JP2011195371A - 熱ｃｖｄ装置における断熱体 - Google Patents

Abstract

【課題】カーボンナノチューブの品質が劣化するのを抑制し得る熱ＣＶＤ装置における断熱体を提供する。
【解決手段】熱ＣＶＤ法によりカーボンナノチューブを基板の表面に形成するための加熱室１３の内壁面に配置される断熱体２１を、底壁部２ａ側に配置される底壁断熱部２２と、上壁部２ｂ側に配置される上壁断熱部２３と、側壁部２ｃおよび区画壁３に沿って配置される側壁断熱部２４とから構成するとともに、これら各断熱部２２〜２４として、金属製の薄い遮蔽板２５を所定間隔おきに多数並置することにより構成したもの。
【選択図】図２

Description

本発明は、熱ＣＶＤ装置における断熱体に関するものである。

従来、カーボンナノチューブを形成する装置としては、炭化水素を分解してカーボンナノチューブを生成する化学的気相成長装置、所謂、熱ＣＶＤ装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。

この熱ＣＶＤ装置においては、基板の表面にカーボンナノチューブを生成させる成膜室が具備されており、この成膜室には、ロードロック室からの基板を保持する基板ホルダーと、この基板ホルダーに保持された基板に炭素含有ガスおよび水素ガスを導くためのガス供給管と、成膜室内を加熱する加熱手段とが具備されている。すなわち、成膜室においては、メタンやアセチレンなどの原料ガスを導入するとともに加熱して当該原料ガスを分解させることにより、カーボンナノチューブを基板上に成長させていた。

ところで、この種の成膜室、すなわち加熱室においては、内部に加熱手段を設ける場合があり、このような場合、内壁面に断熱材を設けることにより、熱効率の向上が図られる。そして、通常、断熱材としては、二酸化ケイ素（シリカ）や酸化アルミニウム（アルミナ）などの耐火材が用いられている。

特開２００２−１１５０７２号公報

しかし、断熱材として、二酸化ケイ素や酸化アルミニウムを用いた場合、真空下では、これらに含まれている不純物が発生し、生成するカーボンナノチューブの品質を劣化させるという問題が生じる。

そこで、本発明は、カーボンナノチューブの品質が劣化するのを抑制し得る熱ＣＶＤ装置における断熱体を提供することを目的とする。

上記課題を解決するため、本発明の請求項１に係る熱ＣＶＤ装置における断熱体は、加熱室の内壁面に複数の金属製の遮蔽板を所定間隔おきに並置したものである。
また、請求項２に係る熱ＣＶＤ装置における断熱体は、請求項１に記載の断熱体において、底壁面側に配置される遮蔽板を積み重ね方式にて支持したものである。

また、請求項３に係る熱ＣＶＤ装置における断熱体は、請求項１または請求項２に記載の断熱体において、側壁面側に配置される遮蔽板を吊り下げ方式にて支持したものである。
また、請求項４に係る熱ＣＶＤ装置における断熱体は、請求項１乃至３のいずれかに記載の断熱体において、上壁面側に配置される遮蔽板を積み重ね方式および吊り下げ方式にて支持したものである。

また、請求項５に係る熱ＣＶＤ装置における断熱体は、請求項１乃至４のいずれかに記載の断熱体において、遮蔽板の厚さを、数μｍ〜１ｍｍの範囲内としたものである。
また、請求項６に係る熱ＣＶＤ装置における断熱体は、請求項１乃至５のいずれかに記載の断熱体において、遮蔽板としてステンレス鋼を用いるとともに、その表面に不動態膜を形成したものである。

さらに、請求項７に係る熱ＣＶＤ装置における断熱体は、請求項１乃至６のいずれかに記載の断熱体において、不動態膜として、二酸化ケイ素または酸化アルミニウムを用いたものである。

上記各発明によると、加熱室内に配置される断熱体を、複数の金属製遮蔽板を所定間隔おきに並置させることにより構成したので、例えば従来の二酸化ケイ素や酸化アルミニウムなどの不純物を含む耐火材に比べると、真空下での不純物の発生を抑制することができ、したがって基板の表面に形成されるカーボンナノチューブの品質が低下するのを防止することができる。

