JPH05263248A - 配管クリーニング機構 - Google Patents
配管クリーニング機構Info
- Publication number
- JPH05263248A JPH05263248A JP4090256A JP9025692A JPH05263248A JP H05263248 A JPH05263248 A JP H05263248A JP 4090256 A JP4090256 A JP 4090256A JP 9025692 A JP9025692 A JP 9025692A JP H05263248 A JPH05263248 A JP H05263248A
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- Japan
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- wall surface
- wafer
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- exhaust pipe
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 ウエハを載置するための加熱可能な試料台
と、ウエハ表面に所定の薄膜を形成するのに必要な反応
ガスを導入する手段とを備える反応炉を有する常圧ＣＶ
Ｄ装置の排気ダクトに接続された排気管のクリーニング
機構であって、前記排気管の外壁面に少なくとも１個以
上の超音波振動子が配設されている。 【効果】 排気管をＣＶＤ装置本体から取り外すことな
く、自動的に清掃することができる。これにより、ＣＶ
Ｄ装置周辺のメンテナンス作業の効率が向上されるばか
りか、作業者が微細なフレーク粉塵に接触する危険性が
皆無となり労働安全性も向上する。更に、排気管内のフ
レークを定期的に簡単に除去できるため、プロセス条件
を常に一定に保つことができ、成膜歩留りの向上につな
がる。
と、ウエハ表面に所定の薄膜を形成するのに必要な反応
ガスを導入する手段とを備える反応炉を有する常圧ＣＶ
Ｄ装置の排気ダクトに接続された排気管のクリーニング
機構であって、前記排気管の外壁面に少なくとも１個以
上の超音波振動子が配設されている。 【効果】 排気管をＣＶＤ装置本体から取り外すことな
く、自動的に清掃することができる。これにより、ＣＶ
Ｄ装置周辺のメンテナンス作業の効率が向上されるばか
りか、作業者が微細なフレーク粉塵に接触する危険性が
皆無となり労働安全性も向上する。更に、排気管内のフ
レークを定期的に簡単に除去できるため、プロセス条件
を常に一定に保つことができ、成膜歩留りの向上につな
がる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は常圧ＣＶＤ装置に接続さ
れている排気管内壁面のクリーニング機構に関する。
れている排気管内壁面のクリーニング機構に関する。
【０００２】
【従来の技術】薄膜の形成方法として半導体工業におい
て一般に広く用いられているものの一つに化学的気相成
長法（ＣＶＤ）がある。ＣＶＤとは、ガス状物質を化学
反応で固体物質にし、基板上に堆積することをいう。
て一般に広く用いられているものの一つに化学的気相成
長法（ＣＶＤ）がある。ＣＶＤとは、ガス状物質を化学
反応で固体物質にし、基板上に堆積することをいう。
【０００３】ＣＶＤの特徴は、成長しようとする薄膜の
融点よりかなり低い堆積温度で種々の薄膜が得られるこ
と、および、成長した薄膜の純度が高く、ＳｉやＳｉ上
の熱酸化膜上に成長した場合も電気的特性が安定である
ことで、広く半導体表面のパッシベーション膜として利
用されている。
融点よりかなり低い堆積温度で種々の薄膜が得られるこ
と、および、成長した薄膜の純度が高く、ＳｉやＳｉ上
の熱酸化膜上に成長した場合も電気的特性が安定である
ことで、広く半導体表面のパッシベーション膜として利
用されている。
【０００４】ＣＶＤによる薄膜形成は、例えば約４００
℃〜５００℃程度に加熱したウエハに反応ガス（例え
ば、ＳｉＨ4 ＋Ｏ2 ，またはＳｉＨ4 ＋ＰＨ3 ＋Ｏ2 ）
を供給して行われる。上記の反応ガスは反応炉（ベルジ
ャ）内のウエハに吹きつけられ、該ウエハの表面にＳｉ
Ｏ2 あるいはフォスフォシリケートガラス（ＰＳＧ）ま
たはボロシリケートガラス（ＢＳＧ）の薄膜を形成す
る。また、ＳｉＯ2 とＰＳＧまたはＢＳＧとの２層成膜
が行われることもある。更に、モリブデン，タングステ
ンあるいはタングステンシリサイド等の金属薄膜の形成
にも使用できる。
℃〜５００℃程度に加熱したウエハに反応ガス（例え
ば、ＳｉＨ4 ＋Ｏ2 ，またはＳｉＨ4 ＋ＰＨ3 ＋Ｏ2 ）
を供給して行われる。上記の反応ガスは反応炉（ベルジ
ャ）内のウエハに吹きつけられ、該ウエハの表面にＳｉ
