JPS62238365A - Ｃｖｄ薄膜形成装置 - Google Patents
Ｃｖｄ薄膜形成装置Info
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- JPS62238365A JPS62238365A JP7907286A JP7907286A JPS62238365A JP S62238365 A JPS62238365 A JP S62238365A JP 7907286 A JP7907286 A JP 7907286A JP 7907286 A JP7907286 A JP 7907286A JP S62238365 A JPS62238365 A JP S62238365A
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Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明はＣＶＤ薄膜形成装置に関する。更に詳細には、
本発明は反応炉の内壁面上にＳｉＯあるいは５ｉ０２な
どの異物微粒子のフレークが付着しにくいＣＶＤ薄膜形
成装置に関する。
本発明は反応炉の内壁面上にＳｉＯあるいは５ｉ０２な
どの異物微粒子のフレークが付着しにくいＣＶＤ薄膜形
成装置に関する。
［従来技術］
薄膜の形成方法として、半導体工業において一般に広く
用いられているものの一つに、気相成長法（ＣＶＤ：Ｃ
ｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｌ）ｏｕｒＤｅｐｏｓ ｉ ｔ
１ｏｎ）がある。ＣＶＤとは、ガス状物質を化学反応
で固体物質にし、基板上に堆積するこ、とをいう。
用いられているものの一つに、気相成長法（ＣＶＤ：Ｃ
ｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｌ）ｏｕｒＤｅｐｏｓ ｉ ｔ
１ｏｎ）がある。ＣＶＤとは、ガス状物質を化学反応
で固体物質にし、基板上に堆積するこ、とをいう。
ＣＶＤの特徴は、成長しようとする薄膜の融点よりかな
り低い堆積温度で種々の薄膜が得られること、および、
成長した薄膜の純度が高＜、ＳｉやＳｉ上の熱酸化膜上
に成長した場合も電気的特性が安定であること°で、広
く半導体表面のパッシベーション膜として利用されてい
る。
り低い堆積温度で種々の薄膜が得られること、および、
成長した薄膜の純度が高＜、ＳｉやＳｉ上の熱酸化膜上
に成長した場合も電気的特性が安定であること°で、広
く半導体表面のパッシベーション膜として利用されてい
る。
ＣＶＤによる薄膜形成は、例えば５００℃程度に加熱し
たウェハに反応ガス（例えば、ＳｉＨｑ＋０２．または
Ｓ ｉ Ｈｑ＋ＰＨＪ ＋０２ ）を供給して行われる
。−１−記の反応ガスは反応炉（ベルジャ）内ノウエバ
に吹きつけられ、該ウェハのＷ面に５ｉ０２あるいはフ
ォスフＡシリケートガラス（ＰＳＧ）の薄膜を形成する
。また、Ｓ ｉ ０２とＰＳＧとの２相成膜が行われる
こともある。
たウェハに反応ガス（例えば、ＳｉＨｑ＋０２．または
Ｓ ｉ Ｈｑ＋ＰＨＪ ＋０２ ）を供給して行われる
。−１−記の反応ガスは反応炉（ベルジャ）内ノウエバ
に吹きつけられ、該ウェハのＷ面に５ｉ０２あるいはフ
ォスフＡシリケートガラス（ＰＳＧ）の薄膜を形成する
。また、Ｓ ｉ ０２とＰＳＧとの２相成膜が行われる
こともある。
このようなＣＶＤによる薄膜形成操作を行うために従来
から用いられている装置の一例を第２図に部分断面図と
して示す。
から用いられている装置の一例を第２図に部分断面図と
して示す。
第２図において、反応炉（ベルジャ）１は、円錐状のバ
ッフＴ２を円錐状のカバー３で覆い、上記バッファ２の
周囲にリング状のウェハ載置台４を駆動機構５で回転駆
動可能、または自公転可能に設置する。円錐状カバー３
はオーリング１１を介して反応炉中間リング１２と閉止
される。
ッフＴ２を円錐状のカバー３で覆い、上記バッファ２の
周囲にリング状のウェハ載置台４を駆動機構５で回転駆
動可能、または自公転可能に設置する。円錐状カバー３
はオーリング１１を介して反応炉中間リング１２と閉止
