JPS61117841A - シリコン窒化膜の形成方法 - Google Patents
シリコン窒化膜の形成方法Info
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- JPS61117841A JPS61117841A JP59238301A JP23830184A JPS61117841A JP S61117841 A JPS61117841 A JP S61117841A JP 59238301 A JP59238301 A JP 59238301A JP 23830184 A JP23830184 A JP 23830184A JP S61117841 A JPS61117841 A JP S61117841A
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- silicon nitride
- nitride film
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/34—Nitrides
- C23C16/345—Silicon nitride
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- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/26—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
- Y10T428/266—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension of base or substrate
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明はシリコン窒化膜の形成方法に関し、特に低圧Ｃ
ＶＤ法による形成効率の高（・形成方法に関するもので
ある。
ＶＤ法による形成効率の高（・形成方法に関するもので
ある。
シリコン窒化膜（ＳｊｓＮ＋）は半導体装置に用いられ
、シリコン選択酸化用のマスク、表面保護膜。
、シリコン選択酸化用のマスク、表面保護膜。
メモリ体（ＭＮＯＳ）等に利用される。このシリコン窒
化膜は、通常シラン系ガスとアンモニアとを用〜・たＣ
ＶＤ （Ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｕｒ Ｄｅｐｏｓ
ｉ−ｔｉｏｎ）法によって形成しているが、特に反応時
の圧力を常圧（１気圧＝ ７６０ Ｔｏｒｒ）よりも低
くしたいわゆる低圧ＣＶＤ法が有利とされている。即ち
、反応ガスやキャリアガスの平均自由行程や拡散定数は
低圧になる程大きくなるため、ウェーハ等の表面に形成
するシリコン窒化膜の膜厚分布や屈折率などの膜特性分
布の均一化は常温よりも向上される。また、前述した平
均自由行程や拡散定数の増加により反応炉内に垂直に並
設した多数枚のウェーハに対しても均一な膜形成ができ
、つ工−ハ間での膜質のバラツキが少なく、かつ多数枚
を同時に処理できるために処理能力が向上する。
化膜は、通常シラン系ガスとアンモニアとを用〜・たＣ
ＶＤ （Ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｕｒ Ｄｅｐｏｓ
ｉ−ｔｉｏｎ）法によって形成しているが、特に反応時
の圧力を常圧（１気圧＝ ７６０ Ｔｏｒｒ）よりも低
くしたいわゆる低圧ＣＶＤ法が有利とされている。即ち
、反応ガスやキャリアガスの平均自由行程や拡散定数は
低圧になる程大きくなるため、ウェーハ等の表面に形成
するシリコン窒化膜の膜厚分布や屈折率などの膜特性分
布の均一化は常温よりも向上される。また、前述した平
均自由行程や拡散定数の増加により反応炉内に垂直に並
設した多数枚のウェーハに対しても均一な膜形成ができ
、つ工−ハ間での膜質のバラツキが少なく、かつ多数枚
を同時に処理できるために処理能力が向上する。
米国特許４，２７９，９４７は、このような低圧ＣＶＤ
