JPH11279760A - 被処理基板のガス処理方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体ウェーハを高温高圧のガス雰囲気下で
処理するときの酸化層の造成を少なくする。 【解決手段】 炉の処理室４に半導体ウェーハ１２を収
納保持するとき、ウェーハ１２の板面を重ね合わせた状
態にする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ＵＬＳＩに代表さ
れる例えば半導体の製造工程に用いられる高温高圧ガス
プロセスであって、特に窒素、アルゴンなど処理する温
度圧力条件において実質的にＳｉウェーハやウェーハ上
の材料に対して不活性なガスを用いるプロセスに関する
ものである。

【０００２】また、半導体の処理プロセスとしては、ウ
ェーハを一枚ずつ処理する枚葉式と、１０〜３０枚を１
ロットとして数ロットを纏めて処理するバッチ式とが用
いられているが、本発明は後者のバッチ式の処理方法に
関するものである。

【０００３】

【従来の技術】特許第２６６００４０号公報（平成９年
１０月８日発行）には、「スパッタリング法、ＣＶＤ
法、真空蒸着法等の真空薄膜形成法により、凹状部を有
する基板上に金属薄膜を形成する工程と、基板上に形成
された金属薄膜全体を加熱して流動化させる工程と、流
動化した金属薄膜の金属を気体で加圧して、凹状部内に
金属薄膜の金属を凹状部内で空洞の発生をしないように
埋め込む工程とを含むことを特徴とする真空成膜方法」
が開示されている。

【０００４】また、特開平７−１９３０６３号公報に
は、「物品の処理方法であって、該物品は表面を有し、
該表面は表面内に少なくとも一つの凹部を有する物品の
処理方法において、該表面の少なくとも一部の上に層を
形成することを含み、該層は該凹部の上方を延びてお
り、更に該物品及び該層を、該層の一部が該凹部を埋め
るように変形せしめられるのに十分な高い圧力および高
い温度にさらすことを含む、物品の処理方法」が開示さ
れている。本公知資料には、該物品が半導体ウェーハ
で、該凹部が半導体ウェーハに形成された穴、溝および
ヴィア等で、該層がアルミ等の金属からなることが記載
されている。

【０００５】また、該層がアルミニウムの場合には温度
として３５０〜６５０℃、圧力３，０００ｐｓｉ以上で
加圧にはガスも使用できること、穴あるいは溝の上に形
成される層の厚さは少なくとも穴の幅と等しい厚さが必
要なことが、開示されている。さらに半導体ウェーハ自
体は複数個の特性の異なった層を含み、これを形成する
ために複数の段階を含む製造プロセスの結果として得ら
れることが記載されている。

【０００６】これらのプロセスを実際に用いる場合、ウ
ェーハを一枚ずつ高圧容器内に入れて処理する枚葉式
と、複数枚を１ロットとして数ロットを纏めて処理する
バッチ式がある。バッチ式の場合には、縦形の装置に適
当なウェーハ積載用の治具にウェーハをセットして処理
を行うこととなる。半導体のプロセスとして、このよう
な縦形のバッチ形式の処理を行う工程として、拡散処理
やＣＶＤがあり、これら工程で使用されるウェーハのセ
ット用の支持治具として、特開平１０−２２２２７号公
報で開示の熱処理用ボートや特開平１０−２２２２８号
公報で開示の半導体熱処理用治具等が知られている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】このような縦形の装置
を用いる常圧あるいは減圧下でのプロセスと、本発明で
対象とする高圧の不活性ガス雰囲気でのプロセスには被
処理基板である、例えば半導体ウェーハのコンタミネー
ションの点で大きな差異があり、これまで、このような
コンタミネーションに対する対策を講じたガス処理方式
や治具についての提案等はなされていない。

