JPS6376879A - Ｃｖｄ薄膜形成装置 - Google Patents
Ｃｖｄ薄膜形成装置Info
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 26
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 7
- 239000000376 reactant Substances 0.000 claims description 5
- 238000001505 atmospheric-pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 claims 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 40
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 abstract description 29
- 239000007787 solid Substances 0.000 abstract description 9
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 22
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 12
- 239000010408 film Substances 0.000 description 12
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 239000005360 phosphosilicate glass Substances 0.000 description 4
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N tungsten disilicide Chemical compound [Si]#[W]#[Si] WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021342 tungsten silicide Inorganic materials 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45519—Inert gas curtains
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
- C23C16/45576—Coaxial inlets for each gas
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分工ｆコ
本発明はＣＶ Ｉ）薄膜形成装置に関する。史に詳細に
は、本発明は反応炉の反応ガス送入ノズルの壁面および
先端にＳｉＯあるいは５ｉ０２などの穴物微粒子のフレ
ークが生成書付着することを防出したＣ Ｖ Ｉ）薄膜
形成装置に関する。
は、本発明は反応炉の反応ガス送入ノズルの壁面および
先端にＳｉＯあるいは５ｉ０２などの穴物微粒子のフレ
ークが生成書付着することを防出したＣ Ｖ Ｉ）薄膜
形成装置に関する。
［従来の技術］
薄膜の形成方法として半導体工業において一股に広く用
いられているものの一つに化学的気相成長法（ＣＶＤ：
Ｃｈｅｍｉｃａｌ ＶａｐｏｕｒＤｅりｏｓ ｉ ｔ
ｉ ｏｎ）がある。ＣＶＤとは、ガス状物質を化学反
応で固体物質にし、基板１−に堆積することをいう。
いられているものの一つに化学的気相成長法（ＣＶＤ：
Ｃｈｅｍｉｃａｌ ＶａｐｏｕｒＤｅりｏｓ ｉ ｔ
ｉ ｏｎ）がある。ＣＶＤとは、ガス状物質を化学反
応で固体物質にし、基板１−に堆積することをいう。
ＣＶＤの特徴は、成長しようとする薄膜の融点よりかな
り低い堆積ｚ＆Ａ度で種々の薄膜が得られること、およ
び、成長した薄膜の純度が高＜、ｓｉやＳ １−１−の
熱酸化膜Ｉ−に成長した場合も電気的特性が安定である
ことで、広＜ ’ｌ’、導体表面のパ、ンベーション膜
として利用されている。
り低い堆積ｚ＆Ａ度で種々の薄膜が得られること、およ
