TW387092B - Vertical heat treatment apparatus - Google Patents

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TW387092B
TW387092B TW085110866A TW85110866A TW387092B TW 387092 B TW387092 B TW 387092B TW 085110866 A TW085110866 A TW 085110866A TW 85110866 A TW85110866 A TW 85110866A TW 387092 B TW387092 B TW 387092B
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Tomohisa Shimazu
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Tokyo Electron Ltd
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Description

Α7 Β7 五、發明説明（ 經濟部央操準局員工消費合作社印製 補史.丨 附圔式加以解釋；第1圖概略顯示依據本實施例之垂直熱 處理裝置。依據本實施例之垂直熱處理裝置，傜可應用於 低壓CVD處理的基片（例如半導體晶圓W )上之薄膜沈積 ;垂直熱處理裝置1每括一與地面平行配置之基板2,例 如不銹綱基板，該基板2在其‘中心有一圖形加工部2a，並 由一框架或其他工具（未顯示）所支撐c 一圚筒技管3 ,例如不銹鋼技管，.其具有由上、下端 各自徑向突出至外的凸緣3a、3 b ,傜配置於基板2下方。 ! ·· 一耐熱防蝕材料製處理管，例如石英處理管，其搆成了縱 長熱處理壚，經由一 ◦形環5與歧管3氣密銜接。處理管 4具有封閉上端、開口下端以及在其下端的向外凸縴4a , 一石英内管6具有敞開之上、下端，偽用其下端與凸緣3e 嚙合，同軸地配置在處理管4内，於是構成了雙管結搆的 垂直熱處理爐。 多數根進氣管7自一處理氣體源與一惰性氣疆源（未 顯示）引入處理氣髏與惰性氣體至處理管4 , 一排氣管8 配置在處理管4上，藉由所顯示的如真空泵或其他抽氣裝 置，以對處理管4内部油真空至例如10-10-8T(Drr。 在處理管4外圍配置有加熱器9 ,例如電熱線線圏（電 阻加熱器）形式，像是堪塔爾鉻鋁鈷耐熱銷導線或其他之 類，以加熱處理管4内部，例如到4 Q Q - 12 Q Q :C ;加熱器9 的外部經由一绝熱材料10，被一冷套形式之不锈網外殼11 所覆蓋，所以，一熱壁式加熱爐於是形成；加熱器9、絶 熱材料1 0及外殼11由合適工具支撐於基板上,， (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 _______ B7__ 五、發明説明（1 ) 本發明僳關於用於半導體裝置之垂直熱處理裝置。 在半導體裝置之製造上，各種不同之熱處理裝置傳統 上偽用於氧化、擴散、CVD (化學蒸氣沈積）、退火等等 。在此種熱處理裝置可以如第1 5圖及第1 6圖所示整批 處理很多晶圓之垂直熱處理裝置中，一値在一用於打開/ 臑閉一具有加熱器9配置環繞在外的縱形熱處理爐4底部 開口（喉道）之帽蓋13上盛載很多艏水平、以垂直間隔排 列之晶圓W的晶圓盤15，如一帽形/支撑的本體，藉一絶 熱結構16安裝在帽蓋13上，藉以在兒許晶圓W在熱處理爐 爐心中之均匀熱區作熱處理時，由絶熱結構16隔絶熱散失 到晶圓盤15之下。