Ｏ2 あるいはフォスフォシリケートガラス（ＰＳＧ）ま
たはボロシリケートガラス（ＢＳＧ）の薄膜を形成す
る。また、ＳｉＯ2 とＰＳＧまたはＢＳＧとの２層成膜
が行われることもある。更に、モリブデン，タングステ
ンあるいはタングステンシリサイド等の金属薄膜の形成
にも使用できる。
【０００５】このようなＣＶＤによる薄膜形成操作を行
うために従来から用いられている装置の一例を図１に部
分断面図として示す。図１において、反応炉１は、バッ
ファ２をベルジャ３で覆い、上記バッファ２の周囲に円
盤状のウエハ載置台４を回転駆動可能、または自公転可
能に設置するとともに、上記ウエハ載置台の上に被加工
物であるウエハ６を順次に供給し、該ウエハを順次に搬
出するウエハ搬送手段７を設けて構成されている。ウエ
ハ搬送手段を炉内に導入するための開閉可能なゲート部
１１が反応炉に突設されている。また、ウエハ載置台４
の下側には加熱手段８が設けられていてウエハ６を所定
の温度（例えば約５００℃）に加熱する。ベルジャ３の
頂部付近には反応炉内に所定の反応ガスを送入するため
のノズル９が配設されており、更に、反応炉の下部には
排気ダクト１０が設けられている。
うために従来から用いられている装置の一例を図１に部
分断面図として示す。図１において、反応炉１は、バッ
ファ２をベルジャ３で覆い、上記バッファ２の周囲に円
盤状のウエハ載置台４を回転駆動可能、または自公転可
能に設置するとともに、上記ウエハ載置台の上に被加工
物であるウエハ６を順次に供給し、該ウエハを順次に搬
出するウエハ搬送手段７を設けて構成されている。ウエ
ハ搬送手段を炉内に導入するための開閉可能なゲート部
１１が反応炉に突設されている。また、ウエハ載置台４
の下側には加熱手段８が設けられていてウエハ６を所定
の温度（例えば約５００℃）に加熱する。ベルジャ３の
頂部付近には反応炉内に所定の反応ガスを送入するため
のノズル９が配設されており、更に、反応炉の下部には
排気ダクト１０が設けられている。
【０００６】従来の常圧ＣＶＤ薄膜形成装置は成膜反応
処理を続けていくと、反応炉内の様々な表面にＳｉＯお
よび／またはＳｉＯ2 等の酸化物のフレークが生成・付
着してくる。このフレークをそのまま放置すると徐々に
大きく成長していき、僅かな振動や気流により表面から
剥がれ落ち、反応炉内の浮遊異物量を増加させることと
なる。これら炉内の浮遊異物がウエハの表面上に付着す
るとＣＶＤ膜にピンホールを発生させ、半導体素子の製
造歩留りを著しく低下させるので反応炉内壁面は定期的
に清掃する必要がある。反応炉内壁面を清掃する場合、
ベルジャ３を開放することにより行われる。
処理を続けていくと、反応炉内の様々な表面にＳｉＯお
よび／またはＳｉＯ2 等の酸化物のフレークが生成・付
着してくる。このフレークをそのまま放置すると徐々に
大きく成長していき、僅かな振動や気流により表面から
剥がれ落ち、反応炉内の浮遊異物量を増加させることと
なる。これら炉内の浮遊異物がウエハの表面上に付着す
るとＣＶＤ膜にピンホールを発生させ、半導体素子の製
造歩留りを著しく低下させるので反応炉内壁面は定期的
に清掃する必要がある。反応炉内壁面を清掃する場合、
ベルジャ３を開放することにより行われる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、常圧ＣＶＤ装
置による成膜処理を続けていくと、フレークは反応炉の
内壁面ばかりか、排気ダクト１０に接続された排気管内
壁面にも付着してくる。内壁面にフレークの付着した配
管は反応炉本体の排気量の低下を招き、プロセス条件が
変化する。また、配管が詰まってくると装置内に有毒ガ
ス（例えば、モノシランガス）が漏れ出してくる危険性
が存在する。
置による成膜処理を続けていくと、フレークは反応炉の
内壁面ばかりか、排気ダクト１０に接続された排気管内
壁面にも付着してくる。内壁面にフレークの付着した配
管は反応炉本体の排気量の低下を招き、プロセス条件が
変化する。また、配管が詰まってくると装置内に有毒ガ
ス（例えば、モノシランガス）が漏れ出してくる危険性
が存在する。
【０００８】前記のような反応炉内壁面に付着したフレ
ークはベルジャを開放することにより容易に清掃するこ
とができるが、排気用の配管内壁面に付着したフレーク
を清掃するのは極めて困難である。先ず、清掃のため
に、配管をＣＶＤ装置本体から外さなければならない。
しかし、ＣＶＤ装置付近で配管を外すと、管内のフレー
クがクリーンルーム内に飛散し、作業環境を著しく汚染
する危険がある。また、配管の取外は高所作業または床
下での作業を伴うことがあり、いわゆる危険、汚い、き
ついの３Ｋ作業になる。
ークはベルジャを開放することにより容易に清掃するこ
とができるが、排気用の配管内壁面に付着したフレーク
を清掃するのは極めて困難である。先ず、清掃のため
に、配管をＣＶＤ装置本体から外さなければならない。
