JPH11233497A - 低圧化学気相成長装置 - Google Patents
低圧化学気相成長装置Info
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- JPH11233497A JPH11233497A JP3080598A JP3080598A JPH11233497A JP H11233497 A JPH11233497 A JP H11233497A JP 3080598 A JP3080598 A JP 3080598A JP 3080598 A JP3080598 A JP 3080598A JP H11233497 A JPH11233497 A JP H11233497A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 異なる原料ガスの供給時に迅速に密度を均一
にでき、膜厚分布のバラツキが少ないガス供給構造を有
する低圧化学気相成長装置を提供すること。 【解決手段】 この低圧化学気相成長装置において、第
１の原料供給パイプ１は解放端部が石英反応管４内の奥
方略中央部に位置されるように中途部分を奥方で２箇所
折り曲げて成り、第２の原料供給パイプ２は解放端部が
石英反応管４内の略中央部に位置されるように背高にな
っている。又、第２の原料供給パイプ２の解放端部には
第２の原料ガスを分岐して流し込むための３本のパイプ
を結合可能な分岐型パイプ結合具８が結合され、この分
岐型パイプ結合具８にはそれぞれの解放端部が石英反応
管４内の略壁面近傍に延在する３本の分岐パイプ９ａ，
９ｂ，９ｃが結合されて成っている。ここでは第１の原
料ガス及び第２の原料ガスを石英反応管４内に迅速に密
度を均一に供給できる。
にでき、膜厚分布のバラツキが少ないガス供給構造を有
する低圧化学気相成長装置を提供すること。 【解決手段】 この低圧化学気相成長装置において、第
１の原料供給パイプ１は解放端部が石英反応管４内の奥
方略中央部に位置されるように中途部分を奥方で２箇所
折り曲げて成り、第２の原料供給パイプ２は解放端部が
石英反応管４内の略中央部に位置されるように背高にな
っている。又、第２の原料供給パイプ２の解放端部には
第２の原料ガスを分岐して流し込むための３本のパイプ
を結合可能な分岐型パイプ結合具８が結合され、この分
岐型パイプ結合具８にはそれぞれの解放端部が石英反応
管４内の略壁面近傍に延在する３本の分岐パイプ９ａ，
９ｂ，９ｃが結合されて成っている。ここでは第１の原
料ガス及び第２の原料ガスを石英反応管４内に迅速に密
度を均一に供給できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、主として半導体製
造分野で使用されると共に、複数の原料ガスが供給され
るＬＰ−ＣＶＤ装置等の低圧化学気相成長装置に関し、
詳しくはガス供給構造が改良された低圧化学気相成長装
置に関する。
造分野で使用されると共に、複数の原料ガスが供給され
るＬＰ−ＣＶＤ装置等の低圧化学気相成長装置に関し、
詳しくはガス供給構造が改良された低圧化学気相成長装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の低圧化学気相成長装置と
しては、例えば図３に示されるような構成のものが挙げ
られる。この低圧化学気相成長装置は、ＳｉＯ2 膜の成
膜を行う場合のもので、一端部にガラス窓７１が装着さ
れたステンレスフランジ３１を密着した石英反応管４１
内にステンレスフランジ３１の別々な箇所のパイプ結合
部１１ａ，２１ａを介して延在して第１の原料ガスを流
し込むための第１の原料供給パイプ１１と第２の原料ガ
スを流し込むための第２の原料供給パイプ２１とが配備