【０００８】ここでコンタミネーションにかかる問題と
は、高圧処理する際に用いる不活性ガスには通常９９．
９９％以上の高純度ガスが用いられるが、薄板円板であ
る被処理基板を出し入れする際に大気に曝されて入り込
む空気や水分、被処理基板等に付着している揮発性の成
分などが装置内部に入りこみ被処理基板を汚染するとい
う問題である。通常、被処理基板を装置内（高温高圧炉
内）にいれてから、装置内部を真空引きして不活性ガス
で置換する等の操作を行って、これらの原因となる空気
（酸素、窒素）、水分等を極力低減する配慮がなされ
る。しかし、１００ＭＰａ以上の高圧力で処理する場合
には、使用後のガスを回収して再使用するのが通例で、
このような場合、ガス中の不純物はどんどん蓄積されて
いくこととなる。特に高圧の場合、ガス中の不純物量が
１ｐｐｍレベルであっても、１００ＭＰａではおおよ
そ、大気圧換算して絶対量でその１０００倍、すなわち
０．１％相当の濃度の不純物があるのと同じ状況とな
る。例えば酸素についていえば、Ｓｉウェーハの表面を
酸化して酸化物層を形成するのに十分な量の酸素がある
ことになり、処理時にこのような酸化反応の発生を防止
することは非常に重要となる。

【０００９】前記の特開平７−１９３０６３号公報に
は、ウェーハ一枚ずつをＰＶＤによるＡＬ配線膜形成
後、真空中搬送して、この酸化を防止する配慮がなされ
ているが、大掛かりであり、かつ専用のシステム化され
た装置を必要とするなど、実施上での問題が大きい。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明は、半導体ウェー
ハ等の被処理基板を縦形の高温高圧ガス炉内の処理室に
収納して高温高圧ガスのガス雰囲気下にさらして処理す
る方法において、前記被処理基板の板面を重ね合わせた
状態で前記処理室に収納保持して処理することを特徴と
する被処理基板のガス処理方法あり（請求項１）、この
ような構成を採用したことによって、半導体ウェーハ等
の被処理基板の酸化防止したい面、すなわち重ね合わせ
面が広いガス空間にさらされることは少なく、問題とな
るような酸化物層が発生（形成）されないのである。

【００１１】また、本発明は、前述の請求項１におい
て、前記被処理基板は成膜面を有し、該成膜面に酸化抑
制用もしくは基板相互の付着防止用の保護被膜を形成し
てから処理を行うことを特徴とするものである（請求項
２）。ここで保護被膜はセラミック系であり、酸化膜で
もよいが、ＴｉＮやＴａＮ等の窒化物膜であってもよ
い。更に本発明は、前述の請求項１または２において前
記被処理基板の板面を重ね合わせる枚数は、５枚以下を
一組としていることを特徴とするものである（請求項
３）。

【００１２】ここで被処理基板をあまり多数重ね合わせ
ると、高温高圧ガス雰囲気下での熱処理時において基板
自体の厚さ方向の熱伝導が支配的となり、炉高さ方向で
温度差が発生すること等から５枚以下を一組にしている
のである。また本発明は、前述の請求項１〜３のいずれ
かにおいて、前記被処理基板の板面を重ね合わせて組と
した被処理基板群を、処理室の炉高さ方向で所定の間隔
をおいて積み上げた状態で処理することを特徴とするも
のである（請求項４）。

【００１３】このような構成を採用したことにより被処
理基板群を１ロットとして数ロットを纏めてバッチ方式
で処理することが可能となる。また前述において所定の
間隔を２〜５mmとしておけば、外側に配置されたヒータ
ーで加熱していく昇温過程で、外側と内側の温度差に起
因する高圧ガスの自然対流が発生し、ウェーハで例示す
る被処理基板の中心部と外縁部の温度差が生じ難くなる
現象を利用できて有利となるのである。

【００１４】更に本発明では、前記被処理基板の板面の
重ね合わせ面は当該基板の成膜面を互いに向かい合わせ
た状態で重ね合わせていることが望ましく（請求項
５）、また成膜材料と反応しない材料のダミー被処理基
板を、被処理基板の成膜面に重ね合わせていることも推
奨される（請求項６）。また本発明では、炉内の処理室
に出入自在な支持治具に、被処理基板またはその基板群
を水平面上に横置した状態で炉高さ方向に積み上げて保
持していることによって、被処理基板をバッチ方式でガ
ス処理する上で効果的となるのである（請求項７）。

【００１５】更に本発明では、被処理基板またはその基
板群を保持している支持治具を、気密材料からなる逆コ
ップ形状のケーシングで取囲んだ状態で高温高圧ガス雰
囲気下で処理することが推奨され、このような構成を採
用することによって、圧力媒体として使用するガスの純
度が低い場合やヒーター等の構成部材が水分等を吸着し
ているような場合であっても、被処理基板が汚染される
のを防止できるのである（請求項８）。

