JP2007250696A - 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】詰りを生じ難くして排気トラップ全体で反応副生成物等を捕集出来る基板処理装置を提供する。
【解決手段】排気管と接続されたガス導入口５５ａから基板処理済みガスが導入され、この基板処理済みガスに含まれる成分を除去する排気トラップは、前記ガス導入口５５ａからの前記基板処理済みガスの導入方向に略垂直な邪魔板５９と、前記ガス導入口５５ａから導入された前記基板処理済みガスを前記邪魔板５９の方向へ流れるように整流するとともに、前記邪魔板５９に衝突後の基板処理済みガスが通る基板処理済みガス流路の大きさを異ならせるように配置される複数の整流板（第１整流板６０Ａ、第２整流板６０Ｂ、第３整流板６０Ｃ）とを有する。
【選択図】図４

Description

本発明はシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、アモルファスシリコン薄膜などの薄膜を基板の表面に成膜するための基板処理装置及び半導体装置の製造方法に関し、より詳細には、基板処理済みガスから反応副生成物等を回収する排気トラップを設けた基板処理装置及び半導装置の製造方法に関するものである。

図１０は、半導体装置等を製造する従来の基板処理装置の解説図である。
図示されるように、この基板処理装置１の基板処理室３は、石英製の反応管４によって有天筒状に区画されており、この反応管４の下部に接続されたガス供給管１３から基板処理室３に基板処理ガスを導入する。また、反応管４の下部にはガス排出管１４が接続されていて前記基板処理室３内での反応により生成された基板処理済みガス等が排気されるようになっており、ガス排出管１４には、排気管２３１を介して減圧排気装置としての真空ポンプ１１が接続されている。また、排気管２３１には、真空ポンプ１１より上流側に排気トラップ８が設けられていて、この排気トラップ８により、前記反応管４、すなわち、前記基板処理室３から排出される基板処理済みガスから残留成分が除去されるようになっている。前記排気管２３１には、前記排気トラップ８の着脱等のため、排気トラップ８を中心としてその上流側に上流側バルブ９が設けられ、下流側に下流側バルブ１０が設けられている。さらに、ガス排出管１４、排気管２３１には、反応管４より排気される基板処理済みガス中の残留成分、すなわち、反応副生成物等の付着を防止して全量、排気トラップ８に供給するために、配管用ヒータ１６が取り付けられている。この配管用ヒータ１６は、例えば、リボンヒータ等の面状ヒータからなり反応管４との接続部から排気トラップ８までが加熱範囲となるように排気管２３１及びガス排出管１４に巻き付けられる。

前記反応管４内に基板（ウエハ）２３を出し入れする装置は、複数の基板を搭載するボート１２と、このボート１２を反応管４内に出し入れするためのボートエレベータ（図示せず）を主要部として構成されており、ボートエレベータは、前記反応管４の鉛直方向下方に配置され、ボート１２は、ボートエレベータに移載される。前記ボート１２の下部には、反応管４の開口部を開閉するための蓋としてのフランジ（図示せず）が設けられており、フランジには、反応管４の開口周縁部に密着してシールするシール手段としてＯリング（図示せず）が備えられている。

前記基板処理装置１により、基板２３に成膜する場合、前記ボートエレベータにボート１２が移載され、ボートエレベータの上昇により基板２３がボート１２ごと反応管４内に挿入される。この状態で、基板処理室３内の温度、圧力が調節され、その後、基板処理室３に基板処理ガスが供給される。基板処理ガスは、加熱により反応し、反応により生成された成膜成分は基板２３の表面に堆積する。
例えば、基板処理ガスとしてＳｉＨ_２Ｃｌ_２とＮＨ_３との混合ガスを基板処理室３に供給した場合には、基板処理室３内で下式（１）の反応が生じ、基板２３の表面には反応生成物であり成膜成分であるＳｉ_３Ｎ_４（窒化珪素）が堆積する。

３ＳｉＨ_２Ｃｌ_２＋４ＮＨ_３→Ｓｉ_３Ｎ_４＋６ＨＣｌ＋６Ｈ_２…（１）

反応により発生したＨＣｌは、下式（２）の二次反応によって、ＮＨ_３（アンモニウム）と結合してＮＨ_４Ｃｌ（塩化アンモニウム）となり、これが他の反応成分と共に反応生成物等としてガス排出管１４から排気管２３１を通じて排気トラップ８へと供給される。排気トラップ８は、反応によって発生した一次成分、一次成分同士の副反応による反応副生成物等及び反応に関して余剰な未反応成分（以下、反応副生成物等という）を基板処理済みガスから回収する。

ＮＨ_３＋ＨＣｌ→ＮＨ_４Ｃｌ…（２）

排気トラップ８のメンテナンスを実施する際は、上流側バルブ９及び下流側バルブ１０を全閉として、排気管２３１から排気トラップ８を切り離し、洗浄等のメンテナンスを実施する。

図１１乃至図１４に前記排気トラップ８の構造を示す。
図１１に示すように、排気トラップ８のケーシング８ａは、前記排気管２３１の外径よりも径大な外管８ｂと、この外管８ｂ内に二重管的に挿入された内管８ｃと、これら外管８ｂ、内管８ｃの両端部に取り付けられた端板８ｄ，８ｅとで構成される。ケーシング８ａには、外管８ｂと内管８ｃを半径方向に貫通して内管８ｃ内に連通するガス導入管５５が溶接により固着され、端板８ｅにはこれを厚み方向に貫通して内管８ｃ内に連通するガス排出管５６が、溶接により固着されている。
また、排気トラップ８の外管８ｂには、外管８ｂと内管８ｃとの間を冷却室（ジャケット室）８ｆとして内管８ｃの内面に反応副生成物等を析出させるため、外管８ｂに冷却水導入管１９と冷却水排出管２０とが接続されている。
さらに、内管８ｃと同様に冷却面によって反応副生成物等を除去するために、トラップ本体１７が内管８ｃ内に内蔵されている。このトラップ本体１７は、図１０に示すように、端板１７ｂに取り付けられており、端板１７ｂの取り付け、取り外しにより、内管８ｃから着脱する構造となっている。

次に、図１１、図１２及び図１３を参照して前記トラップ本体１７の構造を説明すると、トラップ本体１７は、スパイラルチューブ（冷却コイル）１７ａを主要部として構成される。このスパイラルチューブ１７ａの入口部１７ａ_１と出口部１７ａ_２とは、端板１７ｂを厚み方向に貫通していて、溶接により端板１７ｂに固着されている。
前記端板１７ｂは、カップリング（ＪＩＳ）によって前記排気トラップ８の一端部のテーパーフランジ１８ａに着脱可能なテーパーフランジとなっている。スパイラル形状は、直線な管と比較して表面積が大きく反応副生成物等との接触機会が多いので、冷却による析出により、より多くの反応副生成物等を回収できるという利点がある。

