膜设备，其特征在于，包括：
进料腔室、加热腔室、工艺腔室、隔离腔室和下料腔室，所述进料腔室、所述加热腔室、所述工艺腔室、所述隔离腔室或所述下料腔室为权利要求1至15任一所述半导体处理腔室。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN202210925541.XA CN115305460A (zh) | 2022-08-02 | 2022-08-02 | 半导体处理腔室及pecvd镀膜设备 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN115305460A true CN115305460A (zh) | 2022-11-08 |
Family
ID=83859099
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202210925541.XA Pending CN115305460A (zh) | 2022-08-02 | 2022-08-02 | 半导体处理腔室及pecvd镀膜设备 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN115305460A (zh) |
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