【００１６】また、前記支持治具及びケーシングを石英
又はステンレス鋼で構成することも推奨されるし（請求
項９）、更にケーシング内部の高温部分に酸素ゲッタ材
を配置して処理することによって酸素等の不純物を化学
的な反応で補足できて汚染を確実に防止できるのであり
（請求項１０）、また、ステンレス鋼で構成した支持治
具の被処理基板の保持部に、ＴｉＮ、ＴａＮなどのセラ
ミック系被膜が形成されていることも推奨される（請求
項１１）。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下に、図および実施例を参照し
つつ、本発明の実施形態を詳細に説明する。図１は本発
明に使用する高温高圧の不活性ガス雰囲気下での半導体
ウェーハで例示する被処理基板のガス処理に用いられる
バッチ式装置の例を示したものである。

【００１８】図１において、高圧円筒１の上・下開口部
は上蓋２および下蓋３で閉塞されていて内部に処理室４
を画成しており、上蓋２には高圧ガス注入・排出孔２Ａ
が形成されていて、下蓋３は円環形の上下蓋３Ａと該蓋
３Ａに挿脱自在に嵌挿されている下下蓋３Ｂとで構成さ
れており、上・下蓋２、３の端面には、加圧処理時に作
用する軸力を担持するための台車型または揺動扉型のプ
レスフレーム（図示せず）が係脱自在とされている。

【００１９】処理室４には、倒立コップ形状の断熱構造
体５が上蓋２に吊持または上下蓋３Ａに載置支持されて
おり、該断熱構造体５の下部には圧力媒体の通孔５Ａが
形成されているとともに、該断熱構造体５の内周側には
上・下２段としたヒーター６が備えられることで高温高
圧ガス炉を構成している。下蓋３の下下蓋３Ｂには、真
空引きポート７が形成されており、該ポート７が昇降自
在な真空ポート弁８によって開閉自在とされ、ここに炉
内（炉室）を処理前の真空状態と処理中のガス雰囲気下
にガス置換可能としている。

【００２０】下下蓋３Ｂには、円筒形の処理台９が載置
され、該処理台９を介して支持治具１０が台上に備えら
れているとともに、該支持治具１０は気密材料からなる
逆コップ形状のケーシング１１で取り囲まれており、下
下蓋３Ｂを図示省略したリフタ装置によって昇降動作す
ることによって、本実施の形態ではケーシング１１と一
緒に支持治具１０が炉内の処理室に出入り自在とされて
いる。

【００２１】支持治具１０は、炉高さ方向に間隔を有し
て被処理基板１２の保持部１０Ａを有し、該保持部１０
Ａに被処理基板１２の板面を重ね合わせた状態で炉高さ
方向で間隔を有して棚状にセット可能とされているとと
もに、支持治具１０の上下（高温部分）にはゲッタ材１
３が備えられている。処理台９内には断熱材１４が備え
られており、この処理台９の上下に形成した通孔９Ａ，
ケーシング１１に形成した通孔１１Ａおよび上・下ゲッ
タ材１３に形成した通孔１３Ａによって、縦形の高温高
圧ガス炉内において水平面上に積み重ねられている被処
理基板１２が不活性ガス雰囲気下にさらされて処理可能
とされている。

【００２２】前記支持治具１０の構成は一例であって、
前述した特開平１０−２２２２７号公報および特開平１
０−２２２２８号公報でそれぞれ開示されている構成の
支持治具であっても構わないし、一般に用いられている
被処理基板（半導体ウェーハを例示していて、以下ウェ
ーハという）１２の外周部を円周上で３〜４箇所下方か
ら支持する形式のものであっても良い。

【００２３】また支持治具１０は、材質的にもこれら従
来技術と同様の石英やＳｉＣでもよいし、温度が３００
℃以下のように低い場合には、ステンレス鋼でも差し支
えない。これより温度が高い場合には、ステンレス鋼や
他の耐熱性のある他の金属で構成して表面にＴｉＮやＴ
ａＮ等のウェーハと反応しない材料の被膜を形成したも
のでもよい。

【００２４】本発明では前述した支持治具１０の上にウ
ェーハ１２を少なくとも２枚以上その板面を重ねて配置
するのである。このウェーハはすでに配線膜等が形成さ
れたものばかりであってもよいし、いわゆるダミーウェ
ーハと称する回路パターン等が形成されていないものを
例えば交互に重ね合わせたものでもよい。本発明の基本
的なコンセプトは、ウェーハの酸化防止したい面を広い
ガス空間に暴露しない（さらさない）ことで、実験的に
ウェーハ同士の成膜面を向かい合わせてセットするだけ
で、約１００ｐｐｍの酸素が圧媒ガス中に含まれていて
も、実用上問題となるような酸化物層が発生しないこと
を見いだしたことによっている。