在第1 5圖垂直熱處理裝置中之絶熱結 構16，涤為一鰭片結構16a形式*其包括設置在帽蓋13上 之一接受器17上的多層鰭片單元52 ;各鰭片單元包含有， 例如，四支間隔桿50及一配置在間隔捍50頂上之絶熱鰭片 51 ;在最上層絶熱鰭片（亦稱頂板）之中心部份形成有一 孔53，以及位於晶圓盤15下端之一突起54插入該孔53以支 撑晶圓盤。 \在第1 6圔垂直熱處理裝置之絶熱結構16中，鰭片結 構16a以及一包覆鰭片結構16a的中空容器53傜安裝於接 受器17上，而晶圖盤15像安裝於中空容器53頂上。 但第1 5圖之讓晶圓盤15被該做為絶熱結構之鰭片結 構16a支撑之傳統垂直熱處理裝置中’其為減少構成鰭片 結構16a之鰭片單元52中之絶熱鰭片51的厚度，有強度上 的限制；頂板51a必須待別厚’因為在絶熱鰭片51中待別 -4 - , 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4規格（210X297公釐） (#'先阶讀背面之注意事項再填寫本頁)
經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 A7 B7 五、發明説明（2 ) 是頂板必須有足夠的機械強度；該等絶熱鰭片51傺由研磨 石英或其他材質的燒結本體所作出，但是將絶熱鰭片51加 工到薄很困難，而目前加工限度大約到3mm厚左右。. 所以，此等絶熱結構16有大的熱容量，而且在藉由溫 -度快速上升與下降以提升産量上有其限制。該鰭片結構16 a可以由改變鰭片單元52的多個梯级而調整其絶熱效果。 但在改變鰭片單元52的多個梯级時，間隔桿50的高度必須 改變，而不能改變晶圖盤15之設定高度，為此目的，必須 準備具有不同高度的各種間隔擇。 另一方面，在第16圔之熱處理裝置中，其中的晶圓 盤15是由構成絶熱結構16—部份之中空容器53所支撑，鰭 片單元52的很多悌级可在晶圓盤15保持固定在設定高度下 改變，絶熱效果可依據熱處理溫度不同而調整。 但此等熱處理裝置除了中空容器53之外，還需要鰭片 結構16a ，其使得絶熱結構16的構造複雜，該絶熱結構16 的組裝與拆卸需花費人力，該絶熱結構16易於增加熱容量 ，該等絶熱鰭片15的直徑受限於中空容器53内壁尺寸，其 在改善熱絶緣上造成一設計上限。 本發明即在解決上述之缺點，本發明之一目的在提供 一垂直熱處理裝置，其包含一具有簡單構造與低熱容量之 絶熱結構，可使産量提升、。 欲達成上述之目標，依據本發明之垂直熱處理·裝置， ，其有一盛載多數個以垂直間隔排列之將處理基片之基片 座，藉由一絶熱結構安裝在一供打開與關閉垂直熱處理爐 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨0X297公釐） (諳先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
、tT 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（3 ) 底部開口（喉道）之帽蓋上方，俥在爐内均勻熱區内進行 熱處理；該絶熱結構包含支撑基片座之支撑桿，以及多片 具有可供支撑桿鬆動插入之插入孔且由支撑捍支撑之薄絶 熱板，此等絶熱板藉由間隔物，在支撑捍高度方向上以規 定的間隔互相分離。 依據本發明之垂直熱處理裝置，其有一結構，其中， 屬絶熱結構組件之支撑捍直接支撑基片座，且在支撑桿鬆 動地插於絶熱板的孔中之情形下；绝熱板由間隔物分離堆 疊成多層。所以此絶熱結構之構造簡單，絶熱板可容易地 由支撑捍移出，其組裝與拆卸/清理容易；由於基片座之 載重非直接作用在絶熱板上，所以絶熱板可有較低之機械 強度，可以薄及有變小的熱容量，因而溫度快速的上升與 下降是可能的，而可達成較高的産量。在熱處理爐内管之 允許下，絶熱板可以有最大的直徑，因而熱絶緣可以改善 。絶熱板的多層可在支撑捍將基片座定置於定位之情況下 改變，因而可依據熱處理溫度而調整絶熱效果。 :第1圖傺為依據本發明之垂直熱處理裝置之垂直剖面 圔，概略地顯示其大致構造。 .第2圖傜為第1圖垂直熱處理裝置中絶熱結構之垂直 剖面圔。 第3圏傷為具有第2圖絶熱藍構_中.支撑桿之基板的平 面圖。 . 第4圖傜為基板上之―支.撑桿在、第,3,凰.之」c方向上.i勺側 視圖。 -6 - 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4規格（210X 297公釐） D n I I I I I n n n I n n (讀先M-讀背面之注意事項再填寫本頁) 五、發明説明（4 ) .第5A至5C圖傜為第2圖之與熱結構之—絶熱板在其 形成方法各步驟中之垂直剖面圖。 第6 A及.6 B圖像為絶.熱.板.在.甚:另種形成方法各步 .驟中之垂真剖面圖。 第7A及7 B圔傜為絶熱板在.其更另一種形成方法各 步驟中之垂直剖面圖。， 第8A及8ΒΒί偽為清間隔物在不同ϋ形成之絶熱 .板之平面圖。 第9圖係為多片堆疊著的絶熱板之概略垂直剖面圖。 第1 0Α及1 0Β圖傺為絶熱板一種變ϋ態之圔式 ，第1 Ο /ί圖為其平面圖_ d1. Ο B圔為沿箸第1 〇 A圖 之X - X線之垂直剖面圔。 第1 1 A及1 1 B圔傣為，絶熱板另1二變化型態.之圖式 ，第1 1 A圖為其平面圖，第1 1 B圖為沿箸第.1 1 A ~ 圖之XI — XI線之垂直剖面圔。 ， 第1 2圔傜為絶熱結構另一變化〜型態之垂直剖面圖。 \第1 3圖I為第Γ 2圖絶熱結摸虫上俯視之平面'圖。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 .第14圔.1為第1 3圔絶熱結構支撑桿截斷部之放大 透視圔。 第1 5圔傜為傳統垂直熱處理裝置中絶.熱結構之垂直 剖面圖。 第1 6圔偽為垂直熱處理裝置中絶熱結構之變化型態 之垂直剖面圖。· 、 依據本發明乏垂直熱處理装置之一實施例，將參考所 -7 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） Α7 Β7 五、發明説明（ 經濟部央操準局員工消費合作社印製 補史.丨 附圔式加以解釋；第1圖概略顯示依據本實施例之垂直熱 處理裝置。依據本實施例之垂直熱處理裝置，傜可應用於 低壓CVD處理的基片（例如半導體晶圓W )上之薄膜沈積 ;垂直熱處理裝置1每括一與地面平行配置之基板2,例 如不銹綱基板，該基板2在其‘中心有一圖形加工部2a，並 由一框架或其他工具（未顯示）所支撐c 一圚筒技管3 ,例如不銹鋼技管，.其具有由上、下端 各自徑向突出至外的凸緣3a、3 b ,傜配置於基板2下方。 ! ·· 一耐熱防蝕材料製處理管，例如石英處理管，其搆成了縱 長熱處理壚，經由一 ◦形環5與歧管3氣密銜接。處理管 4具有封閉上端、開口下端以及在其下端的向外凸縴4a , 一石英内管6具有敞開之上、下端，偽用其下端與凸緣3e 嚙合，同軸地配置在處理管4内，於是構成了雙管結搆的 垂直熱處理爐。 多數根進氣管7自一處理氣體源與一惰性氣疆源（未 顯示）引入處理氣髏與惰性氣體至處理管4 , 一排氣管8 配置在處理管4上，藉由所顯示的如真空泵或其他抽氣裝 置，以對處理管4内部油真空至例如10-10-8T(Drr。 