されると共に、石英反応管４１内にはシリコンウエハ６
１が石英治具５１により支持されて配備されて成ってい
る。
しては、例えば図３に示されるような構成のものが挙げ
られる。この低圧化学気相成長装置は、ＳｉＯ2 膜の成
膜を行う場合のもので、一端部にガラス窓７１が装着さ
れたステンレスフランジ３１を密着した石英反応管４１
内にステンレスフランジ３１の別々な箇所のパイプ結合
部１１ａ，２１ａを介して延在して第１の原料ガスを流
し込むための第１の原料供給パイプ１１と第２の原料ガ
スを流し込むための第２の原料供給パイプ２１とが配備
されると共に、石英反応管４１内にはシリコンウエハ６
１が石英治具５１により支持されて配備されて成ってい
る。
【０００３】この低圧化学気相成長装置では、石英反応
管４１の温度が所定温度に保持され、原料ガスが第１の
原料ガス供給パイプ１１及び第２の原料ガス供給パイプ
２１により供給されることでシリコンウエハ６１上のＳ
ｉＯ2 膜が所定の膜厚で成膜されるようになっている。
管４１の温度が所定温度に保持され、原料ガスが第１の
原料ガス供給パイプ１１及び第２の原料ガス供給パイプ
２１により供給されることでシリコンウエハ６１上のＳ
ｉＯ2 膜が所定の膜厚で成膜されるようになっている。
【０００４】例えばＳｉＯ2 膜を成膜する条件として
は、石英反応管４１の保持温度を３５０℃±５℃とし、
原料ガスとしてモノシラン（ＳｉＨ4 ／Ｈｅ）ガスの２
０％希釈したものを流量６００ＣＣ／分で第１の原料ガ
ス供給パイプ１１へ供給すると共に、酸素（Ｏ2 ）ガス
を流量１２０ＣＣ／分で第２の原料ガス供給パイプ２１
へ供給し、且つキャリヤ用のヘリウム（Ｈｅ）ガスを流
量２０００ＣＣ／分で第１の原料ガス供給パイプ１１へ
供給するものとし、更に、圧力を１６０パスカルとした
条件下でＳｉＯ2 が約７０〜１００オングストローム／
分の成長速度でシリコンウエハ６１上に成膜される場合
を例示できる。
は、石英反応管４１の保持温度を３５０℃±５℃とし、
原料ガスとしてモノシラン（ＳｉＨ4 ／Ｈｅ）ガスの２
０％希釈したものを流量６００ＣＣ／分で第１の原料ガ
ス供給パイプ１１へ供給すると共に、酸素（Ｏ2 ）ガス
を流量１２０ＣＣ／分で第２の原料ガス供給パイプ２１
へ供給し、且つキャリヤ用のヘリウム（Ｈｅ）ガスを流
量２０００ＣＣ／分で第１の原料ガス供給パイプ１１へ
供給するものとし、更に、圧力を１６０パスカルとした
条件下でＳｉＯ2 が約７０〜１００オングストローム／
分の成長速度でシリコンウエハ６１上に成膜される場合
を例示できる。
【０００５】図４は、この低圧化学気相成長装置内の原
料ガスの流れの状態を例示したもので、同図（ａ）は第
１の原料ガス供給パイプ１１へ供給されるモノシラン
（ＳｉＨ4 ／Ｈｅ）ガス＋キャリヤヘリウム（Ｈｅ）ガ
スに関するもの，同図（ｂ）は第２の原料ガス供給パイ
プ２１へ供給される酸素（Ｏ2 ）ガスに関するものであ
る。尚、図中には配置比較として石英治具５１の存在領
域Ｅを示している。
料ガスの流れの状態を例示したもので、同図（ａ）は第
１の原料ガス供給パイプ１１へ供給されるモノシラン
（ＳｉＨ4 ／Ｈｅ）ガス＋キャリヤヘリウム（Ｈｅ）ガ
スに関するもの，同図（ｂ）は第２の原料ガス供給パイ
プ２１へ供給される酸素（Ｏ2 ）ガスに関するものであ
る。尚、図中には配置比較として石英治具５１の存在領
域Ｅを示している。
【０００６】図４（ａ）からは、第１の原料ガスがモノ
シラン（ＳｉＨ4 ／Ｈｅ）ガス＋キャリヤヘリウム（Ｈ
ｅ）ガスである場合、第１の原料ガス供給パイプ１１の
解放端部が石英治具５１の存在領域Ｅに接近して石英反
応管４１の内壁寄りに位置されており、ガスの流れが石
英反応管４１内の奥方でやや偏る様子が判る。