【００２５】すなわち単にウェーハ１２の板面を重ね合
わせることによって形成される重ね合わせ面の隙間はミ
クロン以下のレベルであることから、この隙間のガスの
量は極めて少なく、このガス容積中に含まれる不純物の
量は多くの場合問題とならないこと、また、これだけ隙
間が狭いと外部のガスとの自然対流による置換現象や、
不純物成分の拡散による補充も通常の処理時間である１
時間以内では問題とならないことを見いだしたものであ
る。具体的には以下のような実施形態があげられる。

【００２６】図１および図２は、前記支持治具１０のウ
ェーハ１２を２枚１組としてセットした例を示したもの
である。ウェーハとして、たとえば配線膜を形成したも
のが対象となる場合には、配線膜面同士が接触しても、
接合されたりしない場合には、成膜面同士を向かい合わ
せて重ね合わせて差し支えない。反応や付着が発生する
場合には付着防止のためのセラミック系の保護被膜を形
成しておけばよい。酸化膜でもよいが、ＴｉＮやＴａＮ
等の窒化物膜の使用も推奨される。

【００２７】重ね合わせる枚数は、ウェーハ同士が自重
等によって付着しないこと、およびウェーハの均熱性を
確保できる範囲であれば、何枚でもよいが、実用的には
５枚以内である。また、このような組にしたウェーハを
積上げる際の間隔として装置（炉）の中にできるだけ多
く詰め込むことが生産性向上の観点から望まれるが、実
際には２〜５mmが好ましい。

【００２８】その理由は、高圧のガス雰囲気下では、模
式的に図３に示すように、これら組にしてセットしたウ
ェーハの間隔を２〜５mmとしておけば、外側に配置され
たヒーターで加熱していく昇温過程で、外側と内側の温
度差に起因する高圧ガスの自然対流が発生し、ウェーハ
の中心部と外縁部の温度差が生じ難くなる現象を利用で
きるからである。しかしウェーハをあまり多数重ねる
と、ウェーハ自体の厚さ方向の熱伝導が支配的となり、
一番上もしくは一番下のウェーハと中央部のウェーハで
の温度差が発生するからである。この熱伝導現象による
温度分布の発生を回避するのに適した枚数が上述の５枚
程度である。

【００２９】なお、代表的な実質的に不活性な圧力媒体
のガスとしてアルゴンと窒素をあげることができるが、
アルゴンの場合には３〜５mm、アルゴンより自然対流が
発生し易い窒素を使用する場合には、２mm程度の隙間が
あれば、図３に示したような自然対流が生じ、温度分布
の発生を効果的に抑制することができる。使用するガス
の純度が更に悪い場合や、ヒーター等の装置の構成部材
が水分等を吸着しているような場合には、ウェーハが汚
染され易くなるので、図１に示したように支持治具１０
や処理台９を含めた全体を気密性の材料からなるベル型
乃至倒立コップ形状のケーシング１１にて取り囲んで、
下蓋３の上に設置することも推奨される。図１の装置で
は、下蓋が（上）と（下）に分割可能とされており、ウ
ェーハの炉に対する装入や取出し時には下下蓋３Ｂを下
方に引き出せばよい構造であり、この場合には下下蓋に
ケーシング１１等が載置される。

【００３０】更に汚染を防止するには、前記ケーシング
１１内部高温部分に酸素等の不純物を化学的な反応で補
足するゲッタ材を配置することが推奨される。ジルコニ
ウムやチタンの粉末を成形したものや箔が重量あたりの
表面積が大きくて効果的である。図１〜３で示した実施
の形態では、２枚のウェーハの板面を重ね合わせて組と
した被処理基板群１２Ａを処理室の炉高さ方向で所定の
間隔例えば２〜５mmの間隔において積み上げた状態で処
理するものが例示されているが、前述したように被処理
基板群１２Ａは、５枚を限度として積み上げてもよい
し、また場合によっては水平面上において棚状に積み上
げるのではなく、板面を縦向きとした状態の所謂縦積み
形式にすることも可能である。