しかし、前記排気トラップ８の内管８ｃにトラップ本体１７を挿入し、スパイラルチューブ１７ａの入口部１７ａ_１から出口部１７ａ_２に冷却水循環装置の冷却水を通して、実際に、前記基板処理装置１の反応副生成物等を回収すると、図１１に示すように、反応副生成物等が、排気トラップ８のガス導入管５５のガス導入口付近Ｘと、前記スパイラルチューブ１７ａの一方の端板８ｄ側Ｙとに集中的に堆積することがあり、排気トラップ８の上流側で詰りが生じてしまうことがある。
そこで、排気トラップ８内での基板処理済みガスの流れをシミュレーションし、その原因を分析することとした。結果を図１４に示す。なお、図１４において、矢印の方向はガスの流れ方向を示し、矢印の長さは速さを示している。矢印が長くなるほど基板処理済みガスの流速は速く、短くなると遅くなる。

<シミュレーションの結果>
（１）ガス導入管５５から排気トラップ８内に基板処理済みガスを導入した場合、基板処理済みガスの流れは、ケーシング８ａの内管８ｃとの接続部近傍でまず一方の端板８ｄ側へ方向を変え、この後、スパイラルチューブ１７ａの入口で反対側へ方向を変えた後、ガス排出管５６との接続部近傍で再び方向を変えて下流側の排気管（以下、下流側排気管という）２３１ｂに排出されていく。
（２）基板処理済みガスの速さは、ガス導入管５５と内管８ｃとの接続部近傍及びスパイラルチューブ１７ａの入口側で遅く、流れとしてはよどんでいる。
このシミュレーションの結果（１）及び（２）と、（ａ）反応副生成物等は、一度、析出するとその析出面により析出しやすいという性質があること、（ｂ）冷却面に対する接触時間（滞留時間）が増加すると、その分、反応副生成物等の析出量が増加し、逆に、接触時間が減少すると反応副生成物等の析出量も減少すること、を合わせて思料すると、従来の排気トラップ８においては、排気トラップ８のガス導入管５５と内管８ｃとの接続部近傍及びスパイラルチューブ１７ａの入口側の流速がかなり遅く接触時間（滞留時間）が長いために、基板処理済みガスに含まれている反応副生成物等の殆どがこの二箇所で析出してしまい、スパイラルチューブ１７ａの下流側では、反応副生成物等を回収する能力があっても反応副生成物等の捕集に対して実質的に関与することができなかったものと推定される。
なお、この種の排気トラップの関連技術としては、水冷管と捕集部材とでカートリッジを構成したものが知られている（特許文献１）。
特開平９−２０２９７２号公報

このように、従来の排気トラップは、反応副生成物等をよく捕集できるが、流れのよどみに起因して反応副生成物等による詰りが生じてしまうという問題がある。
そこで、詰りを生じ難くして排気トラップ全体で反応副生成物等が捕集されるようにするために、解決すべき技術的課題が生じるのであり、本発明はこの課題を解決することを目的とする。

第１の手段は、基板処理室と、前記基板処理室に基板処理ガスを供給するガス供給管と、前記基板処理室から基板処理済みガスを排気する第１の排気管と、前記第１の排気管と接続されたガス導入口から基板処理済みガスが導入され、この基板処理済みガスに含まれる成分を除去する排気トラップと、前記排気トラップから基板処理済みガス中の成分を除去したガスを排気する第２の排気管とを備え、前記排気トラップには、前記ガス導入口からの前記基板処理済みガスの導入方向に略垂直な邪魔板と、前記ガス導入口から導入された前記基板処理済みガスを前記邪魔板の方向へ流れるように整流するとともに、前記邪魔板衝突後の基板処理済みガスが通る基板処理済みガス流路の大きさを異ならせるように配置される複数の整流板とを有するものである。

ここで、「基板処理済みガス」とは、基板処理によって生じたガスをいい、基板処理室から第１の排気管を通じて排気トラップに排出されるガスをいう。

「基板処理済みガスに含まれる成分」とは、基板処理の際の反応によって生成された一次成分（一次生成物）と、二次反応によって生成された反応副生成物等（二次成分）、及び、反応に直接寄与できなかった余剰の未反応成分をいう。

また、「略垂直」とは、垂直を含むその近傍の角度を意味している。
さらに、「基板処理済みガスを排出する第１の排気管と、前記第１の排気管から導入される基板処理済みガスに含まれる成分を除去する排気トラップと、前記排気トラップから基板処理済みガス中の成分を除去したガスを排気する第２の排気管」という表現には、排気管に排気トラップを介設した形態も含まれるものとする。

第１の手段によれば、第１の排気管（上流側排気管）より排気トラップ内に導入される基板処理済みガスは高温でエネルギーが高く、また、邪魔板との間には、流速を下げる部材が存在していない。このため、基板処理済みガス 中の反応副生成物等は、排気トラップのガス導入口に付着することがない。
排気トラップ内において、基板処理済みガスの流れ方向の前方には、流れ方向と略垂直な邪魔板が存在し、さらに、この邪魔板に衝突した基板処理済みガスは、複数の整流板によって形成される大きさの異なる基板処理済みガス流路を通ることとなるので、基板処理済みガスは、この大きさの異なる流路において流速が遅くなり、その結果、基板処理済みガスに含まれている反応副生成物等が邪魔板及び各整流板に堆積する。

第２の手段は、基板処理室に基板処理ガスを供給しながら前記基板処理室から基板処理済みガスを排気して基板処理室内に収容されている基板を処理し、前記基板処理済みガスを、排気トラップに導入させ、この排気トラップ内にて前記基板処理済みガスに含まれる成分を除去するに際し、前記排気トラップのガス導入口から導入されてくる前記基板処理済みガスを、前記ガス導入口からの前記基板処理済みガスの導入方向に略垂直な邪魔板と、前記ガス導入口から導入された前記基板処理済みガスを前記邪魔板の方向へ流れるように整流するとともに、前記邪魔板衝突後の基板処理済みガスが通る流路の大きさを異ならせるように配置される複数の整流板に接触させて基板処理済みガス中の成分を除去するようにしたものである。
このようにすると、第１の手段と同様に、基板処理済みガス中の反応副生成物等が邪魔板及び複数の整流板に捕集される。

以上、要するに、本発明によれば次の如き優れた効果を発揮する。
排気トラップ内の邪魔板及び複数の整流板によって反応副生成物等が捕集されることで、排気トラップの局部的な詰りが防止されるので、詰りを生じ難くして排気トラップ全体で反応副生成物等を捕集することができる。