しかし、ＣＶＤ装置付近で配管を外すと、管内のフレー
クがクリーンルーム内に飛散し、作業環境を著しく汚染
する危険がある。また、配管の取外は高所作業または床
下での作業を伴うことがあり、いわゆる危険、汚い、き
ついの３Ｋ作業になる。
【０００９】従って、本発明の目的は、常圧ＣＶＤ装置
の排気ダクトなどに接続される排気管の内壁面を、排気
管をＣＶＤ装置から取り外すことなく清掃することがで
きる配管クリーニング機構を提供することである。
の排気ダクトなどに接続される排気管の内壁面を、排気
管をＣＶＤ装置から取り外すことなく清掃することがで
きる配管クリーニング機構を提供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明では、ウエハを載置するための加熱可能な試
料台と、ウエハ表面に所定の薄膜を形成するのに必要な
反応ガスを導入する手段とを備える反応炉を有する常圧
ＣＶＤ装置の排気ダクトに接続された排気管のクリーニ
ング機構であって、前記排気管の外壁面に少なくとも１
個以上の超音波振動子が配設されていることを特徴とす
る配管クリーニング機構を提供する。
に、本発明では、ウエハを載置するための加熱可能な試
料台と、ウエハ表面に所定の薄膜を形成するのに必要な
反応ガスを導入する手段とを備える反応炉を有する常圧
ＣＶＤ装置の排気ダクトに接続された排気管のクリーニ
ング機構であって、前記排気管の外壁面に少なくとも１
個以上の超音波振動子が配設されていることを特徴とす
る配管クリーニング機構を提供する。
【００１１】
【作用】前記のように、本発明の配管クリーニング機構
では、、排気ダクトに接続された排気管の外壁面の所定
箇所に超音波振動子を１個以上配設しているので、この
振動子を定期的に動作させることにより配管内壁面に付
着しているフレークを壁面から剥離させることができ
る。これにより、配管をＣＶＤ装置本体から取り外すこ
となく自動的に清掃することができ、配管の清掃効率が
飛躍的に向上する。
では、、排気ダクトに接続された排気管の外壁面の所定
箇所に超音波振動子を１個以上配設しているので、この
振動子を定期的に動作させることにより配管内壁面に付
着しているフレークを壁面から剥離させることができ
る。これにより、配管をＣＶＤ装置本体から取り外すこ
となく自動的に清掃することができ、配管の清掃効率が
飛躍的に向上する。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の配管クリーニング機構につい
て更に詳細に説明する。
て更に詳細に説明する。
【００１３】図２は本発明の配管クリーニング機構を有
する常圧ＣＶＤ装置の模式的構成図である。図示されて
いるように、常圧ＣＶＤ装置の反応炉１の排気ダクトに
接続された排気管１２は例えば、工場排気系１４などに
連接されている。この排気系１４には例えば、フレーク
トラップ１６などを設けることができる。排気管１２の
途中に１個以上の超音波振動子１８を管の外壁面上に配
設する。この超音波振動子１８は超音波振動子駆動電源
２０に接続されている。超音波振動子１８は特に限定さ
れるわけではないが、配管のエルボ部分に設けることが
好ましい。また、振動子の配設個数もエルボの数と同数
であることが好ましい。エルボ部分は特にフレークが溜
り易いからである。
する常圧ＣＶＤ装置の模式的構成図である。図示されて
いるように、常圧ＣＶＤ装置の反応炉１の排気ダクトに
接続された排気管１２は例えば、工場排気系１４などに
連接されている。この排気系１４には例えば、フレーク
トラップ１６などを設けることができる。排気管１２の
途中に１個以上の超音波振動子１８を管の外壁面上に配
設する。この超音波振動子１８は超音波振動子駆動電源
２０に接続されている。超音波振動子１８は特に限定さ
れるわけではないが、配管のエルボ部分に設けることが
好ましい。また、振動子の配設個数もエルボの数と同数
であることが好ましい。エルボ部分は特にフレークが溜
り易いからである。
【００１４】本発明の配管クリーニング機構の動作につ
いて説明する。先ず、超音波振動子１８により配管クリ
ーニングを行う場合、成膜作業自体は行わない。従っ
て、反応炉内への反応ガスの供給は中止される。窒素ガ
スなどの不活性ガスの供給は行ってもよい。窒素ガスの
代わりに空気を送ることもできる。作業者は配管清掃メ
ンテナンススイッチを押すことにより超音波振動子駆動
電源２０を“ＯＮ”させ、超音波振動子１８を動作させ
る。超音波振動子１８が動作することにより配管壁面に
微小な連続的振動が加えられ、管の内壁面に付着してい
るフレークが剥落する。剥落したフレークは工場排気系
１４などによる風の流れに乗り、フィルタ（例えば、エ
アバッグフィルタ）などから構成されるフレークトラッ
プ１６に捕集される。フレークを含まない排気はそのま
ま大気中へ放出される。超音波振動子１８の動作開始前