本発明の実施例における熱ＣＶＤ装置の概略構成を示す模式的斜視図である。 同熱ＣＶＤ装置の要部断面図である。 図２のＡ−Ａ断面図である。 図２のＢ−Ｂ断面図である。 図２のＣ部拡大断面図である。 同実施例における断熱体の原理を説明するための放射伝熱系を示す図である。 同実施例における発熱体温度に対する外壁温度と遮蔽板の枚数との関係を示すグラフである。 本発明の他の実施例における熱ＣＶＤ装置の要部断面図である。 図８のＤ−Ｄ断面図である。 図８のＥ部拡大断面図である。

以下、本発明の実施の形態に係る熱ＣＶＤ装置における断熱体について、具体的に示した実施例に基づき説明する。
本実施例においては、カーボンナノチューブ形成用の熱ＣＶＤ装置について説明する。

そして、本実施例においては、カーボンナノチューブを形成する基板として、ステンレス製の薄鋼板、すなわちステンレス鋼板（薄板材の一例であり、例えば箔材の場合は２０〜３００μｍ程度の厚さのものが用いられ、ステンレス箔ということもできる。また、板材である場合には、３００μｍ〜数ｍｍ程度の厚さのものが用いられる。）を用いるようにしたもので、しかも、このステンレス鋼板としては、所定幅で長いもの、つまり帯状のものが用いられる。したがって、このステンレス鋼板はロールに巻き付けられており、カーボンナノチューブの形成に際しては、このロールから引き出されて連続的にカーボンナノチューブが形成されるとともに、このカーボンナノチューブが形成されたステンレス鋼板は、やはり、ロールに巻き取るようにされている。すなわち、一方の巻出しロールからステンレス鋼板を引き出し、この引き出されたステンレス鋼板の表面にカーボンナノチューブを形成（生成）した後、このカーボンナノチューブが形成されたステンレス鋼板を他方の巻取りロールに巻き取るようにされている。

以下、上述した帯状のステンレス鋼板（以下、主として、基板と称す）の表面に、カーボンナノチューブを形成するための熱ＣＶＤ装置について説明する。
この熱ＣＶＤ装置には、図１に示すように、炉本体２内にカーボンナノチューブを形成するための細長い処理用空間部が設けられて成る加熱炉１が具備されており、この炉本体２内に設けられた処理用空間部は、所定間隔おきに配置された区画壁３により、複数の、例えば５つの部屋に区画されて（仕切られて）いる。

すなわち、この炉本体２内には、ステンレス鋼板つまり基板Ｋが巻き取られた巻出しロール１６が配置される基板供給室１１と、この巻出しロール１６から引き出された基板Ｋを導きその表面に前処理を施すための前処理室１２と、この前処理室１２で前処理が施された基板Ｋを導きその表面にカーボンナノチューブを形成するための加熱室（反応室または成膜室ともいえる）１３と、この加熱室１３でカーボンナノチューブが形成された基板Ｋを導き後処理を施すための後処理室１４と、この後処理室１４で後処理が施された基板Ｋを巻き取るための巻取りロール１７が配置された基板回収室（製品回収室ということもできる）１５とが具備されている。上記各ロール１６，１７の回転軸心は水平方向にされており、したがって加熱室１３内に引き込まれる（案内される）基板Ｋは水平面内を移動するとともに、基板Ｋの表面にカーボンナノチューブを形成するようにされている。なお、以下の説明において、基板Ｋの移動方向ａを前後方向と称する（下手側が前側、上手側が後側である）とともに、移動方向ａと直交する水平方向を左右方向と称する。

上記前処理室１２では、基板Ｋの表面、特にカーボンナノチューブを形成する表面（カーボンナノチューブの生成面であり、後述するが、ここでは下面である）の洗浄、不動態膜の塗布、カーボンナノチューブ生成用の触媒微粒子、具体的には、鉄の微粒子（金属微粒子）の塗布が行われる。洗浄については、アルカリ洗浄、ＵＶオゾン洗浄が用いられる。また、不動態膜の塗布方法としては、ロールコータ、ＬＰＤが用いられる。触媒微粒子の塗布方法としては、スパッタ、真空蒸着、ロールコータなどが用いられる。

また、後処理室１４では、基板Ｋの冷却と、基板Ｋの表面、すなわち下面に形成されたカーボンナノチューブの検査とが行われる。
そして、基板回収室１５では、基板Ｋの上面（裏面）に保護フィルムが貼り付けられ、この保護フィルムが貼り付けられたステンレス鋼板である基板Ｋが巻取りロール１７に巻き取られる。なお、基板Ｋの上面に保護フィルムを貼り付けるようにしているのは、基板Ｋを巻き取った際に、その外側に巻き取られる基板Ｋに形成されたカーボンナノチューブを保護するためである。