以下、添付図面を参照して本発明の最適な実施の形態を説明する。なお、以下の実施の形態では、基板処理ガスとして、ＳｉＨ_２Ｃｌ_２とＮＨ_３を用い、シリコン基板（以下、ウエハという）の表面にＣＶＤ処理によりＳｉ_３Ｎ_４膜を成膜するが、本発明は、前記処理により生じる処理済みガスを冷却面に接触させ、反応副生成物等を析出させることによって反応副生成物等を除去する各種の処理装置、方法に適用されるものとする。また、従来技術と同じ構成については同一符号を用い詳細な説明は省略する。
なお、本実施形態において、数量、材質、材料、形状についてはこれによって本発明が特定されない限り単なる例示に過ぎない。

まず、図１を参照して本発明に係る基板処理装置（半導体製造装置）の一例として減圧ＣＶＤ処理炉について説明する。
図１は減圧ＣＶＤ処理炉（以下、処理炉という）の縦断面図である。処理炉２００の外管（以下、アウターチューブ）２０５は、例えば、石英（ＳｉＯ_２）等の耐熱性材料で構成されており、上端が閉塞され、下端に開口する開口部を有する円筒状に形成されている。また、内管（以下、インナーチューブという）２０４は、上端及び下端の両端に開口部を有する円筒状に形成され、アウターチューブ２０５内に同心円状に配置される。アウターチューブ２０５とインナーチューブ２０４とは互いに筒状空間２５０を区画する。インナーチューブ２０４の上部開口から上昇したガスは、前記筒状空間２５０を通過して排気管２３１から排気される。

アウターチューブ２０５及びインナーチューブ２０４の下端には、例えば、ステンレス等よりなるマニホールド２０９が係合され、このマニホールド２０９にアウターチューブ２０５及びインナーチューブ２０４が保持される。このマニホールド２０９は、保持手段（以下、ヒータベースという）２５１に固定される。アウターチューブ２０５の下端部及びマニホールド２０９の上部開口端部には、それぞれ環状のフランジが設けられ、これらのフランジ間には、気密部材（シール部材）としてＯリング２２０が配置され、両者の間が気密にシールされる。

マニホールド２０９の下端開口部には、例えばステンレス等よりなる円盤状の蓋体（以下、シールキャップという）２１９がＯリング２２０を介して気密シール可能に着脱自在に取り付けられる。シールキャップ２１９には、ガス供給管２３２が貫通するよう設けられる。これらのガス供給管２３２により、処理用の基板処理ガスがアウターチューブ２０５内に供給される。これらのガス供給管２３２はガスの流量制御手段（以下マスフローコントローラ（以下、ＭＦＣ２４１という））に連結される。ＭＦＣ２４１はガス流量制御部に接続されており、供給するガスの流量を所定量に制御し得る。

前記マニホールド２０９の上部には、圧力調節器（例えばＡＰＣ、Ｎ_２バラスト制御器（以下、ＡＰＣを用いるものとする））２４２及び、減圧排気装置（以下、真空ポンプという）２４６に連結された排気管２３１が接続されており、アウターチューブ２０５とインナーチューブ２０４との間の筒状空間２５０を流れるガスを排出し、アウターチューブ２０５内の圧力をＡＰＣ２４２により制御することによって所定の圧力の減圧雰囲気にするため、圧力検出手段（以下、圧力センサという）２４５によって筒状空間２５０の圧力を検出し、圧力制御部により制御する。

シールキャップ２１９には、回転手段（以下、回転軸という）２５４が連結されており、回転軸２５４により、基板保持手段（以下、ボートという）２１７及びボート２１７上に保持された基板（以下、ウエハという）Ｗを回転させる。又、シールキャップ２１９は昇降手段（以下、ボートエレベータという）１１５に連結されていて、ボート２１７を昇降させる。回転軸２５４、及びボートエレベータ１１５が所定のスピードに制御されるようにするため、駆動制御部が設けられる。

アウターチューブ２０５の外周には、加熱手段（以下、ヒータ）２０７が同心円状に形成される。ヒータ２０７は、アウターチューブ２０５内の温度を所定の処理温度とするため温度検出手段（以下、熱電対）２６３により温度を検出し、温度制御部（図示せず）により制御される。

図１に示すように、前記処理炉２００による減圧ＣＶＤ処理方法の一例を説明すると、まず、ボートエレベータ１１５によりボート２１７を下降させる。ボート２１７に複数枚のウエハＷを保持する。次いで、ヒータ２０７の加熱によりアウターチューブ２０５内の温度を所定の処理温度に昇温する。ガス供給管２３２に接続されたＭＦＣ２４１により予めアウターチューブ２０５内に不活性ガスを充填しておき、ボートエレベータ１１５により、ボート２１７を上昇させてアウターチューブ２０５内にボート２１７を挿入し、アウターチューブ２０５の内部温度を所定の処理温度に維持する。アウターチューブ２０５内を所定の真空度まで排気した後は、回転軸２５４により、ボート２１７及びボート２１７上に保持されているウエハＷを回転させる。同時にガス供給管２３２から基板処理ガスを供給する。供給された基板処理ガスは、アウターチューブ２０５内を上昇し、ウエハＷに対して均等に供給される。

減圧ＣＶＤ処理中のアウターチューブ２０５内は、排気管２３１を介して排気され、所定の真空になるようＡＰＣ２４２により圧力が制御され、所定時間、減圧ＣＶＤ処理を行う。なお、前記排気管２３１は、上流側排気管２３１ａと下流側排気管２３１ｂとに分割され、後述する、排気トラップ４９を介して接続されている。

このようにして減圧ＣＶＤ処理が終了すると、次のウエハＷの減圧ＣＶＤ処理に移るべく、アウターチューブ２０５内の基板処理済みガスが不活性ガスに置換されると共に、圧力を常圧にし、その後、ボートエレベータ１１５によりボート２１７を下降させて、ボート２１７及び処理済のウエハＷをアウターチューブ２０５から取り出す。アウターチューブ２０５から取り出されたボート２１７上の処理済のウエハＷは、未処理のウエハＷと交換され、再度、前述と同様にしてアウターチューブ２０５内に上昇され、減圧ＣＶＤ処理が実施される。

なお、本実施例の処理炉２００で、直径２００ｍｍのウエハの表面に成膜をする場合の成膜条件を例示すると、
（１）Ｓｉ_３Ｎ_４膜の成膜においては、
ウエハ温度（６００〜８００ ℃）、
ガス種、供給量は、
ＳｉＨ_２Ｃｌ_２（流量：０．０５〜０．２ ｌ／ｍｉｎ）、
ＮＨ_３（流量：０．５〜２ ｌ／ｍｉｎ）、
処理圧力は（３０〜５００ Ｐａ）であり、
付着物はＮＨ_４Ｃｌ（塩化アンモニウム）である。
（２）また、Ｓｉ（Ｏ_２ＣＨ）_４膜（正珪酸四エチル；ＴＥＯＳ）の成膜においては、
ウエハ温度（６００〜７５０ ℃）、
ガス種、供給量は、
Ｏ_２（流量：０．００１〜０．０１ ｌ／ｍｉｎ）、
ＴＥＯＳ（流量：０．１〜０．５ ｌ／ｍｉｎ）、
処理圧力は（５０〜２００ Ｐａ）である。