の排気圧を測定しておき、超音波振動子１８を動作させ
た後の排気圧を測定し、差の変化が殆どなくなった時点
で超音波振動子の動作を停止させる。
いて説明する。先ず、超音波振動子１８により配管クリ
ーニングを行う場合、成膜作業自体は行わない。従っ
て、反応炉内への反応ガスの供給は中止される。窒素ガ
スなどの不活性ガスの供給は行ってもよい。窒素ガスの
代わりに空気を送ることもできる。作業者は配管清掃メ
ンテナンススイッチを押すことにより超音波振動子駆動
電源２０を“ＯＮ”させ、超音波振動子１８を動作させ
る。超音波振動子１８が動作することにより配管壁面に
微小な連続的振動が加えられ、管の内壁面に付着してい
るフレークが剥落する。剥落したフレークは工場排気系
１４などによる風の流れに乗り、フィルタ（例えば、エ
アバッグフィルタ）などから構成されるフレークトラッ
プ１６に捕集される。フレークを含まない排気はそのま
ま大気中へ放出される。超音波振動子１８の動作開始前
の排気圧を測定しておき、超音波振動子１８を動作させ
た後の排気圧を測定し、差の変化が殆どなくなった時点
で超音波振動子の動作を停止させる。
【００１５】管の内壁面から剥落したフレークはフィル
タにより捕集する代わりに、スクラバーまたは電気集塵
機などの当業者に公知の手段によっても捕集することが
できる。また、排気管１２は工場排気系に接続される
他、ＣＶＤ装置独自の排気手段に接続することもでき
る。例えば、符号１４で示される系をＣＶＤ装置用の局
所排気系として、この局所排気系の出口を他の工場排気
系に接続することもできる。
タにより捕集する代わりに、スクラバーまたは電気集塵
機などの当業者に公知の手段によっても捕集することが
できる。また、排気管１２は工場排気系に接続される
他、ＣＶＤ装置独自の排気手段に接続することもでき
る。例えば、符号１４で示される系をＣＶＤ装置用の局
所排気系として、この局所排気系の出口を他の工場排気
系に接続することもできる。
【００１６】本発明の配管クリーニング機構で使用され
る超音波振動子１８の発振周波数自体は特に限定されな
い。必要十分なクリーニング効果が得られ、しかも、Ｃ
ＶＤ装置および他の付属関連装置類に対して悪影響を及
ぼさないような周波数を選択すればよい。このような周
波数は当業者ならば容易に決定することができる。
る超音波振動子１８の発振周波数自体は特に限定されな
い。必要十分なクリーニング効果が得られ、しかも、Ｃ
ＶＤ装置および他の付属関連装置類に対して悪影響を及
ぼさないような周波数を選択すればよい。このような周
波数は当業者ならば容易に決定することができる。
【００１７】本発明の配管クリーニング機構はバッチ式
の常圧ＣＶＤ装置に限らず、枚葉式常圧ＣＶＤ装置につ
いても使用することができる。また、所望により、フレ
ークが発生するプラズマＣＶＤ装置などの他の気相反応
装置についても使用することができる。
の常圧ＣＶＤ装置に限らず、枚葉式常圧ＣＶＤ装置につ
いても使用することができる。また、所望により、フレ
ークが発生するプラズマＣＶＤ装置などの他の気相反応
装置についても使用することができる。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の配管クリ
ーニング機構によれば、排気管をＣＶＤ装置本体から取
り外すことなく、自動的に清掃することができる。これ
により、ＣＶＤ装置周辺のメンテナンス作業の効率が向
上されるばかりか、作業者が微細なフレーク粉塵に接触
する危険性が皆無となり労働安全性も向上する。更に、
排気管内のフレークを定期的に簡単に除去できるため、
プロセス条件を常に一定に保つことができ、成膜歩留り
の向上につながる。
ーニング機構によれば、排気管をＣＶＤ装置本体から取
り外すことなく、自動的に清掃することができる。これ
により、ＣＶＤ装置周辺のメンテナンス作業の効率が向
上されるばかりか、作業者が微細なフレーク粉塵に接触
する危険性が皆無となり労働安全性も向上する。更に、
排気管内のフレークを定期的に簡単に除去できるため、
プロセス条件を常に一定に保つことができ、成膜歩留り
の向上につながる。
【図１】バッチ式常圧ＣＶＤ装置の一例の模式的構成図
である。
である。
【図２】本発明の配管クリーニング機構を有するＣＶＤ
装置の模式的構成図である。
装置の模式的構成図である。
１ 反応炉 ２ バッファ ３ ベルジャ ４ 試料台 ６ ウエハ ７ ウエハ搬送手段 ８ ヒータ ９ ノズル １０ 排気ダクト １１ ゲート部 １２ 排気管 １４ 排気系 １６ フィルタ １８ 超音波振動子 ２０ 超音波振動子駆動電源
Claims (2)
- 【請求項１】 ウエハを載置するための加熱可能な試料
台と、ウエハ表面に所定の薄膜を形成するのに必要な反
応ガスを導入する手段とを備える反応炉を有する常圧Ｃ
ＶＤ装置の排気ダクトに接続された排気管のクリーニン