シラン（ＳｉＨ4 ／Ｈｅ）ガス＋キャリヤヘリウム（Ｈ
ｅ）ガスである場合、第１の原料ガス供給パイプ１１の
解放端部が石英治具５１の存在領域Ｅに接近して石英反
応管４１の内壁寄りに位置されており、ガスの流れが石
英反応管４１内の奥方でやや偏る様子が判る。
【０００７】又、図４（ｂ）からは、第２の原料ガスが
酸素（Ｏ2 ）ガスである場合、第２の原料ガス供給パイ
プ２１の解放端部が石英治具５１の存在領域Ｅから離間
して石英反応管４１の内壁寄りに位置されており、ガス
の流れが石英反応管４１内の手前側でやや偏る様子が判
る。
酸素（Ｏ2 ）ガスである場合、第２の原料ガス供給パイ
プ２１の解放端部が石英治具５１の存在領域Ｅから離間
して石英反応管４１の内壁寄りに位置されており、ガス
の流れが石英反応管４１内の手前側でやや偏る様子が判
る。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上述した低圧化学気相
成長装置の場合、第１の原料ガス供給パイプや第２の原
料ガス供給パイプの解放端部が石英反応管の内壁寄りに
位置されてガスの流れが石英反応管内でやや偏る構造で
あるため、供給したガスが石英反応管内で均等な密度で
なるまでに多大な距離時間を必要としてしまい、こうし
た相乗効果によって特にシリコンウエハ列のうちのガス
の流れ側に向いた手前側のシリコンウエハに対しては第
１の原料ガス及び第２の原料ガスの密度が不均一になっ
て成膜時の膜厚分布が極端に劣化されてしまい易いとい
う大きな問題がある。
成長装置の場合、第１の原料ガス供給パイプや第２の原
料ガス供給パイプの解放端部が石英反応管の内壁寄りに
位置されてガスの流れが石英反応管内でやや偏る構造で
あるため、供給したガスが石英反応管内で均等な密度で
なるまでに多大な距離時間を必要としてしまい、こうし
た相乗効果によって特にシリコンウエハ列のうちのガス
の流れ側に向いた手前側のシリコンウエハに対しては第
１の原料ガス及び第２の原料ガスの密度が不均一になっ
て成膜時の膜厚分布が極端に劣化されてしまい易いとい
う大きな問題がある。
【０００９】即ち、こうした膜厚分布の許容規格範囲は
通常１０％以下のバラツキを目標値としているが、ガス
の流れ側に向いた手前側のシリコンウエハの場合には膜
厚分布が２０〜３０％程度もバラツキが出てしまう。
通常１０％以下のバラツキを目標値としているが、ガス
の流れ側に向いた手前側のシリコンウエハの場合には膜
厚分布が２０〜３０％程度もバラツキが出てしまう。
【００１０】本発明は、このような問題点を解決すべく
なされたもので、その技術的課題は、異なる原料ガスの
供給に際して迅速に密度を均一にでき、膜厚分布のバラ
ツキが少ないガス供給構造を有する低圧化学気相成長装
置を提供することにある。
なされたもので、その技術的課題は、異なる原料ガスの
供給に際して迅速に密度を均一にでき、膜厚分布のバラ
ツキが少ないガス供給構造を有する低圧化学気相成長装
置を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、一端部
にステンレスフランジを密着した石英反応管内に該ステ
ンレスフランジを介して延在して配備されると共に、第
１の原料ガスを流し込むための第１の原料供給パイプと
第２の原料ガスを流し込むための第２の原料供給パイプ
とを有する低圧化学気相成長装置において、第１の原料
供給パイプは、解放端部が石英反応管内の奥方略中央部
に位置されるように中途部分を奥方で複数箇所折り曲げ
て成り、第２の原料供給パイプは、解放端部が石英反応
管内の略中央部に位置されるように背高になっており、
更に、第２の原料供給パイプの解放端部には第２の原料
ガスを分岐して流し込むための所定数のパイプを結合可
