JPS62161962A - Ｃｖｄ薄膜形成装置 - Google Patents
Ｃｖｄ薄膜形成装置Info
- Publication number
- JPS62161962A JPS62161962A JP303186A JP303186A JPS62161962A JP S62161962 A JPS62161962 A JP S62161962A JP 303186 A JP303186 A JP 303186A JP 303186 A JP303186 A JP 303186A JP S62161962 A JPS62161962 A JP S62161962A
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- buffer
- gas
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明はＣＶ Ｉ）薄膜形成装置に関する。更に詳細に
は、本発明は反応炉の内壁面、１−にＳｉＯあるいは５
ｉ０２などの異物微粒−ｒ・のフレークが生成Ｏ付７ｔ
することを防＋ｌ−Ｌ、たＣ Ｖ Ｉ）薄膜形成装置に
関する。
は、本発明は反応炉の内壁面、１−にＳｉＯあるいは５
ｉ０２などの異物微粒−ｒ・のフレークが生成Ｏ付７ｔ
することを防＋ｌ−Ｌ、たＣ Ｖ Ｉ）薄膜形成装置に
関する。
［従来技術］
薄膜の形成方法として、半導体二［業において一般に広
（用いられているものの一つに、気相成長法（ＣＶＤ：
Ｃｈｅｍｉｃａｌ ＶａｐｏｕｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏ
ｎ）がある。ＣＶＤとは、ガス状物質を化学反応で固体
物質にし、基板−にに堆積することをいう。
（用いられているものの一つに、気相成長法（ＣＶＤ：
Ｃｈｅｍｉｃａｌ ＶａｐｏｕｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏ
ｎ）がある。ＣＶＤとは、ガス状物質を化学反応で固体
物質にし、基板−にに堆積することをいう。
ＣＶＤの特徴は、成長しようとする薄膜の融点よりかな
り低い堆積温度で種々の薄膜が得られること、および、
成長した薄膜の純度が高＜、ＳｉやＳｉ上の熱酸化膜上
に成長した場合も電気的特性が安定であることで、広く
半導体表面のパッジベージピン膜として利用されている
。
り低い堆積温度で種々の薄膜が得られること、および、
成長した薄膜の純度が高＜、ＳｉやＳｉ上の熱酸化膜上
に成長した場合も電気的特性が安定であることで、広く
半導体表面のパッジベージピン膜として利用されている
。
ＣＶＤによる薄膜形成は、例えば５００℃程度に加熱し
たウェハに反応ガス（例えば、５ｉＨｑ＋０２．または
Ｓ ｉ Ｈｔｔ ＋ＰＨ，？ ＋０２ ）を供給して行
われる。、１−記の反応ガスは反応炉（ベルジャ）内の
ウェハに吹きつけられ、該ウェハの表面に５ｉ０２ある
いはフォスフォシリケートガラス（ＰＳＧ）の薄膜を形
成する。また、Ｓ ｉ ０２とＰＳＧとの２相成膜が行
われることもある。
たウェハに反応ガス（例えば、５ｉＨｑ＋０２．または
Ｓ ｉ Ｈｔｔ ＋ＰＨ，？ ＋０２ ）を供給して行
われる。、１−記の反応ガスは反応炉（ベルジャ）内の
ウェハに吹きつけられ、該ウェハの表面に５ｉ０２ある
いはフォスフォシリケートガラス（ＰＳＧ）の薄膜を形
成する。また、Ｓ ｉ ０２とＰＳＧとの２相成膜が行
われることもある。
このようなＣＶＤによる薄膜形成操作を行うために従来
から用いられている装置の一例を第２図上部分断面図と
して示す。
から用いられている装置の一例を第２図上部分断面図と
して示す。
第２図において、反応炉（ベルジャ）１は、円錐状のバ
