JPH0974071A - 縦型熱処理装置 - Google Patents

縦型熱処理装置

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JPH0974071A
JPH0974071A JP7254676A JP25467695A JPH0974071A JP H0974071 A JPH0974071 A JP H0974071A JP 7254676 A JP7254676 A JP 7254676A JP 25467695 A JP25467695 A JP 25467695A JP H0974071 A JPH0974071 A JP H0974071A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 断熱構造体の構造の簡素化および熱容量の減
少が図れ、スループットの向上が図れる縦型熱処理装置
を提供する。 【解決手段】 熱処理炉４の下端開口を開閉する蓋体１
３の上部に多数枚の被処理基板Ｗを上下方向に所定間隔
で支持した基板支持体１５を断熱構造体１６を介して載
置し、上記被処理体Ｗを炉内の均熱領域で熱処理する縦
型熱処理装置において、上記断熱構造体１６が上記基板
支持体１５を支持する支柱２４と、該支柱２４に緩く嵌
まる挿通穴２５を有し、その支柱２４の高さ方向にスペ
ーサ２６を介して所定間隔で支持される肉厚の薄い複数
枚の遮熱板２７とから構成されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、縦型熱処理装置に
関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスの製造においては、被処
理基板である半導体ウエハを酸化、拡散、ＣＶＤ（Chem
ical Vapor Deposition）、アニールなどの処理を行う
ために、各種の熱処理装置が使用されている。中でも、
多数枚のウエハのバッチ処理が可能な縦型熱処理装置
は、図１２ないし図１３に示すように周囲にヒータ９を
配置しした縦長の熱処理炉４の下端開口１２を開閉する
蓋体１３の上部に多数枚のウエハＷを水平状態で上下方
向に所定間隔で配列支持する基板支持体たるウエハボー
ト１５を断熱構造体１６を介して載置することにより、
下方への熱の逃げを上記断熱構造体１６で遮断しつつ上
記ウエハＷを炉芯に位置設定して均熱領域での熱処理を
可能としている。
【０００３】図１２の縦型熱処理装置の断熱構造体１６
は、例えば４本のスペーサ軸５０の上端に遮熱フィン５
１を設けたフィンユニット５２を、蓋体１３上に設けた
受台１７上に複数段積み重ねたフィン構造体１６Ａから
なり、このフィン構造体の最上段の遮熱フィン（天板と
もいう）５１ａの中央部に設けられた穴５３に、ウエハ
ボート１５の下端の凸部５４を嵌入させてウエハボート
１５を支持するように構成されている。一方、図１３の
縦型熱処理装置の断熱構造体１６は、上記受台１７上に
フィン構造体１６Ａを載置すると共にこのフィン構造体
１６Ａを覆う中空容器５３を載置し、この中空容器５３
の上端にウエハボート１５を載置するように構成されて
いる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前者の
縦型熱処理装置においては、断熱構造体であるフィン構
造体１６Ａでウエハボート１５を支持する構造であるた
め、強度上、フィン構造体１６Ａを構成するフィンユニ
ット５２の遮熱フィン５１の厚さを薄くするのに限界が
ある。遮熱フィン５１のなかでも特に天板５１ａには十
分な機械的強度を持たせる必要があるため、天板５１ａ
は特に厚くする必要がある。また、上記遮熱フィン５１
は、石英等の焼結体を切削加工することにより得られる
が、厚さを薄く形成することが技術的に難しく、現状で
は３ｍｍ程度が限界である。
