JPS6299472A - Ｃｖｄ薄膜形成装置 - Google Patents
Ｃｖｄ薄膜形成装置Info
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- JPS6299472A JPS6299472A JP24018285A JP24018285A JPS6299472A JP S6299472 A JPS6299472 A JP S6299472A JP 24018285 A JP24018285 A JP 24018285A JP 24018285 A JP24018285 A JP 24018285A JP S6299472 A JPS6299472 A JP S6299472A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明はＣＶ １）薄膜形成装置に関する。川に詳細に
は、本発明は反応炉中および／または内壁面Ｉ−にＳｉ
Ｏあるいは８１０２などの異物機Ｒｆ’か生成すること
を防１１・したＣ Ｖ Ｉ）薄膜形成装置に関する。
は、本発明は反応炉中および／または内壁面Ｉ−にＳｉ
Ｏあるいは８１０２などの異物機Ｒｆ’か生成すること
を防１１・したＣ Ｖ Ｉ）薄膜形成装置に関する。
［従来技術］
薄膜の形成方法として、゛Ｉ′−導体１ユ業において一
般に広く用いられているものの・つに、気相成長法（Ｃ
ＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ ＶａｐｏｕｒＤｅｐｏｓ
ｉ ｔ ｉ ｏｎ）がある。ＣＶ Ｉ）とは、ガス状物
質を化学反応で固体物質にし、基板１に堆積することを
いう。
般に広く用いられているものの・つに、気相成長法（Ｃ
ＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ ＶａｐｏｕｒＤｅｐｏｓ
ｉ ｔ ｉ ｏｎ）がある。ＣＶ Ｉ）とは、ガス状物
質を化学反応で固体物質にし、基板１に堆積することを
いう。
ＣＶＤの特徴は、成長しようとする薄膜の融点よりかな
り低いｋＩＩ積温度で種々の薄膜が得られること、およ
び、成長した薄膜の純度が＋ｔＷく、Ｓ＋やＳｉｌの熱
酸化膜１．に成長した場合も電気的１．ｌＩ性が安定で
あることで、広＜゛１′−導体表面のパッシベーンパン
膜として利用されている。
り低いｋＩＩ積温度で種々の薄膜が得られること、およ
び、成長した薄膜の純度が＋ｔＷく、Ｓ＋やＳｉｌの熱
酸化膜１．に成長した場合も電気的１．ｌＩ性が安定で
あることで、広＜゛１′−導体表面のパッシベーンパン
膜として利用されている。
ＣＶ １３による薄膜形成は、例えば、５００°Ｃ稈度
に加熱したウェハに反応ガス（例えばＳ ｉ Ｈｑ＋０
２．またはＳ ｉ Ｉｌｑ ＋Ｐｆ１３＋０２ ）を供
給して行われる。１−記の反応ガスはＮ２ガスをキャリ
ヤとして反応炉（ベルジャ）内のウェハに吹きつけられ
、該ウェハの表面に５ｉ０２あるいはフＡスフＡンリケ
ートガラス（ＰＳＧ）の薄膜を形成する。また、ＳｉＯ
２とＰＳＧとの２相成膜が行われることもある。
に加熱したウェハに反応ガス（例えばＳ ｉ Ｈｑ＋０
２．またはＳ ｉ Ｉｌｑ ＋Ｐｆ１３＋０２ ）を供
給して行われる。１−記の反応ガスはＮ２ガスをキャリ
ヤとして反応炉（ベルジャ）内のウェハに吹きつけられ
、該ウェハの表面に５ｉ０２あるいはフＡスフＡンリケ
ートガラス（ＰＳＧ）の薄膜を形成する。また、ＳｉＯ
２とＰＳＧとの２相成膜が行われることもある。
このようなＣＶ Ｉ）による薄膜形成操作を行うために
従来から用いられている装置の一例を第２図に部分断面
図として示す。
従来から用いられている装置の一例を第２図に部分断面