される。
前記円錐状カバー３の頂点付近に反応ガス送入ノズル８
および９が接続されている。使用する反応ガスのＳｉＨ
４および０２はそれぞれ別のガス送入ノズルにより反応
炉に送入口なければならない。例えば、ＳｉＨ４を送入
ノズル８で送入し、そして、０２を送入ノズル９で送入
づ−る。また、反応ガスどしてＰＨＪを使用する場合、
ＳｉＨ４とともに送入できる。
および９が接続されている。使用する反応ガスのＳｉＨ
４および０２はそれぞれ別のガス送入ノズルにより反応
炉に送入口なければならない。例えば、ＳｉＨ４を送入
ノズル８で送入し、そして、０２を送入ノズル９で送入
づ−る。また、反応ガスどしてＰＨＪを使用する場合、
ＳｉＨ４とともに送入できる。
前記のウェハ載置台４の直下には僅かなギャップを介し
て加熱手段ｌＯが設げられていてウェハ６を所定の？Ｕ
度（例えば、約５００°Ｃ）に加熱する。反応ガス送入
ノズル８および９から送入された反応ガス（例えばＳ
ｉ Ｈｑ ＋Ｑ、＞又はＳｉＨ４＋ＰＨ，３＋０２ ）
は点線矢印のごと（炉内を流下し、ウェハ６の表面に触
れて流動し、化学反応によって生成される物質（Ｓｉ０
２またはＰＳＧ）の薄膜をウェハ６の表面に生成せしめ
る。
て加熱手段ｌＯが設げられていてウェハ６を所定の？Ｕ
度（例えば、約５００°Ｃ）に加熱する。反応ガス送入
ノズル８および９から送入された反応ガス（例えばＳ
ｉ Ｈｑ ＋Ｑ、＞又はＳｉＨ４＋ＰＨ，３＋０２ ）
は点線矢印のごと（炉内を流下し、ウェハ６の表面に触
れて流動し、化学反応によって生成される物質（Ｓｉ０
２またはＰＳＧ）の薄膜をウェハ６の表面に生成せしめ
る。
［発明が解決しようとする問題点］
５ｉＨ４−０２系のＣｖＤ法４；！Ｓ ｉ Ｈｔｉ カ
０２と室温で爆発的に反応するので、不活性ガスで１−
分に希釈して用いる必要がある。反応ガス中での５ｉＨ
ｑ濃度は例えば、Ｓ ｉ Ｈｑ−０２−Ｎ２の混合ガス
中では少なくとも０．８％以ドであれば室温でも反応せ
ず、１４０°Ｃ−２７０℃に加温された場合に反応を開
始する。
０２と室温で爆発的に反応するので、不活性ガスで１−
分に希釈して用いる必要がある。反応ガス中での５ｉＨ
ｑ濃度は例えば、Ｓ ｉ Ｈｑ−０２−Ｎ２の混合ガス
中では少なくとも０．８％以ドであれば室温でも反応せ
ず、１４０°Ｃ−２７０℃に加温された場合に反応を開
始する。
従来のＣＶ Ｉ）薄膜形成装置ではウェハ載置台に限ら
ず、反応炉内全体が反応開始温度以」−の高温雰囲気と
なっていた。そのため、炉内に送入された反応ガスは反
応炉内の円錐状カバー、バッファ。
ず、反応炉内全体が反応開始温度以」−の高温雰囲気と
なっていた。そのため、炉内に送入された反応ガスは反
応炉内の円錐状カバー、バッファ。
ノズル出ｌ」付近９反応ガス送入ノズルおよび中間リン
グなどの壁面に接触しながら反応炉内を流動するので、
ウェハ載置台−にのウェハ表面だけでなく、反応炉内の
前記壁面上でも成膜反応を起こすことがあった。その結
果、該壁面上にＳｉＯまたは５ｉ０２等の酸化物微粒子
のフレークを生成・付着させる。
グなどの壁面に接触しながら反応炉内を流動するので、
ウェハ載置台−にのウェハ表面だけでなく、反応炉内の
前記壁面上でも成膜反応を起こすことがあった。その結
果、該壁面上にＳｉＯまたは５ｉ０２等の酸化物微粒子
のフレークを生成・付着させる。
このようなフレークは僅かな振動、風圧で剥げ落ち、ウ
ェハ表面４−に落下付着することがある。
ェハ表面４−に落下付着することがある。
また、フレークが反応ガスにより巻き上げられて炉内を
１１．遊し、ウェハ表面上に落下・付着する可能性もあ
る。これらフレーク（顕物）がウェハに付着すると蒸着
膜にピンホールを発生させたりして゛］′−導体素子の
製造歩留りを算しく低下させるという欠点があった。
１１．遊し、ウェハ表面上に落下・付着する可能性もあ
る。これらフレーク（顕物）がウェハに付着すると蒸着
膜にピンホールを発生させたりして゛］′−導体素子の
製造歩留りを算しく低下させるという欠点があった。
更に別の問題点として、反応炉の内壁面−にで反応ガス
が反応してしまうため、炉内に給送した反応ガスが無駄