【０００５】従って、断熱構造体１６の熱容量が大きく
なり、急速昇温および急速降温によるスループットの向
上を図る上で限界があった。また、上記フィン構造体１
６Ａは、フィンユニット５２の段数を変えることで断熱
効果を調節することが可能であるが、フィンユニット５
２の段数を変える際には、ウエハボート１５の設定位置
を変えないために、スペーサ軸５０の高さを変えなけれ
ばならず、高さの異なるスペーサ軸を用意しなければな
らない。
【０００６】一方、後者の熱処理装置においては、断熱
構造体１６の一部を構成する中空容器５３でウエハボー
ト１５を支持する構造であるため、ウエハボート１５の
設定位置を一定に保持したままフィンユニット５２の段
数を変えることが可能で、熱処理温度に応じて断熱効果
を調節することが可能である。
【０００７】しかしながら、フィン構造体１６Ａの他に
中空容器５３を必要とするため、断熱構造体１６の構造
が複雑になり、断熱構造体１６の組立や分解洗浄に手間
がかかると共に、断熱構造体１６の熱容量が増大する傾
向がある。また、遮熱フィン５１の径が中空容器５３に
よって規制されるため、遮熱性の向上を図る上で限界が
あった。
【０００８】本発明は、上記課題を解決すべくなされた
もので、断熱構造体の構造の簡素化および熱容量の減少
が図れ、スループットの向上が図れる縦型熱処理装置を
提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、熱処理炉の下端開口を開閉する蓋体の上部
に多数枚の被処理基板を上下方向に所定間隔で支持した
基板支持体を断熱構造体を介して載置し、上記被処理体
を炉内の均熱領域で熱処理する縦型熱処理装置におい
て、上記断熱構造体が上記基板支持体を支持する支柱
と、該支柱に緩く嵌まる挿通穴を有し、上記支柱の高さ
方向にスペーサを介して所定間隔で支持される肉厚の薄
い複数枚の遮熱板とから構成されていることを特徴とす
る（請求項１）。
【００１０】すなわち、断熱構造体の一部を構成する支
柱により基板支持体を直接支持する構造であり、支柱に
は挿通穴を介して遮熱板が緩く嵌まった状態でスペーサ
を介して複数段積み重ねられる。これにより、断熱構造
体の構造の簡素化が図れ、組立・分解洗浄の容易化が図
れる。
【００１１】また、遮熱板には基板支持体の荷重がかか
らないので、遮熱板の機械的強度が小さくてよく、肉厚
を薄くでき、熱容量の減少が図れ、急速昇温および急速
降温によるスループットの向上が図れる。更に、遮熱板
の径を熱処理炉が許容する最大限まで大きくできるた
め、遮熱性の向上が図れる。また、基板支持体の設定位
置を支柱で一定に保持したまま遮熱板の段数を変えるこ
とが可能であり、熱処理温度に応じて断熱効果を調節す
ることが可能である。
【００１２】断熱構造体による基板支持体の支持の安定
性を図るために、上記支柱は上記蓋体の上部に設けられ
た受台に載置されるベース部を有し、このベース部に上
記支柱が複数立設されていることが好ましい（請求項
２）。また、断熱構造体の軽量化によるハンドリング性
の向上、強度の確保および熱容量の減少を図るために、
上記支柱は中空に形成されていることが好ましく、この
場合、減圧熱処理における真空引き性の向上を図るため
に、支柱の側部に通気孔を有していることが好ましい
（請求項３）。
【００１３】更に、断熱構造体の上部に基板支持体を支
えるための天板等の余分な部材をなくして熱容量の減少
を図るために、上記基板支持体の下端が上記支柱の上端
に係合する係合部を有していることが好ましい（請求項
４）。また、上記遮熱板は薄肉化による熱容量の減少を
図るために、ＣＶＤ処理により形成された炭化ケイ素の
膜体からなることが好ましい（請求項５）。この場合、
上記遮熱板は剛性を確保しつつ肉厚を薄くするために起
伏を有する断面形状に形成されていることが好ましい
（請求項６）。
【００１４】
【実施の形態】以下に、本発明の実施の形態を添付図面