ッファ２を円錐状のカバー３で覆い１．ヒ記バッファ２
の周囲にリング状のウェハ載置台４を駆動機構５で回転
駆動可能、または自公転可能に設置する。円錐状カバー
３はオーリング１１を介して反応炉中間リング１２と閉
止される。
ッファ２を円錐状のカバー３で覆い１．ヒ記バッファ２
の周囲にリング状のウェハ載置台４を駆動機構５で回転
駆動可能、または自公転可能に設置する。円錐状カバー
３はオーリング１１を介して反応炉中間リング１２と閉
止される。
前記円錐状カバー３の頂点付近に反応ガス送入管８およ
び９が接続されている。使用する反応ガスのＳｉＨ４お
よび０２はそれぞれ別のガス送入管により反応炉に送入
しなければならない。例えば、ＳｉＨ４を送入管８で送
入、そして、０２を送入管９で送入する。また、Ｐ Ｈ
ａを使用する場合、５ｉＨｑとともに送入できる。
び９が接続されている。使用する反応ガスのＳｉＨ４お
よび０２はそれぞれ別のガス送入管により反応炉に送入
しなければならない。例えば、ＳｉＨ４を送入管８で送
入、そして、０２を送入管９で送入する。また、Ｐ Ｈ
ａを使用する場合、５ｉＨｑとともに送入できる。
前記のウェハ載置台４の直下には僅かなギャップを介し
て加熱手段１０が設けられていてウェハ６を所定の温度
（例えば、約５００℃）に加熱する。反応ガス送入管８
および９から送入された反応ガス（例えば、ＳｉＨ４＋
０２または５ｉＨｑ＋ＰＨＪ ＋０２ ）は点線矢印の
ごとく炉内を流ドし、ウェハ６の表面に触れて流動し、
化学反応によって生成される物質（Ｓｉ０２またはＰＳ
Ｇ）の薄膜をウェハ６の表面に生成せしめる。
て加熱手段１０が設けられていてウェハ６を所定の温度
（例えば、約５００℃）に加熱する。反応ガス送入管８
および９から送入された反応ガス（例えば、ＳｉＨ４＋
０２または５ｉＨｑ＋ＰＨＪ ＋０２ ）は点線矢印の
ごとく炉内を流ドし、ウェハ６の表面に触れて流動し、
化学反応によって生成される物質（Ｓｉ０２またはＰＳ
Ｇ）の薄膜をウェハ６の表面に生成せしめる。
［発明が解決しようとする問題点コ
しかし、この装置では、反応ガス送入管により反応炉内
に送入された反応ガスが反応炉内の円錐状カバー、バッ
ファおよび中間リングなどの壁面に接触しながら反応炉
内を流動するので、反応炉内壁面」二で反応ガスが反応
し、該壁面−１−にＳｉＯまたは５ｉ０２等の酸化物微
粒子のフレークを生成・付着させる。
に送入された反応ガスが反応炉内の円錐状カバー、バッ
ファおよび中間リングなどの壁面に接触しながら反応炉
内を流動するので、反応炉内壁面」二で反応ガスが反応
し、該壁面−１−にＳｉＯまたは５ｉ０２等の酸化物微
粒子のフレークを生成・付着させる。
このようなフレークは僅かな振動、風圧で剥げ落ち、ウ
ェハ表面上に落下付着することがある。
ェハ表面上に落下付着することがある。
また、フレークが反応ガスにより巻き−１−げられて炉
内を′ｉ７遊し、ウェハ表面」二に落ド・付着する可能
性もある。これらフレーク（異物）がウェハに付着する
と蒸着膜にピンホールを発生させたりして゛１′：導体
素子の製造歩留りを著しく低下させるという欠点があっ
た。
内を′ｉ７遊し、ウェハ表面」二に落ド・付着する可能
性もある。これらフレーク（異物）がウェハに付着する
と蒸着膜にピンホールを発生させたりして゛１′：導体
素子の製造歩留りを著しく低下させるという欠点があっ
た。
史に別の問題点として、反応炉の内壁面」―で反応ガス
が反応してしまうため、炉内に給送した反応ガスが無駄
に消費され、ガスの有効利用率が低−ドするばかりか、
薄膜の成長速度の低下を招いていた。
が反応してしまうため、炉内に給送した反応ガスが無駄
に消費され、ガスの有効利用率が低−ドするばかりか、
薄膜の成長速度の低下を招いていた。
［発明の１−１的］
