JP2007262434A - Cvd装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板7が配置され、該基板7の表面に結晶を成長させる成長容器1と、成長容器内に配置され、基板7を保持するサセプタ4と、成長容器1内でサセプタ4と対向するように配置され、基板7およびサセプタ4を加熱する加熱部5と、成長容器1内でサセプタ4における加熱部5の反対側に配置された遮熱部2とを備えるCVD装置において、遮熱部2が、結晶の成長温度以上の融点を有する高融点金属またはその合金からなる遮熱板2aを少なくとも含む1以上の遮熱板2a〜2cを有しているようにする。遮熱板2a〜2cが複数であり、サセプタ4および遮熱板2a〜2cとの間隔と、遮熱板2a〜2c同士の間隔を、加熱部5により基板7およびサセプタ4が加熱されている際の遮熱板2a〜2cが配置される部位の温度が、高温になるにしたがって小さくする。
【選択図】図1
Description
以下、本発明の第1実施形態について図1〜図3に基づいて説明する。本実施形態のCVD装置は、SiCエピタキシャル膜を成長させるように構成されている。
次に、本発明の第2実施形態を図4に基づいて説明する。上記第1実施形態と同様の部分は同一の符号を付して説明を省略し、異なる部分についてのみ説明する。本第2実施形態のCVD装置は、同時に複数の基板7にエピタキシャル膜を形成することができるマルチウェハCVD装置として構成されている。
次に、本発明の第3実施形態を図5に基づいて説明する。上記各実施形態と同様の部分は同一の符号を付して説明を省略し、異なる部分についてのみ説明する。
次に、本発明の第4実施形態を図6に基づいて説明する。上記各実施形態と同様の部分は同一の符号を付して説明を省略し、異なる部分についてのみ説明する。
次に、本発明の第5実施形態を図7に基づいて説明する。上記各実施形態と同様の部分は同一の符号を付して説明を省略し、異なる部分についてのみ説明する。本第5実施形態のCVD装置は、上記第2実施形態と同様、マルチウェハCVD装置として構成されている。
次に、本発明の第6実施形態を図8に基づいて説明する。上記各実施形態と同様の部分は同一の符号を付して説明を省略し、異なる部分についてのみ説明する。本第6実施形態のCVD装置は、上記第2実施形態と同様、マルチウェハCVD装置として構成されている。
次に、本発明の第7実施形態を図9、図10に基づいて説明する。上記各実施形態と同様の部分は同一の符号を付して説明を省略し、異なる部分についてのみ説明する。本第7実施形態のCVD装置は、上記第2実施形態と同様、マルチウェハCVD装置として構成されている。
なお、上記各実施形態では、基板7としてSiC単結晶で構成されたものを用い、基板7の上にSiC単結晶をエピタキシャル成長させる例を挙げて説明しているが、他の結晶成長に本発明のCVD装置を使用することもできる。
Claims (14)
- 基板(7)が配置され、該基板の表面に結晶を成長させる成長容器(1)と、
前記成長容器内に配置され、前記基板を保持するサセプタ(4)と、
前記成長容器内で前記サセプタと対向するように配置され、前記基板および前記サセプタを加熱する加熱部(5)と、
前記成長容器内で前記サセプタにおける前記加熱部の反対側に配置された遮熱部(2)とを備え、
前記遮熱部は、前記結晶の成長温度以上の融点を有する高融点金属またはその合金からなる遮熱板(2a)を少なくとも含む1以上の遮熱板(2a〜2c)を有していることを特徴とするCVD装置。 - 前記高融点金属またはその合金からなる遮熱板(2a)は、前記結晶の成長温度における輻射率が0.3以下であることを特徴とする請求項1に記載のCVD装置。
- 前記遮熱板は複数であり、前記サセプタおよび前記遮熱板との間隔と、前記遮熱板同士の間隔は、前記サセプタに近いほど小さくなっていることを特徴とする請求項1または2に記載のCVD装置。
- 前記遮熱板は複数であり、前記サセプタおよび前記遮熱板との間隔と、前記遮熱板同士の間隔は、前記加熱部により前記サセプタが加熱されている際の前記遮熱板が配置される部位の温度が、高温になるにしたがって小さくなっていることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1つに記載のCVD装置。
- 前記サセプタおよび前記遮熱板との間隔と、前記遮熱板同士の間隔は、前記加熱部により前記サセプタが加熱されている際の前記遮熱板が配置される部位の温度が、1500℃以上の部位では20mm以下、1000℃〜1500℃の部位では40mm以下、500℃〜1000℃の部位では60mm以下であることを特徴とする請求項4に記載のCVD装置。
- 前記1以上の遮熱板を前記サセプタに対して近づく方向と遠ざかる方向に移動させることができる移動機構(10)を備えることを特徴とする請求項1ないし5のいずれか1つに記載のCVD装置。
- 前記移動機構は、前記サセプタの温度に基づいて、前記1以上の遮熱板を前記サセプタに対して近づく方向または遠ざかる方向に移動させることを特徴とする請求項6に記載のCVD装置。
- 前記遮熱板は複数であり、前記高融点金属またはその合金からなる遮熱板(2a)は、前記加熱部により前記サセプタが加熱されている際の前記遮熱板が配置される部位の温度が1000℃以上となる部位に配置され、
前記加熱部により前記サセプタが加熱されている際の前記遮熱板が配置される部位の温度が1000℃未満となる領域に配置される前記遮熱板は、熱伝導率が10W/mK以下の材料から構成されていることを特徴とする請求項1ないし7のいずれか1つに記載のCVD装置。 - 前記熱伝導率が10W/mK以下の材料は、セラミックスであることを特徴とする請求項8に記載のCVD装置。
- 前記環状遮熱板は、表面に凹凸形状が形成されていることを特徴とする請求項1ないし9のいずれか1つに記載のCVD装置。
- 前記前記凹凸形状は、前記環状遮熱板の両面に形成されていることを特徴とする請求項10に記載のCVD装置。
- 前記成長容器内に配置され、前記サセプタおよび前記遮熱部とを結ぶ直線に直交する方向において、前記サセプタおよび前記遮熱部の周囲を覆うように、前記結晶の成長温度以上の融点を有する高融点金属またはその合金からなる環状遮熱板(11)を備えることを特徴とする請求項1ないし11のいずれか1つに記載のCVD装置。
- 前記環状遮熱板は、前記結晶の成長温度における輻射率が0.3以下の材料から構成されていることを特徴とする請求項12に記載のCVD装置。
- 前記1以上の遮熱板は3枚以上10枚以下であることを特徴とする請求項1ないし13のいずれか1つに記載のCVD装置。
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