上述したように、炉本体２内には、区画壁３により５つの部屋が形成されており、当然ながら、各区画壁３には、基板Ｋを通過させ得る連通用開口部（スリットともいう）３ａがそれぞれ形成されている。

ところで、上記加熱室１３においては、熱ＣＶＤ法により、カーボンナノチューブが形成（生成）されるが、当然に、内部は所定の真空度（負圧状態）に維持されるとともに、カーボンナノチューブの生成用ガスつまり原料ガスＧが供給されており、またこの原料ガスＧが隣接する部屋に漏れないように考慮されている。例えば、加熱室１３においては、窒素ガスなどの不活性ガスＮと一緒に原料ガスＧが下方から供給されるとともに上方から排出されて（引き抜かれて）いる。なお、この加熱室１３以外の部屋、すなわち基板供給室１１、前処理室１２、後処理室１４および製品回収室１５についても、窒素ガスなどの不活性ガスＮが下方から供給されるとともに上方から排出されて（引き抜かれて）、大気が入り込まないようにされている。

次に、加熱室１３について詳しく説明する。
図２〜図４に示すように、この加熱室１３を形成する底壁部２ａの中心位置には、カーボンを含む原料ガス（例えば、アセチレンガスが用いられる）Ｇを供給するガス供給口５が設けられるとともに、加熱室１３を形成する上壁部２ｂには、ガスを排出するガス排出口６が設けられ、また当該加熱室１３を形成する内壁面側には本発明に係る断熱体２１が配置されている。なお、図１は熱ＣＶＤ装置の概略構成を示し、その内部が分かるように、手前側の側壁部および断熱体２１については省略している。また、図示しないが、加熱室１３には、当該加熱室１３内の空気を排気して所定の減圧下にするための排気装置（真空装置でもある）が接続されている。

そして、加熱室１３内の上方位置（基板の上方位置）には当該加熱室１３内を加熱するための複数本の円柱形状（または棒状）の発熱体３２よりなる加熱装置３１が設けられている。また、発熱体３２としては非金属の抵抗発熱体が用いられ、具体的には、炭化ケイ素、ケイ化モリブデン、ランタンクロマイト、ジルコニア、黒鉛などが用いられる。

また、加熱室１３の底壁部２ａと基板Ｋとの間には、原料ガス（例えば、アセチレン、メタン、ブタンなどの低級炭化水素ガスである）Ｇを基板Ｋに導くための側面視がホッパー形状（逆台形状）のガス案内用ダクト体３３が設けられている。そして、このガス案内用ダクト体３３の高さ方向中間位置、より具体的には、基板Ｋと底壁断熱部２２との中間位置に、ガスを分散させるための邪魔板（ガス分散板ともいう）３４が複数本の支柱部材３５により水平に支持されている。なお、支柱部材３５は図２にだけ示す。また、図示しないが、上記ガス案内用ダクト体３３の周囲の底壁部２ａ、例えば底壁部２ａの四方にガス排出口が設けられている。

次に、上記断熱体２１の構成について詳しく説明する。
この断熱体２１は、図２〜図４に示すように、加熱室１３の全側壁面に、つまり、底壁部２ａ側および上壁部２ｂ側および四方の側壁部２ｃ，３側に配置されている。すなわち、断熱体２１は、底壁部２ａ側に配置される底壁断熱部２２と、上壁部２ｂ側に配置される上壁断熱部２３と、側壁部２ｃおよび区画壁３に沿って配置される側壁断熱部２４とから構成され、またこれらの断熱部２２〜２４としては、金属製の薄い遮蔽板２５が所定間隔おきに多数並置されることにより構成されたものである。

この遮蔽板２５は、具体的には、厚さが数μｍ〜１ｍｍの範囲の金属製板材（金属箔ともいえる）例えばステンレス箔が用いられるとともに、その表面には、二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）または酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）などの不動態膜がコーティングされて、その表面は鏡面にされている。

そして、上記底壁断熱部２２に配置される遮蔽板２５については、積み重ね方式にて設けられるとともに、側壁断熱部２４に配置される遮蔽板２５については、吊り下げ方式にて支持され、また上壁断熱部２３に配置される遮蔽板２５については、積み重ね方式と吊り下げ方式の両方が用いられている。