図として示す。
第２図において、反応炉（ベルジャ）■は、円ＸＩ １
ｊＳのバッフＹ２を円鉗状のカバー３で覆い、−１〕記
バツフア２の周囲にリング杖のウェハテーブル４を同転
駆動ｒｌ）能に設置するとともに、！−記ウつバチーフ
ル４のＩ−に被加工物である１を導体ウェハ５を順次に
供給し、該ウェハ５を順次に搬出するローダ／アンロー
ダ６を設けて構成されている。
ｊＳのバッフＹ２を円鉗状のカバー３で覆い、−１〕記
バツフア２の周囲にリング杖のウェハテーブル４を同転
駆動ｒｌ）能に設置するとともに、！−記ウつバチーフ
ル４のＩ−に被加工物である１を導体ウェハ５を順次に
供給し、該ウェハ５を順次に搬出するローダ／アンロー
ダ６を設けて構成されている。
前記円鎖状カバー３の珀点付近に反応ガス送入管８及び
９が１と続されている。８ａ、Ｄａはそれぞれ反応ガス
送入ノズルである。使用される反応ガスの５ｉｌｌｑ及
び０２はそれぞれ別のガス送入管により反応炉に送入し
なければならない。例えば、５ｉ０４を送入管８で送入
し、そして、０２を送入管９で送入する。ＰＨ３を使用
する場合、Ｓ ｉ Ｏｑとともに送入できる。
９が１と続されている。８ａ、Ｄａはそれぞれ反応ガス
送入ノズルである。使用される反応ガスの５ｉｌｌｑ及
び０２はそれぞれ別のガス送入管により反応炉に送入し
なければならない。例えば、５ｉ０４を送入管８で送入
し、そして、０２を送入管９で送入する。ＰＨ３を使用
する場合、Ｓ ｉ Ｏｑとともに送入できる。
前記のウェハテーブル４の直ドには俤かなギャップを介
してヒータ１０が設けられていてウニノ１５を所定の７
フ、１度（例えば、５００°Ｃ）に加熱する。
してヒータ１０が設けられていてウニノ１５を所定の７
フ、１度（例えば、５００°Ｃ）に加熱する。
反応ガス送入管８および９から送入された反応ガス（例
えば、Ｓ ｉ ｔｌｑ＋０２または５ｉＨｑ＋ＰＨ３＋
０２ ）は矢印旧 ｉｌ ’ ＋ ｌ）＋ ｂ ’
のごとくウェハ５の表面に触れて流動し、化学反応によ
って生成される物質（Ｓｉ０２またはＰＳＧ）の薄膜を
ウェハ５の表面に付ｉｔせしめる。
えば、Ｓ ｉ ｔｌｑ＋０２または５ｉＨｑ＋ＰＨ３＋
０２ ）は矢印旧 ｉｌ ’ ＋ ｌ）＋ ｂ ’
のごとくウェハ５の表面に触れて流動し、化学反応によ
って生成される物質（Ｓｉ０２またはＰＳＧ）の薄膜を
ウェハ５の表面に付ｉｔせしめる。
１ｉｉｔ記の装置による薄膜形成操作において、反応炉
内に搬入した゛１′導体つエノ＼を加熱し、１−記の反
応炉内に（１１Ｎ２ガスを送入して炉内空気をパージし
、（１１）反応ガスを送入して成膜反応を１？わしめ、
（目１）Ｎ２ガスを送入して反応ガスをパージし、そし
て（１ｖ）炉からウェハを搬出するといった１−稈順に
行うこともできる。このような場合、パージガスのＮ２
はガス送入管８および／または９から反応炉内に給送で
きる。
内に搬入した゛１′導体つエノ＼を加熱し、１−記の反
応炉内に（１１Ｎ２ガスを送入して炉内空気をパージし
、（１１）反応ガスを送入して成膜反応を１？わしめ、
（目１）Ｎ２ガスを送入して反応ガスをパージし、そし
て（１ｖ）炉からウェハを搬出するといった１−稈順に
行うこともできる。このような場合、パージガスのＮ２
はガス送入管８および／または９から反応炉内に給送で
きる。
［発明が解決しようとする問題点］
しかし、この装置では、炉中にＳｉＯあるいは５ｉ０２
の微粒子が発生し、ウェハの表面へ沈降付着してウェハ
蒸着面に障害を与えていた。またＳｉＯ２粒子が反応炉
内壁面のあらゆる部分に付着し、これがフレークとなっ
て僅かな振動、風圧で剥げ落ち、ウェハ表面−１−に落
