JP2649611B2 - 半導体基板の熱処理方法 - Google Patents
半導体基板の熱処理方法Info
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- JP2649611B2 JP2649611B2 JP2410812A JP41081290A JP2649611B2 JP 2649611 B2 JP2649611 B2 JP 2649611B2 JP 2410812 A JP2410812 A JP 2410812A JP 41081290 A JP41081290 A JP 41081290A JP 2649611 B2 JP2649611 B2 JP 2649611B2
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- substrate
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体基板に対して
酸化、拡散、アニール、化学気相成長（ＣＶＤ）等の加
熱処理を行う半導体基板の熱処理方法に関する。
酸化、拡散、アニール、化学気相成長（ＣＶＤ）等の加
熱処理を行う半導体基板の熱処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体基板の一層の高品質化、高
度化が要求されるようになり、ある程度やむなしと考え
られていた熱処理工程での自然酸化膜の成長を、極力抑
制することが必要になってきた。そこで従来では自然酸
化膜の抑制を意図して、半導体基板を熱処理炉内へ挿入
する際に、大気を窒素ガスで置換することにより、大気
の巻込みを防止していた。例えば図７〜図９はそれぞれ
従来例を示す。
度化が要求されるようになり、ある程度やむなしと考え
られていた熱処理工程での自然酸化膜の成長を、極力抑
制することが必要になってきた。そこで従来では自然酸
化膜の抑制を意図して、半導体基板を熱処理炉内へ挿入
する際に、大気を窒素ガスで置換することにより、大気
の巻込みを防止していた。例えば図７〜図９はそれぞれ
従来例を示す。
【０００３】図７で示すもの（以下従来例１という）
は、ロードロック室１０１Ａ内の大気を真空ポンプ（図
示せず）で排出した後、窒素ガスＮ2を導入して大気圧
まで戻し、次いでウエハボート１１８ａ内に収容した半
導体基板Ｗを熱処理炉１０１内のプロセスチューブ１０
２内へ挿入し、その後ヒータユニット１０３で加熱し
て、所要の熱処理をなすように構成されている。
は、ロードロック室１０１Ａ内の大気を真空ポンプ（図
示せず）で排出した後、窒素ガスＮ2を導入して大気圧
まで戻し、次いでウエハボート１１８ａ内に収容した半
導体基板Ｗを熱処理炉１０１内のプロセスチューブ１０
２内へ挿入し、その後ヒータユニット１０３で加熱し
て、所要の熱処理をなすように構成されている。
【０００４】図８で示すもの（以下従来例２という）
は、窒素パージボックス１０１Ｂ内の大気を大量の窒素
ガスＮ2で置換し、次いでウエハボート１１８ａ内に収
容した半導体基板Ｗをプロセスチューブ１０２内へ挿入
し、その後ヒータユニット１０３で加熱して、所要の熱
処理をなすように構成されている。
は、窒素パージボックス１０１Ｂ内の大気を大量の窒素
ガスＮ2で置換し、次いでウエハボート１１８ａ内に収
容した半導体基板Ｗをプロセスチューブ１０２内へ挿入
し、その後ヒータユニット１０３で加熱して、所要の熱
処理をなすように構成されている。
【０００５】図９で示すもの（以下従来例３という）
は、基板Ｗをウエハボート１１８ａに収容し（同図
（Ａ））、次いで内側プロセスチューブ１０２ａをウエ
ハボート１１８ａにかぶせつけて密閉し、その内側プロ
セスチューブ１０２ａ内の大気を窒素ガスＮ2で置換し
（同図（Ｂ））、それを熱処理炉内の外側プロセスチュ
ーブ１０２ｂ内へ挿入し（同図（Ｃ））、その後ヒータ
ユニット１０３で加熱して、所要の熱処理をなすように
構成されている。