能な分岐型パイプ結合具が結合され、分岐型パイプ結合
具にはそれぞれの解放端部が石英反応管内の略壁面近傍
に延在する所定数の分岐パイプが結合されて成る低圧化
学気相成長装置が得られる。
にステンレスフランジを密着した石英反応管内に該ステ
ンレスフランジを介して延在して配備されると共に、第
１の原料ガスを流し込むための第１の原料供給パイプと
第２の原料ガスを流し込むための第２の原料供給パイプ
とを有する低圧化学気相成長装置において、第１の原料
供給パイプは、解放端部が石英反応管内の奥方略中央部
に位置されるように中途部分を奥方で複数箇所折り曲げ
て成り、第２の原料供給パイプは、解放端部が石英反応
管内の略中央部に位置されるように背高になっており、
更に、第２の原料供給パイプの解放端部には第２の原料
ガスを分岐して流し込むための所定数のパイプを結合可
能な分岐型パイプ結合具が結合され、分岐型パイプ結合
具にはそれぞれの解放端部が石英反応管内の略壁面近傍
に延在する所定数の分岐パイプが結合されて成る低圧化
学気相成長装置が得られる。
【００１２】又、本発明によれば、上記低圧化学気相成
長装置において、第１の原料供給パイプ，第２の原料供
給パイプ，分岐型パイプ結合具，及び所定数の分岐パイ
プは、それぞれ耐熱及び耐腐食性を有するステンレス系
金属材から成る低圧化学気相成長装置や、或いは第１の
原料供給パイプ，第２の原料供給パイプ，分岐型パイプ
結合具，及び所定数の分岐パイプは、それぞれ石英材か
ら成る低圧化学気相成長装置が得られる。
長装置において、第１の原料供給パイプ，第２の原料供
給パイプ，分岐型パイプ結合具，及び所定数の分岐パイ
プは、それぞれ耐熱及び耐腐食性を有するステンレス系
金属材から成る低圧化学気相成長装置や、或いは第１の
原料供給パイプ，第２の原料供給パイプ，分岐型パイプ
結合具，及び所定数の分岐パイプは、それぞれ石英材か
ら成る低圧化学気相成長装置が得られる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下に実施例を挙げ、本発明の低
圧化学気相成長装置について、図面を参照して詳細に説
明する。
圧化学気相成長装置について、図面を参照して詳細に説
明する。
【００１４】図１は、本発明の一実施例に係る低圧化学
気相成長装置の基本構成を一部破断して示した斜視図で
ある。この低圧化学気相成長装置の場合も、基本構成上
は図３に示した従来装置と同様であり、一端部にガラス
窓７が装着されたステンレスフランジ３を密着した石英
反応管４内にステンレスフランジ３の別々な箇所のパイ
プ結合部１ａ，２ａを介して延在して第１の原料ガスを
流し込むための第１の原料供給パイプ１と第２の原料ガ
スを流し込むための第２の原料供給パイプ２とが配備さ
れると共に、石英反応管４内にはシリコンウエハ６が石
英治具５により支持されて配備されて成っている。
気相成長装置の基本構成を一部破断して示した斜視図で
ある。この低圧化学気相成長装置の場合も、基本構成上
は図３に示した従来装置と同様であり、一端部にガラス
窓７が装着されたステンレスフランジ３を密着した石英
反応管４内にステンレスフランジ３の別々な箇所のパイ
プ結合部１ａ，２ａを介して延在して第１の原料ガスを
流し込むための第１の原料供給パイプ１と第２の原料ガ
スを流し込むための第２の原料供給パイプ２とが配備さ
れると共に、石英反応管４内にはシリコンウエハ６が石
英治具５により支持されて配備されて成っている。
【００１５】但し、ここでの第１の原料供給パイプ１
は、解放端部が石英反応管４内の奥方略中央部に位置さ
れるように中途部分を奥方で２箇所折り曲げて成ってい
る。又、第２の原料供給パイプ２は、解放端部が石英反
応管４内の略中央部に位置されるように背高になってい