び、成長した薄膜の純度が高＜、ｓｉやＳ １−１−の
熱酸化膜Ｉ−に成長した場合も電気的特性が安定である
ことで、広＜ ’ｌ’、導体表面のパ、ンベーション膜
として利用されている。
ＣＶ Ｄによる薄膜形成は、例えば５００ ’Ｃ程度に
加熱したウェハに反応ガス（例えば、ＳｉＨ＜＋＋０２
．またはＳ ｉ Ｈ７１１＋ＰＨＪ ＋０２ ）を供給
して行われる。−１・、記の反応ガスは反応炉内のウェ
ハに吹きつけられ、該ウェハの表面に５ｉ０２あるいは
フォスフオシリケードガラス（ＰＳＧ）の薄膜を形成す
る。また、Ｓ・ｉ０２とＰＳＧとの２相成膜が行われる
こともある。更に、モリブデン。
加熱したウェハに反応ガス（例えば、ＳｉＨ＜＋＋０２
．またはＳ ｉ Ｈ７１１＋ＰＨＪ ＋０２ ）を供給
して行われる。−１・、記の反応ガスは反応炉内のウェ
ハに吹きつけられ、該ウェハの表面に５ｉ０２あるいは
フォスフオシリケードガラス（ＰＳＧ）の薄膜を形成す
る。また、Ｓ・ｉ０２とＰＳＧとの２相成膜が行われる
こともある。更に、モリブデン。
タングステンあるいはタングステンシリサイド等の金属
薄膜の形成にも使用できる。
薄膜の形成にも使用できる。
このようなＣＶＤによる薄膜形成操作を行うために従来
から用いられている装置の一例を第２図に部分断面図と
して示す。
から用いられている装置の一例を第２図に部分断面図と
して示す。
第２図において、反応炉１は、円錐状のバッフ１２をベ
ルジャ３で覆い、］〕記バッファ２の周囲にリング状の
ウェハ載置台４を駆動機構５で回転駆動可能、または自
公転可能に設置する。ベルジャ３はオーリング１１を介
して反応炉中間りング１２と閉１！−される。中間リン
グ１２の下部には反応炉本体１３が０リング１４を介し
て配設されている。
ルジャ３で覆い、］〕記バッファ２の周囲にリング状の
ウェハ載置台４を駆動機構５で回転駆動可能、または自
公転可能に設置する。ベルジャ３はオーリング１１を介
して反応炉中間りング１２と閉１！−される。中間リン
グ１２の下部には反応炉本体１３が０リング１４を介し
て配設されている。
ベルジャの内側には反応ガスの流れを成膜反応に適する
ように規制するためのインナーベルジャ１５が固設され
ている。
ように規制するためのインナーベルジャ１５が固設され
ている。
前記ベルジャ３の頂点付近に反応ガス送入ノズル８およ
び９が接続されている。ガス送入ノズルから送入された
ガスはバッファにより振分られてウェハ載置台４に向か
う。使用する反応ガスのＳｉＨ４および０２はそれぞれ
別のガス送入ノズルにより反応炉に送入しなければなら
ない。例えば、ＳｉＨ４を送入ノズル８で送入、そして
、０２を送入ノズル９で送入する。また、ＰＨａを使用
する場合、５ｉＨｑとともに送入できる。これらのガス
は一般的に不活性ガス（例えば、Ｎ２）で希釈して使用
される。
び９が接続されている。ガス送入ノズルから送入された
ガスはバッファにより振分られてウェハ載置台４に向か
う。使用する反応ガスのＳｉＨ４および０２はそれぞれ
別のガス送入ノズルにより反応炉に送入しなければなら
ない。例えば、ＳｉＨ４を送入ノズル８で送入、そして
、０２を送入ノズル９で送入する。また、ＰＨａを使用
する場合、５ｉＨｑとともに送入できる。これらのガス
は一般的に不活性ガス（例えば、Ｎ２）で希釈して使用
される。
前記のウェハ載置台４の直下には僅かなギャップを介し
て加熱手段１０が設けられていてウェハ６を所定の温度
（例えば、約５００℃）に加熱する。反応ガス送入ノズ
ル８および９から送入された反応ガス（例えば、ＳｉＨ
４＋０２または５ｉＨ７１１＋ＰＨａ ＋０２ ）は点
線矢印のごとく炉内を流下し、ウェハ６の表面に触れて
流動し、化学反応によって生成される物質（Ｓｉ０２ま
たはＰＳＧ）の薄膜をウェハ６の表面に生成せしめる。
て加熱手段１０が設けられていてウェハ６を所定の温度
（例えば、約５００℃）に加熱する。反応ガス送入ノズ
ル８および９から送入された反応ガス（例えば、ＳｉＨ
４＋０２または５ｉＨ７１１＋ＰＨａ ＋０２ ）は点
線矢印のごとく炉内を流下し、ウェハ６の表面に触れて
流動し、化学反応によって生成される物質（Ｓｉ０２ま
たはＰＳＧ）の薄膜をウェハ６の表面に生成せしめる。
［発明が解決しようとする問題点］