に基づいて詳述する。縦型熱処理装置の一例を概略的に
示す図２において、本例の縦型熱処理装置１は被処理基
板例えば半導体ウエハＷに減圧ＣＶＤによる成膜処理を
施すのに適するように構成されている。この縦型熱処理
装置１は、中央部に円形の開口部２ａを有する例えばス
テンレススチール製のベースプレート２を水平に備えて
いる。
【００１５】上記ベースプレート２の下方には上端及び
下端に外向きのフランジ部３ａ，３ｂを有する例えばス
テンレススチール製の円筒状のマニホールド３が上記開
口部２ａと軸心を一致させて配置され、このマニホール
ド３上には縦長の熱処理炉を形成する耐熱性及び耐食性
を有する材料例えば石英からなる熱処理容器である反応
管（プロセスチューブ）４がＯリング５を介して気密に
接続されている。
【００１６】上記反応管４は、上端が閉塞され、下端が
開口されると共に下端に外向きのフランジ部４ａを有し
ている。本実施例における反応管４の内側には、上端及
び下端の開口された石英製の内管６がマニホールド３内
面に形成された内向きフランジ部３ｃに係止させて同心
円状に配置され、二重管構造の縦型熱処理炉が構成され
ている。
【００１７】上記マニホールド３には反応管４内に図示
しない処理ガス供給源或いは不活性ガス供給源から処理
ガスないし不活性ガスを導入するための複数の導入管部
７が設けられると共に、図示しない真空ポンプ等の減圧
手段により反応管４内を排気して例えば１０〜１０-8Ｔ
ｏｒｒ程度に真空引きするための排気管部８が設けられ
ている。
【００１８】上記反応管４の周囲には反応管４内を高温
例えば４００〜１２００℃程度に加熱する例えばカンタ
ル線等の電熱線（抵抗発熱体）をコイル状等に形成して
なる加熱源であるヒータ９が配置され、このヒータ９の
外周は断熱材１０を介して冷却ジャケット構造のアウタ
ーシェル１１で覆われている。これにより、いわゆるホ
ットウォール型の加熱炉が構成されている。なお、上記
ヒータ９、断熱材１０及びアウターシェル１１は上記ベ
ースプレート２上に支持されている。
【００１９】上記マニホールド３の下方にはその下端開
口すなわち熱処理炉の下端開口１２を開閉する例えばス
テンレススチール製の蓋体１３がローディング機構であ
る昇降機構１４により昇降可能に設けられ、この蓋体１
３上には多数枚例えば３０〜１５０枚程度のウエハＷを
水平状態で上下方向に所定間隔で多段に保持する基板支
持体である例えば石英製のウエハボート１５が後述する
断熱構造体１６を介して載置されている。
【００２０】また、蓋体１３の上部には断熱構造体１６
を載置するための受台１７が設けられ、この受台１７の
周縁部には図１に示すように断熱構造体１６の水平移動
を規制する縁１７ａが形成されていることが好ましい。
上記受台１７は、ウエハＷを均一に熱処理するために回
転駆動手段によって回転するように構成されていること
が好ましいが、回転しない構造であってもよい。上記蓋
体１３にはマニホールド３との間を気密にシールするＯ
リング１８が設けられると共に、蓋体１３の内面および
受台１７の周囲を覆うように例えば石英製の遮熱部材１
９が設けられている（図１参照）。
【００２１】上記ウエハボート１５は、図１ないし図２
に示すように上下の端板２０，２１間に円板状のウエハ
Ｗの周囲を囲む如く配置された複数本の縦枠２２を掛け
渡し、これらの縦枠２２には多数枚例えば１５０枚程度
のウエハＷを水平状態で上下方向（高さ方向）に所定間
隔で多段に支持する溝状の係止部２３が設けられてい
る。上記縦枠２２は、図示しない移載機構により水平方
向からウエハＷの移載が可能なように一方が開放された
配置構成になっている。なお、上記移載機構は、舌片状
の移載アームを有し、この移載アーム上にウエハＷを載
せてウエハボート１３等に対する移載作業を上記反応管
４よりも下方の移載エリアで行うようになっている。
【００２２】一方、上記断熱構造体１６は、上記ウエハ