以下、吊り下げ方式について説明する。
すなわち、側壁部２ｃおよび区画壁３から水平方向の吊り下げ棒２６が左右および上下に適当な間隔を有して複数本（例えば、上側列に左右３箇所にて、下方列に左右２箇所にて）突設されるとともに、図５に示すように、これらの吊り下げ棒２６に遮蔽板２５がスペーサ２７を介して所定間隔おきで多数並置されている。

次に、積み重ね方式について説明する。
すなわち、底壁部２ａに設けられた支持材２８上に、やはり、スペーサ（図示せず）を介して、水平方向の遮蔽板２５が多数積み重ねられることにより設けられる。この遮蔽板２５の平面視形状は加熱室１３の全体を覆い得るような矩形状にされており、また加熱室１３の底壁部２ａに設けられたガス供給口５に対応する位置（中央位置）で、ガス案内用通路として管体７が設けられている。なお、上記各遮蔽板２５については、一枚もの、または分割構造であってもよい。

次に、上壁断熱部２３について説明する。
この上壁断熱部２３は、底壁断熱部２２と同様の積み重ね方式と、側壁断熱部２４と同様の吊り下げ方式とが用いられている。すなわち、発熱体３２の上方に配置されるとともに加熱室１３の略全体を覆い得るような矩形状にされた上側断熱本体部２３ａと、この上側断熱本体部２３ａの下方位置で且つ発熱体３２の周囲に配置される４つの上側断熱側方部２３ｂとから構成され、上側断熱本体部２３ａが積み重ね方式にされるとともに、上側断熱側方部２３ｂが吊り下げ方式にされている。したがって、上側断熱本体部２３ａの遮蔽板２５を下方から支持する支持部材（図示せず）が設けられるとともに、上側断熱側方部２３ｂの遮蔽板２５を吊持する水平方向の吊り下げ棒２９が側壁断熱部２４の場合と同様に適所に複数本設けられている。勿論、これら上側断熱本体部２３ａおよび上側断熱側方部２３ｂについても、それぞれ最適な断熱効果が得られる大きさの遮蔽板２５がスペーサ（図示せず）を介して所定枚数重ねられまたは並置されることにより構成されている。

ここで、並置すべき遮蔽板の枚数の求め方について説明しておく。
図６に示すように、外壁に相当する２枚のカバー（添字：ａ，ｚで示す）と、これら両カバーの間に配置されるｎ枚の遮蔽板（添字：１，・・・，ｉ，・・・ｎで示す）とからなる互いに平行な（ｎ＋２）個の平面間における放射熱交換を考える。

但し、カバー同士の放射率ε_ａ＝ε_ｚは等しく、また遮蔽板同士の放射率ε_１＝・・・＝ε_ｉ＝・・・＝ε_ｎも等しいものとする。
隣り合う２平面間の放射熱交換熱流密度をｑとすると、下記（１）式が成立する。

ここで、上記（１）式の最初の式と最後の式との各辺同士を加えて変形すると、下記（２）式が得られる。

また、上記（１）式より下記（３）式が得られる。

この（３）式を上記（２）式に代入すると、下記（４）式が得られる。

ここで、Ｆ（筆記体）は、面ａと面ｚとの等価熱交換係数である。

また、下記（６）式および（７）式が成立するため、（５）式から下記（８）式が得られる。

上記（８）式から遮蔽板の枚数（ｎ）を求めると、下記（９）式のようになる。

（９）式に基づき得られる遮蔽板の枚数とカバー温度（外壁温度）との関係をグラフに示すと、図７のようになる。図７中、破線は発熱体の温度が８００℃の場合を示し、実線は発熱体の温度が１０００℃の場合を示す。

但し、真空容器の外側温度が２５℃、真空容器の外壁であるカバーの放射率が０．８、遮蔽板であるステンレス箔の放射率が０．２、ステファンボルツマン定数が１．３５６×１０^−１２とした場合である。

図７から、例えば発熱体温度が８００℃である場合、カバー温度を７５℃にしようとすると、遮蔽板が１５枚必要となることが分かる。
次に、前処理室１２での工程について説明する。