法によってウエーノ・上にシリコン窒化膜を堆積形成す
る方法であり、これによれば反応炉内の温度を約６５０
〜１０００℃とし、炉内圧力を約０．３〜約１０トル（
Ｔｏｒｒ ）にしてシラン系ガスとアンモニアを反応さ
せることにより良好な結果が得られたことが開示されて
〜・る。
法によってウエーノ・上にシリコン窒化膜を堆積形成す
る方法であり、これによれば反応炉内の温度を約６５０
〜１０００℃とし、炉内圧力を約０．３〜約１０トル（
Ｔｏｒｒ ）にしてシラン系ガスとアンモニアを反応さ
せることにより良好な結果が得られたことが開示されて
〜・る。
しかしながら、本発明者がこのデータに基づいて種々の
実験を行なったところ次のような結果を得ろことができ
た。即ち、シリコン窒化膜の形成体として直径約７５φ
（約３イン→のシリコンウェーハを１００枚同時にこの
条件（約７５０℃。
実験を行なったところ次のような結果を得ろことができ
た。即ち、シリコン窒化膜の形成体として直径約７５φ
（約３イン→のシリコンウェーハを１００枚同時にこの
条件（約７５０℃。
０．３Ｔｏｒｒ）で処理したところ、略１００係満足で
きる結果が得られたが、これよりも１径の、大きな１０
０φ、１２５φ、１５０φのシリコンウェーハを処理し
たところ、形成された膜に均一でない部分が発生し、規
準内に入る良品数が９５゜７５．５０と低下された。つ
まり、シリコンウェーハが大径になれば、前述した条件
では必ずしも満足できろ結果が得られず、％に近年のよ
５にウェーハの大径化が進められている状況では低圧Ｃ
ＶＤ法の条件にも見厘しが要求されることＫなる。
きる結果が得られたが、これよりも１径の、大きな１０
０φ、１２５φ、１５０φのシリコンウェーハを処理し
たところ、形成された膜に均一でない部分が発生し、規
準内に入る良品数が９５゜７５．５０と低下された。つ
まり、シリコンウェーハが大径になれば、前述した条件
では必ずしも満足できろ結果が得られず、％に近年のよ
５にウェーハの大径化が進められている状況では低圧Ｃ
ＶＤ法の条件にも見厘しが要求されることＫなる。
本発明の目的は１００φ以上の大径ウエーノ・に対して
も良質のシリコン窒化膜を形成でき、かつ−万では形成
能力ないし形成効率の低下を生ずることのない低圧ＣＶ
Ｄ万式によるシリコン窒化膜の形成方法を提供すること
にある。
も良質のシリコン窒化膜を形成でき、かつ−万では形成
能力ないし形成効率の低下を生ずることのない低圧ＣＶ
Ｄ万式によるシリコン窒化膜の形成方法を提供すること
にある。
本発明の前記ならびＫそのほかの目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を藺単に説明すれば、下記のとおりである。
を藺単に説明すれば、下記のとおりである。
すなわち、シラン系ガスとアンモニアを用いて低圧ＣＶ
Ｄ法でシリコン窒化膜を形成するに際し、反応圧力を約
０．０５〜約０．２５トル（Ｔｏｒｒ）の範囲に設定す
ることにより、大径のウエーノ・に対し℃も高い歩留り
で均一な膜の形成を可能とし、かつ−万では膜形成の効
率を低下することがな（、全体として良好なシリコン窒
化膜を高効率で形成することができる。
Ｄ法でシリコン窒化膜を形成するに際し、反応圧力を約
０．０５〜約０．２５トル（Ｔｏｒｒ）の範囲に設定す
ることにより、大径のウエーノ・に対し℃も高い歩留り
で均一な膜の形成を可能とし、かつ−万では膜形成の効
率を低下することがな（、全体として良好なシリコン窒
化膜を高効率で形成することができる。
また好ましくは、反応圧力は０．１〜０．２Ｔｏｒｒの
範囲にして効率を一層向上でき、更に温度は７００〜１
０００℃の範囲が有効である。
範囲にして効率を一層向上でき、更に温度は７００〜１
０００℃の範囲が有効である。
即ち、本発明者が直径の異なる１００φ、１２５φ、１
５０φの３種のウェーハを用℃・かつこれらを異なる圧
力の低圧ＣＶＤ法でシリコン窒化膜を形成してその良品
数（良品率）を検討したところ、第１図の傾向を得るこ
とができた。ここで、ウェーハは夫々１００枚毎に処理
し、シリコン窒化膜にはジクロルシラン（Ｓ ｉ Ｈ！