グ機構であって、前記排気管の外壁面に少なくとも１個
以上の超音波振動子が配設されていることを特徴とする
配管クリーニング機構。 - 【請求項２】 超音波振動子は配管のエルボ付近に配設
されている請求項１の配管クリーニング機構。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4090256A JPH05263248A (ja) | 1992-03-16 | 1992-03-16 | 配管クリーニング機構 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4090256A JPH05263248A (ja) | 1992-03-16 | 1992-03-16 | 配管クリーニング機構 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05263248A true JPH05263248A (ja) | 1993-10-12 |
Family
ID=13993418
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4090256A Pending JPH05263248A (ja) | 1992-03-16 | 1992-03-16 | 配管クリーニング機構 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05263248A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5855651A (en) * | 1994-11-29 | 1999-01-05 | Asahi Denka Kogyo K.K. | Method for processing waste gas exhausted from chemical vapor and deposition equipment |
| EP1090693A1 (en) * | 1999-10-06 | 2001-04-11 | Applied Materials, Inc. | Ultrasonic enhancement of cleaning of a liquid delivery system |
| JP2006265598A (ja) * | 2005-03-23 | 2006-10-05 | Konica Minolta Holdings Inc | プラズマ放電処理装置 |
| JP2009154085A (ja) * | 2007-12-26 | 2009-07-16 | Hitachi Plant Technologies Ltd | 配管ラインの定置洗浄方法および配管ラインの定置洗浄装置 |
| JP4642995B2 (ja) * | 2000-12-21 | 2011-03-02 | 敏夫 淡路 | 排ガス通路のクリーニング方法及びその装置 |
| US8114203B2 (en) | 2007-01-22 | 2012-02-14 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Units for collecting particles, apparatus including the same and methods for collecting particles using the same |
-
1992
- 1992-03-16 JP JP4090256A patent/JPH05263248A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5855651A (en) * | 1994-11-29 | 1999-01-05 | Asahi Denka Kogyo K.K. | Method for processing waste gas exhausted from chemical vapor and deposition equipment |
| EP1090693A1 (en) * | 1999-10-06 | 2001-04-11 | Applied Materials, Inc. | Ultrasonic enhancement of cleaning of a liquid delivery system |
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| JP2009154085A (ja) * | 2007-12-26 | 2009-07-16 | Hitachi Plant Technologies Ltd | 配管ラインの定置洗浄方法および配管ラインの定置洗浄装置 |
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