この前処理室１２内では、基板Ｋが洗浄された後、二酸化ケイ素、酸化アルミニウムなどの不動態膜が塗布され、さらにこの不動態膜の上面に、金属例えば鉄（Ｆｅ）の触媒微粒子が塗布される。勿論、図示しないが、この前処理室１２内には、基板Ｋの洗浄手段、不動態膜の塗布手段、および金属例えば鉄（Ｆｅ）の触媒微粒子の塗布手段が設けられている。

ところで、基板Ｋとして、厚さが２０〜３００μｍ以下に圧延加工されてコイル状に巻き取られたステンレス箔が用いられており、このような基板Ｋには、コイルの巻き方向に引張りの残留応力が存在するため、触媒の微粒化および熱ＣＶＤ時に、残留応力の開放により、基板Ｋに反りが発生する。このような反りの発生を防止するために、コイル巻き方向で張力を付加する機構、具体的には、巻出しロールと巻取りロールとの間で張力を発生させて（例えば、両ロールの回転速度を異ならせることにより張力を発生させる。具体的には、一方のモータで引っ張り、他方のモータにブレーキ機能を発揮させればよい。）基板Ｋを引っ張るようにしてもよい。また、巻取りロール側に錘を設けて引っ張るようにしてもよい。

上記加熱室１３以外の他の処理室、すなわち基板供給室１１、前処理室１２、後処理室１４および製品回収室１５については詳しくは説明しなかったが、これら各室１１，１２，１４，１５についても減圧状態にされるとともに、加熱室１３に空気などのカーボンナノチューブの形成に悪影響を及ぼすガスが流入するのを防止するために、図１に示すように、それぞれの底壁部２ａには窒素ガスなどの不活性ガスを供給するためのガス供給口５′が設けられるとともに、上壁部２ｂには、ガス放出口（ガス排出口でもある）６′が設けられている。

次に、上記熱ＣＶＤ装置により、カーボンナノチューブを形成する方法を簡単に説明しておく。
まず、巻出しロール１６から基板Ｋを引き出し、前処理室１２、加熱室１３および後処理室１４における各区画壁３の連通用開口部３ａを挿通させ、その先端を巻取りロール１７に巻き取らせる。このとき、基板Ｋには張力が付与されて真っ直ぐな水平面となるようにされている。

そして、前処理室１２内では基板Ｋの洗浄が行われた後、不動態膜が下面全体に亘って塗布され、この不動態膜の表面に鉄の微粒子が塗布（付着）される。なお、この触媒微粒子の塗布範囲については、少なくとも、カーボンナノチューブの形成面（生成面）であればよい。

この前処理が済むと、基板Ｋは所定長さ分だけ、つまりカーボンナノチューブが形成される長さ分だけ、巻取りロール１７により巻き取られる。したがって、前処理室１２で前処理が行われた部分が、順次、加熱室１３内に移動される。

この加熱室１３では、排気装置（図示せず）により、所定の減圧下に、例えば数Ｐａ〜１０００Ｐａの範囲に、具体的には、上述したように数十Ｐａ〜数百Ｐａに維持される。
そして、加熱装置３１、すなわち発熱体３２により、基板Ｋの温度を所定温度例えば７００〜８００℃に加熱するとともに、加熱室１３の外壁温度が８０℃またはそれ以下（好ましくは、５０℃以下）となるようにする。

上記温度になると、ガス供給口５より原料ガスとしてアセチレンガス（Ｃ_２Ｈ_２）を供給して所定の反応を行わせることにより、基板Ｋ下面に、カーボンナノチューブを生成（成長）させる。

そして、所定時間が経過して所定高さのカーボンナノチューブが得られると、同じく、所定長さだけ移動されて、このカーボンナノチューブが形成された基板Ｋが後処理室１４内に移動される。

この後処理室１４内では、基板Ｋの冷却と検査とが行われる。
この後処理が済むと、基板Ｋは製品回収室１５内に移動されて、その上面に保護フィルムが貼り付けられるとともに、巻取りロール１７に巻き取られる。すなわち、カーボンナノチューブが形成された基板Ｋが製品として回収されることになる。なお、カーボンナノチューブが形成された基板Ｋが全て巻取りロール１７に巻き取られると、外部に取り出されることになる。