在處理管4外圍配置有加熱器9 ,例如電熱線線圏（電 阻加熱器）形式，像是堪塔爾鉻鋁鈷耐熱銷導線或其他之 類，以加熱處理管4内部，例如到4 Q Q - 12 Q Q :C ;加熱器9 的外部經由一绝熱材料10，被一冷套形式之不锈網外殼11 所覆蓋，所以，一熱壁式加熱爐於是形成；加熱器9、絶 熱材料1 0及外殼11由合適工具支撐於基板上,， (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 經濟部中央榡準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（6 ) 歧管3下設置有一帽蓋13 ，例如不綉鋼帽蓋，其打開 及闘閉歧管之底部開口，亦即熱處理爐之底部開口 12,帽 蓋可藉由一做為負載機構之揚升機構14上升下降；一作為 基片座之晶圓盤15，例如石英晶圓盤，水平盛載多片在多 層上並以規定垂直間隔排列之晶圓，例如30-150片，並藉 由一絶熱結構16，例如石英絶熱結構，安裝在轄蓋13上。 、膽蓋上方設置有一接受器17,其上安裝了絶熱結構16 。如第2圖所示，一用以限制絶熱結構16水平（徑向）位 移之稜邊17a在該接受器17外圍形成；最好，接受器17被 旋鶫帶動裝置帶動旋轉而使晶圓W能得到均勻熱處理，但 亦可不旋轉；一 0形環18被設置在帽蓋13與歧管3之間作 為其間之氣密封口；以及一絶熱組件19a、19b，例如石英 ，被配置環繞住帽蓋13及接受器17之内面（第2圔）。 如第1及2圔所示，該晶圓盤15包含多數個連接上、 下端板20、21且圍繞碟形晶圓W設置之捍形垂直框架22， 以及配置在垂直框架22上以水平支撑在多層上並以規定垂 直間隔（高度方向）排列之多個晶圔（例如大約150片） 之開槽鎖緊部23 ;該垂直框架22有一側開口，允許晶圓W 被一傳送機構（未顯示）水平傳送通過；傳送機構有一舌 形傳送臂，傳送臂在一定置成低於處理管4的傳送區域内 ，攜載一或多片晶圓，以傳送晶圓到晶圓盤13等等上。 . 另一方面，如第2圖顯示，該絶熱結構16包含支撑晶 圓盤15的支撑捍24，及多數値具有供支撑桿鬆動插入的插 入孔並由支撑桿24支撑的薄絶熱板27，此等絶熱板被配置、. ' -9 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） (I先軋讀背面之注意事項其球寫本1) •售· 訂 A7 B7 五、發明説明（7 ) 在支撑桿24高度方向以一規定間隔排列之間隔物26以一規 定的垂直間隔互相分離；為使晶圚盤15能被絶熱結構26穩 定支撑，支撑捍24具有欲安裝於接受器17上之一碟形基座 28，且多數根（如第3 .圖所例示之三根）支撑捍24立於基 座28上；支撑捍24及基座28由耐熱材料製成，例如石英材 料，再更好是一絶熱不透明石英、或一單體式或由矽滲透 或其他方式予以相互連接之噴砂石英。 支撑桿24由中空圖筒形成，藉由減輕絶熱結構16之重 量以改善操作、確保堅硬及減少熱容量；為改善低壓熱處 理時之排氣作用，如第4圔所示，連通内部與外部之通氣 孔29在支撑捍24的一側（或兩側）上以規定的垂直間隔形 成。 \如第2圖所示，為藉由省略多餘的組件，像是用以從 絶熱結構16之上部支撑晶圓盤15之頂板等*以減低熱容量 ，在晶片盤15之下端板21的底面，形成有多數個與支撑桿 24開口 30嚙合之嚙合凸面31 ;晶圓盤15下端板21嚙合部可 以是可與支撑桿24上端_合之凹Q。 絶熱板27像以由CVD形成之一規定厚度之硕化矽薄膜 形成，例如0.2-0.厚度，俥藉著使絶熱板27變薄以減 少熱容量；用C V D形成絶熱板2 7時，如第5 A圖所例示， 要準備一由可燒除或可溶掉之材料製成之碟形或板形塊段 32。如第5 B圖所示，碳化矽薄膜33是藉由CVD使用磺化 矽原料氣體（例如脱蠟處理）在該塊段表面以一規定厚度 形成；作為該可燒除材料，可使用碳、合成樹脂或其他； -10 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） 先 聞- Λ 之 注 I 項 其 訂 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 Μ Β7 五、發明説明（8 ) 作為該可溶掉材料，可用可被酸溶劑溶解的金屬，像是鋁 ，或是可用可被有機溶劑溶解的合成樹脂或其他。 