このような従来のＣｖＤ薄膜形成装置の反応ガス送入ノ
ズルでは第２図に示されるように、両ノズルが隣接して
いるので、内側のノズル先端からＳｉＨ４および／また
はＰＨａ含有ガスが送入されると、外側のノズル先端か
ら送入された酸素ガスと直ちに混合される。しかし、こ
の混合ガスはノズル先端部に停留する傾向がある。この
ような、ＳｉＨ４と０２の混合気体が停留するノズル先
端部には不完全反応による微小固体異物が生成し、付着
し易い。
ズルでは第２図に示されるように、両ノズルが隣接して
いるので、内側のノズル先端からＳｉＨ４および／また
はＰＨａ含有ガスが送入されると、外側のノズル先端か
ら送入された酸素ガスと直ちに混合される。しかし、こ
の混合ガスはノズル先端部に停留する傾向がある。この
ような、ＳｉＨ４と０２の混合気体が停留するノズル先
端部には不完全反応による微小固体異物が生成し、付着
し易い。
史に、外周ノズルの先端はベルジャの内壁頂部よりも突
出しているので、ベルジャの内壁面に沿って逆流してき
た混合気体が、この外周ノズルとベルジャ内壁頂部とに
より形成されるよどみ点に停留し、この壁面−Ｌにも不
完全反応による微小固体異物が生成し、付着する。
出しているので、ベルジャの内壁面に沿って逆流してき
た混合気体が、この外周ノズルとベルジャ内壁頂部とに
より形成されるよどみ点に停留し、この壁面−Ｌにも不
完全反応による微小固体異物が生成し、付着する。
この異物微粒子は次第にブドー状に成長し、反応ガスの
噴流等の僅かな風圧により剥離されたり、吹き飛ばされ
たりして炉内を浮遊する。そして、次第に沈降し、ウェ
ハの表面に落下・付着することとなる。これらフレーク
がウェハの表面に付着するとウェハ１〕のＣＶＤ膜にピ
ンホールを発生させる原因となり、半導体素子の製造歩
留りに大きく影響する。
噴流等の僅かな風圧により剥離されたり、吹き飛ばされ
たりして炉内を浮遊する。そして、次第に沈降し、ウェ
ハの表面に落下・付着することとなる。これらフレーク
がウェハの表面に付着するとウェハ１〕のＣＶＤ膜にピ
ンホールを発生させる原因となり、半導体素子の製造歩
留りに大きく影響する。
そればかりか、ノズル先端部に付着した異物が極僅かな
反応ガスの噴流によっても剥離・落下するため、反応ガ
スの流量と高めることができず、６インチから８インチ
以りのような大口径ウェハに対してＣＶＤ膜を成膜させ
ることは事実Ｊ−不可能であった。
反応ガスの噴流によっても剥離・落下するため、反応ガ
スの流量と高めることができず、６インチから８インチ
以りのような大口径ウェハに対してＣＶＤ膜を成膜させ
ることは事実Ｊ−不可能であった。
［発明の［１的コ
従って、本発明の目的は反応ガス送入ノズル付近に微小
固体異物が発生することを防１［−シた、特に大「１径
のウェハの成膜に適した、ＣｖＤ薄膜形成装置を提供す
ることである。
固体異物が発生することを防１［−シた、特に大「１径
のウェハの成膜に適した、ＣｖＤ薄膜形成装置を提供す
ることである。
［問題点を解決するための手段コ
前記の問題点を解決し、あわせて本発明の目的を達成す
るための手段として、この発明は、反応ガス送入ノズル
をベルジャのほぼ中央頂部付近にイｆするＣ Ｖ Ｉ）
薄膜形成装置において、前記反応ガス送入ノズルは４木
のノズルが同軸状に配設され、−市内側の第１ノズルか
らは０２ガス以外の反応ガスを送入し、第１ノズルに隣
接した第２ノズルおよび最外周の第４ノズルからはＮ２
ガスを送入し、第２ノズルと第４ノズルとの間の第３ノ
ズルからは０２ガスを送入し、前記第４ノズルの外周壁
先端部は所定の曲率を有するベルジャ内壁ｌ二部と連続
していることを特徴とするＣ Ｖ Ｄ薄膜形成装置を提
供する。
るための手段として、この発明は、反応ガス送入ノズル
をベルジャのほぼ中央頂部付近にイｆするＣ Ｖ Ｉ）
薄膜形成装置において、前記反応ガス送入ノズルは４木
のノズルが同軸状に配設され、−市内側の第１ノズルか
らは０２ガス以外の反応ガスを送入し、第１ノズルに隣
接した第２ノズルおよび最外周の第４ノズルからはＮ２
ガスを送入し、第２ノズルと第４ノズルとの間の第３ノ
ズルからは０２ガスを送入し、前記第４ノズルの外周壁
先端部は所定の曲率を有するベルジャ内壁ｌ二部と連続
していることを特徴とするＣ Ｖ Ｄ薄膜形成装置を提