る。更に、第２の原料供給パイプ２の解放端部には第２
の原料ガスを分岐して流し込むための所定数（ここでは
３本）のパイプを結合可能な分岐型パイプ結合具８が結
合され、この分岐型パイプ結合具８にはそれぞれの解放
端部が石英反応管４内の略壁面近傍に延在する３本の分
岐パイプ９ａ，９ｂ，９ｃが結合されて成っている。
は、解放端部が石英反応管４内の奥方略中央部に位置さ
れるように中途部分を奥方で２箇所折り曲げて成ってい
る。又、第２の原料供給パイプ２は、解放端部が石英反
応管４内の略中央部に位置されるように背高になってい
る。更に、第２の原料供給パイプ２の解放端部には第２
の原料ガスを分岐して流し込むための所定数（ここでは
３本）のパイプを結合可能な分岐型パイプ結合具８が結
合され、この分岐型パイプ結合具８にはそれぞれの解放
端部が石英反応管４内の略壁面近傍に延在する３本の分
岐パイプ９ａ，９ｂ，９ｃが結合されて成っている。
【００１６】このうち、第１の原料供給パイプ１，第２
の原料供給パイプ２，分岐型パイプ結合具８，及び各分
岐パイプ９ａ，９ｂ，９ｃの材質に関しては、それぞれ
耐熱及び耐腐食性を有するステンレス系金属材とする
か、或いは石英材とすることが望ましい。尚、第１の原
料供給パイプ１及び第２の原料供給パイプ２のそれぞれ
のステンレスフランジ３との結合は、第１の原料供給パ
イプ１及び第２の原料供給パイプ２をステンレスフラン
ジ３のパッキングを介して嵌め込む構造となっている。
の原料供給パイプ２，分岐型パイプ結合具８，及び各分
岐パイプ９ａ，９ｂ，９ｃの材質に関しては、それぞれ
耐熱及び耐腐食性を有するステンレス系金属材とする
か、或いは石英材とすることが望ましい。尚、第１の原
料供給パイプ１及び第２の原料供給パイプ２のそれぞれ
のステンレスフランジ３との結合は、第１の原料供給パ
イプ１及び第２の原料供給パイプ２をステンレスフラン
ジ３のパッキングを介して嵌め込む構造となっている。
【００１７】図２は、この低圧化学気相成長装置内の原
料ガスの流れの状態を例示したもので、同図（ａ）は第
１の原料ガス供給パイプ１へ供給されるモノシラン（Ｓ
ｉＨ4 ／Ｈｅ）ガス＋キャリヤヘリウム（Ｈｅ）ガスに
関するもの，同図（ｂ）は第２の原料ガス供給パイプ２
から分岐型パイプ結合具８を介して各分岐パイプ９ａ，
９ｂ，９ｃへ供給される酸素（Ｏ2 ）ガスに関するもの
である。尚、ここでも図中には配置比較として石英治具
５の存在領域Ｅを示している。
料ガスの流れの状態を例示したもので、同図（ａ）は第
１の原料ガス供給パイプ１へ供給されるモノシラン（Ｓ
ｉＨ4 ／Ｈｅ）ガス＋キャリヤヘリウム（Ｈｅ）ガスに
関するもの，同図（ｂ）は第２の原料ガス供給パイプ２
から分岐型パイプ結合具８を介して各分岐パイプ９ａ，
９ｂ，９ｃへ供給される酸素（Ｏ2 ）ガスに関するもの
である。尚、ここでも図中には配置比較として石英治具
５の存在領域Ｅを示している。
【００１８】図２（ａ）からは、第１の原料ガスがモノ
シラン（ＳｉＨ4 ／Ｈｅ）ガス＋キャリヤヘリウム（Ｈ
ｅ）ガスである場合、第１の原料ガス供給パイプ１の解
放端部が石英治具５の存在領域Ｅに接近して石英反応管
４中央部に位置されており、ガスの流れが石英反応管４
内で偏り無く分布している様子が判る。
シラン（ＳｉＨ4 ／Ｈｅ）ガス＋キャリヤヘリウム（Ｈ
ｅ）ガスである場合、第１の原料ガス供給パイプ１の解
放端部が石英治具５の存在領域Ｅに接近して石英反応管
４中央部に位置されており、ガスの流れが石英反応管４
内で偏り無く分布している様子が判る。
【００１９】又、図２（ｂ）からは、第２の原料ガスが
酸素（Ｏ2 ）ガスである場合、第２の原料ガス供給パイ
プ２から分岐型パイプ結合具８を介して結合された各分
岐パイプ９ａ，９ｂ，９ｃの解放端部が石英治具５の存