下付着するという現象もあった。これら微粒子（異物）
がウェハに付着すると蒸着膜にピンホールを生じたりし
て半導体素子の製造歩留りを著しく低ドさせるという欠
点があった。
の微粒子が発生し、ウェハの表面へ沈降付着してウェハ
蒸着面に障害を与えていた。またＳｉＯ２粒子が反応炉
内壁面のあらゆる部分に付着し、これがフレークとなっ
て僅かな振動、風圧で剥げ落ち、ウェハ表面−１−に落
下付着するという現象もあった。これら微粒子（異物）
がウェハに付着すると蒸着膜にピンホールを生じたりし
て半導体素子の製造歩留りを著しく低ドさせるという欠
点があった。
［発明の目的］
従って、本発明の［１的は反応炉中および／または内壁
面１−にＳｉＯあるいは５ｉ０２などの微粒ｒが生成す
るこ占を防１１シたＣ Ｖ １１薄膜形成装置を提供す
ることである。
面１−にＳｉＯあるいは５ｉ０２などの微粒ｒが生成す
るこ占を防１１シたＣ Ｖ １１薄膜形成装置を提供す
ることである。
［問題点を解決するためのｒ段］
反応炉中および／または内壁面１・にＳｉＯあるいは５
ｉ０２なとの微粒子が生成する１皇因を突きとめるため
、本発明者らは長年にわたり広範な実験と試作を繰り退
した。その結果、ＳｉＯあるいは５ｉ０２などの白色微
粒Ｙ−が付着している反応炉内壁面の温度はウェハ温度
に比べて低いことを見出した。史に、内壁面の一部を４
００℃以１−に加熱したところ、この部分では白色微粒
子は存在せず、５ｉ０２の透明な膜として蒸着されてい
ることも明かとなった。以上の実験結果から、反応ガス
は比較的低温度の部分に触れて白色微粉子化するという
結論に達した。
ｉ０２なとの微粒子が生成する１皇因を突きとめるため
、本発明者らは長年にわたり広範な実験と試作を繰り退
した。その結果、ＳｉＯあるいは５ｉ０２などの白色微
粒Ｙ−が付着している反応炉内壁面の温度はウェハ温度
に比べて低いことを見出した。史に、内壁面の一部を４
００℃以１−に加熱したところ、この部分では白色微粒
子は存在せず、５ｉ０２の透明な膜として蒸着されてい
ることも明かとなった。以上の実験結果から、反応ガス
は比較的低温度の部分に触れて白色微粉子化するという
結論に達した。
従って、この問題点を解決するために、この発明は、反
応炉内に搬入されたウェハを加熱する手段を設け、−１
−記の反応炉内に反応ガスを送入するようにしたＣｖＤ
薄膜形成装置において％Ｎ２ガス供給源からのＮ２ガス
を前記ウェハ加熱手段に−６＝ より加熱し、この加熱Ｎ２ガスを前記反応ガスと混合す
ることにより該反応ガスをＳｉＯあるいは５ｉ（１２微
粉ｒの発生しないｌ精度にまで昇温させて反応炉内に供
給するようにしたことを特徴とする。反応ガスが一種類
以１．の場合、それぞれのガスを別個に加熱Ｎ２ガスと
混合して所定？ＩＡ度にまでに＋’ ７１１Ａさせてか
ら反応炉内に供給することが好ましい。
応炉内に搬入されたウェハを加熱する手段を設け、−１
−記の反応炉内に反応ガスを送入するようにしたＣｖＤ
薄膜形成装置において％Ｎ２ガス供給源からのＮ２ガス
を前記ウェハ加熱手段に−６＝ より加熱し、この加熱Ｎ２ガスを前記反応ガスと混合す
ることにより該反応ガスをＳｉＯあるいは５ｉ（１２微
粉ｒの発生しないｌ精度にまで昇温させて反応炉内に供
給するようにしたことを特徴とする。反応ガスが一種類
以１．の場合、それぞれのガスを別個に加熱Ｎ２ガスと
混合して所定？ＩＡ度にまでに＋’ ７１１Ａさせてか
ら反応炉内に供給することが好ましい。
［信用コ
・般に反応ガス（ＳｉＨｑ、ＰＨ３，０２）は直接加熱
すると配管内面との間で反応する危険性があるが、本発
明のＣＶ Ｉ）薄膜形成装置ではキャリアガスであるＮ
２（１００％）を加熱し、この加熱Ｎ２ガスと反応ガス
