JP2005048273A

JP2005048273A - Ｃｖｄ装置

Info

Publication number: JP2005048273A
Application number: JP2003284398A
Authority: JP
Inventors: Nobuo Ishii; 信雄石井
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2003-07-31
Filing date: 2003-07-31
Publication date: 2005-02-24

Abstract

【課題】パッシベーション膜の成膜に高コストを要する。
【解決手段】処理容器１内に収容され被処理体３が配置される載置面を有するサセプタ２と、サセプタ２の載置面の上部空間に原料ガスを供給するガス供給手段４と、原料ガスの供給位置とサセプタ２との間の空間に配置されたフィラメント５と、フィラメント５を加熱する加熱手段と、フィラメント５のサセプタ２側に配置された断熱板６と、処理容器１内を排気する排気手段９とを備える。
【選択図】図１

Description

本発明は、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）により被処理体の表面に成膜を行うＣＶＤ装置に関する。

近年、フラットパネルディスプレイの一つとして、軽量でバックライトを必要としないエレクトロルミネッセント素子（以下、「ＥＬ素子」という。）を用いたデバイスが注目を集めている。ＥＬ素子は、無機ＥＬ素子と有機ＥＬ素子とに分類される。無機ＥＬ素子は、駆動のために比較的高電圧を必要とするのに対し、有機ＥＬ素子は、１０Ｖ前後の低電圧で数百〜数万ｃｄ／ｍ²という極めて高い輝度が得られるので、ＥＬ素子の中では有機ＥＬ素子が主流となっている。

有機ＥＬ素子は、図５に示すように、透光性を有する基板１００１と、基板１００１上に順次積層された陽極１００２、正孔注入層１００３、正孔輸送層１００４、発光層１００５、電子注入層１００６、陰極１００７からなる積層構造体１００８とを有する。基板１００１には、例えば透明なガラス、石英、サファイアまたは有機フィルムが用いられる。陽極１００２には、例えばインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）が用いられる。正孔注入層１００３、正孔輸送層１００４、発光層１００５、電子注入層１００６は、有機化合物で形成される。陰極１００７には、電子の放出エネルギが小さい、アルカリ金属やアルカリ土類金属などを基本とした反応性の高い合金が用いられる。

図５に示した有機ＥＬ素子では、積層構造体１００８が大気にさらされるため、特に陰極１００７が大気に含まれる水分により酸化され、発光特性が劣化してしまう。そこで、図６に示すように、積層構造体１００８の表面をＳｉ₃Ｎ₄などからなるパッシベーション膜１００９で覆い、大気から積層構造体１００８を遮断する技術が提案されている。パッシベーション膜１００９の成膜には、従来はプラズマＣＶＤ法が用いられていた。プラズマＣＶＤ法とは、成膜用の原料ガスを導入した処理容器内に高周波電磁界を印加してプラズマを形成し、プラズマにより原料ガスを分解し、低基板温度で成膜を行う技術である（例えば、特許文献１参照。）。

しかし、プラズマＣＶＤ法を用いるには、プラズマを生成するために高価な装置を用いなければならない。最も低価格で実現できる平行平板方式でも、平行平板間に高周波電力を印加する電源と、電源と負荷とのインピーダンス整合をとる負荷整合器とが必要になる。このような高価な装置を用いてパッシベーション膜１００９を形成すると、パッシベーション膜１００９を有する有機ＥＬ素子の製造コストが上昇し、製品の競争力が低下するという問題があった。
また、プラズマＣＶＤ法を用いると、成膜の初期にプラズマの高速電子が、パッシベーション膜１００９の下層にダメージを与えるという問題があった。

なお、出願人は、本明細書に記載した先行技術文献情報で特定される先行技術文献以外には、本発明に関連する先行技術文献を出願時までに発見するには至らなかった。
特開２０００−２２３２６４号公報

したがって、解決しようとする課題は、パッシベーション膜の成膜に高コストを要することである。
また、他の課題は、パッシベーション膜を成膜する際に、基板がダメージを受けることである。