次に、図２乃至図６を参照して本発明の基板処理装置に係る排気トラップ４９を説明する。なお、この排気トラップ４９は、図１０を用いて説明したように、上流側排気管２３１ａ（第１の排気管）と、下流側排気管２３１ｂ（第２の排気管）との間に介設される。

図２は排気トラップ４９の斜視図であり、符号５０はケーシングを示している。
図２に示すように、排気トラップ４９のケーシング本体５２は筒状に形成され、このケーシング本体５２の軸方向の一端部には、複数の爪クランプ６２により端板５３が取り付けられている。また、ケーシング本体５２の他端部には、端板５４を介して基板処理済みガス等の浄化後のガスを排出するためにガス排出管５６が取り付けられ、ケーシング本体５２の外周部略中央部には、基板処理済みガス等を導入するためにガス導入管５５が取り付けられている。ガス導入管５５の上流側の端部には、前記上流側排気管（第１の排気管）２３１ａに接続するためにテーパーフランジ１５が固着され、ガス排出管５６の下流側の端部には前記下流側排気管（第２の排気管）２３１ｂに接続するためにテーパーフランジ１５が固着されている。そして、一方の端板５３には取り扱いを容易にするため取手６３が設けられている。

図３は前記排気トラップ４９の軸方向に沿った断面斜視図であり、ケーシング本体５２にトラップ本体５７を収容した様子を示す。この図３に示すように、トラップ本体５７は、ケーシング本体５２内の一端部側から他端部側に及んでおり、ガス導入管５５のガス導入口５５ａから導入する基板処理済みガスを横切って反応副生成物等を捕集するようになっている。また、このケーシング本体５２からは、従来技術の欄で説明した冷却室が取り除かれている。

図４は排気トラップ４９の軸方向に沿った断面図であり、図５はトラップ本体５７の外観を示す斜視図である。図４、図５に示すように、トラップ本体５７は、前記一方の端板５３に支持された冷却管５８と、この冷却管５８に支持された邪魔板５９と、複数の整流板６０Ａ，６０Ｂ，６０Ｃ（後述する）とで主要部が構成されており、冷却管５８は溶接により一方の端板５３に支持され、邪魔板５９はこの冷却管５８にブラケット６１を介して支持されている。

図６はトラップ本体５７の断面図で、それぞれ図５（ａ）のＡ−Ａ断面、図５（ｂ）のＢ−Ｂ断面、図５（ｃ）のＣ−Ｃ断面に該当する。
図５、図６に示すように、前記冷却管５８は、前記一方の端板５３に並設する二本の配管部材５８ａ，５８ａと、これら配管部材５８ａ，５８ａの内側に且つ所定高さ低位に配置された二本の配管部材５８ｂ，５８ｂと、配管部材５８ａ，５８ａの先端部と配管部材５８ｂ，５８ｂの先端部とを連結する継手管５８ｃ，５８ｄ（図６（ａ）参照）と、配管部材５８ｂ，５８ｂの後端部同士を連結する継手管５８ｅ（図６（ｃ）参照）とから構成されている。
なお、配管部材５８ａ，５８ａの先端部と配管部材５８ｂ，５８ｂの先端部との連結には、図３、図５及び図６（ａ）に示すように二本一組の継手管５８ｃ，５８ｄが用いられているがＬ字管を用いるようにしてもよい。
冷却管５８の外側二本の配管部材５８ａ，５８ａのうち一方は、冷却水導入管として、また、他方は冷却水排出管としてそれぞれチラーユニット等の冷却媒体循環装置に接続される。

邪魔板５９は、図３及び図６に示すように、前記ガス導入口５５ａに対峙する凹面５９ａを形成するため円弧状となっており、その両側には、図６に示すように幅方向に延びたフランジ６５，６５が連接される。凹面５９ａの深さ、幅、長さ（すなわち、容量）は、予め、所定メンテナンス周期までの基板処理済みガスの処理量に基づいて決定されているので、従来よりもメンテナンス周期が長くなり、反応副生成物等の回収量が増加する。

さらに、図５に示すように、邪魔板５９及びフランジ６５，６５は、配管部材５８ａ，５８ａに取り付けられた状態でその一端部から他端部に及んでおり、また、邪魔板５９のフランジ６５，６５は、図６に示すように、外側二本の配管部材５８ａ，５８ａと直接接触し、内側の配管部材５８ｂ，５８ｂは、邪魔板５９の凹面５９ａと近接している。
そして、この邪魔板５９は、前記ケーシング本体５２に対して、配管部材５８ａを中心にガス導入管５５側と反対側に且つ凹面５９ａがガス導入管５５から半径方向に導入する基板処理済みガスの流れ方向に対して略垂直となるように、前記外側二本の配管部材５８ａ，５８ａに固定されている。この結果、冷却管５８にチラー水、冷却水等の冷却媒体を流すと、邪魔板５９が冷却され、冷却管５８の周囲及び邪魔板５９の周囲に、基板処理済みガスを冷却するための冷却雰囲気が形成されるので、基板処理済みガスは、これらの冷却雰囲気を横断する際に冷却され、基板処理済みガスに含まれる反応副生成物等は、主として、冷却管５８の表面、邪魔板５９の凹面５９ａに析出する。
また、図４に示されるように、前記邪魔板５９の端板５３側の端面と端板５３との間には流路７２が形成され、そして、ガス排出管５６への基板処理ガスの吹き抜けを防止するために、前記邪魔板５９のガス排出管５６側に区画壁６８が設けられると共に、区画壁６８にガス排出管５６の少なくとも上半分を覆うように半円形断面の区画壁６９が固着されている。
ガス排出管５６は、凹面５９ａと反対側面である邪魔板５９の裏面とケーシング本体５２の内面との間に形成された流路７４から残留副生成物を除去した後の清浄な排気ガスを下流に排出すべく区画壁６９側と反対側の略下半分が切除されている。

次に、図４〜図６を参照して整流板について説明すると、整流板には、大きさの異なる３種類の整流板６０Ａ，６０Ｂ，６０Ｃ（以下、第１整流板６０Ａ、第２整流板６０Ｂ、第３整流板６０Ｃともいう）が用いられている。