供する。
［作用］
前記のように、本発明のＣＶ Ｉ）薄膜形成装置の反応
ガス送入ノズルによれば、Ｓ １Ｈｔｉおよび０２はそ
れぞれＮ２のような不活性ガスによりｌＴ、いに隔離さ
れた状態で炉内に送入される。
ガス送入ノズルによれば、Ｓ １Ｈｔｉおよび０２はそ
れぞれＮ２のような不活性ガスによりｌＴ、いに隔離さ
れた状態で炉内に送入される。
従って、これら両気体はノズル先端部では混合されない
。その結果、ノズル先端部に異物が生成・付着されるこ
ともない。
。その結果、ノズル先端部に異物が生成・付着されるこ
ともない。
また、最外周ノズルの外周先端部を、所定の曲ヰくを打
するベルジャ内壁頂部と連続的に接合させであるので、
最外周ノズルとベルジャ内壁頂部との間には混合気体の
よどみ点が形成されない。そればかりか、最外周ノズル
からはＮ２ガスが噴出されており、このガスは所定の曲
率を何するベルジャ上部内壁に沿って流−ドするので混
合気体がベルジャ内壁面に接触したり、あるいはこの内
壁面に沿ってノズル方向へ混合気体が逆流することも防
止される。
するベルジャ内壁頂部と連続的に接合させであるので、
最外周ノズルとベルジャ内壁頂部との間には混合気体の
よどみ点が形成されない。そればかりか、最外周ノズル
からはＮ２ガスが噴出されており、このガスは所定の曲
率を何するベルジャ上部内壁に沿って流−ドするので混
合気体がベルジャ内壁面に接触したり、あるいはこの内
壁面に沿ってノズル方向へ混合気体が逆流することも防
止される。
その結果、ノズルの先端およびその周辺付近の壁面にＳ
ｉＯあるいは５ｉ０２などの微小固体粒子が生成の付着
することは効果的に防＋ｈされる。
ｉＯあるいは５ｉ０２などの微小固体粒子が生成の付着
することは効果的に防＋ｈされる。
従って、これら異物がウェハ表面に落−ド付着してウェ
ハの蒸着膜にピンホールを発生させたりするような不都
合なＪ「態の発生も防止され、半導体素ｒの製造歩留り
を向１・、させることができる。
ハの蒸着膜にピンホールを発生させたりするような不都
合なＪ「態の発生も防止され、半導体素ｒの製造歩留り
を向１・、させることができる。
またノズル先端部に異物が生成・付着しないので、反応
ガスの流量を可能な限り増大させることができる。その
結果、従来は不１−ｉＪ能であった、６インチから８イ
ンチ以−■ユの大［−１径ウエハに対しても均・な膜厚
のＣＶ Ｉ）膜を成膜させることができる。
ガスの流量を可能な限り増大させることができる。その
結果、従来は不１−ｉＪ能であった、６インチから８イ
ンチ以−■ユの大［−１径ウエハに対しても均・な膜厚
のＣＶ Ｉ）膜を成膜させることができる。
［実施例コ
以ド、図面を参！！（Ｉ Ｌながら本発明の実施例につ
いて更に詳細に説明する。
いて更に詳細に説明する。
第１図は本発明のＣＶＤ薄膜形成装置における反応ガス
送入ノズルの一実施例を示す部分概認図である。
送入ノズルの一実施例を示す部分概認図である。
第１図に示されるように、本発明のＣＶＤ薄膜形成装置
の反応ガス送入ノズルは内側から順に、第１ノズル２０
．第２ノズル３０．第３ノズル４０および第４ノズル５
０の４木のノズルが同軸状に配設されている。
の反応ガス送入ノズルは内側から順に、第１ノズル２０
．第２ノズル３０．第３ノズル４０および第４ノズル５
０の４木のノズルが同軸状に配設されている。
第１ノズル２０からはＳｉＨ４および／またはＰＨＪガ
スを送入し、第２ノズル３０からはＮ２ガスを送入し、
第３ノズル４０からは０２ガスを送入し、史に最外周の
第４ノズル５０からはＮ２ガスを送入する。
スを送入し、第２ノズル３０からはＮ２ガスを送入し、
第３ノズル４０からは０２ガスを送入し、史に最外周の
第４ノズル５０からはＮ２ガスを送入する。
かくして、最内側の第１ノズルのＳ ｉ Ｈ４および／
またはＰＨａと第３ノズルの０２は第２ノズルのＮ２に
より隔離される。また、０２用第３ノズルの外側にもＮ
２用第４ノズルが配設されているので、ベルジャ壁面沿
いに逆流してくる４シ合気体と０２用第３ノズルからの
０２気流とは第４ノズルからのＮ２噴流により相−１１
：に隔離されると共に、逆流混合気体が０２用第３ノズ
ルに接触することも防止される。
またはＰＨａと第３ノズルの０２は第２ノズルのＮ２に