に消費され、ガスの有効利用率が低ドするばかりか、薄
膜の成長速度の低下を招いていた。
が反応してしまうため、炉内に給送した反応ガスが無駄
に消費され、ガスの有効利用率が低ドするばかりか、薄
膜の成長速度の低下を招いていた。
［発明の目的］
従って、本発明の１」的は反応炉の円錐状カバー。
バッファ、反応ガス送入ノズル用［１付近および中間リ
ングなどの内壁面」−にＳｉＯ又は５ｉ０２などの酸化
物微粒子のフレークが付着しにくいＣＶＤ薄膜形成装置
を提供することである。
ングなどの内壁面」−にＳｉＯ又は５ｉ０２などの酸化
物微粒子のフレークが付着しにくいＣＶＤ薄膜形成装置
を提供することである。
［問題点を解決するための手段コ
前記の問題点を解決するための手段として、本発明は、
炉内に送入された反応ガスのフローパターンを規制する
ための円錐状バッファ、該バッファを覆う円錐状カバー
、該円錐状カバーの頂部付近に配設された反応ガス送入
ノズル、および該円錐状カバーの下端部に接続閉止され
る中間リングを何するＣＶＤ薄膜形成装置において、前
記用Ｘ［状カバー、反応ガス送入ノズル、円錐状バッフ
ァおよび中間リングの各内壁面上にフッソ樹脂の薄膜を
施したことを特徴とするＣＶＤ薄膜形成装置を提供する
。
炉内に送入された反応ガスのフローパターンを規制する
ための円錐状バッファ、該バッファを覆う円錐状カバー
、該円錐状カバーの頂部付近に配設された反応ガス送入
ノズル、および該円錐状カバーの下端部に接続閉止され
る中間リングを何するＣＶＤ薄膜形成装置において、前
記用Ｘ［状カバー、反応ガス送入ノズル、円錐状バッフ
ァおよび中間リングの各内壁面上にフッソ樹脂の薄膜を
施したことを特徴とするＣＶＤ薄膜形成装置を提供する
。
［作用コ
前記のように、本発明のＣＶ Ｉ）薄膜形成装置では、
円錐状カバー、反応ガス送入ノズル、バッファおよび中
間リングの各内壁面上にファン樹脂の薄膜が施されてい
る。
円錐状カバー、反応ガス送入ノズル、バッファおよび中
間リングの各内壁面上にファン樹脂の薄膜が施されてい
る。
このため、炉内で発生した酸化物微粒子がこれらの壁面
に付着することは効果的に防止される。
に付着することは効果的に防止される。
反応炉はド部の方から真空排気を行っているので、壁面
への付着を阻止された酸化物微粒子は、凝集してフレー
ク状になる前に炉外に排出されてしまう。
への付着を阻止された酸化物微粒子は、凝集してフレー
ク状になる前に炉外に排出されてしまう。
その結果、反応炉の内壁面Ｊ二にＳｉＯあるいは５ｉ０
２などの酸化物微粒子のフレークが生成・付着すること
は効果的に防止される。従って、炉内の清掃頻度が低下
されるので、反応炉の長時間連続運転がｎＪ能になり、
スループットを向上させることができる。
２などの酸化物微粒子のフレークが生成・付着すること
は効果的に防止される。従って、炉内の清掃頻度が低下
されるので、反応炉の長時間連続運転がｎＪ能になり、
スループットを向上させることができる。
また、これらフレーク（異物）がウェハ表面に落ド付？
’ｌ’ ！、、／てつ〕、ハの蒸着膜にピンホールを発
生させたりするような不都合な事態の発生も防１［−さ
れ、半導体素子の製造歩留りを向上させるこ乏ができる
。
’ｌ’ ！、、／てつ〕、ハの蒸着膜にピンホールを発
生させたりするような不都合な事態の発生も防１［−さ
れ、半導体素子の製造歩留りを向上させるこ乏ができる
。
史に、反応炉内に送入した反応ガスが極めて有効に利用
されることになるばかりか、ＣＶＩ）膜の成長速度も向
１−するので、半導体素子の製造コストを低ドさせるこ
とができる。
されることになるばかりか、ＣＶＩ）膜の成長速度も向
１−するので、半導体素子の製造コストを低ドさせるこ
とができる。
［実施例］
以下、図面を参照しながら本発明の実施例について更に
詳細に説明する。
詳細に説明する。
第１図、は本発明のＣＶＤ薄膜形成装置の一実施例の部
分断面図である。
分断面図である。
第１図に示される本発明のＣＶＤ薄膜形成装置において
、第２図に示される従来の装置と同じ部材については同
一の符号を使用する。
、第２図に示される従来の装置と同じ部材については同
一の符号を使用する。