このような課題を解決するために、本発明のＣＶＤ装置は、処理容器内に収容され被処理体が配置される載置面を有するサセプタと、このサセプタの載置面の上部空間に原料ガスを供給するガス供給手段と、このガス供給手段の近傍に配置された被加熱体と、この被加熱体を加熱する加熱手段と、被加熱体のサセプタ側に配置された第１の断熱板と、処理容器内を排気する排気手段とを備えたことを特徴とする。
ここで、被加熱体は、原料ガスの供給位置とサセプタとの間の空間に配置されてもよい。

また、被加熱体は、サセプタの載置面の略全域を覆うように配線され、第１の断熱板は、サセプタの載置面の略全域を覆うように配置され、第１の断熱板には、被加熱体の直下を避けて第１の貫通孔が複数形成されている構成としてもよい。
また、ガス供給手段は、サセプタの載置面に対向する底部に第２の貫通孔が複数形成されたシャワーヘッドを有していてもよい。
さらに、被加熱体のシャワーヘッド側に配置された第２の断熱板を設け、この第２の断熱板には、被加熱体の直上および第１の貫通孔の直上を避けて第３の貫通孔が複数形成されている構成としてもよい。

また、上述したＣＶＤ装置は、被加熱体および第１の断熱板をサセプタの載置面の上部空間で移動させる移動手段を備えていてもよい。
ここで、ガス供給手段は、原料ガスを被加熱体へ導くノズルを有し、移動手段は、ノズルを被加熱体および第１の断熱材と共に移動させるものであってもよい。
さらに、被加熱体を第１の断熱板と共に挟む第２の断熱板を設け、移動手段は、第２の断熱板を被加熱体および第１の断熱材と共に移動させるものであってもよい。

一方、第１の断熱板は、セラミックス、中でも、ポーラスセラミックスで形成されるものであってもよいし、互いに離間して対向配置された複数の金属板からなるものであってもよい。第２の断熱板についても同様である。
また、被加熱体は、例えばフィラメントであってもよい。また、被加熱体はまた、金属製であってもよく、例えばＷ、Ｔａ、ＭｏおよびＰｔのいずれか１つを含むものであってもよい。
また、被処理体は、有機ＥＬ基板であってもよい。

本発明のＣＶＤ装置は、加熱された被加熱体で原料ガスを分解して原子状または分子状のラジカルを生成し、これをサセプタに配置された被処理体の表面で反応させて薄膜を堆積させるものである。よって、本発明によれば、プラズマを用いることなく、パッシベーション膜の成膜を行うことができる。
本発明のＣＶＤ装置における励起源は、被加熱体とその加熱手段とからなる簡単な構成であるから、本発明のＣＶＤ装置は、プラズマＣＶＤ装置よりも低価格で実現できる。よって、パッシベーション膜を有する被処理体の製造コストを従来より低減し、製品の競争力を高めることができる。
また、本発明では、被加熱体のサセプタ側に配置された第１の断熱板により、被加熱体の熱の輻射を遮り、サセプタ上の被処理体が必要以上に加熱されることを防止できる。上述したように、本発明ではプラズマも用いないので、被処理体が受けるダメージを従来より低減できる。

また、第１の断熱板に第１の貫通孔を形成することにより、この第１の貫通孔を介してラジカルを被処理体表面に供給することができる。この際、第１の貫通孔を被加熱体の直下を避けて形成することにより、被加熱体の熱が輻射により直接被処理体に伝達されることを阻止し、被処理体の高温化を抑制することができる。
また、シャワーヘッドを用いることにより、原料ガスが広範囲に均一に供給される。さらに、被加熱体および第１の断熱板を、サセプタの載置面の略全域を覆うように配置することにより、原料ガスから生成されたラジカルが、サセプタに配置された被処理体の表面全域に均一に供給される。よって、被処理体が大面積の有機ＥＬ基板であっても、その表面全域に均一にパッシベーション膜を成膜することができる。