従って、この発明の［１的は反応炉の円錐状カバー、バ
ッファおよび中間リングなどの内壁面上にＳｉＯあるい
は５ｉ０２などの酸化物微粒子のフレークが生成Φ付着
することを防＋ＬしたＣ Ｖ Ｉ）薄膜形成装置を提供
することである。
ッファおよび中間リングなどの内壁面上にＳｉＯあるい
は５ｉ０２などの酸化物微粒子のフレークが生成Φ付着
することを防＋ＬしたＣ Ｖ Ｉ）薄膜形成装置を提供
することである。
［問題点を解決するための手段］
前記の問題点を解決するための手段として、本発明は、
反応ガスが反応炉の内壁而に接触することを阻１１・、
するために、ＣＶＤ反応炉の内部において、円錐状カバ
ーの上部から下部に向かってＮ２ガスを流し、バンファ
の−１一部から下部に向かってＮ２ガスを流し、かつ中
間リングの上部から下部に向かってＮ２ガスを流す手段
を配設することを特徴とするＣ Ｖ Ｉ）薄膜形成装置
を提供する。
反応ガスが反応炉の内壁而に接触することを阻１１・、
するために、ＣＶＤ反応炉の内部において、円錐状カバ
ーの上部から下部に向かってＮ２ガスを流し、バンファ
の−１一部から下部に向かってＮ２ガスを流し、かつ中
間リングの上部から下部に向かってＮ２ガスを流す手段
を配設することを特徴とするＣ Ｖ Ｉ）薄膜形成装置
を提供する。
［作用コ
前記のように、本発明のＣＶ Ｉ）薄膜形成装置では、
反応炉の内壁面に沿って不活性ガスを流すことにより反
応ガスが反応炉の内壁而に接触することを阻ＩＩ：、す
る。
反応炉の内壁面に沿って不活性ガスを流すことにより反
応ガスが反応炉の内壁而に接触することを阻ＩＩ：、す
る。
その結果、反応炉の内壁面上で反応ガスが反応すること
は殆どなくなるので、内壁面上にＳｉＯあるいは５ｉ０
２などの酸化物微粒子のフレークが生成Φ付着すること
は効果的に防止される。従って、これらフレーク（異物
）がウェハ表面に落下付着してウェハの蒸着膜にピンホ
ールを発生させたりするような不都合な“Ｊ（ｊＪ３の
発生も防１１１され、半導体素子の製造歩留りを向Ｉ−
させることができる。
は殆どなくなるので、内壁面上にＳｉＯあるいは５ｉ０
２などの酸化物微粒子のフレークが生成Φ付着すること
は効果的に防止される。従って、これらフレーク（異物
）がウェハ表面に落下付着してウェハの蒸着膜にピンホ
ールを発生させたりするような不都合な“Ｊ（ｊＪ３の
発生も防１１１され、半導体素子の製造歩留りを向Ｉ−
させることができる。
史に、反応炉内に送入した反応ガスが極めて有効に利用
されることになるばかりか、ＣＶＤ膜の成長速度も向」
−〕するので、゛１４導体素子の製造コストを低下させ
ることができる。
されることになるばかりか、ＣＶＤ膜の成長速度も向」
−〕するので、゛１４導体素子の製造コストを低下させ
ることができる。
［実施例コ
以下、図面を参！（（しながら本発明の実施例について
史に詳細に説明する。
史に詳細に説明する。
第１図は本発明のＣＶ Ｉ）薄膜形成装置の一実施例の
部分断面図である。
部分断面図である。
第１図に示される本発明のＣＶＤ薄膜形成装置において
、第２図に示される従来の装置と同じ部材については同
一の符号を使用する。
、第２図に示される従来の装置と同じ部材については同
一の符号を使用する。
第１図に示されるように、本発明のＣＶＤ薄膜形成装置
では、反応ガス送入管９に隣接して円錐状カバーの上部
から下部の方向に向かってＮ２ガスを流す手段１３が配
設されている。同様に、バッファ２の上部から下部の方
向に向かってＮ２ガスを流す手段１４が配設され、かつ
、中間リング１２の１一部から下部の方向に向かってＮ
２ガスを流す手段１５が配設されている。
では、反応ガス送入管９に隣接して円錐状カバーの上部
から下部の方向に向かってＮ２ガスを流す手段１３が配