第１図に示されるように、本発明のＣＶＤ薄膜形成装置
では、円錐状カバー、反応ガス送入ノズル、バッファお
よび中間リングの各内壁面上にフッソ樹脂の薄膜１３が
ほどこされている。
では、円錐状カバー、反応ガス送入ノズル、バッファお
よび中間リングの各内壁面上にフッソ樹脂の薄膜１３が
ほどこされている。
フッソ樹脂の薄膜は、フッソ樹脂を各壁面に塗布し、硬
化させて、その場で薄膜に成形するか、または、予め薄
膜に成形されたフッソ樹脂を各壁面に貼り付けることに
よって施用される。
化させて、その場で薄膜に成形するか、または、予め薄
膜に成形されたフッソ樹脂を各壁面に貼り付けることに
よって施用される。
フッソ樹脂の薄膜の厚みは、数μｍから数１・μｍ程度
である。
である。
フッソ樹脂を塗布し、その場で硬化させて薄膜に成形す
る技術は当業者に周知である。
る技術は当業者に周知である。
かくして、円錐状カバー、反応ガス送入ノズル。
中間リングおよび円錐状バッファなどの各内壁面上に酸
化物微粒子のフレークが生成昏付着したり、かつ、ガス
の有効利用率を低下させるような不都合な事態の発生は
効果的に防止される。
化物微粒子のフレークが生成昏付着したり、かつ、ガス
の有効利用率を低下させるような不都合な事態の発生は
効果的に防止される。
［発明の効果コ
以−１−説明したように、本発明のＣＶＤ薄膜形成装置
では、円錐状カバー、反応ガス送入ノズル。
では、円錐状カバー、反応ガス送入ノズル。
バッファおよび中間リングの各内壁面−１ユにフッソ樹
脂の薄膜が施されている。
脂の薄膜が施されている。
このため、炉内で発生した酸化物微粒子がこれらの壁面
に付着することは効果的に防＋ｈされる。
に付着することは効果的に防＋ｈされる。
反応炉は下部の方から１１空排気を行っているので、壁
面への付着を阻１１：、された酸化物微粒子は、凝集し
てフレーク状になる前に炉外に排出されてしまう。
面への付着を阻１１：、された酸化物微粒子は、凝集し
てフレーク状になる前に炉外に排出されてしまう。
その結果、反応炉の内壁面上にＳｉＯあるいは５ｉ０２
などの酸化物微粒子のフレークが生成・付着することは
効果的に防止される。従って、炉内の清掃頻度が低下さ
れるので、反応炉の長時間連続運転が可能になり、スル
ーブツトを向−１−させることができる。
などの酸化物微粒子のフレークが生成・付着することは
効果的に防止される。従って、炉内の清掃頻度が低下さ
れるので、反応炉の長時間連続運転が可能になり、スル
ーブツトを向−１−させることができる。
また、これらフレーク（異物）がウェハ表面に落下付着
、してウェハの蒸着膜にピンホールを発生させたりする
ような不都合な事態の発生も防ｌ［−され、半導体素子
の製造歩留りを向−１ニさせることができる。
、してウェハの蒸着膜にピンホールを発生させたりする
ような不都合な事態の発生も防ｌ［−され、半導体素子
の製造歩留りを向−１ニさせることができる。
更に、反応炉内に送入した反応ガスが極めて有効に利用
されることになるばかりか、ＣＶＤ膜の成長速度も向ヒ
するので、１へ導体素子の製造コストを低下させること
ができる。
されることになるばかりか、ＣＶＤ膜の成長速度も向ヒ
するので、１へ導体素子の製造コストを低下させること
ができる。
第１図は本発明のＣＶ Ｉ）薄膜形成装置の一実施例の
部分断面図、第２図はＣＶ ｌ）による薄膜形成操作を
行うために従来から用いられている装置の一例の部分断
面図である。
部分断面図、第２図はＣＶ ｌ）による薄膜形成操作を
行うために従来から用いられている装置の一例の部分断
面図である。
Claims (3)
- （１）炉内に送入された反応ガスのフローパターンを規
制するための円錐状バッファ、該バッファを覆う円錐状
カバー、該円錐状カバーの頂部付近に配設された反応ガ
ス送入ノズル、および該円錐状カバーの下端部に接続閉
止される中間リングを有するＣＶＤ薄膜形成装置におい
て、前記円錐状カバー、反応ガス送入ノズル、円錐状バ
ッファおよび中間リングの各内壁面上にフッソ樹脂の薄
膜を施したことを特徴とするＣＶＤ薄膜形成装置。 - （２）前記内壁面上にフッソ樹脂を塗布することにより