は、基板Ｗをウエハボート１１８ａに収容し（同図
（Ａ））、次いで内側プロセスチューブ１０２ａをウエ
ハボート１１８ａにかぶせつけて密閉し、その内側プロ
セスチューブ１０２ａ内の大気を窒素ガスＮ2で置換し
（同図（Ｂ））、それを熱処理炉内の外側プロセスチュ
ーブ１０２ｂ内へ挿入し（同図（Ｃ））、その後ヒータ
ユニット１０３で加熱して、所要の熱処理をなすように
構成されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記従来１〜従来３
は、いずれも半導体基板Ｗ（以下単に基板と称する）を
熱処理炉内へ挿入する際に、大気を窒素ガスＮ2で置換
することにより、大気の巻込みを防止していたが、自然
酸化膜の成長を十分に抑制するものではなかった。それ
は次のような理由によるものと考えられる。即ち、基板
は熱処理の前のいずれかの工程で水による洗浄処理を行
うのが一般的であり、程度の差こそあれ基板の表面に水
分が付着しているため、それが熱処理工程で加熱され、
温度上昇につれて基板の表面に酸化膜が形成されるので
ある。
は、いずれも半導体基板Ｗ（以下単に基板と称する）を
熱処理炉内へ挿入する際に、大気を窒素ガスＮ2で置換
することにより、大気の巻込みを防止していたが、自然
酸化膜の成長を十分に抑制するものではなかった。それ
は次のような理由によるものと考えられる。即ち、基板
は熱処理の前のいずれかの工程で水による洗浄処理を行
うのが一般的であり、程度の差こそあれ基板の表面に水
分が付着しているため、それが熱処理工程で加熱され、
温度上昇につれて基板の表面に酸化膜が形成されるので
ある。
【０００７】即ち従来例１では、基板に付着した水分は
真空引きしても容易には除去できず、窒素ガスパージし
た大気圧下で水分は加熱時に基板から離脱するものの、
その水分は基板相互の間隙に残存するのである。もとよ
り大量の窒素ガスを使用し十分時間をかけてパージし、
加熱すればかかる水分を排除できるが、それでは熱処理
に長時間を要し、生産性が低下する。また、従来例２及
び従来例３でも大同小異である。
真空引きしても容易には除去できず、窒素ガスパージし
た大気圧下で水分は加熱時に基板から離脱するものの、
その水分は基板相互の間隙に残存するのである。もとよ
り大量の窒素ガスを使用し十分時間をかけてパージし、
加熱すればかかる水分を排除できるが、それでは熱処理
に長時間を要し、生産性が低下する。また、従来例２及
び従来例３でも大同小異である。
【０００８】ちなみに、図１０は横軸に熱処理温度
（℃）を、縦軸に酸化膜厚み（Å）をとり、２０分間の
窒素ガスパージにより上記事実を実験で確認した結果を
示すグラフであり、実線は基板を垂直方向に４．７５ｍ
ｍピッチで積層配置した場合を、一点鎖線は５０ｍｍピ
ッチで積層配置した場合を示す。この結果はパージ処理
温度が５００〜６５０℃で、基板の間隔を広げて処理枚
数を減らせばある程度効果があるが、短時間の窒素ガス
パージでは効果がなく実用的でないことを意味する。
本発明はこのような事情を考慮してなされたもので、短
時間で自然酸化膜の成長を十分に抑制し得る実用的な熱
処理方法を提供し、基板の品質を一段と向上させること
を技術課題とする。
（℃）を、縦軸に酸化膜厚み（Å）をとり、２０分間の
窒素ガスパージにより上記事実を実験で確認した結果を
示すグラフであり、実線は基板を垂直方向に４．７５ｍ
ｍピッチで積層配置した場合を、一点鎖線は５０ｍｍピ
ッチで積層配置した場合を示す。この結果はパージ処理
温度が５００〜６５０℃で、基板の間隔を広げて処理枚
数を減らせばある程度効果があるが、短時間の窒素ガス
パージでは効果がなく実用的でないことを意味する。
本発明はこのような事情を考慮してなされたもので、短
時間で自然酸化膜の成長を十分に抑制し得る実用的な熱
処理方法を提供し、基板の品質を一段と向上させること
を技術課題とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するものとして以下のように構成される。すなわち、本