図６（ａ）に示されるように、第１整流板６０Ａは、その外周縁が邪魔板５９の凹面５９ａと略同径となる環状の板状部材の一部を切り欠いたような形状、具体的には、その外周縁が邪魔板５９の凹面５９ａと略同径となる半円状のＣリング部６０Ａ１と、このＣリング部６０Ａ１の両端部から接線方向に延びる延出部６０Ａ２，６０Ａ２とを有した形状となっている。そして、この第１整流板６０Ａは、その延出部６０Ａ２，６０Ａ２の外縁部が邪魔板５９の凹面５９ａに溶接されることによって、邪魔板５９の長手方向と略直交するような状態で邪魔板５９に固定されている（図４，５参照）。
ここで、この第１整流板６０Ａと凹面５９ａとで囲まれる空間が、特許請求の範囲にいう「基板処理済みガス流路」に相当しており、以下、この流路を、第１流路７３という。また、この第１整流板６０Ａは、図４に示すように、邪魔板５９の長手方向に沿って等間隔で５枚設けられている。そして、これら５枚の第１整流板６０Ａのセットは、ガス導入口５５ａに対向する位置に配置されている。

図６（ｂ）に示すように、第２整流板６０Ｂは、前記した第１整流板６０Ａよりも邪魔板５９側へ縮めた形状、具体的には、第１整流板６０ＡのＣリング部６０Ａ１よりも小さな（半円に満たない形状の）Ｃリング部６０Ｂ１と、第１整流板６０Ａの延出部６０Ａ２，６０Ａ２よりも小さな延出部６０Ｂ２，６０Ｂ２を有した形状となっている。そして、この第２整流板６０Ｂは、第１整流板６０Ａと同様に、その延出部６０Ｂ２，６０Ｂ２の外縁部が邪魔板５９の凹面５９ａに溶接されることによって、邪魔板５９の長手方向と略直交するような状態で邪魔板５９に固定されている。
ここで、この第２整流板６０Ｂと凹面５９ａとで囲まれる空間が、特許請求の範囲にいう「基板処理済みガス流路」に相当しており、以下、この流路を、第２流路７４という。また、図４に示すように、この第２整流板６０Ｂは、邪魔板５９の長手方向に沿って等間隔で３枚設けられている。そして、これら３枚の第２整流板６０Ｂのセットは、前記した５枚の第１整流板６０Ａのセットよりも端板５３側の位置に配置され、これら各セット間の間隔は、各第１整流板６０Ａの間隔や各第２整流板６０Ｂの間隔と略同じ間隔となっている。

図６（ｃ）に示すように、第３整流板６０Ｃは、前記した第２整流板６０Ｂよりも邪魔板５９側へ更に縮めた形状、具体的には、第２整流板６０ＢのＣリング部６０Ａ１よりも小さなＣリング状に形成されている。そして、この第３整流板６０Ｃは、第１整流板６０Ａ及び第２整流板６０Ｂと同様に、その両端部の外縁部が邪魔板５９の凹面５９ａに溶接されることによって、邪魔板５９の長手方向と略直交するような状態で邪魔板５９に固定されている。
ここで、この第３整流板６０Ｃと凹面５９ａとで囲まれる空間が、特許請求の範囲にいう「基板処理済みガス流路」に相当しており、以下、この流路を、第３流路７５という。また、図４に示すように、この第３整流板６０Ｃは、邪魔板５９の長手方向に沿って等間隔で４枚設けられている。そして、これら４枚の第３整流板６０Ｃのセットは、前記した３枚の第２整流板６０Ｂのセットよりも端板５３側の位置に配置され、これら各セット間の間隔は、各整流板６０Ａ，６０Ｂ，６０Ｃの間隔と略同じ間隔となっている。

つまり、本実施の形態では、これらの第１整流板６０Ａ,第２整流板６０Ｂ,第３整流板６０Ｃを、凹面５９ａに対して略垂直に起立させることで、まず、各整流板６０Ａ，６０Ｂ，６０ｃで邪魔板５９の凹面５９ａに向けて基板処理済みガスを流し（整流）、各整流板６０Ａ，６０Ｂ，６０ｃのエッジとの衝突及び各整流板６０Ａ，６０Ｂ，６０ｃの整流面との摩擦損失によって所定速度、減速させながら、凹面５９ａに衝突させて凹面５９ａの上流側から下流側に流下させ、そして、基板処理済みガスが通る各流路７３〜７５の大きさを、上流側から下流側に向かうにつれて段階的に小さくし、凹面５９ａに沿って上流側から下流側に流れる基板処理済みガスを、大きさの異なる３種類の整流板６０Ａ，６０Ｂ，６０Ｃに順次、衝突させることで、ガス導入口５５ａ側から端板５３側へ向かう基板処理済みガスを所定速度に減速させるようにしている。
従って、邪魔板５９の凹面５９ａに沿って流れる基板処理済みガスは、この実施の形態では、上流側から下流側に向かって大、中、小の三段階に調節され、流速と反比例する基板処理済みガスの凹面５９ａ上での滞留時間は、上流側から下流側に向かって小、中、大の三段階に調節される。

なお、本実施形態では、各整流板６０Ａ，６０Ｂ，６０Ｃの数を、それぞれ５枚、３枚、４枚としたが、本発明はこれに限定されず、枚数はいくつであってもよい。また、各整流板６０Ａ，６０Ｂ，６０Ｃの大きさや互いの間隔も任意に設定可能である。さらに、本実施形態では、基板処理済みガス流路を、平面視略Ｃ字状の各整流板６０Ａ，６０Ｂ，６０Ｃと邪魔板５９とで形成したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、邪魔板５９の凹面５９ａに固定した整流板６０Ａ，６０Ｂ，６０Ｃに、孔を１つ又は複数設けることで、その孔を基板処理済みガス流路としてもよいし、複数の整流板を邪魔板５９の凹面５９ａに対して適宜離して設けることで、各整流板と邪魔板との間を基板処理済みガス流路としてもよい。また、「基板処理済みガス流路」とは、邪魔板衝突後の基板処理済みガスのみが通る流路を意味するのではなく、少なくとも邪魔板衝突後の基板処理済みガスの一部が通るのであれば、その他に邪魔板衝突前の基板処理済みガスの一部が通ってもよい。

次に、前記排気トラップ４９の作用について説明する。
減圧ＣＶＤ処理により発生した基板処理済みガスには、反応に関与しなかった未反応成分と、反応によって生成された一次生成物と、一次生成物同士の二次反応（副反応）による反応副生成物等が含まれる。
例えば窒化ケイ素の成膜の場合、反応ガスとしてジクロルシラン（ＳｉＨ₂Ｃｌ₂）及びアンモニア（ＮＨ₃）の混合ガスを用いた場合には、加熱により下記の反応が起り、窒化ケイ素がウエハＷ表面に堆積する。