ボート１５を支持する支柱２４と、この支柱２４に緩く
嵌まる挿通穴２５を有し、支柱２４の高さ方向にスペー
サ２６を介して所定間隔で支持される肉厚の薄い複数枚
の遮熱板２７とから主に構成されている。断熱構造体１
６によるウエハボート１５の支持の安定性を図るため
に、上記支柱２４は上記受台１７に載置される円板状の
ベース部２８を有し、このベース部２８に上記支柱２４
が複数、例えば図３に示すように３本立設されている。
これら支柱２４およびベース部２８は、耐熱性を有する
材料例えば石英、好ましくは遮熱性を有する不透明石英
ないしサンドブラスト処理された石英により形成されて
いる。
【００２３】また、断熱構造体１６の軽量化によるハン
ドリング性の向上、強度の確保および熱容量の減少を図
るために、上記支柱２４は中空円筒状に形成されてい
る。更に、減圧熱処理における真空引き性の向上を図る
ために、図４に示すように支柱２４の側部には支柱２４
の内部と外部を連通する通気孔２９が高さ方向に適宜間
隔で形成されている。
【００２４】更に、断熱構造体１６の上部にウエハボー
ト１５を支えるための天板等の余分な部材をなくして熱
容量の減少を図るために、上記ウエハボート１５の下部
端板２１の下面には上記支柱２４の上端開口３０に挿入
係合する凸状の係合部３１が突設されている。なお、上
記ウエハボート１５の下部端板２１に設けられる係合部
としては、支柱２４の上端が挿入係合するように凹状に
形成されていてもよい。
【００２５】上記遮熱板２７は薄肉化による熱容量の減
少を図るために、ＣＶＤ処理により形成された所定肉厚
例えば０．２〜０．８ｍｍ程度の炭化ケイ素（ＳｉＣ）
の膜体からなっている。上記遮熱板２７をＣＶＤ処理に
より形成する場合には、例えば図５の（ａ）に示すよう
に燃焼除去または溶解除去可能な材質からなる円板状な
いし板状の型材３２を用い、この型材３２の表面にＳｉ
Ｃの原料ガスを用いたＣＶＤ処理により図５の（ｂ）に
示すように炭化ケイ素の膜３３を所望厚さに成膜形成す
る。燃焼除去可能な材質としては、炭素や合成樹脂等が
適用可能である。溶解除去な材質としては、酸で溶解す
るアルミニウム等の金属や有機溶剤で溶解する合成樹脂
等が適用可能である。
【００２６】次に、図５の（ｃ）に示すように上記型材
３２を燃焼または溶解させて除去し、これにより得られ
た膜３３からなる中空体を所望の大きさ形状に切断Ｃ1
することにより二枚の遮熱板２７が得られる。上記型材
３２を燃焼または溶解させて除去する際には、上記膜３
３に開口３４を設け、この開口３４から燃焼または溶解
により生じたガスや液体を排出させるようにすることが
好ましい。
【００２７】上記遮熱板２７はウエハＷとほぼ同じかこ
れよりも少し大きい径の円板状に形成され、この遮熱板
２７に上記支柱２４と対応する箇所に支柱２４よりも少
し大きい径の上記挿通穴２５が形成される。遮熱板２７
間に所定の隙間を形成するためのスペーサ２６は、上記
挿通穴２５よりも少し大きい径の円筒状に例えば炭化ケ
イ素により形成されており、支柱２４に緩く挿通されて
遮熱板２７間に介在される。上記遮熱板２７の間隔は、
炉内環境を考慮してウエハＷの間隔とほぼ同じであるこ
とが好ましい。なお、最下段の遮熱板２７とベース部２
８との間にも同様にスペーサ３５が設けられている。ま
た、上記スペーサ２６のうち、支柱２４の通気孔２９に
位置するスペーサには通気用の孔部が形成されているこ
とが好ましい。
【００２８】上記スペーサ２６は遮熱板２７に一体形成
されていてもよい。スペーサ２６を一体的に有する遮熱
板２７を作製する場合には、例えば図６の（ａ）に示す
ように上記支柱２４と対応する径の大きい穴３６を有す
る型材３２を用い、この型材３２の表面に炭化ケイ素の
膜３３を形成すると、上記穴３６の内面にも膜３３が形
成される。次に、図６の（ｂ）に示すように上記型材３
２を燃焼または溶解させて除去し、膜３３を所望の大き