在領域Ｅから離間して石英反応管４の内壁寄り分散して
位置されており、ガスの流れが石英反応管４内で偏り無
く分布している様子が判る。
酸素（Ｏ2 ）ガスである場合、第２の原料ガス供給パイ
プ２から分岐型パイプ結合具８を介して結合された各分
岐パイプ９ａ，９ｂ，９ｃの解放端部が石英治具５の存
在領域Ｅから離間して石英反応管４の内壁寄り分散して
位置されており、ガスの流れが石英反応管４内で偏り無
く分布している様子が判る。
【００２０】このような第１の原料供給パイプ１や分岐
型パイプ結合具８及び各分岐パイプ９ａ，９ｂ，９ｃの
結合を含む第２の原料供給パイプ２の解放端部からのガ
スの流れを示すガス供給構造により、石英反応管４内で
は第１の原料ガス及び第２の原料ガスが短距離時間で迅
速に均一な密度となって濃度が定常化するため、シリコ
ンウエハ６列のうちのガスの流れ側に向いた手前側のも
のであるか否かに拘らず、石英治具５上の全シリコンウ
エハ６を成膜時に膜厚分布のバラツキを安定して１０％
以下にして成膜することが可能となる。
型パイプ結合具８及び各分岐パイプ９ａ，９ｂ，９ｃの
結合を含む第２の原料供給パイプ２の解放端部からのガ
スの流れを示すガス供給構造により、石英反応管４内で
は第１の原料ガス及び第２の原料ガスが短距離時間で迅
速に均一な密度となって濃度が定常化するため、シリコ
ンウエハ６列のうちのガスの流れ側に向いた手前側のも
のであるか否かに拘らず、石英治具５上の全シリコンウ
エハ６を成膜時に膜厚分布のバラツキを安定して１０％
以下にして成膜することが可能となる。
【００２１】
【発明の効果】以上に述べた通り、本発明の低圧化学気
相成長装置によれば、従来装置の異なる原料ガスの供給
するための原料供給パイプの構造を改良して各原料ガス
を石英反応管内で迅速に均一な密度として供給できるよ
うにしているので、結果として石英治具上の全シリコン
ウエハを成膜時に膜厚分布のバラツキを安定して抑制
（膜厚分布を著しく改善）した上で成膜できるようにな
る。
相成長装置によれば、従来装置の異なる原料ガスの供給
するための原料供給パイプの構造を改良して各原料ガス
を石英反応管内で迅速に均一な密度として供給できるよ
うにしているので、結果として石英治具上の全シリコン
ウエハを成膜時に膜厚分布のバラツキを安定して抑制
（膜厚分布を著しく改善）した上で成膜できるようにな
る。
【図１】本発明の一実施例に係る低圧化学気相成長装置
の基本構成を一部破断して示した斜視図である。
の基本構成を一部破断して示した斜視図である。
【図２】図１に示す低圧化学気相成長装置内の原料ガス
の流れの状態を例示したもので、（ａ）は特定の原料ガ
スに関するもの，（ｂ）は他の原料ガスに関するもので
ある。
の流れの状態を例示したもので、（ａ）は特定の原料ガ
スに関するもの，（ｂ）は他の原料ガスに関するもので
ある。
【図３】従来の低圧化学気相成長装置の基本構成を一部
破断して示した斜視図である。
破断して示した斜視図である。
【図４】図３に示す低圧化学気相成長装置内の原料ガス
の流れの状態を例示したもので、（ａ）は特定の原料ガ
スに関するもの，（ｂ）は他の原料ガスに関するもので
ある。
の流れの状態を例示したもので、（ａ）は特定の原料ガ
スに関するもの，（ｂ）は他の原料ガスに関するもので
ある。
１，１１ 第１の原料ガス供給パイプ １ａ，２ａ，１１ａ，２１ａ パイプ結合部 ２，２１ 第２の原料ガス供給パイプ ３，３１ ステンレスフランジ ４，４１ 石英反応管 ５，５１ 石英治具 ６，６１ シリコンウエハ ７，７１ ガラス窓 ８ 分岐型パイプ結合具 ９ａ，９ｂ，９ｃ 分岐パイプ
Claims (3)
- 【請求項１】 一端部にステンレスフランジを密着した