３ＳｉＨ₂Ｃｌ₂＋４ＮＨ_３→Ｓｉ_３Ｎ_４＋６ＨＣｌ＋６Ｈ₂

また、窒化ケイ素の生成と同時に塩化水素が生成され、塩化水素は下記の副反応によりアンモニアと結合して反応副生成物等としての塩化アンモニウム（ＮＨ_４Ｃｌ）を生成する。
ＮＨ_３＋ＨＣｌ→ＮＨ_４Ｃｌ

前記アウターチューブ２０５内は前記真空ポンプ１１により前記下流側排気管２３１ｂを通じて排気されており、塩化アンモニウム等の反応副生成物等を含む基板処理済みガスが上流側排気管２３１ａへと排出される。
前記したように排気トラップ４９よりも上流側は、配管用ヒータ１６により加熱され（図１０参照）、所定の温度に保温されているため、冷却により塩化アンモニウムが付着してしまうことはない。
また、反応副生成物等を含む高温の基板処理済みガスは、上流側排気管２３１ａを通過して排気トラップ４９のガス導入管５５からケーシング本体５２内に導入されるが、ガス導入管５５及びケーシング本体５２は、従来のように冷却構造とはなっておらず、基板処理済みガスは、速度エネルギが高く高温な状態であるので、基板処理済みガス中の反応副生成物等は、ガス導入管５５及びガス導入口５５ａに付着せずに、そのままケーシング本体５２内に導入された後、整流板６０Ａ，６０Ｂ，６０Ｃで整流され、この後、冷却管５８と邪魔板５９とによって形成された冷却雰囲気を横断して邪魔板５９に衝突することになる。ここで、整流板６０Ａ，６０Ｂ，６０Ｃを設置していない場合は、（１）基板処理済みガスの流速が必要以上に高くなってしまうので、第一段階での冷却が不十分となってしまい、冷却管５８や邪魔板の凹面５９ａでの残留副生成物の回収量が減少する、（２）邪魔板５９や前記冷却雰囲気に対して基板処理済みガスの流れを整流することができないので、邪魔板全体で残留副生成物等を捕捉することが困難となる等の不具合が発生してしまう虞がある。
そこで、整流と凹面５９ａ上での速度調節のため、図８に示すように、ガス導入口５５ａと邪魔板５９との間で、且つ邪魔板５９寄りに、同じ大きさの複数のＣリング状の整流板１６０を邪魔板５９の長手方向に間隔を隔てて配置し、図９の流れのシミュレーション図に示すように、凹面５９ａ上での基板処理済みガスの流速を一定とすることが想定される。
しかし、このようにしても、凹面５９ａ上での流速が速過ぎる場合には、上流側から下流側に到達するまでの時間が短く滞留時間が短くなってしまうので、結果的に、凹面５９ａ全体での反応副生成物等の回収量が減少してしまう虞がある。また、流速の速い状態で端板５３に衝突してしまうので、反応副生成物等が端板５３に堆積しやすくなってしまう。反応副生成物等は厚くなると亀裂が生じ、突発的に剥がれ落ちてしまう。この剥がれ落ちた反応副生成物等が下流側に設けられた真空ポンプ等に急激に負荷をかけて故障の原因となってしまう虞がある。

このため、本実施の形態では、図４に示されるように、ガス排気口５５Ｃ側と反対側に形成されたガス導入口５５ａに臨ませて第１整流板６０Ａのセットを配置し、その下流側に順次第２整流板６０Ｂのセット、第３整流板６０Ｃのセットを配置し、第１整流板６０Ａのセットの内周面と凹面５９ａの間の第１流路７３を通過する基板処理済みガスをそれぞれ第２整流板６０Ｂのセット、第３整流板６０Ｃのセットの整流面に順次衝突させることで減衰する構成としている。
このため、邪魔板５９に衝突した後の基板処理済みガスは、各整流板６０Ａ，６０Ｂ，６０Ｃ付近で段階的に減速された後、大きさが順次縮小される各流路７３〜７５を順次通過することとなり、凹面５９全面に反応副生成物等をほぼ均等に析出させることが可能となる。なお、前記第１整流板６０Ａ、第２整流板６０Ｂ、及び第３整流板６０Ｃは、オリフィスとしての機能を有するものではない。
基板処理済みガスの減速、冷却、析出の過程を詳述すると、本実施の形態では次のようになる。

（１）ガス導入口５５ａからケーシング本体５２内に導入された基板処理済みガスは、主として、第１整流板６０Ａの後流側のエッジと衝突して第１段階の減衰を受け、次に、図７の基板処理ガスの流れのシミュレーション図に示されるように、隣接する第１整流板６０Ａ，６０Ａ間の流路７１を通過して第１整流板６０Ａ，６０Ａ間との摩擦により速度を落としながら隣接する第１整流板６０Ａ，６０Ａ間の冷却雰囲気及び第１整流板６０Ａ，６０Ａとの接触により第１段階の冷却を受け、次に、第１整流板６０Ａの内周面と邪魔板５９の凹面５９ａ間の冷却雰囲気を通過する間に第２段階の冷却を受け、さらに、邪魔板５９の凹面５９ａとの衝突により第２段階の減衰を受ける。その後、基板処理済みガスは凹面５９ａに沿って端板５３側へ進む。このとき、基板処理済みガスは少なくとも残留副生成物等の析出可能な温度までに冷却されているので、第１整流板６０Ａ内の流路７３の冷却雰囲気、冷却管５８及び凹面５９ａにより冷却され、主として、第１流路７３内の凹面５９ａ、冷却管５８の表面、第１整流板６０Ａの表面に析出する（第１段階の残留副生成物等の回収）。基板板処理済みガスに含まれる反応副生成物等は、同じ反応副生成物等の表面に析出しやすいという性質があり、冷却管５８及び凹面５９ａに付着した反応副生成物等は、冷却水への放熱により冷えているので、冷却管５８や邪魔板５９の凹面５９ａに、一旦、反応副生成物等が付着した後は、反応副生成物等の捕捉性能が実質的に向上する。なお、各整流板６０Ａ，６０Ｂ，６０の後流側のエッジは、高温な状態で基板処理済みガスの衝突により、常に、暖められており反応副生成物等が付着し難いので、流路７１の閉塞が生じ難いという利点もある。