Ｃ１ｔ ）とアンモニア（Ｎ Ｈｓ ）を用いた。こ
れにより、反応圧力約０．２５Ｔｏｒｒ以下に低下させ
れば良品数は次第に増大し、ウェーハ径にかかわらずい
ずれのウェーハも１００枚に達することが判明した。こ
れは、圧力の低下に伴う反応ガスの平均自由行程や拡散
定数σ増７ＪＯにより、反応ガスが大径のウエーノ・微
小間内にまで容易に侵入し、均一な膜を形成するものと
考えられろ。また、前記検討によれば、圧力の低下に伴
って良品ウエーノ１の枚数は同図に鎖線で示すように１
００枚以上になることも可能である。
５０φの３種のウェーハを用℃・かつこれらを異なる圧
力の低圧ＣＶＤ法でシリコン窒化膜を形成してその良品
数（良品率）を検討したところ、第１図の傾向を得るこ
とができた。ここで、ウェーハは夫々１００枚毎に処理
し、シリコン窒化膜にはジクロルシラン（Ｓ ｉ Ｈ！
Ｃ１ｔ ）とアンモニア（Ｎ Ｈｓ ）を用いた。こ
れにより、反応圧力約０．２５Ｔｏｒｒ以下に低下させ
れば良品数は次第に増大し、ウェーハ径にかかわらずい
ずれのウェーハも１００枚に達することが判明した。こ
れは、圧力の低下に伴う反応ガスの平均自由行程や拡散
定数σ増７ＪＯにより、反応ガスが大径のウエーノ・微
小間内にまで容易に侵入し、均一な膜を形成するものと
考えられろ。また、前記検討によれば、圧力の低下に伴
って良品ウエーノ１の枚数は同図に鎖線で示すように１
００枚以上になることも可能である。
−万１本発明者の他の検討によれば、圧力の低下に伴っ
てシリコン窒化膜の堆積速度が低下され、第２図に示す
裏５な傾向を得ることができた。したがって、この図の
縦軸で示されろ堆積速度（Ａ／ｍ１ｎ）をＸ、形成する
シリコン窒化膜の膜厚をＣ１更に炉内の真空引きその他
の時間なりとすれば、１回の膜形成に必要とされる時間
ｔは次式で表わされる。
てシリコン窒化膜の堆積速度が低下され、第２図に示す
裏５な傾向を得ることができた。したがって、この図の
縦軸で示されろ堆積速度（Ａ／ｍ１ｎ）をＸ、形成する
シリコン窒化膜の膜厚をＣ１更に炉内の真空引きその他
の時間なりとすれば、１回の膜形成に必要とされる時間
ｔは次式で表わされる。
ｔ＝−＋ｂ
そして、ここで堆積速度Ｘは第２図のように圧力の関数
となっているため、必要な膜厚を得るための膜形成時間
ｔは圧力の高低と逆の関係とされろ。
となっているため、必要な膜厚を得るための膜形成時間
ｔは圧力の高低と逆の関係とされろ。
したがって、以上のことからＣＶＤ法における圧力の低
下は、ウエーノ・良品数を向上する−１で１回の膜形成
に要する時間を増大させることＫなリ、形成（処理）能
力、特に半導体製造工場における生産効率の上からは単
に圧力を低くするだけでは有効でなｔ・。
下は、ウエーノ・良品数を向上する−１で１回の膜形成
に要する時間を増大させることＫなリ、形成（処理）能
力、特に半導体製造工場における生産効率の上からは単
に圧力を低くするだけでは有効でなｔ・。
そこで、本発明者は、良品数の傾向と、処理時間の傾向
とで積をとり、第３図のように圧力に対する膜形成効率
を求めた。この場合、他の要因、例えば温度、ガス橿、
炉の形状９寸法等により異なる係数を用いることが必要
である。この結果によれば、ウェーハ径寸法によって若
干異なるが１００〜１５０φのウェーハでは約０．０５
〜約０．２５Ｔｏｒｒであれば、図にＡで示すこれまで
の効率を上回ることが明らかにされた。そして、１００
〜１５０φの全てのウェーハで良好な効率を得ろためＫ
は０．１〜０．２Ｔｏｒｒの範囲が最も好ましいことも
明らかになった。
とで積をとり、第３図のように圧力に対する膜形成効率
を求めた。この場合、他の要因、例えば温度、ガス橿、
炉の形状９寸法等により異なる係数を用いることが必要
である。この結果によれば、ウェーハ径寸法によって若
干異なるが１００〜１５０φのウェーハでは約０．０５
〜約０．２５Ｔｏｒｒであれば、図にＡで示すこれまで
の効率を上回ることが明らかにされた。そして、１００
〜１５０φの全てのウェーハで良好な効率を得ろためＫ
は０．１〜０．２Ｔｏｒｒの範囲が最も好ましいことも
明らかになった。