発明は、半導体基板を熱処理炉内へ搬入し、前記熱処理
炉を加熱して半導体基板を５００℃〜６５０℃で予備加
熱しつつ前記熱処理炉内を減圧し、予備加熱を行った前
記熱処理炉内で半導体基板を昇温し、前記熱処理炉内で
半導体基板を所要の温度で加熱し、前記熱処理炉を強制
冷却して半導体基板を降温するものである。つまり、熱
処理炉を加熱して半導体基板を５００℃〜６５０℃で予
備加熱しつつ熱処理炉内を減圧する点、及び同じ熱処理
炉内で半導体基板の予備加熱と半導体基板の昇温と本来
の加熱処理とを行う点、が要点である。
するものとして以下のように構成される。すなわち、本
発明は、半導体基板を熱処理炉内へ搬入し、前記熱処理
炉を加熱して半導体基板を５００℃〜６５０℃で予備加
熱しつつ前記熱処理炉内を減圧し、予備加熱を行った前
記熱処理炉内で半導体基板を昇温し、前記熱処理炉内で
半導体基板を所要の温度で加熱し、前記熱処理炉を強制
冷却して半導体基板を降温するものである。つまり、熱
処理炉を加熱して半導体基板を５００℃〜６５０℃で予
備加熱しつつ熱処理炉内を減圧する点、及び同じ熱処理
炉内で半導体基板の予備加熱と半導体基板の昇温と本来
の加熱処理とを行う点、が要点である。
【００１０】
【作用】本発明では、まず半導体基板を熱処理炉内へ搬
入し、半導体基板を５００℃〜６５０℃で予備加熱しつ
つ熱処理炉内を減圧する。これにより、半導体基板の表
面に付着した水分が迅速に除去される。次に、予備加熱
を行った熱処理炉と同一の熱処理炉内で半導体基板を昇
温し、さらに半導体基板を所要の温度で加熱処理し、熱
処理炉を強制冷却して半導体基板を降温する。
入し、半導体基板を５００℃〜６５０℃で予備加熱しつ
つ熱処理炉内を減圧する。これにより、半導体基板の表
面に付着した水分が迅速に除去される。次に、予備加熱
を行った熱処理炉と同一の熱処理炉内で半導体基板を昇
温し、さらに半導体基板を所要の温度で加熱処理し、熱
処理炉を強制冷却して半導体基板を降温する。
【００１１】
【実 施 例】以下図面に基づいて本発明の実施例を詳
述する。図１は本発明に係る熱処理方法を適用した熱処
理シーケンスを示すグラフ、図２は図１中のII部に関す
る温度特性図、図３は本発明の熱処理方法を実施するの
に適した熱処理炉の縦断面図、図４はその熱処理炉の制
御手段の構成図である。先ず熱処理炉について説明す
る。
述する。図１は本発明に係る熱処理方法を適用した熱処
理シーケンスを示すグラフ、図２は図１中のII部に関す
る温度特性図、図３は本発明の熱処理方法を実施するの
に適した熱処理炉の縦断面図、図４はその熱処理炉の制
御手段の構成図である。先ず熱処理炉について説明す
る。
【００１２】この熱処理炉１はプロセスチューブ２と、
プロセスチューブ２を囲うように設けられた筒状発熱体
３と、プロセスチューブ２及び筒状発熱体３を内部に収
容する断熱構造体５と、プロセスチューブ２内を真空引
きする減圧手段２１と、プロセスチューブ２の外側をそ
の軸心方向に沿って冷却気体Ａを流通させる強制冷却手
段（図４符号２３）と、強制冷却手段２３に付設され冷
却空気Ａの流通方向を切り換える流通方向切換手段（同
図符号２４）と、炉内長手方向の昇降温度を均熱制御す
るとともに、減圧手段２１を駆動制御する制御手段（同
図符号２５）とを具備して成る速熱・速冷式熱処理装置
である。
プロセスチューブ２を囲うように設けられた筒状発熱体
３と、プロセスチューブ２及び筒状発熱体３を内部に収
容する断熱構造体５と、プロセスチューブ２内を真空引
きする減圧手段２１と、プロセスチューブ２の外側をそ
の軸心方向に沿って冷却気体Ａを流通させる強制冷却手
段（図４符号２３）と、強制冷却手段２３に付設され冷
却空気Ａの流通方向を切り換える流通方向切換手段（同
図符号２４）と、炉内長手方向の昇降温度を均熱制御す
るとともに、減圧手段２１を駆動制御する制御手段（同
図符号２５）とを具備して成る速熱・速冷式熱処理装置