（２）第１段階の反応副生成物等の回収の後は、基板処理済みガスは、第２整流板６０Ｂとの衝突により、第３段階の減衰を受け、減速後、第２流路７４の冷却雰囲気と、邪魔板５９の凹面５９ａによる第３段階の冷却を受ける。このとき、基板処理済みガスの流速は、凹面５９ａとの衝突による第２段階の流速よりも低下しており、第２流路７４での基板処理ガスの滞留時間は増加しているため第１流路７３を通過する間と同等の析出量の残留副生成物等が、下流側である第２流路７４に面する凹面５９ａ、冷却管５８、第２整流板６０Ｂの表面で析出する（第２段階の残留副生成物等の回収）。
（３）第２段階の反応副生成物等の回収の後は、基板処理済みガスは、第３整流板６０Ｃとの衝突により、第４段階の減衰を受け、減速後、第３流路７５の冷却雰囲気と、邪魔板５９の凹面５９ａによる第４段階の冷却を受ける。このとき、基板処理済みガスの流速は第２段階よりも低下しており、第３流路７５での滞留時間が増加している。この結果、第１流路７３と同等量の残留副生成物等が、下流側である第３流路７５に面する凹面５９ａ、冷却管５８、第３整流板６０Ｃの表面に析出する（第３段階の残留副生成物等の回収）。
（４）第２段階の反応副生成物等の回収後、基板処理済みガスの流速は、十分に減速されているので、この基板処理済みガスは、その後、端板５３にほとんど衝突することなく、流路７２，７０を通って外部に排気される。
（５）従って、仮に端板５３が冷却されている場合でも、端板５３に残留副生成物等が付着することがない。
（６）経時的に、反応副生成物等が邪魔板５９側から成長し、各整流板６０，６０の流路７１に閉塞が発生した場合、基板処理済みガスは、図４に示す端板５３側の第３整流板６０Ｃとケーシング本体５２との間の流路７２に沿ってケーシング本体５２内を横断し、さらに、邪魔板５９の背面とケーシング本体５２の内面との間の流路７０に沿ってガス排出管５６から排出される。そしてこのような過程において、第３整流板６０Ｃ、邪魔板５９の背面が冷却面となって反応副生成物等が析出する。このため、このような場合でも、排気トラップ４９としての反応副生成物等に対する捕集機能が保持される。
（７）また、ケーシング本体５２は冷却されておらず、基板処理済みガスからの伝熱によって暖められているので、ケーシング本体５２の内面に反応副生成物等が析出してしまうこともない。従って、前記流路７１が反応副生成物等の成長によって閉塞された場合でも反応副生成物等を捕集する排気トラップ４９としての信頼性が保持される。

このように、本実施形態に係る排気トラップ４９は、反応副生成物等の詰りにも対応し、しかも、反応副生成物等の回収量が従来に比べて格段に向上しているので、従来よりもメンテナンス周期は長くなる。また、メンテナンスの手間及びコストが軽減されると共に、基板処理済みガス中の塩化アンモニウムが排気トラップ４９により略完全に除去されるので、排気トラップ４９よりも下流側のメンテナンス頻度が著しく低減される。

所定のメンテナンス周期に到達した際は、排気トラップ４９のメンテナンスを実施する。この場合は、まず、上流側バルブ９と下流側バルブ１０とを全閉としてアウターチューブ２０５内と真空ポンプ２４６の吸い込み側を排気系から切り離し（図１参照）、前記爪クランプ６２を取り外して排気トラップ４９を上流側排気管２３１ａと下流側排気管２３１ｂとから切り離す。そして、排気トラップ４９からトラップ本体５７を抜き出し、清掃、洗浄、整備などのメンテナンスを実施する。この場合、トラップ本体５７は、ケーシング本体５２に対して着脱自在なカートリッジであり、形状も直管を用いた冷却管５８や湾曲した邪魔板５９を主要部として構成されているので、洗浄等の清掃が容易である。また、前記したように、反応副生成物等は、着脱が容易なトラップ本体５７で捕集する構成となっており、従来のように、ケーシング本体５２の内面で捕集するという構成ではないので、洗浄や清掃に対してもメンテナンス性が大幅に向上する。また、従来のような二重管構造を廃止したので、製作性に優れ、メンテナンス性に優れる。
なお、基板処理装置の生産性を維持するため、装置、ガス種等の変更があった場合や冷却管等の排気トラップ４９それ自体のメンテナンスが必要な場合においては、別の排気トラップ４９に交換、変更することは当然になされるものである。

なお、本実施の形態では、大きさが上流側から下流側に向かって順次縮小された第１流路７３、第２流路７４、第３流路７５を形成するため、大きさが大、中、小の第１整流板６０Ａ、第２整流板６０Ｂ、第３整流板６０Ｃを上流側から下流側に配置する説明をしたが、基板処理済みガスの一部の吹き抜けを防止するため、中流側、下流側の第２整流板６０Ｂ、第３整流板６０Cの外周縁部に半径方向外側に延びた延出部（図示せず）を設けて基板処理済みガスを第２整流板６０Ｂ，６０Ｂ間の流路７１、第３整流板６０Ｃ，６０Ｃ間の流路７１に案内することで基板処理済みガスの吹き抜けを防止するようにしてもよい。
また、第１整流板６０Ａ〜第３整流板６０Ｃによって、基板処理済みガスの速度、温度を段階的に調節する説明をしたが、これらの内周面と凹面５９ａとの間に、流速及び滞留時間を調節するための整流板のセットを配置するようにしてもよい。
また、ガス導入口５５ａを邪魔板５９の長手方向の中央に臨ませて形成する場合は、第１整流板６０Ａのセットを邪魔板５９の長手方向の中央に配置し、第２整流板６０Ｂのセット、第３整流板６０Ｃのセットを、第１整流板６０Ａのセットを挟んで、それぞれ下流側に配置してもよいし、その下流側に、基板処理済みガスの流速、温度、滞留時間に基づいて、実施形態と同様に整流板のセットを配置するようにしてもよい。このようにしても図９で説明したように同じ大きさの整流板１６０を配置する場合と比較して、凹面５９ａ全体で反応副生成物等を一様に回収することができる。
さらに、前記邪魔板５９の凹面に、孔を少なくとも１以上形成することで、基板処理済みガスが凹面５９ａ側に流れるようにしてもよい。

以下に、本発明をより理解することができるように、本発明を別表現で記載すると次のようになる。

（Ａ）整流板６０Ａ,６０Ｂ,６０Ｃは、排気速度を減衰させるように基板処理済みガス流路の大きさを異ならせて設けられている。
（Ｂ）整流板６０Ａ,６０Ｂ,６０Ｃは、邪魔板５９に衝突後の基板処理済みガスの流れ方向に対し、上流側より下流側の基板処理済みガス流路の大きさを小さくするように設けられている。
（Ｃ）排気トラップ４９の第２の排気管（上流側排気管２３１ａ）側にはガス排気口５５ｃが設けられ、ガス導入口５５ａとガス排気口５５ｃとの間には、区画壁６８，６９が設けられ、この区画壁６８，６９のガス排気口５５ｃ側とは略反対側に整流板６０Ａ,６０Ｂ,６０Ｃが設けられている。
（Ｄ）ガス導入口５５ａと邪魔板５９との間には冷却管５８が設けられ、この冷却管５８はガス導入口５５ａと邪魔板５９との間の空間において邪魔板５９寄りに設けられている。
（Ｅ）基板処理装置は、基板処理室３と、この基板処理室３に基板処理ガスを供給するガス供給管２３２と、前記基板処理室３から基板処理済みガスを排気する第１の排気管（上流側排気管２３１ａ）と、この第１の排気管（上流側排気管２３１ａ）と接続されたガス導入口５５ａから基板処理済みガスが導入され、この基板処理済みガスに含まれる成分を除去する排気トラップ４９と、排気トラップ４９のガス排気口５５ｃから基板処理済みガス中の成分を除去したガスを排気する第２の排気管（下流側排気管２３１ｂ）とを備え、前記排気トラップ４９には、前記ガス導入口５５ａからの前記基板処理済みガスの導入方向に略垂直な邪魔板５９と、前記ガス導入口５５ａと前記邪魔板５９との間に邪魔板５９の平行方向に大きさを異ならせて配置される複数の整流板（第１整流板６０Ａ〜第３整流板６０Ｃ）とが設けられている。

