JPH0463429A - 気相反応装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野コ 本発明は気相反応装置に関する。更に詳細には、本発明
はウェハに対して異物の付着しにくいＣＶＤ薄膜形成装
置に関する。

［従来の技術］ 薄膜の形成方法として半導体工業において一般に広く用
いられているものの一つに化学的気相成長法（ＣＶＤ：
Ｃｈｅｍｉｃａｌ　　ＶａｐｏｕｒＤｅｐｏｓ　ｉ　ｔ
　１ｏｎ）がある。ＣＶＤとは、ガス状物質を化学反応
で固体物質にし、基板上に堆積することをいう。

ＣＶＤの特徴は、成長しようとする薄膜の融点よりかな
り低い堆積温度で種々の薄膜が得られること、および、
成長した薄膜の純度が高＜、ＳＸやＳｉ上の熱酸化膜上
に成長した場合も電気的特性が安定であることで、広く
半導体表面のパッシベーション膜として利用されている
。

ＣＶＤによる薄膜形成は、例えば５００℃程度に加熱し
たウェハに反応ガス（例えば、ＳｉＨ４十０２．または
Ｓ　ｉ　Ｈ４＋ＰＨ３＋０２　）を供給して行われる。

上記の反応ガスは反応炉内のウェハに吹きつけられ、該
ウニ゛ハの表面に５ｉ０２あるいはフォスフオシリケー
ドガラス（ＰＳＧ）の薄膜を形成する。また、ＳｉＯ２
とＰＳＧとの２層成膜が行われることもある。更に、モ
リブデン。

タングステンあるいはタングステンシリサイド等の金属
薄膜の形成にも使用できる。

このようなＣＶＤによる薄膜形成操作を行うために従来
から用いられている気相反応装置の一例を第２図に概要
断面図として示す。

第２図において、反応炉１０は、バッファ１２をベルジ
ャ１３で覆い、上記バッファ１２の周囲に円盤状のウェ
ハ試料台（サセプタ）１４を駆動機構１５で回転駆動可
能、または自公転可能に設置する。

前記ベルジャ１３の頂点付近に反応ガス送入管１８およ
び１９が接続されている。ガス送入管から送入されたガ
スはバッファにより振分られて矢線のようにウェハ試料
台１４に向かう。

前記のウェハ試料台１４の直ドには僅かなギャップを介
して加熱手段２０が設けられていてつ工・・１６を所定
の温度（例えば、約５００℃）に加熱する。反応ガス（
例えばＮ　Ｓ　ｉＨ４＋０２またはＳ　ｉ　Ｈ４＋ＰＨ
３＋０２　）は炉内を流下し、ウェハ１６の表面に触れ
て流動し、化学反応によって生成される物質（Ｓｉ０２
またはＰＳＧ）の薄膜をウェハ１６の表面に生成せしめ
る。

［発明が解決しようとする課題］ このようなＣＶＤ装置は反応炉内におけるガス流の流れ
を均一化したり、炉内に浮遊しているフレークなとを炉
外に排出するために、反応炉の適当な位置に排気ダクト
を有する。

ＣＶＤ装置の反応炉の排気ダクト２２は従来、第３図に
示すような態様で工場排気ダクト２４に接続されていた
。図示されたような接続では、工場排気ダクト内面に付
着しているフレークが反応炉排気ダクトからの吹き出し
により巻き上げか起こることか考えられる。また、工場
排気ダクトのＬ流側と下流側で圧力差が生じた場合、装
置排気ダクトを通してフレークが反応炉内に逆流するこ
とか考えられる。これらにより、反応炉内では反応炉内
壁に付着しているフレークも含めてウェハ表面上の付着
異物となる。

高集積、高性能化が急ピッチで進む半導体製造プロセス
の中で、ガス系／ステムのクリーン化か強く求められて
いる。

従って、本発明の目的は、異物増加を起こさない、装置
排気ダクトと工場排気ダクトの接続形態を提供すること
である。

［課題を解決するための手段］ 前記目的を達成するために、本発明では、内部に円盤状
ウェハ試料台が配置されている反応炉を有する気相反応
装置において、前記反応炉の排気ダクトは別の排気ダク
トに接続されており、該反応炉排気ダクトの先端は前記
別の排気ダクトの内部で、排気流の流れ方向に向かって
水平に屈曲されていることを特徴とする気相反応装置を
提供する。

別の排気ダクトは例えば、工場排気ダクトである。

［作用］ 前記のように、本発明では、装置排気ダクトの先端をＬ
字形に曲げて工場排気ダクトに接続する。

このため、装置排気ダクト先端からの吹き出しによって
工場排気ダクト内壁面に付着しているフレークか巻き上
げられることはない。

また、装置排気ダクトの先端がＬ字形に曲がっているの
で、工場排気ダクト内の圧力差による装置への直接的逆
流も防くことかできる。これらにより、ＣＶＤ装置の反
応炉内の異物を低減することができ、結果的に歩留りを
向上させることができる。

［実施例］ 以下、図面を参照しながら本発明を更に詳細に説明する
。

第１図は本発明による気相反応装置における反応炉の排
気ダクトと工場排気ダクトとの接続状態を示す部分模式
図である。

図示されているように、本発明では、反応炉排気ダクト
１の先端はＬ字形に直角に屈曲されている。屈局された
水車部分３は工場排気ダクト２４内の排気流の流れ方向
と同じ方向を向いていることが好ましい。このようにす
ると、装置排気ダクトからの排気流は丁場排気ダクトの
排気流と層流状態で合流して流下することができ、工場
排気ダクト内壁面に付着しているフレークに悪影響を及
ぼすことか少ない。水平部分３の長さは特に限定されな
い。しかし、あまり短すぎると本発明の本来の効果が不
十分になる恐れがある。また、あまり長すぎると接続作
業が困難になるばかりか、工場排気系の阻害要因にもな
りかねないので好ましくない。

［発明の効果］ 以−Ｆ説明したように、本発明の装置によれば、反応炉
からの排気ダクトの先端をＬ字形に曲げて［場排気ダク
トに接続する。

このため、装置排気ダクト先端からの吹き出しによって
工場排気ダクト内壁面に付着しているフレークが巻き上
げられることはない。

また、装置排気ダクトの先端がＬ字形に曲がっているの
で、工場排気ダクト内の圧力差による装置への直接的逆
流も防ぐことができる。これらにより、ＣＶＤ装置の反
応炉内の異物を低減することかでき、結果的に歩留りを
向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明によるＣＶＤ装置の反応炉からの排気ダ
クトと工場排気ダクトとの接続状態の一例を示す模式図
であり、第２図は従来の気相反応装置の一例の部分模式
図であり、第３図は従来の装置排気ダクトと丁場排気ダ
クトとの接続状態を示す模式図である。 １・・・本発明による装置排気ダクト。 １０・・・反応炉、１２・・・バッファ、１３・・・ベ
ルシャ。 １４・・・試料台、１５・・・駆動機構、１６・・・ウ
ェハ１８および１９・・・反応ガス送入管。 ２０・・・加熱手段、２２・・・従来の装置排気ダクト
。 ２４・・・工場排気ダクト

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）内部に円盤状ウェハ試料台が配置されている反応
   炉を有する気相反応装置において、前記反応炉の排気ダ
   クトは別の排気ダクトに接続されており、該反応炉排気
   ダクトの先端は前記別の排気ダクトの内部で、排気流の
   流れ方向に向かって水平に屈曲されていることを特徴と
   する気相反応装置。
2. （２）前記別の排気ダクトは工場排気ダクトである請求
   項１記載の気相反応装置。