より隔離される。また、０２用第３ノズルの外側にもＮ
２用第４ノズルが配設されているので、ベルジャ壁面沿
いに逆流してくる４シ合気体と０２用第３ノズルからの
０２気流とは第４ノズルからのＮ２噴流により相−１１
：に隔離されると共に、逆流混合気体が０２用第３ノズ
ルに接触することも防止される。
その結果、ノズル先端部における異物発生はほぼ完全に
防Ｉ！−できる。
防Ｉ！−できる。
更に、最外周の第４ノズル５０とベルジャ頂部との取付
部におけるベルジャ上部内壁は所定の曲率を有する曲面
状に成形されており、この曲面は第４ノズルの外周先端
部と連続的に接続されている。かくして、ベルジャー１
；部のノズル取付点周辺に混合気体が停留する余地はな
い。
部におけるベルジャ上部内壁は所定の曲率を有する曲面
状に成形されており、この曲面は第４ノズルの外周先端
部と連続的に接続されている。かくして、ベルジャー１
；部のノズル取付点周辺に混合気体が停留する余地はな
い。
第２図に示されるようなインナーベルジャ１５がノズル
取付部まで延ＩＱされている場合には、第４ノズルの外
周先端部をインナーベルジャの＋１部終端に連続的に接
続させる。このインナーベルジャの−Ｌ部は所定の曲率
を有する曲面状に成形しなければならない。従って、こ
の明細書では“ベルジャ”という用語と“インナーベル
ジャ”という用語は同表である。
取付部まで延ＩＱされている場合には、第４ノズルの外
周先端部をインナーベルジャの＋１部終端に連続的に接
続させる。このインナーベルジャの−Ｌ部は所定の曲率
を有する曲面状に成形しなければならない。従って、こ
の明細書では“ベルジャ”という用語と“インナーベル
ジャ”という用語は同表である。
各ノズルから送入されるガスの流速は特に限定されない
が、第１ノズルおよび第３ノズルから送入される５ｉＨ
７と０２ガスの流速を同一とし、第２ノズルおよび第４
ノズルから送入されるＮ２ガスの流速を前記ＳｉＨ４お
よび０２の流速よりも高くすると中し分のない隔離効果
が得られる。
が、第１ノズルおよび第３ノズルから送入される５ｉＨ
７と０２ガスの流速を同一とし、第２ノズルおよび第４
ノズルから送入されるＮ２ガスの流速を前記ＳｉＨ４お
よび０２の流速よりも高くすると中し分のない隔離効果
が得られる。
ノズルの材質は本発明の必須要件ではないが、耐食性に
優れたステンレスなどで構成することが好ましい。また
、各ノズルの直径ならびにサイズなどは取り付けられる
反応炉の容Ｉに応じて変化させることができる。従って
、各ノズルの直径ならびにサイズなどは当業者が容易に
決定できるｒＪＩ項である。
優れたステンレスなどで構成することが好ましい。また
、各ノズルの直径ならびにサイズなどは取り付けられる
反応炉の容Ｉに応じて変化させることができる。従って
、各ノズルの直径ならびにサイズなどは当業者が容易に
決定できるｒＪＩ項である。
［発明の効果コ
以ｌｔ説明したように、本発明のＣＶＤ薄膜形成装置の
反応ガス送入ノズルによればｓ Ｓ ｉ Ｈｑおよび０
２はそれぞれＮ２のような不活性ガスにより互いに隔離
された状態で炉内に送入される。
反応ガス送入ノズルによればｓ Ｓ ｉ Ｈｑおよび０
２はそれぞれＮ２のような不活性ガスにより互いに隔離
された状態で炉内に送入される。
従って、これら両気体はノズル先端部では混合されない
。その結果、ノズル先端部に異物が生成−付着されるこ
ともない。
。その結果、ノズル先端部に異物が生成−付着されるこ
ともない。
また、最外周ノズルの外周先端部を、所定の曲率を有す
るベルジャ内壁頂部と連続的に接合させであるので、最
外周ノズルとベルジャ内壁頂部との間には混合気体のよ
どみ点が形成されない。そればかりか、最外周ノズルか
らはＮ２ガスが噴出されており、このガスは所定の曲率
を有するベルジャ」一部内壁に沿って流下するので混合
気体がベルジャ内壁面に接触したり、あるいはこの内壁
面に沿ってノズル方向へ混合気体が逆流することも防止
される。
るベルジャ内壁頂部と連続的に接合させであるので、最
外周ノズルとベルジャ内壁頂部との間には混合気体のよ
どみ点が形成されない。そればかりか、最外周ノズルか
らはＮ２ガスが噴出されており、このガスは所定の曲率