接箸，如第5 C圖所示，該塊段32被燒掉或溶解以得 到一碩化矽薄膜33之中空本體，該中空本體被切削至指定 尺寸的形狀（如C1指示），以作成兩片絶熱板27;當該塊 段32被燒掉或溶解時，一開口 34在碳化矽薄膜33上形成， 該塊段32如燃燒或溶解産生之氣體或液體一般由此開口 34 排出。 絶熱板27是由一直徑大致相當於或稍大於晶圖W直徑 之调Η形成；如第2圖所示，稍大於支撑捍24直徑之插入 孔25形成其對應於支撑捍24之一部份上，在諸絶熱板27之 間形成一指定間隔之間隔物26，是由例如碳化矽形成，並 鬆動地插在諸絶熱板27之間的支撑捍24上。考慮到熱處理 爐的内部環境，最好絶熱板27之間的間隔大致與晶圚W之 間的間隔相同；如第2圖所示，一間隔物35配置於最下端 絶熱板27與基座28之間，那些位於支撑捍24通氣孔29上之 間隔物26形成有通氣用之孔洞。 間隔物26可以與絶熱板27形成一體，在形成該等與間 隔物26合成一髏之絶熱板27時，如第6 Α圖所例示，準備 一具有相當於支撑捍24直徑的孔36的塊段32，碳化矽薄膜 33在塊段32之表面上形成，此碳化矽薄膜33亦形成於孔36 之内面，然後如第6 B圖顯示，該塊段32被燒掉或溶解， 碩化矽薄膜33被切成指定的尺寸（如C1所示），並在厚度 方向切成兩片（如C2所示），以作成與間隔物26形成一體 -11 - 本紙張尺度適用巾關家鮮（ CNS ) A4規格（210X297公釐) ~ 先M'讀背面之注意事項再填寫本頁)
經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（9 ) 之兩片絶熱板27。藉由間隔物26與絶熱板27如此結合成一 體，組件數目可因此而減少，並可扼止組件間接觸之粒子 産生。. *間隔物26没有必要形成於供支撑桿插入之插入孔25周 圍，可以如間隔捍般適當地形成於絶熱板27之平面上。在 形成該具有桿形間隔物26之絶熱板時，如第7 A圖顯示， 準備一具有盲孔37之塊段32，碳化矽薄膜在塊段32之表面 上形成，桿形間隔物26依照盲孔37之内表面形成。 接著，塊段32被燒掉或溶解，如第7 B圖所示之磺化 矽薄膜中空本體33g卩可獲得；中空本體如C1指示切削，然 後供支撑桿通過的插入孔25便可開通。 在使用具有此等桿形間隔物26之絶熱板27時，如第8 A圖及8 B圔顯示，準備兩種具有桿形間隔物27a、27b之 ' 絶熱板27，其差異在於桿形間隔物26的位置不同，如第'9· 圖顯示，該等絶熱簡隔物27a、27b交替地堆叠著。這是因 為當同種絶熱板互相堆疊時，在盲孔中形成的捍形間隔物 26阻隔了中空部，造成了中空部不能良好疏通。 在具有上述結構之垂直熱處理裝置中，如第1圖顯示 ，帽蓋13由瘍升機構（晶圖盤升降器）14下降至位於處理 管4下方的傳送區，晶圜W靠著另一傳送機構傳送至藉由 絶熱結構16安裝於帽蓋13上之晶圓盤15上；接著，帽蓋13 被揚升機構14舉起，而將晶圓盤15與絶熱結構16帶到處理 管4内，帽蓋13被帶到與技管3下凸緣3b下方抵接之處， 處理管4被緊緊地關閉。於是，晶圓盤15被定置於爐内之 • - 12 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） (請先έ讀背面之注意事項再填寫本頁)