上記熱ＣＶＤ装置の構成によると、基板を加熱室内に導くとともに原料ガスを導入してその表面にカーボンナノチューブを形成する際に、巻出しロールに巻き取られた基板を巻取りロールに巻き取るようにするとともに、その途中の基板の表面にカーボンナノチューブを形成するようにしたので、所定長さ毎ではあるが連続的に、基板にカーボンナノチューブを形成することができ、したがって完全なバッチ式にカーボンナノチューブを形成する場合に比べて、効率良くカーボンナノチューブを形成することができる。

また、基板を、カーボンナノチューブを形成する面を下向きにした状態で、加熱室内に原料ガスを供給するとともに、加熱室内に設けられたガス案内用ダクト体により、当該原料ガスを基板の下面（表面）に導くようにしたので、原料ガスを基板表面に均一に導くことができる。

また、発熱体を基板のカーボンナノチューブの形成面とは反対の上面側に配置したので、原料ガスによる反応がスムーズに行われる。この理由は、発熱体が直接基板を温めるとともにガスが発熱体と反対の面から供給されるため、ガスは基板に真っ先に供給されてその極近傍でガス分解が生じるからである。なお、ガスが発熱体を通過した場合には、その近傍でガス分解されて温度が高温から低温に変化する箇所で煤が生成し易くなると同時に、基板に供給される炭素が少なくなってしまう。

さらに、加熱室内に配置される断熱体を、複数の金属製遮蔽板（正確には、薄い金属板または金属箔）を所定間隔おきに並置させることにより構成したので、例えば従来の二酸化ケイ素や酸化アルミニウムなどの不純物を含む耐火材に比べて真空下での不純物の発生を抑制することができ、したがって基板の表面に形成されるカーボンナノチューブの品質が低下するのを防止することができる。

ところで、上記実施例に係る断熱体では、加熱室１３の内壁面毎に、板状の遮蔽板２５を複数枚重ねるとともに並置するものとして説明したが、例えば図８〜図１０に示すように、底壁断熱部２２および側壁断熱部２４を一体化した、つまり、箱型で且つ上面が開放された有底容器形状にした容器型遮蔽板４１を複数重ねたものを用いてもよい。勿論、図１０に示すように、これら容器型遮蔽板４１同士の間には、スペーサ４２が配置される。

さらに、上記実施例に係る上壁断熱部２３については、発熱体３２の左右の支持部分だけを、従来の二酸化ケイ素や酸化アルミニウムなどの断熱材により支持するようにしてもよい。この場合、断熱材は一部に使用されるだけであり、内壁面全体に亘って用いられるものに比べて、不純物の発生は極めて僅かとなるため、カーボンナノチューブの品質に殆ど悪影響を与えることはない。

Ｋ 基板
１ 加熱炉
２ 炉本体
２ａ 底壁部
２ｂ 上壁部
２ｃ 側壁部
３ 区画壁
１１ 基板供給室
１２ 前処理室
１３ 加熱室
１４ 後処理室
１５ 基板回収室
１６ 巻出しロール
１７ 巻取りロール
２１ 断熱体
２２ 底壁断熱部
２３ 上壁断熱部
２４ 側壁断熱部
２５ 遮蔽板
２６ 吊り下げ棒
２７ スペーサ
２９ 吊り下げ棒
３１ 加熱装置
３２ 発熱体
３３ ガス案内用ダクト体
４１ 容器型遮蔽板
４２ スペーサ

Claims (7)

1. 加熱室の内壁面に複数の金属製の遮蔽板を所定間隔おきに並置して成ることを特徴とする熱ＣＶＤ装置における断熱体。
2. 底壁面側に配置される遮蔽板を積み重ね方式にて支持したことを特徴とする請求項１に記載の熱ＣＶＤ装置における断熱体。
3. 側壁面側に配置される遮蔽板を吊り下げ方式にて支持したことを特徴とする請求項１に記載の熱ＣＶＤ装置における断熱体。
4. 上壁面側に配置される遮蔽板を積み重ね方式および吊り下げ方式にて支持したことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の熱ＣＶＤ装置における断熱体。
5. 遮蔽板の厚さを、数μｍ〜１ｍｍの範囲内としたことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の熱ＣＶＤ装置における断熱体。
6. 遮蔽板としてステンレス鋼を用いるとともに、その表面に不動態膜を形成したことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の熱ＣＶＤ装置における断熱体。
7. 不動態膜として、二酸化ケイ素または酸化アルミニウムを用いたことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の熱ＣＶＤ装置における断熱体。
   

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