さ形状に切断Ｃ1すると共に、厚さ方向に二分割に切断
Ｃ2することにより、スペーサ２６を有する二枚の遮熱
板２７が得られる。このように遮熱板２７にスペーサ２
６を一体形成することにより、部品点数の削減が図れる
と共に、部品の接触部におけるパーティクルの発生を抑
制することができる。
【００２９】上記スペーサ２６は、必ずしも支柱挿通用
の穴２５の周囲に形成されている必要はなく、スペーサ
軸として遮熱板２７の面内に適宜形成されていてもよ
い。このような軸状のスペーサ２６を有する遮熱板２７
を形成する場合には、図７の（ａ）に示すように止り穴
３７を有する型材３２を用い、この型材３２の表面に炭
化ケイ素の膜３３を形成する。これにより上記止り穴３
７の内面に沿った軸状のスペーサ２６が形成される。
【００３０】次に、上記型材３２を燃焼または溶解させ
て除去し、図７の（ｂ）に示すような膜３３からなる中
空体を得たなら、Ｃ1のように切断し、支柱挿通用の穴
２５を開ければよい。このような軸状のスペーサ２６を
有する遮熱板２７を用いる場合には、図８に示すように
軸状のスペーサ２６の形成位置の異なる二種類のもの２
７ａ，２７ｂを用意し、これら遮熱板２７ａ，２７ｂを
図９に示すように交互に積み重ねることが好ましい。こ
れは、上記軸状のスペーサ２６が止り穴状に形成されて
いるため、同じ種類の遮熱板２７を積み重ねると、スペ
ーサ２６の中空部が塞がれ、中空部の真空引き性が悪く
なるからである。
【００３１】以上のように構成された縦型熱処理装置１
においては、先ず昇降機構１４により反応管４下方の移
載エリアに蓋体１３を下降移動させ、蓋体１３上に断熱
構造体１６を介して載置されたウエハボート１５に移載
機構によりウエハＷを移載する。次に、上記蓋体１３を
上昇移動させて、ウエハボート１５および断熱構造体１
６を反応管４内に搬入すると共に蓋体１３をマニホール
ド３の下端フランジ部３ｂに当接して反応管４を密閉す
る。これにより、ウエハボート１５が上記断熱構造体１
６によって炉内の均熱領域に位置設定される。
【００３２】次に、排気管部８からの排気（真空引き）
により反応管４内を真空置換すると共に、導入管部７か
らの不活性ガス例えば窒素（Ｎ2）ガスの導入により反
応管４内を窒素ガスで置換した後、ヒータ９によりウエ
ハＷを所定の処理温度まで急速に昇温させたなら、導入
管部７から所定の処理ガスを導入しつつ反応管４内を所
定の減圧状態に維持して成膜処理等の熱処理を行う。こ
の熱処理が終了したなら、上記ウエハＷを例えば室温ま
で急速に降温させ、処理後のウエハＷを蓋体１３の下降
移動によりウエハボート１５ごと反応管４外へ搬出すれ
ばよい。
【００３３】上記縦型熱処理装置１においては、断熱構
造体１６の一部を構成する支柱２４によりウエハボート
１５を直接支持する構造であり、支柱２４には挿通穴２
５を介して遮熱板２７が緩く嵌まった状態でスペーサ２
６を介して複数段積み重ねられている。従って、断熱構
造体１６の構造の簡素化が図れ、支柱２４に対する遮熱
板２７の取付け取外しが容易にでき、組立・分解洗浄の
容易化が図れる。また、遮熱板２７にはウエハボート１
５やウエハＷの荷重がかからないので、遮熱板２７の機
械的強度が小さくてよく、肉厚を薄くでき、熱容量の減
少が図れ、急速昇温および急速降温によるスループット
の向上が図れる。
【００３４】更に、遮熱板２７の径を熱処理炉の内管６
が許容する最大限まで大きくできるため、遮熱性の向上
が図れる。また、ウエハボート１５の設定位置を支柱２
４で一定に保持したまま遮熱板２７の段数を変えること
が可能であり、熱処理温度に応じて断熱効果を調節する
ことが可能である。
【００３５】また、上記縦型熱処理装置１においては、
上記支柱２４が上記蓋体１３の上部に設けられた受台１
７に載置されるベース部２８を有し、このベース部２８
に上記支柱２４が複数立設されているため、断熱構造体