を有するベルジャ」一部内壁に沿って流下するので混合
気体がベルジャ内壁面に接触したり、あるいはこの内壁
面に沿ってノズル方向へ混合気体が逆流することも防止
される。
その結果、ノズルの先端およびその周辺付近の壁面にＳ
ｉＯあるいは５ｉ０２などの微小固体粒ｒが生成・付着
することは効果的に防＋Ｌされる。
ｉＯあるいは５ｉ０２などの微小固体粒ｒが生成・付着
することは効果的に防＋Ｌされる。
ノズル先端部における異物発生がなくなるので、反応ガ
ス流はと流速を増加させることができ、それによりウェ
ハまでの流路途中における異物発生も低減できる。従来
のノズルでは反応ガス流量を増加させると、それに比例
して異物の発生頃、すなわち、浮遊異物５１も増加する
。
ス流はと流速を増加させることができ、それによりウェ
ハまでの流路途中における異物発生も低減できる。従来
のノズルでは反応ガス流量を増加させると、それに比例
して異物の発生頃、すなわち、浮遊異物５１も増加する
。
かくして、本発明の反応ガス送入ノズルによれば、微小
固体異物がウェハ表面に落下付着してウェハの蒸着膜に
ピンホールを発生させたりするような不都合な！１［態
の発生は防Ｉヒされ、゛ト導体素了の製造歩留りを向ト
させることができる。
固体異物がウェハ表面に落下付着してウェハの蒸着膜に
ピンホールを発生させたりするような不都合な！１［態
の発生は防Ｉヒされ、゛ト導体素了の製造歩留りを向ト
させることができる。
またノズル先端部に異物が生成・付着しないので、反応
ガスの流量をｕＪ能な限り増大させることにより熱対流
の影響を低減させることができる。
ガスの流量をｕＪ能な限り増大させることにより熱対流
の影響を低減させることができる。
その結果、従来は不可能であった、６インチから８イン
チ以上の大［二１径ウェハに対しても均一な膜厚のＣＶ
Ｄ膜を成膜させることができる。
チ以上の大［二１径ウェハに対しても均一な膜厚のＣＶ
Ｄ膜を成膜させることができる。
第１図は本発明のＣＶＤ薄膜形成装置における反応ガス
送入ノズルの・実施例を示す部分Ｉ！！要図であり、第
２図は従来のＣＶ Ｉ）薄膜形成装置の−・例を示す概
妥図である。 １・・・反応炉、２・・・バッファ、３・・・ベルジャ
。 ４・・・ウェハ載置台、５・・・駆動機構、６・・・ウ
ェハ。 ８および９・・・反応ガス送入ノズル、１０・・・加熱
手段、１１および１４・・・Ｏリング、１２・・・中間
リング、１３・・・反応炉本体、１５・・・インナーベ
ルジャ。 ２０・・・第１反応ガス道大ノズル、３０・・・第２反
応ガス道大ノズル、４０・・・第３反応ガス道大ノズル
。
送入ノズルの・実施例を示す部分Ｉ！！要図であり、第
２図は従来のＣＶ Ｉ）薄膜形成装置の−・例を示す概
妥図である。 １・・・反応炉、２・・・バッファ、３・・・ベルジャ
。 ４・・・ウェハ載置台、５・・・駆動機構、６・・・ウ
ェハ。 ８および９・・・反応ガス送入ノズル、１０・・・加熱
手段、１１および１４・・・Ｏリング、１２・・・中間
リング、１３・・・反応炉本体、１５・・・インナーベ
ルジャ。 ２０・・・第１反応ガス道大ノズル、３０・・・第２反
応ガス道大ノズル、４０・・・第３反応ガス道大ノズル
。
Claims (2)
- （１）反応ガス送入ノズルをベルジャのほぼ中央頂部付
近に有するＣＶＤ薄膜形成装置において、前記反応ガス
送入ノズルは４本のノズルが同軸状に配設され、一番内
側の第１ノズルからはＯ＿２ガス以外の反応ガスを送入
し、第１ノズルに隣接した第２ノズルおよび最外周の第
４ノズルからはＮ＿２ガスを送入し、第２ノズルと第４
ノズルとの間の第３ノズルからはＯ＿２ガスを送入し、
前記第４ノズルの外周壁先端部は所定の曲率を有するベ
ルジャ内壁上部と連続していることを特徴とするＣＶＤ
薄膜形成装置。 - （２）前記装置は自公転方式の常圧ＣＶＤ装置である特
許請求の範囲第１項に記載のＣＶＤ薄膜形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21797886A JPS6376879A (ja) | 1986-09-18 | 1986-09-18 | Ｃｖｄ薄膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21797886A JPS6376879A (ja) | 1986-09-18 | 1986-09-18 | Ｃｖｄ薄膜形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6376879A true JPS6376879A (ja) | 1988-04-07 |