また、被加熱体のシャワーヘッド側に第２の断熱板を配置し、この第２の断熱板に被加熱体の直上を避けて第３の貫通孔を形成することにより、シャワーヘッドからの原料ガスを２枚の断熱板の間の空間に導入することができるとともに、被加熱体の熱が輻射により直接シャワーヘッドに伝達されることを阻止できる。さらに、第３の貫通孔を第１の断熱板に形成された第１の貫通孔の直上を避けて形成することにより、被加熱体に接触することなく通過する原料ガスを低減し、効率のよい成膜が可能となる。

一方、被加熱体および第１の断熱板をサセプタの上部空間で移動させることにより、原料ガスから生成されたラジカルが広範囲に均一に供給される。よって、サセプタに配置された被処理体が大面積の有機ＥＬ基板であっても、その表面全域に均一にパッシベーション膜を成膜することが可能となる。
また、原料ガスを被加熱体に導くノズルを設け、このノズルを被加熱体および第１の断熱板と共に移動させることにより、原料ガスから効率よくラジカルを生成し、ひいては効率のよい成膜が可能となる。

以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、構成部材の位置関係を説明するために上下方向の概念を用いるが、この上下方向の概念は絶対的な上下方向を意味するものではなく、サセプタの載置面を基準にした相対的なものである。例えば、サセプタの載置面が鉛直方向を向いている場合には、鉛直方向が「上方向」となる。

[第１の実施の形態]
図１は、本発明の第１の実施の形態に係るＣＶＤ装置の構成を示す図である。
このＣＶＤ装置は、上部と下部が閉塞された筒状の処理容器１を有している。処理容器１の平面形状は方形でも円形でもよいが、ここでは方形とする。
処理容器１の内部には、サセプタ２が収容されている。サセプタ２の上面には、被処理体として有機ＥＬ基板３が載置される。よって、サセプタ２の上面を載置面と呼ぶ。サセプタ２にはヒータ２Ａが内蔵されている。ヒータ２Ａは、スイッチ２Ｃを介して例えば直流電源２Ｂに接続されている。ヒータ２Ａに流れる電流を調整することにより、サセプタ２に載置された有機ＥＬ基板３をＣＶＤに適した所望の温度（例えば、１００℃以下）に加熱することができる。

ＣＶＤ装置はまた、サセプタ２の載置面の上部空間にＣＶＤの原料ガスを供給するガス供給装置４を有している。ガス供給装４は、ガス供給源４１Ａ，４１Ｂと、マスフローコントローラ（ＭＦＣ）４２Ａ，４２Ｂと、バルブ４３Ａ，４３Ｂと、ガス導入管４４と、バルブ４５と、ガス導入管４６と、シャワーヘッド４７とから構成されている。シャワーヘッド４７は、高さが低い平面視方形の箱体からなり、上面４７Ａにはガス導入管４６が接続されるガス導入口４７Ｄが形成され、下面（底部）４７Ｃには貫通孔（第２の貫通孔）４７Ｅが複数形成されている。このようなシャワーヘッド４７が、サセプタ２の載置面の上部空間に配置されている。シャワーヘッド４７のガス導入口４７Ｄから導入された原料ガスは、シャワーヘッド４７の内部空間で広がり、複数の貫通孔４７Ｅを介して処理容器１に供給される。このときサセプタ２の載置面に平行な面内に均一に原料ガスが供給されるように、シャワーヘッド４７の貫通孔４７Ｅが配置される。

処理容器１の下部には排気口８が設けられ、排気口８には真空ポンプ（排気手段）９が接続されている。真空ポンプ９を駆動して真空排気することにより、処理容器１の内部をＣＶＤに適した所望の真空度（例えば、０．１３３〜１０１３３３Ｐａ、望ましくは、０．１３３〜１３３０Ｐａ）に維持することができる。
また、処理容器１の内部には、シャワーヘッド４７の下面４７Ｃとサセプタ２の載置面との間の空間（特に、シャワーヘッド４７の下面４７Ｃの近傍）に、被加熱体として高融点金属からなるフィラメント５が配置されている。さらに、フィラメント５の上側すなわちシャワーヘッド４７側には断熱板（第２の断熱板）６が配置され、フィラメント５の下側すなわちサセプタ２側には断熱板（第１の断熱板）７が配置されている。