設されている。同様に、バッファ２の上部から下部の方
向に向かってＮ２ガスを流す手段１４が配設され、かつ
、中間リング１２の１一部から下部の方向に向かってＮ
２ガスを流す手段１５が配設されている。
前記Ｎ２ガス流下手段は例えば、ノズルのような形状の
ものである。このノズルにはＮ２ガス供給源（図示され
ていない）に接続されたＮ２ガス給送管（図示されてい
ない）が連結される。
ものである。このノズルにはＮ２ガス供給源（図示され
ていない）に接続されたＮ２ガス給送管（図示されてい
ない）が連結される。
所望により、このＮ２ガス給送管には圧力計を取り付は
ガス供給圧力をバルブ操作により調節することもできる
。例えば、バッファおよび中間リングの上部から下部の
方向に向かってＮ２ガスを流す場合はＮ２ガスが壁面に
沿って流下するようにするため、円錐状カバーの−上部
から下部の方向に向かってＮ２ガスを流す場合に比べて
、噴射圧力を高くする７殼がある。かくして、円錐状カ
バーおよび中間リングの内壁面およびバッファの壁面に
Ｎ２のガス層が形成されるので、反応炉内に送入された
反応ガスがこれらの壁面して反応を起こすことは阻止さ
れる。その結果、これらの壁面−にに酸化物微粒子の異
物フレークが発生・付着することは効果的に防止される
。
ガス供給圧力をバルブ操作により調節することもできる
。例えば、バッファおよび中間リングの上部から下部の
方向に向かってＮ２ガスを流す場合はＮ２ガスが壁面に
沿って流下するようにするため、円錐状カバーの−上部
から下部の方向に向かってＮ２ガスを流す場合に比べて
、噴射圧力を高くする７殼がある。かくして、円錐状カ
バーおよび中間リングの内壁面およびバッファの壁面に
Ｎ２のガス層が形成されるので、反応炉内に送入された
反応ガスがこれらの壁面して反応を起こすことは阻止さ
れる。その結果、これらの壁面−にに酸化物微粒子の異
物フレークが発生・付着することは効果的に防止される
。
Ｎ２ガスは従来からＣＶＤ薄膜形成反応用のキャリアガ
スとして使用されているので、本発明のＣＶＤ薄膜形成
装置において反応ガスの壁面接触阻止層を生成する目的
で使用しても、本来のＣＶＤ薄膜形成操作を阻害するこ
とはない。
スとして使用されているので、本発明のＣＶＤ薄膜形成
装置において反応ガスの壁面接触阻止層を生成する目的
で使用しても、本来のＣＶＤ薄膜形成操作を阻害するこ
とはない。
［発明の効果］
以上説明したように、本発明のＣＶＤ薄膜形成装置では
、反応炉の内壁面に沿って不活性ガスを流すことにより
反応ガスが反応炉の内壁面に接触することをド１１比す
る。
、反応炉の内壁面に沿って不活性ガスを流すことにより
反応ガスが反応炉の内壁面に接触することをド１１比す
る。
その結果、反応炉の内壁面りで反応ガスが反応すること
は殆どなくなるので、内壁面上にＳｉＯあるいは５ｉ０
２などの酸化物微粒子のフレークが生成・付着すること
は効果的に防＋１．される。従って、これらフレーク（
異物）がウェハ表面に落ド付着してウェハの蒸着膜にピ
ンホールを発生させたりするような不都合な“１￥態の
発生も防止され、半導体素子の製造歩留りを向上させる
ことができる。
は殆どなくなるので、内壁面上にＳｉＯあるいは５ｉ０
２などの酸化物微粒子のフレークが生成・付着すること
は効果的に防＋１．される。従って、これらフレーク（
異物）がウェハ表面に落ド付着してウェハの蒸着膜にピ
ンホールを発生させたりするような不都合な“１￥態の
発生も防止され、半導体素子の製造歩留りを向上させる
ことができる。
史に、反応炉内に給送した反応ガスが極めて有効に利用
されることになるばかりか、ＣＶＤＭ’Ｘの成長速度も
向上するので ！＋４．導体素子の製造コストを低゛ド
させることができる。Ｎ２ガスは反応ガスとして使用さ