以上、前記した実施形態によれば次の如き優れた効果が発揮される。
（１）基板処理済みガスの流通を妨げるような局部的な閉塞を防止することが可能となり、排気トラップ４９のメンテナンス周期を従来よりも長くすることができる。
（２）メンテナンス周期が長くなるので、半導体装置の生産性を向上することができる。
（３）さらに、冷却管５８は、ガス導入口５５ａから離れた邪魔板寄りに設置されていてガス導入口５５ａ付近によどみを生じさせることがなく、また、ガス導入管及びケーシング本体は、従来のように冷却されることがないので、ガス導入口５５ａに反応副生成物等の析出による詰りが発生することがない。

なお、本発明に係る基板処理装置は、上述の実施形態における基板処理装置に限定されるものではなく、枚葉式の基板処理装置にも適用が可能である。また、本発明に係る基板処理装置は、基板処理済みガス中の反応副生成物等が塩化アンモニウム以外の、低温で結晶化又は液状化する基板処理済みガスにも適用できる。また、冷却媒体としてはチラー水などの水以外の冷媒を使用し得ることは勿論である。
なお、整流板６０Ａ〜６０Ｃは、基板処理済みガスに抵抗を与えて減衰するものであるので、同一面内に平面があり、且つその平面の延長線が邪魔板５９の凹面５９ａに向けられていればよい。
また、前記ケーシング本体５２、邪魔板５９、冷却管５８、整流板６０Ａ〜６０Ｃの材質は、耐食性、熱伝導率、耐熱性のよいＳＵＳ３０４、ＳＵＳ３１６で形成するのが好ましい。
なお、端板５３に対する残留副生成物の付着を防止することで端板５３のメンテナンス性を向上する場合、邪魔板５９を端板５３側に適宜、延出し、邪魔板５９の端板５３側の端部に第１整流板６０Ｃのセットから適宜離間させて区画壁を設け、区画壁と端板５３との間に流路７２を形成するようにしてもよい。
このように、本発明は、種々の改変が可能であり、本発明はこの改変された発明に及ぶことは当然である。

本発明に係る基板処理装置としての減圧ＣＶＤ処理炉の縦断面図である。 本発明の基板処理装置に係る排気トラップの外観を示す斜視図である。 本発明の基板処理装置に係る排気トラップの軸方向に沿った断面斜視図である。 本発明の基板処理装置に係る排気トラップの軸方向の断面図である。 本発明の基板処理装置に係るトラップ本体の組立て状態を示す斜視図である。 トラップ本体の断面図であり、図５のＡ−Ａ断面図（ａ）と、図５のＢ−Ｂ断面図（ｂ）と、図５のＣ−Ｃ断面図（ｃ）である。 本発明の基板処理装置に係る排気トラップのケーシング本体にトラップ本体を設置した状態の流れのシミュレーションの結果を示す図である。 本発明に係る排気トラップに対する比較例としての排気トラップのトラップ本体の構造を示す断面斜視図である。 比較例の排気トラップの基板処理済みガスの速さについてのシミュレーション結果を示す図である。 従来の基板処理装置の解説図である。 従来の基板処理装置に係る排気トラップの断面図であり、反応副生成物等による詰りの状態を示す図である。 従来の排気トラップのケーシングからトラップ本体を取り出した状態を示す解説図である。 従来の基板処理装置に係る排気トラップのトラップ本体の構造を示す断面斜視図である。 従来の排気トラップの基板処理済みガスの速さについてのシミュレーション結果を示す図である。

符号の説明

１ 基板処理装置
３ 基板処理室
４９ 排気トラップ
５５ ガス導入管
５５ａ ガス導入口
５５ｃ ガス排気口
５６ ガス排出管
５９ 邪魔板
５９ａ 凹面
６０ 整流板
６０Ａ 第１整流板
６０Ｂ 第２整流板
６０Ｃ 第３整流板
６５ フランジ
６８ 区画壁
７３ 第１流路（基板処理済みガス流路）
７４ 第２流路（基板処理済みガス流路）
７５ 第３流路（基板処理済みガス流路）
２３１ 排気管
２３１ａ 上流側排気管（第１の排気管）
２３１ｂ 下流側排気管（第２の排気管）
２３２ ガス供給管

Claims (2)

1. 基板処理室と、
   前記基板処理室に基板処理ガスを供給するガス供給管と、
   前記基板処理室から基板処理済みガスを排気する第１の排気管と、
   前記第１の排気管と接続されたガス導入口から基板処理済みガスが導入され、この基板処理済みガスに含まれる成分を除去する排気トラップと、
   前記排気トラップから基板処理済みガス中の成分を除去したガスを排気する第２の排気管とを備え、
   前記排気トラップには、
   前記ガス導入口からの前記基板処理済みガスの導入方向に略垂直な邪魔板と、
   前記ガス導入口から導入された前記基板処理済みガスを前記邪魔板の方向へ流れるように整流するとともに、前記邪魔板衝突後の基板処理済みガスが通る基板処理済みガス流路の大きさを異ならせるように配置される複数の整流板とを有することを特徴とする基板処理装置。
2. 基板処理室に基板処理ガスを供給しながら前記基板処理室から基板処理済みガスを排気して基板処理室内に収容されている基板を処理し、前記基板処理済みガスを、排気トラップに導入させ、この排気トラップ内にて前記基板処理済みガスに含まれる成分を除去するに際し、
   前記排気トラップのガス導入口から導入されてくる前記基板処理済みガスを、前記ガス導入口からの前記基板処理済みガスの導入方向に略垂直な邪魔板と、前記ガス導入口から導入された前記基板処理済みガスを前記邪魔板の方向へ流れるように整流するとともに、前記邪魔板衝突後の基板処理済みガスが通る流路の大きさを異ならせるように配置される複数の整流板とに接触させて基板処理済みガス中の成分を除去するようにしたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

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