図２は、フィラメント５および断熱板６，７の一構成例を示す透視平面図である。
処理容器１の向かい合う側壁に２本の支持棒５Ａ，５Ｂが渡されており、支持棒５Ａと５Ｂとの間にサセプタ２の載置面から離間して、フィラメント５が複数本取り付けられている。フィラメント５のそれぞれはジグザグに折り曲げられている。フィラメント５のそれぞれが延在する方向の長さ（支持棒５Ａ，５Ｂ間の間隔）は、サセプタ２の載置面の同じ方向の長さよりも大きく、複数のフィラメント５が並ぶ方向の長さもまた、サセプタ２の載置面の同じ方向の長さよりも大きい。言い換えれば、複数のフィラメント５は、サセプタ２の載置面の略全域を覆うように配線されている。

フィラメント５は、Ｗ、Ｔａ、ＭｏおよびＰｔのうちのいずれかで形成されている。フィラメント５はまた、スイッチ５Ｄを介して直流電源（加熱手段）５Ｃに接続されている。なお、フィラメント５は、支持棒５Ａ，５Ｂと電気的に絶縁されている。スイッチ５Ｄを閉じ、フィラメント５に電流を流すと、フィラメント５が加熱される。フィラメント５に流す電流を調整し、フィラメント５の温度を例えば１５００〜２０００℃にすると、原料ガスを構成する分子がフィラメント５の金属表面で解離吸着、離脱という反応経路を経由して、原子状または分子状のラジカルに分解される。上記分子の化学結合を切るには、数ｅＶ（数十ｋｃａｌ／ｍｏｌ、温度に換算して数万度）の解離エネルギを要するが、上記の反応経路を経由することにより、実効的な解離エネルギを大幅に低減できる。これをフィラメント５による触媒作用という。

断熱板６，７は、全フィラメント５を上下から挟むように配置されている。本実施の形態では、サセプタ２の載置面の略全域を覆うようにフィラメント５を配線しているので、これに対応して断熱板６，７もまた載置面の略全域を覆うように配置される。断熱板６，７は、例えばポーラスセラミックスなど、熱伝導率が低い材料で形成される。または、真空の中空をもつ金属板など、熱が伝わりにくい構造を有していてもよい。本実施の形態では、断熱板６，７は真空排気された処理容器１内に配置されるので、単に互いに離間して対向配置された複数の金属板からなる多層構造を有するものであってもよい。

断熱板６，７には、それぞれ原料ガスが通過する貫通孔６Ａ，７Ａが複数形成されている。ここで、貫通孔６Ａ，７Ａは、フィラメント５の直上または直下を避けて形成されている。より望ましくは、フィラメント５から貫通孔６Ａ，７Ａを介してシャワーヘッド４７またはサセプタ２が見えないようにするとよい。このような構成は、例えば、３層以上の金属板多層構造を有する断熱板を用意し、各層に形成される貫通孔が直線上に並ばないように配置すれば実現できる。上述したような構成にすることにより、フィラメント５の熱が輻射により、シャワーヘッド４７またはサセプタ２に直接伝達されることを阻止できる。その結果、特に、サセプタ２に載置される有機ＥＬ基板３の高温化を抑制できる。また、貫通孔６Ａ，７Ａは、それぞれ貫通孔７Ａ，６Ａの直上または直下を避けて形成される。すなわち、貫通孔（第３の貫通孔）６Ａの対向位置に貫通孔（第１の貫通孔）７Ａは存在しない。これにより、フィラメント５に接触することなく断熱板６，７間を通過する原料ガスを低減し、原料ガスを効率よくラジカルに分解することができる。

