JP5574857B2 - 熱cvd装置 - Google Patents
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Description
そこで、本発明は、別途加熱手段を設けることなく、真空容器内に送り込む原料ガスを加熱するとともに、基板を適切に加熱することで、安定して基板上に膜を形成することができる熱CVD装置を提供することを目的とする。
基板の上方で且つ真空容器内に配置されて当該基板を加熱する加熱手段と、この加熱手段の上方に配置されて当該加熱手段により加熱される曲線状の被加熱部を有するとともに基板の下方から原料ガスを供給するガス供給管とを具備し、
ガス供給管の被加熱部が、原料ガスの供給方向にそって中心から外周に広がる渦巻状であり、
上記渦巻状の中心が、基板の平面視における中心位置の上方に配置されているものである。
基板の上方で且つ真空容器内に配置されて当該基板を加熱する加熱手段と、この加熱手段の上方に配置されて当該加熱手段により加熱される曲線状の被加熱部を有するとともに基板の下方から原料ガスを供給するガス供給管とを具備し、
ガス供給管の被加熱部が複数の配管から構成され、これら配管が原料ガスの供給方向にそって放射状に配置されるとともに、各配管がそれぞれ蛇行状であり、
上記放射状の中心が、基板の平面視における中心位置の上方に配置されていることを特徴とする。
本実施例1においては、一例としてカーボンナノチューブ形成用の熱CVD装置について説明する。
そして、基板回収室15では、基板Kの上面に保護フィルムが貼り付けられ、この保護フィルムが貼り付けられたステンレス鋼板である基板Kが巻取りロール17に巻き取られる。なお、基板Kの上面に保護フィルムを貼り付けるようにしているのは、基板Kを巻き取った際に、その外側に巻き取られる基板Kに形成されたカーボンナノチューブを保護するためである。
加熱室13の上壁部2bには、ガスを排出するガス排出口(例えば、排出管である)7が形成されている。なお、この加熱室13を形成する内壁面には所定厚さの断熱材4が貼り付けられている。また、図示しないが、加熱室13には、当該加熱室13内の空気を排気して所定の減圧下にするための排気装置(真空装置でもある)が接続されている。
ガス供給管31から原料ガスGの供給を受けて下面にカーボンナノチューブを形成する基板Kは、加熱装置21で加熱されても、自然冷却により外縁部から温度が低下するので、若干ではあるが外縁部と中央部で温度差が生じ、中央部では温度が高く、外縁部に近づくほど温度が低くなる。このため、加熱装置21において、基板Kの中央部(高温部)を加熱する箇所では熱が吸収されて加熱量を少なくするとともに、外縁部(低温部)を加熱する箇所では熱が吸収されず加熱量を多くすることで、加熱された基板Kの温度勾配を修正し、基板Kを全体で均一な温度にする必要がある。
加熱装置21は円柱形状の発熱体22が複数本並置されたものであり、また、これら発熱体22は、全て同じ消費電力にされてその輻射熱により基板Kが均一に加熱されるように考慮されている。しかし、加熱室13内には薄いガスが存在し、このガスの熱伝導により、基板Kの周辺部の温度が僅かに下がってしまう。
一方、渦巻の周辺部ではガス供給管31内での原料ガスGの温度が高くなるため、基板周辺部での温度低下が殆どなくなる。
なお、被加熱部33の渦巻のピッチ、渦径および配管径などについては、基板周辺部での不均一な熱伝導がなくなるように決定される。具体的には、シミュレーションなどにより求められる。
この前処理室12内では、基板Kが洗浄された後、シリカ、アルミナなどの不動態膜が塗布され、さらにこの不動態膜の表面に、金属例えば鉄(Fe)の触媒微粒子が塗布される。勿論、図示しないが、この前処理室12内には、基板Kの洗浄手段、不動態膜の塗布手段、および金属例えば鉄(Fe)の触媒微粒子の塗布手段が設けられており、これら塗布手段はマスク等を有しない簡易な構造であるから、不動態膜および触媒微粒子は基板Kの全面に塗布される。