１６によるウエハボート１５の支持の安定性が図れる。
更に、上記支柱２４が中空に形成され、側部に通気孔２
９を有しているため、断熱構造体１６の軽量化によるハ
ンドリング性の向上、強度の確保および熱容量の減少が
図れると共に、支柱２４の側部に沿って形成された複数
の通気孔２９から支柱２４内部の気体分子を効率よく排
出できて減圧熱処理における真空引き性の向上が図れ
る。
【００３６】また、上記ウエハボート１５の下端が上記
支柱２４の上端に係合する係合部３１を有しているた
め、断熱構造体１６の上部にウエハボート１５を支える
ための天板等の余分な部材をなくせ、構造の簡素化によ
る熱容量の更なる減少およびウエハボート１５の支持の
安定性が図れる。更に、上記遮熱板２７がＣＶＤ処理に
より形成された炭化ケイ素の膜体からなるため、遮熱板
２７の薄肉化による熱容量の更なる減少が図れる。
【００３７】図１０ないし図１１は遮熱板の変形例を示
している。図１０の遮熱板２７は放射状のリブないし補
強部３９を有するように、図１１の遮熱板２７は同心円
状のリブないし補強部４０を有するように、それぞれ起
伏を有する断面形状に形成されている。このように上記
遮熱板２７が起伏を有する断面形状に形成されるため、
遮熱板２７の剛性を確保しつつ肉厚を薄くすることがで
きる。なお、遮熱板２７には熱応力による破損を防止す
るために、周縁部にスリット４１を適宜形成しておくこ
とが好ましい。なお、スリットは、図１０および図１１
に示したように遮熱板２７の径方向に形成することが好
ましいが、遮熱板２７の周方向に形成してもよい。
【００３８】なお、本発明は、上記実施の形態に限定さ
れるものではなく、本発明の要旨の範囲内で種々の変形
実施が可能である。例えば、上記実施の形態では、中空
円柱状のスペーサを支柱に通す例が示されているが、ス
ペーサは必ずしも中空円柱状である必要はなく、支柱に
通すものである必要もない。スペーサの材質としては、
炭化ケイ素以外に、石英が適用可能である。炭化ケイ素
からなる遮熱板を得るには、ＣＶＤ処理によることが好
ましいが、例えば黒鉛の薄板を酸化ケイ素（ＳｉＯ）と
化学反応させて得るようにしてもよい。
【００３９】遮熱板の材質としては、炭化ケイ素が好ま
しいが、薄肉加工が技術的に解決できれば石英であって
もよい。この場合の石英としては、遮熱性を有する不透
明石英やサンドブラスト処理した石英が好ましい。本発
明が適用される縦型熱処理装置としては、ＣＶＤ以外
に、例えば酸化、拡散、アニールなどの熱処理を行うも
のであってもよい。また、被処理基板としては、半導体
ウエハ以外に、例えばＬＣＤ基板等が適用可能である。
【００４０】
【発明の効果】以上要するに本発明によれば、次のよう
な優れた効果が得られる。
【００４１】（１）請求項１に係る縦型熱処理装置よれ
ば、断熱構造体の一部を構成する支柱により基板支持体
を直接支持する構造であり、支柱には挿通穴を介して遮
熱板が緩く嵌まった状態でスペーサを介して複数段積み
重ねられているため、断熱構造体の構造の簡素化が図
れ、組立・分解洗浄の容易化が図れる。また、遮熱板に
は基板支持体の荷重がかからないので、遮熱板の機械的
強度が小さくてよく、肉厚を薄くでき、熱容量の減少が
図れ、急速昇温および急速降温によるスループットの向
上が図れる。更に、遮熱板の径を熱処理炉が許容する最
大限まで大きくできるため、遮熱性の向上が図れる。
【００４２】（２）請求項２に係る縦型熱処理装置によ
れば、上記支柱が上記蓋体の上部に設けられた受台に載
置されるベース部を有し、このベース部に上記支柱が複
数立設されているため、断熱構造体による基板支持体の
支持の安定性が図れる。
【００４３】（３）請求項３に係る縦型熱処理装置によ
れば、上記支柱が中空に形成され、側部に通気孔を有し
ているため、断熱構造体の軽量化によるハンドリング性
の向上、強度の確保および熱容量の減少を図ると共に、
減圧熱処理における真空引き性の向上を図れる。