石英反応管内に該ステンレスフランジを介して延在して
配備されると共に、第１の原料ガスを流し込むための第
１の原料供給パイプと第２の原料ガスを流し込むための
第２の原料供給パイプとを有する低圧化学気相成長装置
において、前記第１の原料供給パイプは、解放端部が前
記石英反応管内の奥方略中央部に位置されるように中途
部分を奥方で複数箇所折り曲げて成り、前記第２の原料
供給パイプは、解放端部が前記石英反応管内の略中央部
に位置されるように背高になっており、更に、前記第２
の原料供給パイプの解放端部には前記第２の原料ガスを
分岐して流し込むための所定数のパイプを結合可能な分
岐型パイプ結合具が結合され、前記分岐型パイプ結合具
にはそれぞれの解放端部が前記石英反応管内の略壁面近
傍に延在する所定数の分岐パイプが結合されて成ること
を特徴とする低圧化学気相成長装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の低圧化学気相成長装置に
おいて、前記第１の原料供給パイプ，前記第２の原料供
給パイプ，前記分岐型パイプ結合具，及び前記所定数の
分岐パイプは、それぞれ耐熱及び耐腐食性を有するステ
ンレス系金属材から成ることを特徴とする低圧化学気相
成長装置。 - 【請求項３】 請求項１記載の低圧化学気相成長装置に
おいて、前記第１の原料供給パイプ，前記第２の原料供
給パイプ，前記分岐型パイプ結合具，及び前記所定数の
分岐パイプは、それぞれ石英材から成ることを特徴とす
る低圧化学気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3080598A JPH11233497A (ja) | 1998-02-13 | 1998-02-13 | 低圧化学気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3080598A JPH11233497A (ja) | 1998-02-13 | 1998-02-13 | 低圧化学気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11233497A true JPH11233497A (ja) | 1999-08-27 |
Family
ID=12313911
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3080598A Withdrawn JPH11233497A (ja) | 1998-02-13 | 1998-02-13 | 低圧化学気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11233497A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110592726A (zh) * | 2019-10-08 | 2019-12-20 | 常州大学 | 一种cvd法制备连续碳纳米管纤维的方法及其装置 |
-
1998
- 1998-02-13 JP JP3080598A patent/JPH11233497A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110592726A (zh) * | 2019-10-08 | 2019-12-20 | 常州大学 | 一种cvd法制备连续碳纳米管纤维的方法及其装置 |
| CN110592726B (zh) * | 2019-10-08 | 2022-02-15 | 常州大学 | 一种cvd法制备连续碳纳米管纤维的方法及其装置 |
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