この減圧値としては、数Pa〜数千Paの範囲に維持される。例えば、数十Pa〜数百Paに維持される。なお、減圧範囲の下限である数Paは、カーボンナノチューブの形成レート(成膜レートである)を保つための限界値であり、上限である数千Paは煤、タールの抑制という面での限界値である。また、炉本体2内の構成部材としては、煤、タールなどの生成が促進しないように、非金属の材料が用いられている。
次に、上記熱CVD装置によるカーボンナノチューブの形成方法について説明する。
そして、加熱装置21、すなわち発熱体22により、基板Kの温度を所定温度例えば700〜800℃に加熱するとともに、加熱室13の外壁温度が80℃またはそれ以下(好ましくは、50℃以下)となるようにする。この場合、加熱室13には断熱材4が設けられているため若干ではあるが、基板Kは外縁部から自然冷却し、基板Kの外縁部と中央部で温度差が生ずる。
この後処理が済むと、基板Kは製品回収室15内に移動されて、その上面に保護フィルムが貼り付けられるとともに、巻取りロール17に巻き取られる。すなわち、カーボンナノチューブが形成された基板Kが製品として回収されることになる。なお、カーボンナノチューブが形成された基板Kが全て巻取りロール17に巻き取られると、外部に取り出されることになる。
なお、本実施例2においても、カーボンナノチューブ形成用の熱CVD装置について説明するが、実施例1と同一部分については説明を省略する。
なお、本実施例3においても、カーボンナノチューブ形成用の熱CVD装置について説明するが、実施例1と同一部分については説明を省略する。
また、実施例2および3で示した被加熱部は、2つまたは4つの配管から構成されるものとして説明したが、この数に限られず、原料ガスの供給方向にそって放射状に配置されるのであれば、3つまたは5つ以上の配管から構成されるものでもよい。
K 基板
N 不活性ガス
3 区画壁
4 断熱材
7 ガス排出口
13 加熱室
21 加熱装置
22 発熱体
23 ガス案内用ダクト
26 整流板
31 ガス供給管
32 室内導入部
33 被加熱部
34 ガス供給部
Claims (3)
- 基板を内部に配置するとともに所定の真空度を維持し得る真空容器を有して、熱化学気相成長法により当該基板に原料ガスを供給して蒸着膜を成長させる熱CVD装置であって、
基板の上方で且つ真空容器内に配置されて当該基板を加熱する加熱手段と、この加熱手段の上方に配置されて当該加熱手段により加熱される曲線状の被加熱部を有するとともに基板の下方から原料ガスを供給するガス供給管とを具備し、
ガス供給管の被加熱部が、原料ガスの供給方向にそって中心から外周に広がる渦巻状であり、
上記渦巻状の中心が、基板の平面視における中心位置の上方に配置されていることを特徴とする熱CVD装置。 - 基板を内部に配置するとともに所定の真空度を維持し得る真空容器を有して、熱化学気相成長法により当該基板に原料ガスを供給して蒸着膜を成長させる熱CVD装置であって、
基板の上方で且つ真空容器内に配置されて当該基板を加熱する加熱手段と、この加熱手段の上方に配置されて当該加熱手段により加熱される曲線状の被加熱部を有するとともに基板の下方から原料ガスを供給するガス供給管とを具備し、
ガス供給管の被加熱部が複数の配管から構成され、これら配管が原料ガスの供給方向にそって放射状に配置されるとともに、各配管がそれぞれ蛇行状であり、
上記放射状の中心が、基板の平面視における中心位置の上方に配置されていることを特徴とする熱CVD装置。 - 加熱手段およびガス供給管の被加熱部が、いずれも基板に対して略平行に配置されたことを特徴とする請求項1または2に記載の熱CVD装置。
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