なお、圧力を低下させるのに伴って反応温度にも若干の
修正が必要であり、実験によれば７００〜１０００℃の
範囲で良好な結果を得ることができた。また、シラン系
ガスとしては、前述の外に５ｉＨＣＡ！ａ、５ｓＨｓＣ
１，５ＩＨ４，５ｘＣ１４等を用いることもでき、圧力
・温度共に前述の範囲で十分満足することができる。
修正が必要であり、実験によれば７００〜１０００℃の
範囲で良好な結果を得ることができた。また、シラン系
ガスとしては、前述の外に５ｉＨＣＡ！ａ、５ｓＨｓＣ
１，５ＩＨ４，５ｘＣ１４等を用いることもでき、圧力
・温度共に前述の範囲で十分満足することができる。
〔実施例１〕
第４図は本発明の一実施例を示す。炉体１内に石英製の
反応管２を横設し、その一端開口２ａかラボ−１−：Ｎ
Ｃ載荷された多数枚のシリコンウェーハ４を反応管２内
にセットできる。この一端開口２ａには蓋体５が取着で
き、かつ一部にはガス供給口６を開設している。ガス供
給口６はチューブ７を介してガス供給部８に接続し、ガ
ス供給部８内にはシラン系ガス源９．アンモニア源１０
お工びキャリアガス源１１等が設置され、制御部１２０
作用によりて夫々の供給流量がコントロールされる。
反応管２を横設し、その一端開口２ａかラボ−１−：Ｎ
Ｃ載荷された多数枚のシリコンウェーハ４を反応管２内
にセットできる。この一端開口２ａには蓋体５が取着で
き、かつ一部にはガス供給口６を開設している。ガス供
給口６はチューブ７を介してガス供給部８に接続し、ガ
ス供給部８内にはシラン系ガス源９．アンモニア源１０
お工びキャリアガス源１１等が設置され、制御部１２０
作用によりて夫々の供給流量がコントロールされる。
前記反応管２の周囲にはヒータ１３を配設し、反応管２
内の温度分布を自由にコントロールでき、通常は第５図
のように一端開口２ａ工りも他端開口２ｂ＠の温度が高
（なるような温度勾配としている。
内の温度分布を自由にコントロールでき、通常は第５図
のように一端開口２ａ工りも他端開口２ｂ＠の温度が高
（なるような温度勾配としている。
−１、反応管２の他端開口２ｂｌＣはエアパルプ１５、
メカニカルブースタ１６、ロータリポンプ１７に連なる
真空チー−プ１４を接続し、反応管２内を真空引きする
ことができろ。また、真空チューブ１４の途中には圧力
計１８を設け、反応管２内部の圧力を測定できる。
メカニカルブースタ１６、ロータリポンプ１７に連なる
真空チー−プ１４を接続し、反応管２内を真空引きする
ことができろ。また、真空チューブ１４の途中には圧力
計１８を設け、反応管２内部の圧力を測定できる。
そし℃、今後１８０ｍの反応管２内に、１２５φのシリ
コンウェーハを１００枚、ボート３にてセットし、蓋体
５により封止する。ヒータ１３により反応管２内を加熱
してウェーハ４の雰囲気を第５図実痩のような温度勾配
とし、中央部で約７００〜１０００℃の範囲の温度に設
定する。しかる上で、ガス供給部８からＮ、ガスをキャ
リアガスとしてガス供給口６を通して反応管２内に供給
し、かつ他端開口２ｂからこれを排出することにより内
部を清浄化する。そして、Ｎ、ガスの供給を停出し、更
にロータリポンプ１７を作動させることにより反応管２
内部の圧力を０．０１ Ｔｏｒｒにまで下げ、この状態
でガス供給部８からジクロルシランガスとアンモニアを
反応管２内に供給する。ジクロルシランガスの流速は約
１０ｃｃ／分、アンモニアの流速は約１００ｃｃ／分で
あり、この間反応管２内圧力を０．２Ｔｏｒｒに保つ。
コンウェーハを１００枚、ボート３にてセットし、蓋体
５により封止する。ヒータ１３により反応管２内を加熱
してウェーハ４の雰囲気を第５図実痩のような温度勾配
とし、中央部で約７００〜１０００℃の範囲の温度に設
定する。しかる上で、ガス供給部８からＮ、ガスをキャ
リアガスとしてガス供給口６を通して反応管２内に供給
し、かつ他端開口２ｂからこれを排出することにより内
部を清浄化する。そして、Ｎ、ガスの供給を停出し、更
にロータリポンプ１７を作動させることにより反応管２
内部の圧力を０．０１ Ｔｏｒｒにまで下げ、この状態
でガス供給部８からジクロルシランガスとアンモニアを