を混合することにより該反応ガスを間接的に加熱するの
で前記のような危険性はない。
すると配管内面との間で反応する危険性があるが、本発
明のＣＶ Ｉ）薄膜形成装置ではキャリアガスであるＮ
２（１００％）を加熱し、この加熱Ｎ２ガスと反応ガス
を混合することにより該反応ガスを間接的に加熱するの
で前記のような危険性はない。
また、本発明のＣＶ １１薄膜形成装置では、ウェハ加
熱１段でＮ２ガスも一緒に加熱するので、装置全体の構
成がシンプルにまとめらればかりか、Ｎ２ガスの加熱に
・〃する費用も安価におさえるおことができる。
熱１段でＮ２ガスも一緒に加熱するので、装置全体の構
成がシンプルにまとめらればかりか、Ｎ２ガスの加熱に
・〃する費用も安価におさえるおことができる。
本発明のＣＶ１３薄膜形成装置にあっては反応ガスとし
て使用されるＳ ｉ ＩＩｑ（）！合によりＰＩ−１３
を含む）及び０２が個別に加熱され、ＳｉＯまたはＳ
ｉ ０２なとσ月′１色微ｔｉ’７ Ｉ’が発生しない
１ｌｌｌ１度に保たれるので、反応炉内のウェハ表面へ
反応ガスが達する前に１゛２遊ｔ’ｌの白色微粒子が発
生することは殆とない。
て使用されるＳ ｉ ＩＩｑ（）！合によりＰＩ−１３
を含む）及び０２が個別に加熱され、ＳｉＯまたはＳ
ｉ ０２なとσ月′１色微ｔｉ’７ Ｉ’が発生しない
１ｌｌｌ１度に保たれるので、反応炉内のウェハ表面へ
反応ガスが達する前に１゛２遊ｔ’ｌの白色微粒子が発
生することは殆とない。
更に、反応ガスは高ｌｌ、！度にまで加熱され、かつ、
相当の熱酸を持っているので、反応炉の内壁而で低温度
の部分に接触しても調度が低ドして白色〃を物として該
内壁而に付着することはない。
相当の熱酸を持っているので、反応炉の内壁而で低温度
の部分に接触しても調度が低ドして白色〃を物として該
内壁而に付着することはない。
その結果、反応炉内のウェハ表面へ白色異物が落ド付着
してウェハ蒸着面に障害をＩｊえるような不都合な°１
［態は回避され １導体素ｒの製造歩留りが向１・、す
る。
してウェハ蒸着面に障害をＩｊえるような不都合な°１
［態は回避され １導体素ｒの製造歩留りが向１・、す
る。
［実施例コ
以ド、図面を参１１（ｌ Ｌながら本発明の実施例につ
いて史に詳細に詳細に説明する。
いて史に詳細に詳細に説明する。
第１図は本発明のＣＶ Ｉ）薄膜形成装置の−・実施例
の概念図である。
の概念図である。
・般に、反応ガスは直接高ｌｕ化すると配管内面との間
で反応する危険性があるので、本発明の一実施例ではキ
ャリアガスであるＮ２を加熱する。
で反応する危険性があるので、本発明の一実施例ではキ
ャリアガスであるＮ２を加熱する。
従って、第１図に小されるようにＮ２ガス供給源（例え
ば液化窒素の充填されたボンベ）１１の元締弁１３を解
放することにより気化されたＮ２ガスを流ｒｆｉ、４Ｎ
５および総流眼調節弁１７を介してパイプ１９に送り、
更に、ウェハテーブル４の直下にあるヒータ１０の内部
に配置されたＮ２ガス加熱用蛇管または渦巻管２１ａに
送る。Ｎ２ガス加熱用蛇管または渦巻管２１ａは連結管
２３によりＮ２ガス加熱用蛇管または渦巻管２１ｂに連
結されている。加熱されたＮ２ガスは給送管２５により
−１−１反応炉外に出される。給送管２５は途中から
−を股に分岐されており、一方の分岐パイプ２５ａは５
ｉＨｑガス送入管８に接続され、そして他方の分岐パイ
プ２５ｂは０２ガス送入管９に接続されている。ガス送
入管８および９は第２図に、１（されたものと同様に反
応ガス送入ノズル８ａおよび９ａを介して反応炉（ベル
ジャ）１の円部状カバー３の珀点付近に接続されている
。
ば液化窒素の充填されたボンベ）１１の元締弁１３を解