次に、本実施の形態に係るＣＶＤ装置を用いて、有機ＥＬ基板３の表面にパッシベーション膜を成膜する方法について説明する。ここでは、パッシベーション膜としてＳｉ₃Ｎ₄を成膜する例を示す。
図５に示した構成の有機ＥＬ基板３をサセプタ２の載置面に置き、ヒータ２Ａにより有機ＥＬ基板３を１００℃以下の温度に加熱する。この状態で、処理容器１の内部の圧力を０．１３３〜１３３０Ｐａの真空度に維持しつつ、ガス供給装置４のシャワーヘッド４７から原料ガスとしてＳｉＨ₄系ガスとＮ₂ガスとの混合ガスを処理容器１の内部に導入するとともに、フィラメント５に電流を流して１５００〜２０００℃の温度に加熱する。

原料ガスがフィラメント５上側の断熱板６に複数形成された貫通孔６Ａを通り、加熱されたフィラメント５に接触すると、フィラメント５の金属表面で解離吸着、離脱という反応経路を経由して原料ガスが分解され、ＳｉＨ_xラジカル（ｘ＝１，２，３）やＮラジカルが生成される。これらのラジカルがフィラメント５下側の断熱板７に複数形成された貫通孔７Ａを通り、有機ＥＬ基板３の表面に到達すると、そこで化学反応を起こし、Ｓｉ₃Ｎ₄からなるパッシベーション膜が成膜される。

このように、本実施の形態に係るＣＶＤ装置によれば、主にフィラメント５とそれを加熱する電源５Ｃという極めて簡単な構成で、パッシベーション膜の成膜を行うことができる。このＣＶＤ装置はプラズマＣＶＤ装置よりも低価格で実現できる。よって、パッシベーション膜を有する有機ＥＬ素子の製造コストを従来より低減し、製品の競争力を高めることができる。
また、このＣＶＤ装置によれば、パッシベーション膜の成膜にプラズマを用いないので、有機ＥＬ基板３の基板１００１が受けるダメージを従来より低減することができる。

また、シャワーヘッド４７を用いることにより、原料ガスが広範囲に均一に供給される。さらに、フィラメント５および断熱板７を、サセプタ２の載置面の略全域を覆うように配置することにより、原料ガスから生成されたラジカルが、サセプタ２上の有機ＥＬ基板３の表面全域に均一に供給される。よって、大面積の有機ＥＬ基板であっても、その表面全域に均一にパッシベーション膜を成膜することができる。

なお、原料ガスを変えることにより、様々な組成のパッシベーション膜を成膜することができる。例えば、ＳｉＯ₂からなるパッシベーション膜を成膜するには、ＳｉＨ₄系ガスとＯ₂ガスとの混合ガスを用いればよい。ＳｉＯＣからなるパッシベーション膜を成膜するには、ＤＭＳガス（Dimethylsilane：Ｓｉ(ＣＨ₃)₂Ｈ₂）とＯ₂ガスと不活性ガスとの混合ガス、または、ＤＭＤＭＯＳガス（Dimethyldimethoxysilane：Ｓｉ(ＣＨ₃)₂(ＯＣＨ₃)₂）と不活性ガスとの混合ガス、または、ＴＥＯＳガス（Tetraethoxysilane：Ｓｉ(ＯＣ₂Ｈ₅)₄）と不活性ガスとの混合ガスを用いればよい。ＳｉＯＮからなるパッシベーション膜を成膜するには、ＤＭＳガスとＮ₂ガスと不活性ガスとの混合ガス、または、ＤＭＳガスとＮＨ₃ガスと不活性ガスとの混合ガスを用いればよい。

また、原料ガスの切り換えを行うことにより、組成が異なる薄膜が積層されたパッシベーション膜を成膜することができる。例えば、ＳｉＨ₄系ガスとＮ₂ガスとの混合ガスと、ＳｉＨ₄系ガスとＯ₂ガスとの混合ガスとを交互に切り換えることにより、Ｓｉ₃Ｎ₄とＳｉＯ₂とが交互に積層されたパッシベーション膜を成膜することもできる。これにより、Ｓｉ₃Ｎ₄の膜中の原子の移動遮断性および水分遮断性に優れているという特徴と、ＳｉＯ₂のクラックが生じにくいという特徴とを兼ね備えたパッシベーション膜にすることができる。