【００４４】（４）請求項４に係る縦型熱処理装置によ
れば、上記基板支持体の下端が上記支柱の上端に係合す
る係合部を有しているため、断熱構造体の上部に基板支
持体を支えるための余分な部材をなくせ、熱容量の減少
を図れる。
【００４５】（５）請求項５に係る縦型熱処理装置によ
れば、上記遮熱板がＣＶＤ処理により形成された炭化ケ
イ素の膜体からなるため、遮熱板の薄肉化による熱容量
の減少が図れる。
【００４６】（６）請求項６に係る縦型熱処理装置によ
れば、上記遮熱板が起伏を有する断面形状に形成されて
いるため、遮熱板の剛性を確保しつつ肉厚を薄くするこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態である縦型熱処理装置の要
部を示す断面図である。
【図２】縦型熱処理装置の全体構成を概略的に示す断面
図である。
【図３】支柱を有するベース部の平面図である。
【図４】図３のＥ方向から見た支柱の側面図である。
【図５】遮熱板の製造方法を説明する断面図である。
【図６】遮熱板の他の製造方法を説明する断面図であ
る。
【図７】遮熱板の更に他の製造方法を説明する断面図で
ある。
【図８】スペーサの形成位置を異ならせた遮熱板の平面
図である。
【図９】遮熱板の積み重ね状態を概略的に示す断面図で
ある。
【図１０】遮熱板の変形例を示す図で、（ａ）は平面
図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。
【図１１】遮熱板の他の変形例を示す図で、（ａ）は平
面図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ線断面図である。
【図１２】従来の縦型熱処理装置の要部の一例を示す断
面図である。
【図１３】従来の縦型熱処理装置の要部の他の例を示す
断面図である。
【符号の説明】
１ 縦型熱処理装置 Ｗ 半導体ウエハ（被処理体） ４ 反応管（熱処理炉） １３ 蓋体 １５ ウエハボート（基板支持体） １６ 断熱構造体 ２４ 支柱 ２５ 挿通穴 ２６ スペーサ ２７ 遮熱板 ２８ ベース部 ２９ 通気孔 ３１ 係合部

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 熱処理炉の下端開口を開閉する蓋体の上
    部に多数枚の被処理基板を上下方向に所定間隔で支持し
    た基板支持体を断熱構造体を介して載置し、上記被処理
    体を炉内の均熱領域で熱処理する縦型熱処理装置におい
    て、上記断熱構造体が上記基板支持体を支持する支柱
    と、該支柱に緩く嵌まる挿通穴を有し、支柱の高さ方向
    にスペーサを介して所定間隔で支持される肉厚の薄い複
    数枚の遮熱板とから構成されていることを特徴とする縦
    型熱処理装置。
  2. 【請求項２】 上記支柱が上記蓋体の上部に設けられた
    受台に載置されるベース部を有し、このベース部に上記
    支柱が複数立設されていることを特徴とする請求項１記
    載の縦型熱処理装置。
  3. 【請求項３】 上記支柱が中空に形成され、側部に通気
    孔を有していることを特徴とする請求項１または２記載
    の縦型熱処理装置。
  4. 【請求項４】 上記基板支持体の下端が上記支柱の上端
    に係合する係合部を有していることを特徴とする請求項
    １、２または３記載の縦型熱処理装置。
  5. 【請求項５】 上記遮熱板がＣＶＤ処理により形成され
    た炭化ケイ素の膜体からなることを特徴とする請求項１
    記載の縦型熱処理装置。
  6. 【請求項６】 上記遮熱板が起伏を有する断面形状に形
    成されていることを特徴とする請求項１または２記載の
    縦型熱処理装置。
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