放することにより気化されたＮ２ガスを流ｒｆｉ、４Ｎ
５および総流眼調節弁１７を介してパイプ１９に送り、
更に、ウェハテーブル４の直下にあるヒータ１０の内部
に配置されたＮ２ガス加熱用蛇管または渦巻管２１ａに
送る。Ｎ２ガス加熱用蛇管または渦巻管２１ａは連結管
２３によりＮ２ガス加熱用蛇管または渦巻管２１ｂに連
結されている。加熱されたＮ２ガスは給送管２５により
−１−１反応炉外に出される。給送管２５は途中から
−を股に分岐されており、一方の分岐パイプ２５ａは５
ｉＨｑガス送入管８に接続され、そして他方の分岐パイ
プ２５ｂは０２ガス送入管９に接続されている。ガス送
入管８および９は第２図に、１（されたものと同様に反
応ガス送入ノズル８ａおよび９ａを介して反応炉（ベル
ジャ）１の円部状カバー３の珀点付近に接続されている
。
反応ガスとして使用されるＳ ｉ Ｏｑ （ｐＨ３）お
よび０２は純粋ガスではな（、適当な濃度（例えば、２
０％）までＮ２ガスで希釈された混合ガスである。そし
て、この希釈ガスは加熱された純粋のＮ２（１００％）
ガスと更に混合され、ノズル８ａ、９ａを介して炉内に
拡散される。従って、それぞれのガスの流Ｉｉｌ比を適
当に調節すれば、純粋のＮ２ガスだけを加熱し、その後
、この加熱Ｎ２ガスを前記希釈反応ガスと混合しても、
その熱量からいって前記反応ガスを１−分に加熱するこ
とができる。説明するまでもなく、ガスの流Ｍ比自体は
本発明の必須要件ではない。ｌｊなる ・例として挙げ
れば、Ｓ ｉ Ｏｑ ／Ｎ２ （２： ８）を１λ／分
、 ０２ ／Ｎ２ （２： ８）を５Ｊ！／分、そし
て加熱された純粋Ｎ２ガスを１５１／分で供給する。
よび０２は純粋ガスではな（、適当な濃度（例えば、２
０％）までＮ２ガスで希釈された混合ガスである。そし
て、この希釈ガスは加熱された純粋のＮ２（１００％）
ガスと更に混合され、ノズル８ａ、９ａを介して炉内に
拡散される。従って、それぞれのガスの流Ｉｉｌ比を適
当に調節すれば、純粋のＮ２ガスだけを加熱し、その後
、この加熱Ｎ２ガスを前記希釈反応ガスと混合しても、
その熱量からいって前記反応ガスを１−分に加熱するこ
とができる。説明するまでもなく、ガスの流Ｍ比自体は
本発明の必須要件ではない。ｌｊなる ・例として挙げ
れば、Ｓ ｉ Ｏｑ ／Ｎ２ （２： ８）を１λ／分
、 ０２ ／Ｎ２ （２： ８）を５Ｊ！／分、そし
て加熱された純粋Ｎ２ガスを１５１／分で供給する。
当然これ以外の流ｉｉ（比も使用できる。反応ガスの流
は調節は反応ガス送入管８および９の途中に配設された
分配調整弁２７ａ、２７ｂならびに流ｈ１ｒｔＬ ２９
ａ ＋ ２９ ｂにより行われる。
は調節は反応ガス送入管８および９の途中に配設された
分配調整弁２７ａ、２７ｂならびに流ｈ１ｒｔＬ ２９
ａ ＋ ２９ ｂにより行われる。
加熱Ｎ２ガスと混合された各反応ガスの温度は反応ガス
送入ノズル８ａおよび９ａの直前に配設されたガスｚＬ
１度計３１ａおよび３１ｂでＲ］測される。その信けは
Ｎ２ガス流ｍ制御回路３３へ導入される。この回路は各
反応ガスの温度がＳｉＯまたは５ｉ０２微ｔＵ ｒ（’
１６物）を発生させない温度以！−に保たれるように加
熱Ｎ２ガスの流量を調節するため、加熱Ｎ２ガス分岐給
送管２５ａおよび２５１）の途中に配設されている加熱
Ｎ２ガス流量調節弁３５ａおよび３５ｂを駆動させる。
送入ノズル８ａおよび９ａの直前に配設されたガスｚＬ
１度計３１ａおよび３１ｂでＲ］測される。その信けは
Ｎ２ガス流ｍ制御回路３３へ導入される。この回路は各
反応ガスの温度がＳｉＯまたは５ｉ０２微ｔＵ ｒ（’
１６物）を発生させない温度以！−に保たれるように加
熱Ｎ２ガスの流量を調節するため、加熱Ｎ２ガス分岐給