經濟部中央標準局負工消費合作社印製 A7 B7 • ~ 一 ____ — 五、發明説明（1〇 ) 均勻熱區内。 接著，處理管4内部經由排氣管8排空，一惰性氣體 ，例如氮氣，經由進氣管7導入處理管内，以藉氮氣清理 處理管4内部。然後，晶圖被加熱器9很快地加熱至指定 的處理溫度；當處理管内部維持在一指定低壓時，一指定 '處理氣體經進氣管7被引入處理管4内部；像蒸鍍或其他 的熱處理，在欲被處理的基片（晶圓）上實行。當熱處理 結束時，晶圔的溫度很快地被降低，例如至室溫，而在晶 片盤15上被帶到處理管4外。 依據本發明之垂直熱處理裝置1 ，其有一結構，其中 ，屬絶熱結構組件之支撑捍24直接支撑晶圓盤15，且在支 撑桿24鬆動地插在絶熱板27的插入孔25中之狀況下，絶熱 板27由間隔物26分離地堆疊成多層；所以此絶熱結構16之 構造簡單，絶熱板27可容易地由支撑桿24移出，其組裝與 拆卸/清理容易。由於晶圓盤15與晶圓W的載重非直接施 加在絶熱板27上，所以絶熱板27可有較低之機械強度，可 以薄及有變小的熱容量，因而溫度可快速的上升與下降， 而可逹成較高的産量。 依據本發明之垂直熱處理裝置1中，絶熱板7可以有 熱處理爐内管6允許之最大直徑，因而熱絶緣作用可以改 善。絶熱板的多層可在支撑捍將晶圓盤15定置於定位的情 況下而改變，因而可依據熱處理溫度而調整絶熱效果。 依據本發明之垂直熱處理裝置1中，如第2圖顯示， 諸支撑桿24具有欲安裝在一配置於帽蓋13上方之接受器17 -13 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐〉 (#-先軋讀背面之注意事磺再填寫本頁) 訂 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（11 ) 上的基座28，支撑桿24架立在該基座28上，因而可使晶圓 盤15穩固地被絶熱結構16支撑。支撑捍24被形成為中空狀 並在其側面上有通氣孔29，因而絶熱結構16減輕，造成操 作改進、強度強化、較小熱容量可獲得；在支撑捍24内的 氣體分子可經由多數値位於支撑捍24側面上的排氣孔29排 出，因而低壓熱處理的排氣可改進。 如第2圔所示，與支撑捍24上端嚙合之嚙合凸面31設 置在晶圚盤15下端之下端板21上，因而像是在絶熱板16上 部用以支撑晶圓盤15之頂板等之多餘組件是不需要的；絶 _結構16可以簡單，可以有更小之熱容量以及可以穩固地 支撑晶圓盤15 ;絶熱板27以由CVD形成之碳化矽薄膜形成 ，因此，該等絶熱板27可以更薄，而可有更小之熱容量。 第1 Ο A和1-0 B圔以及第1 1 A和1 1 B圔顯示絶 熱板之不同形式。第10A和10B圔中顯示之絶熱板具 有徑向隆起肋條或補強部39，第1 1 A圖和1 · 1 B圖顯示 之絶熱板具有同軸（環狀）隆起肋條或補強部4〇 »兩者皆 有具隆起部的塊段，像這樣具有各自隆起部截面形的絶熱 板，在確保剛性之情形下仍可允許減少其厚度。切槽41在 絶熱板27的外圍邊緣適當形成，以避免绝熱板受熱應力破 壞；最好切槽41在絶熱板之徑向形成，但也可形成於絶熱 板之圓周方向。 如第1 2至1 4圔所例示，六支支撑桿24彼此等距地 配置在圔周上且是堅硬的；支撑桿24頂端之徑向外伸部份 被截斷以形成截斷部24a ，諸截斷部24a可與晶圓盤15下 -14 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) -¾. A7 B7 I、發明説明Π2) 端板21之内圖周嚙合，在此例中，諸絶熱板27被間隔物2 6a垂直互相隔開。 依據本發明之垂直熱處理裝置不限於上述之實施例， 且可涵蓋屬於本發明要點範圍内之不同修正型態，舉例來 說’在上述實施例中，中空間隔物通過該支撑捍，但該等 間隔物基本上是中空且通過支撑捍，間隔物之材料除了碳 化矽外亦可為石英；最好該等絶熱板以由CVD形成之磺化 矽薄膜形成，但是此碳化矽亦可由氧化矽在薄石墨板上行 化學反應形成。 較佳的是，絶熱板材料是碳化矽，但亦可為石英，只 要石英變薄在技術上可解決；此例中，該等石英最好是絶 熱不透明石英或噴砂石英。依據本發明之垂直熱處理裝置 ’除了CVD外，亦可應用於像是氧化、擴散、退火等之熱 處理；欲被處理之基片，除半導體晶片外，亦可是例如 LCD基片等。 ]1".-----#1— (#'先隊讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中夬標隼局員工消費合作社印製 -15 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（13 專有 名 詞 列表 1 垂直熱處理裝置 2 基板 2a 圖形加工部 3 歧管 3a ^ 3b ^ 3c 凸綠 4 處理管（熱读 4a 外凸緣 5、18 0形環 6 内管 7 進氣管 8 排氣管 9 加熱器 10 絶熱材料 11 外殼 12 底部開口 13 帽蓋 14 揚升機搆 15 晶圓盤 16 絶熱結構 16a 鰭片結構 17 接受器 17a 稜邊 19a 、19b 絶熱組件 20 - 21上端板與Ί 22 垂直框架 23 開槽鎖緊部 24 支撑捍 24a 截斷部 25 插入孔 26 ' 26a、35 間 27 絶熱板 27a 、27b 桿彤P 28 基座 29 通氣孔 30 - 34 開口 31 嚙合凸面 32 塊段 33 碳化矽薄膜 36 孔 37 盲孔 39 - 40 補強部 41 切槽 50 間隔桿 51a 頂板 51 絶熱鰭片 52 b-*}L· ί_f α ο —· 鰭片早兀 53 中空容器（或孔） 54 突起 ------------ (#'先έ讀背面之注意事項再填寫本頁) 16 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210Χ297公釐）

Claims (1)

  1. 8888 ABCD 六、申請專利範園 . 1. 一種垂直熱處理裝置，供在熱處理爐之均勻熱區内對 欲受處理物件做熱處理，該裝置包含： 一供打開及關.閉熱處理爐.喉道之帽蓋； 一安裝於該帽蓋上之絶熱結構；以及 一盛載多數片在垂直間隔排列之絶熱板上之欲處 理的基片的基片座其中， 該絶H吉構包含多數値用以支撑-該基片座之直兔 支撑捍；以及多片具有可供該等支撑桿插入的插入孔 並被該等支撑桿支撑且由間隔物以指定垂直間隔分隔 之薄絶熱·板。 2 ·如申請專利範圍第1項所述之垂直熱處理裝置，其中. 該等支_撑._桿具有欲安裝在配置於該帽蓋上端之一接受 器上的圓形基座，該等多數根支撑桿.架設於該基座上 0 3 .如申請專利範圍第i項所述之垂直熱處理裝置，其中， 該等支撑捍在其中心有中空部，且多數個通氣孔在其 —側或兩側上形成。 4 ·如申請專利範圍第Γ填所述之垂直熱處—理裝置，其中 " 該基片座有嚙合部份位於其下端。 5.如申請專利範圍第1項所述之垂直熱處理裝置，其中 該等支撑捍是堅硬且具有嚙合於該基片座内圓周中之 截斷部。 6 .如申請專利範圍第.1...項.所.述之垂直熱處理裝.置，其中 該等絶熱板偽以-由CTD形成之硬化矽薄膜形成。 ____ 本紙張尺度適用t國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） 申請專利範園 A8 B8 C8 D8 7 .如申請專利範圍第1項所述之垂直熱處理裝置，其中 該等絶熱板呈具有隆起部份之剖面形式。 8 .如申請專利範圍第3項所述之垂直熱處理裝置，其中 由該基片座下端伸出之突出嚙合部份嚙合於該等支撑 桿之中空部内。 請 讀’ 背 之 注 意 事 項 再 4 訂 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 本紙張尺度逋用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）
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