Family
ID=16712711
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21797886A Pending JPS6376879A (ja) | 1986-09-18 | 1986-09-18 | Ｃｖｄ薄膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6376879A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1190120A1 (en) * | 1999-04-16 | 2002-03-27 | CBL Technologies | Compound gas injection system and methods |
| DE102005056322A1 (de) * | 2005-11-25 | 2007-06-06 | Aixtron Ag | VPE-Reaktor mit koaxial zueinander angeordneten Quellgasrohren |
| US7413627B2 (en) * | 1996-05-13 | 2008-08-19 | Applied Materials, Inc. | Deposition chamber and method for depositing low dielectric constant films |
| JP2010537422A (ja) * | 2007-08-22 | 2010-12-02 | 株式会社テラセミコン | 半導体製造装置 |
| JPWO2021156987A1 (ja) * | 2020-02-05 | 2021-08-12 |
-
1986
- 1986-09-18 JP JP21797886A patent/JPS6376879A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7413627B2 (en) * | 1996-05-13 | 2008-08-19 | Applied Materials, Inc. | Deposition chamber and method for depositing low dielectric constant films |
| EP1190120A1 (en) * | 1999-04-16 | 2002-03-27 | CBL Technologies | Compound gas injection system and methods |
| EP1190120A4 (en) * | 1999-04-16 | 2007-10-24 | Cbl Technologies | COMPOUND GAS INJECTION SYSTEM AND METHODS |
| DE102005056322A1 (de) * | 2005-11-25 | 2007-06-06 | Aixtron Ag | VPE-Reaktor mit koaxial zueinander angeordneten Quellgasrohren |
| JP2010537422A (ja) * | 2007-08-22 | 2010-12-02 | 株式会社テラセミコン | 半導体製造装置 |
| JPWO2021156987A1 (ja) * | 2020-02-05 | 2021-08-12 | ||
| WO2021156987A1 (ja) * | 2020-02-05 | 2021-08-12 | 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ | 基板処理装置、半導体装置の製造方法および記録媒体 |
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