送管２５ａおよび２５１）の途中に配設されている加熱
Ｎ２ガス流量調節弁３５ａおよび３５ｂを駆動させる。
Ｎ２ガス流昨制御回路３３からの弁駆動信号Ａは反応ガ
ス送入管８に連結された加熱Ｎ２ガス分岐給送管２５ａ
の調節弁３５ａを駆動させる。同様に、弁駆動信号Ｂは
調節弁３５ｂを駆動させる。該加熱Ｎ２ガスの流用変化
は流計計３７ａおよび３７１）により確認できる。別法
として、Ｎ２ガス流腋制御回路３３のような自動制御シ
ステムによらず、ガスｚｕ度計３１ａおよび３１ｂの指
示値に基づき加熱Ｎ２ガス流に調節弁３５ａおよび３５
ｂを人為的に開閉操作することにより反応ガスのｌＡＪ
度をマニュアルコントロールするこトモでキル。
ス送入管８に連結された加熱Ｎ２ガス分岐給送管２５ａ
の調節弁３５ａを駆動させる。同様に、弁駆動信号Ｂは
調節弁３５ｂを駆動させる。該加熱Ｎ２ガスの流用変化
は流計計３７ａおよび３７１）により確認できる。別法
として、Ｎ２ガス流腋制御回路３３のような自動制御シ
ステムによらず、ガスｚｕ度計３１ａおよび３１ｂの指
示値に基づき加熱Ｎ２ガス流に調節弁３５ａおよび３５
ｂを人為的に開閉操作することにより反応ガスのｌＡＪ
度をマニュアルコントロールするこトモでキル。
所望により、加熱Ｎ２ガス給送管２５．その分岐管２５
ａ、２５ｂならびに分岐管と反応ガス送入管との連結部
から反応ガス送入ノズルまでの配管部分に適当な断熱材
または保温材を施して１ｇ度低ドを防ぐこともできる。
ａ、２５ｂならびに分岐管と反応ガス送入管との連結部
から反応ガス送入ノズルまでの配管部分に適当な断熱材
または保温材を施して１ｇ度低ドを防ぐこともできる。
反応ガスの加熱設定温度は炉の構造、容１■９反応ガス
の種類、流量および炉内壁の１１１ＰＪ渇度によって様
々に変化する。この値は当業者が実験を繰り返すことに
より容易に決定できる。
の種類、流量および炉内壁の１１１ＰＪ渇度によって様
々に変化する。この値は当業者が実験を繰り返すことに
より容易に決定できる。
なお、本発明のＣＶ Ｉ’）薄膜形成装置により反応ガ
スを加熱Ｎ２ガスで所定温度にまでカ２品させてから反
応炉内に供給して反応炉内のウェハ表面１・。
スを加熱Ｎ２ガスで所定温度にまでカ２品させてから反
応炉内に供給して反応炉内のウェハ表面１・。
に５ｉ０２の薄膜を形成させる場合、特願昭６０−３４
５５５ Ｑ明細Ｎｔに開示されているように、反応炉内
に搬入した牢つニウェハを加熱し、該反応炉内に、（１
）Ｎ２ガスを送入して反応炉内の空気をパージし、（＋
＋）反応ガスを送入して成膜反応を行わしめ、（ＩＩＩ
） Ｎ２ガスを送入して反応ガスをパージし、（ｌｖ）
反応炉内からウェハを搬出することからなるＣ１）によ
る薄膜形成操作において、前記（１目）項の−１−程（
Ｎ２ガス送入）の後、（１ｖ）項の１１程（ウェハの搬
出）を開始する前に、反応炉内に０２ガスを送入して反
応炉の内壁面に吸着されている反応ガスを０２ガスと反
応せしめ、再度Ｎ２ガスを送入して反応炉内のガスをパ
ージすることもできる。この操作を加えれば反応炉中お
よび／または内壁面１−にＳｉＯまたは５ｉ０２異物微
粒子が生成付着することを更に一層防ＩＦ−，すること
ができる。
５５５ Ｑ明細Ｎｔに開示されているように、反応炉内
に搬入した牢つニウェハを加熱し、該反応炉内に、（１
）Ｎ２ガスを送入して反応炉内の空気をパージし、（＋
＋）反応ガスを送入して成膜反応を行わしめ、（ＩＩＩ
） Ｎ２ガスを送入して反応ガスをパージし、（ｌｖ）
反応炉内からウェハを搬出することからなるＣ１）によ
る薄膜形成操作において、前記（１目）項の−１−程（
Ｎ２ガス送入）の後、（１ｖ）項の１１程（ウェハの搬