[第２の実施の形態]
図３は、本発明の第２の実施の形態に係るＣＶＤ装置の構成を示す図である。この図では、図１に示した部材と同一部材に対しては、図１と同一符号で示している。図４は、本実施の形態におけるフィラメントおよびそれを挟む２枚の断熱板の一構成例を示す斜視図である。
このＣＶＤ装置には、駆動装置１１２によりサセプタ２の載置面に平行な平面上を二次元的に移動する可動板１１１が、処理容器１０１の外部に設けられている。可動板１１１に対向する処理容器１０１の側壁には開口１０１Ａが設けられている。開口１０１Ａの周囲と可動板１１３との間はベローズ１１３で接続されており、処理容器１０１内の気密性が確保されている。

可動板１１１には、２本の支持棒１０５Ａ，１０５Ｂが上下に固定されている。支持棒１０５Ａ，１０５Ｂは、処理容器１０１の開口１０１Ａを通り、サセプタ２の載置面に対して平行な方向に延在している。支持棒１０５Ａ，１０５Ｂの先端部には、ジグザグに折り曲げられたフィラメント１０５が、サセプタ２の載置面に対して垂直に立てた状態で取り付けられている。支持棒１０５Ａ，１０５Ｂとフィラメント１０５とは、電気的に絶縁されている。フィラメント１０５は、スイッチ１０５Ｄを介して直流電源（加熱手段）１０５Ｃに接続されている。

支持棒１０５Ａの先端部上面には断熱板（第２の断熱板）１０６が取り付けられ、支持棒１０５Ｂの先端部下面には断熱板（第１の断熱板）１０７が取り付けられている。この結果、フィラメント１０５が上下方向から２枚の断熱板１０６，１０７により挟まれた構造になる。
可動板１１１にはまた、ＣＶＤの原料ガスをフィラメント１０５へ導くガス供給装置のノズル１０４が固定されている。ノズル１０４の先端部は、フィラメント１０５の近傍に配置され、そこから供給される原料ガスがフィラメント１０５の略全面に広がって吹き付けられるように構成されている。

このような構成を有しているので、駆動装置１１２により可動板１１１を移動させると、フィラメント１０５と断熱板１０６，１０７とノズル１０４とが一体となって、サセプタ２の載置面の上部空間を載置面と平行に二次元的に移動する。よって、処理容器１内を所定の真空度に維持した状態で、可動板１１１を移動させながら、加熱されたフィラメント１０５に向けてノズル１０４から原料ガスを吹き付けることにより、原料ガスから生成されたラジカルが広範囲に均一に供給される。よって、サセプタ２に載置された有機ＥＬ基板３がたとえ大面積のものであっても、その表面全域に均一にパッシベーション膜を成膜することが可能となる。

本実施の形態の変形例として、載置面が円形のサセプタ２を用意し、そのサセプタ２をその軸線を中心に回転させ、フィラメント１０５と断熱板１０６，１０７とノズル１０４との一体構造をサセプタ２の載置面の中心部から半径方向に周縁部まで移動させるようにしても、サセプタ２に載置された大面積の有機ＥＬ基板２の表面全域に均一にパッシベーション膜を成膜することができる。
以上のように、原料ガスをフィラメント１０５に導くノズル１０４をフィラメント１０５と共に移動させることにより、原料ガスから効率よくラジカルを生成し、ひいては効率のよい成膜が可能となる。

以上の実施の形態では、有機ＥＬ基板３の表面にパッシベーション膜を成膜する例を説明したが、ＬＣＤや半導体デバイスの製造プロセスにおける成膜工程にも利用することができる。

本発明の第１の実施の形態に係るＣＶＤ装置の構成を示す図である。フィラメントおよびそれを挟む２枚の断熱板の一構成例を示す透視平面図である。本発明の第２の実施の形態に係るＣＶＤ装置の構成を示す図である。フィラメントおよびそれを挟む２枚の断熱板の一構成例を示す斜視図である。一般的な有機ＥＬ素子の一構成例を示す断面図である。一般的な有機ＥＬ素子の他の構成例を示す断面図である。