反応管２内に供給する。ジクロルシランガスの流速は約
１０ｃｃ／分、アンモニアの流速は約１００ｃｃ／分で
あり、この間反応管２内圧力を０．２Ｔｏｒｒに保つ。
約６０分間反応を継続し、その後ジクロルシランガス、
アンモニアの供給を停止し、反応管２内にＮ、ガスを通
流させた上でウェーハ４をボート３と共に反応管２外に
取り出す。ウェーハ４には約１０００への厚さのシリコ
ン窒化膜が形成されており、１００枚全てのウェーハの
シリコン窒化膜が所定の許容値を満足するものであった
。
アンモニアの供給を停止し、反応管２内にＮ、ガスを通
流させた上でウェーハ４をボート３と共に反応管２外に
取り出す。ウェーハ４には約１０００への厚さのシリコ
ン窒化膜が形成されており、１００枚全てのウェーハの
シリコン窒化膜が所定の許容値を満足するものであった
。
なお、この実施例において、反応管２における温度勾配
は、反応圧力を０．２Ｔｏｒｒに低下していることによ
り第５図の破線で示すこれまでの勾配よりもフラットな
特性にでき、ヒータ１３のコントロールを容易にできろ
。
は、反応圧力を０．２Ｔｏｒｒに低下していることによ
り第５図の破線で示すこれまでの勾配よりもフラットな
特性にでき、ヒータ１３のコントロールを容易にできろ
。
〔実施例２］
前実施例と同一の装置を用い、今度は１５０φのシリコ
ンウェーハを１００枚反応管２内にセントした。Ｎ、ガ
スの通流後、温度を７００〜１０００℃の範囲とし、ジ
クロルシランガス、アンモニアを反応管２内に供給し、
約０．ＩＴｏｒｒの圧力で反応を行なった。約６０分間
の反応後、前例と同様にウェーハを取出すと、約１００
ＯＡの厚さノシリコン窒化膜が得られ、かつ１００枚全
てのウェーハが許容値を満足していた。
ンウェーハを１００枚反応管２内にセントした。Ｎ、ガ
スの通流後、温度を７００〜１０００℃の範囲とし、ジ
クロルシランガス、アンモニアを反応管２内に供給し、
約０．ＩＴｏｒｒの圧力で反応を行なった。約６０分間
の反応後、前例と同様にウェーハを取出すと、約１００
ＯＡの厚さノシリコン窒化膜が得られ、かつ１００枚全
てのウェーハが許容値を満足していた。
（１）シラン系ガスとアンモニアとを低圧で反応させて
シリコン窒化膜を形成するに際し、反応圧力を約０．０
５〜約０．２５ トル（Ｔｏｒｒ ）の範囲に設定して
いるので、ウェーハを大径化してもシリコン窒化膜を均
一に形成でき、歩留りを向上すると共に処理時間を大幅
に増大することもなく、全体としてシリコン窒化膜の形
成効率（良品効率）を向上できる。
シリコン窒化膜を形成するに際し、反応圧力を約０．０
５〜約０．２５ トル（Ｔｏｒｒ ）の範囲に設定して
いるので、ウェーハを大径化してもシリコン窒化膜を均
一に形成でき、歩留りを向上すると共に処理時間を大幅
に増大することもなく、全体としてシリコン窒化膜の形
成効率（良品効率）を向上できる。
（２）圧力をｏ、ｉ〜０．２Ｔｏｒｒの範囲にすること
により、１００〜１５０φないしそれ以上のウェーハ径
に対しても、極め”（高い歩留りでかつこれまで以上の
形成効率で良質のシリコン窒化膜を得ることができる。
により、１００〜１５０φないしそれ以上のウェーハ径
に対しても、極め”（高い歩留りでかつこれまで以上の
形成効率で良質のシリコン窒化膜を得ることができる。
（３）圧力を約０．０５〜約０．２５Ｔｏｒｒに低下し
ているので、反応管におゆる温度勾配をフラットに近い
ものにでき、温度コントロールを容易なものとする。
ているので、反応管におゆる温度勾配をフラットに近い
ものにでき、温度コントロールを容易なものとする。
（４）反応温度は７００〜１０００℃の範囲でこれまで
と同じであり、これまでの反応管装置をそのまま利用す
ることができる。
と同じであり、これまでの反応管装置をそのまま利用す
ることができる。
以上本発明によってなされた発明を実施例にもとづき具
体的忙説明したが、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。たとえば、反応ガスには
実施例以外にも前述したガス或〜・はそれ以外のガスを
利用することができ、また反応管も縦型、バレル型等種