出）を開始する前に、反応炉内に０２ガスを送入して反
応炉の内壁面に吸着されている反応ガスを０２ガスと反
応せしめ、再度Ｎ２ガスを送入して反応炉内のガスをパ
ージすることもできる。この操作を加えれば反応炉中お
よび／または内壁面１−にＳｉＯまたは５ｉ０２異物微
粒子が生成付着することを更に一層防ＩＦ−，すること
ができる。
第１図には図示されていないが本発明のＣＶＤ薄膜形成
装置も第２図に示された従来の装置と同様に、ウェハテ
ーブル４の上に被加工物である半導体ウェハ５を順次に
供給し、該ウェハ５を順次に搬出するローダ／アンロー
ダ６を有する。
装置も第２図に示された従来の装置と同様に、ウェハテ
ーブル４の上に被加工物である半導体ウェハ５を順次に
供給し、該ウェハ５を順次に搬出するローダ／アンロー
ダ６を有する。
［発明の効果］
一般に反応ガス（Ｓ ｉＨｑ、ＰＨａ、０２ ）は直接
加熱すると配管内面との間で反応する危険性があるが、
本発明のＣＶＤ薄膜形成装置ではキヤリアガスであるＮ
２（１００％）を加熱し、この加熱Ｎ２ガスと反応ガス
を混合することにより該反応ガスを間接的に加熱するの
で前記のような危険性はない。
加熱すると配管内面との間で反応する危険性があるが、
本発明のＣＶＤ薄膜形成装置ではキヤリアガスであるＮ
２（１００％）を加熱し、この加熱Ｎ２ガスと反応ガス
を混合することにより該反応ガスを間接的に加熱するの
で前記のような危険性はない。
また、本発明のＣＶＩ）薄膜形成装置では、ウェハ加熱
手段でＮ２ガスも ・緒に加熱するので、装置全体の構
成がシンプルにまとめらればかりか、Ｎ２ガスの加熱に
ヅする費用も安価におさえるおことができる。
手段でＮ２ガスも ・緒に加熱するので、装置全体の構
成がシンプルにまとめらればかりか、Ｎ２ガスの加熱に
ヅする費用も安価におさえるおことができる。
本発明のＣｖＤ薄膜形成装ｊＫにあっては反応ガスとし
て使用される５ｉＨ４（場合によりＰＨａを含む）及び
０２が個別に加熱され、ＳｉＯまたは５ｆ０２などの白
色微粒子が発生しない温度に保たれるので、反応炉内の
ウェハ表面へ反応ガスが達する前に浮遊性の白色微粒子
が発生することは殆どない。
て使用される５ｉＨ４（場合によりＰＨａを含む）及び
０２が個別に加熱され、ＳｉＯまたは５ｆ０２などの白
色微粒子が発生しない温度に保たれるので、反応炉内の
ウェハ表面へ反応ガスが達する前に浮遊性の白色微粒子
が発生することは殆どない。
更に、反応ガスは高温度にまで加熱され、かつ、相当の
熱はを持っているので、反応炉の内壁面で低ｚＵ度の部
分に接触しても温度が低ドして白色異物として該内壁面
に何首することはない。
熱はを持っているので、反応炉の内壁面で低ｚＵ度の部
分に接触しても温度が低ドして白色異物として該内壁面
に何首することはない。
その結果、１父応炉内のウェハ表面へ白色Ｗ物が落ド付
１ｔシてウェハ蒸着面に障害をｌ−Ｊ。えるような不都
合な・１［態は回避され、゛１′導体素ｒの製造歩留り
が向１″する。
１ｔシてウェハ蒸着面に障害をｌ−Ｊ。えるような不都
合な・１［態は回避され、゛１′導体素ｒの製造歩留り
が向１″する。
第１図は本発明のＣＶ Ｉ）薄膜形成装置の・実施例の
概念図、第２図はＣＶ ｌ）による薄膜形成操作を行う
ために従来から用いられている装置の一例の部分断面図
である。 １・・・反応炉 ２・・・バッファ ５・・・ウェハ
８および９・・・反応ガス送入管 １０・・・ヒータ
１１・・・Ｎ２供給ＦＡ ２１ａ、２１ｂ・・・Ｎ２
ガス加熱用蛇管または渦巻管 ３１・・・ガス？ＩＪ度
計 ３３・・・加熱Ｊｌｌ Ｎ ２ガス流！−ｉｔ制御
回路１穎１′（出願人 １１１γ電ｒエンジニアリング株式会社代理人 弁理！