れる５ＩＨｑ、ＰＨＪまたは０２のいずれのものよりも
値段が安いので、Ｎ２ガスを使用することにより反応ガ
スの有効利用率を高めることは経済的論理に反しない。
されることになるばかりか、ＣＶＤＭ’Ｘの成長速度も
向上するので ！＋４．導体素子の製造コストを低゛ド
させることができる。Ｎ２ガスは反応ガスとして使用さ
れる５ＩＨｑ、ＰＨＪまたは０２のいずれのものよりも
値段が安いので、Ｎ２ガスを使用することにより反応ガ
スの有効利用率を高めることは経済的論理に反しない。
第１図は本発明のＣＶＤ薄膜形成装置の一実施例の部分
断面図、第２図はＣＶ Ｉ）による薄膜形成操作を行う
ために従来から用いられている装置の一例の部分断面図
である。 １・・・反応炉 ２・・・バッファ ３・・・円錐状カ
バー４・・・ウェハ載置台 ５・・・駆動機構 ６・・
・ウェハ８および９・・・反応ガス送入管 １０・・・
加熱手段１２・・・中間リング １３．１４．および１
５・・・Ｎ２ガス流下Ｔ段
断面図、第２図はＣＶ Ｉ）による薄膜形成操作を行う
ために従来から用いられている装置の一例の部分断面図
である。 １・・・反応炉 ２・・・バッファ ３・・・円錐状カ
バー４・・・ウェハ載置台 ５・・・駆動機構 ６・・
・ウェハ８および９・・・反応ガス送入管 １０・・・
加熱手段１２・・・中間リング １３．１４．および１
５・・・Ｎ２ガス流下Ｔ段
Claims (2)
- （１）反応ガスが反応炉の内壁面に接触することを阻止
するために、ＣＶＤ反応炉の内部において、円錐状カバ
ーの上部から下部に向かってＮ＿２ガスを流し、バッフ
ァの上部から下部に向かってＮ＿２ガスを流し、かつ中
間リングの上部から下部に向かってＮ＿２ガスを流す手
段を配設することを特徴とするＣＶＤ薄膜形成装置。 - （２）反応炉は自公転方式の常圧型ＣＶＤ反応炉である
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載のＣＶＤ
薄膜形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP303186A JPS62161962A (ja) | 1986-01-10 | 1986-01-10 | Ｃｖｄ薄膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP303186A JPS62161962A (ja) | 1986-01-10 | 1986-01-10 | Ｃｖｄ薄膜形成装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62161962A true JPS62161962A (ja) | 1987-07-17 |
| JPH0532470B2 JPH0532470B2 (ja) | 1993-05-17 |
Family
ID=11545943
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP303186A Granted JPS62161962A (ja) | 1986-01-10 | 1986-01-10 | Ｃｖｄ薄膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62161962A (ja) |
-
1986
- 1986-01-10 JP JP303186A patent/JPS62161962A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0532470B2 (ja) | 1993-05-17 |
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