符号の説明

１，１０１…処理容器、２…サセプタ、２Ａ…ヒータ、２Ｂ…直流電源、２Ｃ…スイッチ、３…有機ＥＬ基板、４…ガス供給装置、５，１０５…フィラメント、５Ａ，５Ｂ，１０５Ａ，１０５Ｂ…支持棒、５Ｃ，１０５Ｃ…直流電源、５Ｄ，１０５Ｄ…スイッチ、６，７，１０６，１０７…断熱板、６Ａ，７Ａ…貫通孔、８…排気口、９…真空ポンプ、４１Ａ，４１Ｂ…ガス供給源、４２Ａ，４２Ｂ…マスフローコントローラ、４３Ａ，４３Ｂ，４５…バルブ、４４，４６…ガス導入管、４７…シャワーヘッド、４７Ａ…上面、４７Ｂ…接続部、４７Ｃ…下面、４７Ｄ…ガス導入口、４７Ｅ…貫通孔、１０１Ａ…開口、１０４…ノズル、１１１…可動板、１１２…駆動装置、１１３…ベローズ。

Claims

処理容器内に収容され、被処理体が配置される載置面を有するサセプタと、
このサセプタの載置面の上部空間に原料ガスを供給するガス供給手段と、
このガス供給手段の近傍に配置された被加熱体と、
この被加熱体を加熱する加熱手段と、
前記被加熱体の前記サセプタ側に配置された第１の断熱板と、
前記処理容器内を排気する排気手段と
を備えたことを特徴とするＣＶＤ装置。
請求項１に記載されたＣＶＤ装置において、
前記被加熱体は、前記サセプタの載置面の略全域を覆うように配線され、
前記第１の断熱板は、前記サセプタの載置面の略全域を覆うように配置され、前記第１の断熱板には、前記被加熱体の直下を避けて第１の貫通孔が複数形成されていることを特徴とするＣＶＤ装置。
請求項２に記載されたＣＶＤ装置において、
前記ガス供給手段は、前記サセプタの載置面に対向する底部に第２の貫通孔が複数形成されたシャワーヘッドを有することを特徴とするＣＶＤ装置。
請求項３に記載されたＣＶＤ装置において、
前記被加熱体の前記シャワーヘッド側に配置された第２の断熱板を備え、
この第２の断熱板には、前記被加熱体の直上および前記第１の貫通孔の直上を避けて第３の貫通孔が複数形成されていることを特徴とするＣＶＤ装置。
請求項１に記載されたＣＶＤ装置において、
前記被加熱体および前記第１の断熱板を前記サセプタの載置面の上部空間で移動させる移動手段を備えたことを特徴とするＣＶＤ装置。
請求項５に記載されたＣＶＤ装置において、
前記ガス供給手段は、前記原料ガスを前記被加熱体へ導くノズルを有し、
前記移動手段は、前記ノズルを前記被加熱体および前記第１の断熱材と共に移動させることを特徴とするＣＶＤ装置。
請求項５または６に記載されたＣＶＤ装置において、
前記被加熱体を前記第１の断熱板と共に挟む第２の断熱板を備え、
前記移動手段は、前記第２の断熱板を前記被加熱体および前記第１の断熱材と共に移動させることを特徴とするＣＶＤ装置。
請求項１〜７のいずれか１項に記載されたＣＶＤ装置において、
前記第１の断熱板は、ポーラスセラミックスで形成されていることを特徴とするＣＶＤ装置。
請求項１〜７のいずれか１項に記載されたＣＶＤ装置において、
前記第１の断熱板は、互いに離間して対向配置された複数の金属板からなることを特徴とするＣＶＤ装置。
請求項１〜９のいずれか１項に記載されたＣＶＤ装置において、
前記被加熱体は、Ｗ、Ｔａ、ＭｏおよびＰｔのいずれか１つを含むことを特徴とするＣＶＤ装置。
請求項１〜１０のいずれか１項に記載されたＣＶＤ装置において、
前記被処理体は、有機ＥＬ基板であることを特徴とするＣＶＤ装置。