【００３１】本発明は、Ｓｉウェーハの表面を高圧の酸
素ガスもしくは不活性ガスの酸素を混合したガスを用い
て、酸化膜を形成するプロセスである高圧酸化など、当
初から酸化等の現象を利用する場合以外の高圧ガスを利
用したプロセス全てに適用が可能である。前述のＡｌや
銅配線膜のコンタクトホールやビアホールへの加圧埋込
処理はもちろん、イオン注入法によりＳｉウェーハの表
面から１００〜２００ｎｍ下に酸素イオンを集中的に打
ち込んで高圧下で熱処理してこれを二酸化ケイ素に変換
する第２のプロセス（ＳＩＭＯＸ法）、あるいはトレン
チ部にＴＥＯＳ膜をＣＶＤ法によって形成して、これを
高温高圧下で二酸化ケイ素に変換する第３プロセスにも
適用が可能である。

【００３２】配線膜用の第１プロセスでは、近年成膜
後、ＣＭＰ（Chemical MechanicalPolishing)法により
余分な配線膜を除去する方法が普及しつつあり、ごくわ
ずかの酸化膜層であれば配線膜の上に形成されても大き
な問題とならなくなってきており、本発明の適用で更に
高圧ガスプロセスの使用が簡便となる。また、第２、３
のプロセスでは、酸化膜の生成や、酸化膜層の増大は被
処理品の特性制御上に大きな問題となり、酸化現象の発
生を極力抑制することがプロセス上で重要である。以下
に表１および表２を参照しつつ、実施例により本発明の
作用を説明する。

【００３３】

【表１】

【００３４】

【表２】

【００３５】なお、表１及び表２の実施例１〜１１およ
び比較例１〜４は共通している。実施例１〜７はＡｌ配
線膜の加圧埋込に本発明を適用した例である。比較例は
通常の方法すなわちウェーハ１枚ずつを約５mm（ピッチ
で約６．３５mm）の隙間を介在させて積載して処理した
ものである。比較例１では処理後に酸化膜の厚さが大幅
に増加しているのに対し、実施例１〜７ではほとんど１
桁小さい値となっている。特にベル型のケーシング、ゲ
ッタを併用した実施例６、７の場合には、酸化膜の厚さ
の増加を実質的に測定するのが困難であった。

【００３６】また実施例８、９はＣｕ配線膜の加圧埋込
に本発明を適用した例である。Ａｌ配線膜の場合と同
様、酸化膜の増加は、通常の方法で処理をした比較例２
と比べて非常に小さい。なお、銅の場合にはガス中の不
純物としての酸素が配線膜材料の銅の中に溶け込む現象
も生じているようであり、比較例２で、見掛けの酸化膜
の厚さは、Ａｌの場合より小さくなっている。

【００３７】実施例１０は、SIMOX ウェーハの均質化に
本発明を適用した例である。この場合には、Ｓｉウェー
ハ表面から１００nmまではＳｉでその下に１００〜２０
０nmのＳｉＯ₂ 層を形成するのが目的であり、処理過程
で表面に厚い酸化膜層が形成されてしまっては、素子形
成のためのＳｉ層の厚さが減少してしまい、非常に不都
合となる。比較例では、ベル型ケーシング、ゲッタを併
用しつつ通常の積載方法で処理をしたが、５nmの酸化膜
が形成されている。これは加圧埋込と比較して温度が高
いことも起因しているが、更に酸化膜の厚さの低減が必
要で、実施例９のようにダミーウェーハを採用した本発
明による積載方法により酸化膜の増加を極めて薄くする
ことができた。

【００３８】実施例１１と比較例４は、トレンチ構造部
の上にＣＶＤ法により形成したＴＥＯＳ膜を形成してこ
れをＳｉＯ２に変化させつつ、トレンチを埋める方法
に、本発明を適用、比較したものである。一枚ずつを積
載した通常の方法で処理した比較例４の場合、やはり処
理温度が高いこともあり、すでに形成されたＳｉＯ２層
の下部のＳｌとの境界部分Ｓｉが酸化されて結果として
この部分の酸化膜が増加するという現象が観察されたの
に対し、本発明による実施例１１では酸化膜の量は２ｎ
ｍで大幅な低減が可能であることが確認された。