： 梶 山 拮 是 弁理ト 山 本 富十男
概念図、第２図はＣＶ ｌ）による薄膜形成操作を行う
ために従来から用いられている装置の一例の部分断面図
である。 １・・・反応炉 ２・・・バッファ ５・・・ウェハ
８および９・・・反応ガス送入管 １０・・・ヒータ
１１・・・Ｎ２供給ＦＡ ２１ａ、２１ｂ・・・Ｎ２
ガス加熱用蛇管または渦巻管 ３１・・・ガス？ＩＪ度
計 ３３・・・加熱Ｊｌｌ Ｎ ２ガス流！−ｉｔ制御
回路１穎１′（出願人 １１１γ電ｒエンジニアリング株式会社代理人 弁理！
： 梶 山 拮 是 弁理ト 山 本 富十男
Claims (3)
- （１）反応炉内に搬入されたウェハを加熱する手段を設
け、上記の反応炉内に反応ガスを送入するようにしたＣ
ＶＤ薄膜形成装置において、Ｎ＿２ガス供給源からのＮ
＿２ガスを前記ウェハ加熱手段により加熱し、この加熱
Ｎ＿２ガスを反応ガスと混合することにより該反応ガス
をＳｉＯまたはＳｉＯ＿２微粒子の発生しない温度にま
で昇温させて反応炉内に供給するようにしたことを特徴
とするＣＶＤ薄膜形成装置。 - （２）前記ウェハ加熱手段内部へＮ＿２ガス給送管を蛇
管状又は渦巻状に多数回通すことにより該Ｎ＿２ガスを
加熱することを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載
のＣＶＤ薄膜形成装置。 - （３）前記反応ガスが二種類以上の場合、それぞれのガ
スを別個に加熱Ｎ＿２ガスと混合して所定温度にまで昇
温させてから反応炉内に供給することを特徴とする特許
請求の範囲第１項または第２項に記載のＣＶＤ薄膜形成
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24018285A JPS6299472A (ja) | 1985-10-26 | 1985-10-26 | Ｃｖｄ薄膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24018285A JPS6299472A (ja) | 1985-10-26 | 1985-10-26 | Ｃｖｄ薄膜形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6299472A true JPS6299472A (ja) | 1987-05-08 |
Family
ID=17055684
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24018285A Pending JPS6299472A (ja) | 1985-10-26 | 1985-10-26 | Ｃｖｄ薄膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6299472A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012017477A (ja) * | 2010-07-06 | 2012-01-26 | Hitachi Zosen Corp | 熱ｃｖｄ装置 |
-
1985
- 1985-10-26 JP JP24018285A patent/JPS6299472A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012017477A (ja) * | 2010-07-06 | 2012-01-26 | Hitachi Zosen Corp | 熱ｃｖｄ装置 |
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