々のものが使用できる。勿論、圧力や温度は前述した範
囲内であればどの圧力に設定しても温度勾配１反応時間
等の調整を行なえば同様の効果を得ることができろ。
体的忙説明したが、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。たとえば、反応ガスには
実施例以外にも前述したガス或〜・はそれ以外のガスを
利用することができ、また反応管も縦型、バレル型等種
々のものが使用できる。勿論、圧力や温度は前述した範
囲内であればどの圧力に設定しても温度勾配１反応時間
等の調整を行なえば同様の効果を得ることができろ。
〔利用分野］
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野であるシリコンウェーハ上
へのシリコン窒化膜の形成技術について説明したが、そ
れに限定されるものではな（、それ以外の半導体ウェー
ハ、更には半導体以外の基板上へのシリコン窒化膜の形
成にも適用できる。
をその背景となった利用分野であるシリコンウェーハ上
へのシリコン窒化膜の形成技術について説明したが、そ
れに限定されるものではな（、それ以外の半導体ウェー
ハ、更には半導体以外の基板上へのシリコン窒化膜の形
成にも適用できる。
第１図は歩留りと圧力の関係を示すグラフ、第２図は膜
形成速度と圧力の関係を示すグラフ、第３図は形成効率
と圧力の関係を示すグラフ、第４図は本発明を実施する
装置の一例の構成図、第５図は反応管における＠度勾配
図である。 １・・・炉体、２・・・反応管、４・・・シリコンクエ
ーハ、６・・・ガス供給口、８・・・ガス供給部、９・
・・シラン系ガス源、１０・・・アンモニア源、１１・
・・キャリアガス源、１３・・・ヒータ、１５・・・エ
アパルプ、１７・・・ロータリポンプ。 代理人 弁理士 高 橋 明 夫（ 叉 第 １ 図 ゝ 、 〜ミーー 圧 で（トル〕 第 ２ 図 圧力 〔トル〕 第 ３ 図 第 ４ 図 第 ５ 図
形成速度と圧力の関係を示すグラフ、第３図は形成効率
と圧力の関係を示すグラフ、第４図は本発明を実施する
装置の一例の構成図、第５図は反応管における＠度勾配
図である。 １・・・炉体、２・・・反応管、４・・・シリコンクエ
ーハ、６・・・ガス供給口、８・・・ガス供給部、９・
・・シラン系ガス源、１０・・・アンモニア源、１１・
・・キャリアガス源、１３・・・ヒータ、１５・・・エ
アパルプ、１７・・・ロータリポンプ。 代理人 弁理士 高 橋 明 夫（ 叉 第 １ 図 ゝ 、 〜ミーー 圧 で（トル〕 第 ２ 図 圧力 〔トル〕 第 ３ 図 第 ４ 図 第 ５ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、シラン系ガスとアンモニアを低圧条件下で反応させ
てシリコン窒化膜を形成するに際し、反応圧力を約０．
０５〜約０．２５トルの範囲に設定したことを特徴とす
るシリコン窒化膜の形成方法。 ２、反応圧力を０．１〜０．２トルの範囲に設定してな
る特許請求の範囲第１項記載のシリコン窒化膜の形成方
法。 ３、反応温度を約７００〜１０００℃の範囲にしてなる
特許請求の範囲第１項又は第２項記載のシリコン窒化膜
の形成方法。 ４．１００〜１５０φのシリコンウェーハ上にシリコン
窒化膜を形成する特許請求の範囲第１項ないし第３項の
いずれかに記載のシリコン窒化膜の形成方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59238301A JPS61117841A (ja) | 1984-11-14 | 1984-11-14 | シリコン窒化膜の形成方法 |
| US06/797,881 US4699825A (en) | 1984-11-14 | 1985-11-14 | Method of forming silicon nitride film and product |
Applications Claiming Priority (1)
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