【００３９】

【発明の効果】今後、ますます微細化と多層化が進むＵ
ＬＳＩ半導体の製造において、既存の半導体製造技術が
限界に来ていることから、高圧ガスによる処理など新し
い技術の適用を必要とするようになってきている。高圧
ガスを利用する技術は、ＨＩＰなど、粉末冶金やセラミ
ックス製造で普及しつつあるが、半導体ウェーハのよう
に薄い円板状の被処理基板をコンタミ（粉塵）の影響を
回避しつつ処理するには、高真空度の真空搬送装置など
大掛かりな装置が必要と考えられていたが、本発明によ
り、バッチ処理で比較的簡便に、不純物としての酸素に
よるＳｉ基板上の酸化膜の発生を回避できるようになっ
た。今後、コスト低減が、もう一つの大きな課題とされ
ているＵＬＳＩ製造分野で大きなコストの上昇なく高品
質化を実現する技術として、本発明の寄与するところは
極めて大きいものと期待される。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明方法に使用する高温高圧ガス炉の立断面
図である。

【図２】図１の要部立断面図である。

【図３】処理時の現象説明図である。

【符号の説明】 １ 高圧円筒 ２ 上蓋 ３ 下蓋 ４ 処理室 １０ 支持冶具 １１ ケーシング １２ 被処理基板

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/31 Ｈ０１Ｌ 21/31 Ｅ 21/68 21/68 Ｎ (72)発明者 石井 孝彦 大阪府大阪市中央区備後町４丁目１番３号 株式会社株式会社神戸製鋼所大阪支社内 (72)発明者 成川 裕 兵庫県高砂市荒井町新浜２丁目３番１号 株式会社神戸製鋼所高砂製作所内 (72)発明者 門口 誠 兵庫県高砂市荒井町新浜２丁目３番１号 株式会社神戸製鋼所高砂製作所内

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体ウェーハ等の被処理基板を縦形の
   高温高圧ガス炉内の処理室に収納して高温高圧ガスのガ
   ス雰囲気下にさらして処理する方法において、前記被処
   理基板の板面を重ね合わせた状態で前記処理室に収納保
   持して処理することを特徴とする被処理基板のガス処理
   方法。
2. 【請求項２】 前記被処理基板は成膜面を有し、該成膜
   面に酸化抑制用もしくは基板相互の付着防止用の保護被
   膜を形成してから処理を行うことを特徴とする請求項１
   に記載の被処理基板のガス処理方法。
3. 【請求項３】 前記被処理基板の板面を重ね合わせる枚
   数は、５枚以下を一組としていることを特徴とする請求
   項１または２に記載の被処理基板のガス処理方法。
4. 【請求項４】 前記被処理基板の板面を重ね合わせて組
   とした被処理基板群を、処理室の炉高さ方向で所定の間
   隔をおいて積み上げた状態で処理することを特徴とする
   請求項１〜３のいずれかに記載の被処理基板のガス処理
   方法。
5. 【請求項５】 前記被処理基板の板面を重ね合わせ面は
   当該基板の成膜面を互いに向かい合わせた状態で重ね合
   わせていることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに
   記載の被処理基板のガス処理方法。
6. 【請求項６】 成膜材料と反応しない材料のダミー被処
   理基板を、被処理基板の成膜面に重ね合わせていること
   を特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の被処理基
   板のガス処理方法。
7. 【請求項７】 炉内の処理室に出入自在な支持治具に、
   被処理基板またはその基板群を水平面上に横置した状態
   で炉高さ方向に積み上げて保持していることを特徴とす
   る請求項１〜６のいずれかに記載の被処理基板のガス処
   理方法。
8. 【請求項８】 被処理基板またはその基板群を保持して
   いる支持治具を、気密材料からなる逆コップ形状のケー
   シングで取囲んだ状態で高温高圧ガス雰囲気下で処理す
   ることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の被
   処理基板のガス処理方法。
9. 【請求項９】 支持治具及びケーシングを石英又はステ
   ンレス鋼で構成していることを特徴とする請求項８に記
   載の被処理基板のガス処理方法。
10. 【請求項１０】 ケーシング内部の高温部分に酸素ゲッ
    タ材を配置して処理することを特徴とする請求項８又は
    ９に記載の被処理基板のガス処理方法。
11. 【請求項１１】 ステンレス鋼で構成した支持治具の被
    処理基板の保持部に、ＴｉＮ、ＴａＮなどのセラミック
    系被膜が形成されていることを特徴とする請求項７〜９
    のいずれかに記載の被処理基板のガス処理方法。