、その場で薄膜を形成させた特許請求の範囲第１項に記
載のＣＶＤ薄膜形成装置。 - （３）予め成形されたフッソ樹脂の薄膜を前記内壁面上
に貼り付けた特許請求の範囲第１項に記載のＣＶＤ薄膜
形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7907286A JPS62238365A (ja) | 1986-04-08 | 1986-04-08 | Ｃｖｄ薄膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7907286A JPS62238365A (ja) | 1986-04-08 | 1986-04-08 | Ｃｖｄ薄膜形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62238365A true JPS62238365A (ja) | 1987-10-19 |
Family
ID=13679682
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7907286A Pending JPS62238365A (ja) | 1986-04-08 | 1986-04-08 | Ｃｖｄ薄膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62238365A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4961399A (en) * | 1988-03-22 | 1990-10-09 | U.S. Philips Corporation | Epitaxial growth reactor provided with a planetary support |
| US4993357A (en) * | 1987-12-23 | 1991-02-19 | Cs Halbleiter -Und Solartechnologie Gmbh | Apparatus for atomic layer epitaxial growth |
| JPH05259146A (ja) * | 1992-03-09 | 1993-10-08 | Hitachi Ltd | 半導体製造装置 |
| US6962677B2 (en) * | 2001-04-20 | 2005-11-08 | Nec Lcd Technologies, Ltd. | Method and apparatus for combustion harmfulness-elimination of PFC gas |
-
1986
- 1986-04-08 JP JP7907286A patent/JPS62238365A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4993357A (en) * | 1987-12-23 | 1991-02-19 | Cs Halbleiter -Und Solartechnologie Gmbh | Apparatus for atomic layer epitaxial growth |
| US4961399A (en) * | 1988-03-22 | 1990-10-09 | U.S. Philips Corporation | Epitaxial growth reactor provided with a planetary support |
| JPH05259146A (ja) * | 1992-03-09 | 1993-10-08 | Hitachi Ltd | 半導体製造装置 |
| US6962677B2 (en) * | 2001-04-20 | 2005-11-08 | Nec Lcd Technologies, Ltd. | Method and apparatus for combustion harmfulness-elimination of PFC gas |
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