である。
【００１３】プロセスチューブ２は、筒状発熱体３内に
遊嵌状に挿通して吸排気箱２０ａ・２０ｂで固定され、
その下端部がＯリング１４ａを介して排気フランジ１５
に接続されており、Ｏリング１４ｂを介してボート支持
台１７で密閉するように構成されている。なお図３中の
符号１８ａは基板Ｗを収容したウエハボート、１８ｂは
ボート受け台、１９は熱処理炉全体を支持する支持フレ
ームである。筒状発熱体３は、例えば電熱材料から成る
多孔板を円筒形に形成したもので、その長手方向に沿っ
て中央ゾーン３Ｂと、両端部ゾーン３Ａ・３Ｃとに区画
され、それぞれのゾーンを独立して発熱制御し得るよう
に環状の電極４ａ〜４ｄが付設されている。断熱構造体
５は、石英ガラス製の内筒６と、セラミックス材料製の
筒体の内面に金の蒸着膜７を被着した筒状熱線反射ミラ
ー８と、断熱材料で形成された外筒９とから成り、内筒
６と筒状熱線反射ミラー８との間に気体断熱層１０を形
成し、上下一組みの支持フランジ１２ａ・１２ｂで支持
されている。一組みの支持フランジ１２ａ・１２ｂには
それぞれ前記吸排気用箱２０ａ・２０ｂが付設され、吸
排気箱２０ａ・２０ｂは図４で示すように流通方向切換
手段２４及び強制排気手段２３に連通連結されている。
減圧手段２１は真空ポンプ２１ａとエア式開閉弁２１ｂ
とから成り、制御手段２５でプロセスチューブ２内を減
圧するように構成されている。なお、符号２２は圧力計
である。
遊嵌状に挿通して吸排気箱２０ａ・２０ｂで固定され、
その下端部がＯリング１４ａを介して排気フランジ１５
に接続されており、Ｏリング１４ｂを介してボート支持
台１７で密閉するように構成されている。なお図３中の
符号１８ａは基板Ｗを収容したウエハボート、１８ｂは
ボート受け台、１９は熱処理炉全体を支持する支持フレ
ームである。筒状発熱体３は、例えば電熱材料から成る
多孔板を円筒形に形成したもので、その長手方向に沿っ
て中央ゾーン３Ｂと、両端部ゾーン３Ａ・３Ｃとに区画
され、それぞれのゾーンを独立して発熱制御し得るよう
に環状の電極４ａ〜４ｄが付設されている。断熱構造体
５は、石英ガラス製の内筒６と、セラミックス材料製の
筒体の内面に金の蒸着膜７を被着した筒状熱線反射ミラ
ー８と、断熱材料で形成された外筒９とから成り、内筒
６と筒状熱線反射ミラー８との間に気体断熱層１０を形
成し、上下一組みの支持フランジ１２ａ・１２ｂで支持
されている。一組みの支持フランジ１２ａ・１２ｂには
それぞれ前記吸排気用箱２０ａ・２０ｂが付設され、吸
排気箱２０ａ・２０ｂは図４で示すように流通方向切換
手段２４及び強制排気手段２３に連通連結されている。
減圧手段２１は真空ポンプ２１ａとエア式開閉弁２１ｂ
とから成り、制御手段２５でプロセスチューブ２内を減
圧するように構成されている。なお、符号２２は圧力計
である。
【００１４】制御手段２５は図４で示すように、炉内長
手方向に配置した複数の温度センサー２６ａ〜２６ｃ
と、流通方向切換手段２４及び筒状発熱体３の３つの区
画された部分３Ａ〜３Ｂへの給電を切換制御する切換回
路２７と、減圧手段２１を駆動制御するとともに温度セ
ンサー２６ａ〜２６ｃからの検温信号Ｔ L に基づいて切
換制御器２７を駆動制御する制御回路２８とを具備して
成り、図１で示す熱処理シーケンスに基づいて減圧手段
２１を制御するとともに、炉内長手方向の昇降温度を均
一に制御するように構成されている。
手方向に配置した複数の温度センサー２６ａ〜２６ｃ
と、流通方向切換手段２４及び筒状発熱体３の３つの区
画された部分３Ａ〜３Ｂへの給電を切換制御する切換回
路２７と、減圧手段２１を駆動制御するとともに温度セ
ンサー２６ａ〜２６ｃからの検温信号Ｔ L に基づいて切
換制御器２７を駆動制御する制御回路２８とを具備して
成り、図１で示す熱処理シーケンスに基づいて減圧手段
２１を制御するとともに、炉内長手方向の昇降温度を均
一に制御するように構成されている。
【００１５】以下図１〜図２に基づいて本発明の特徴を
なす熱処理シーケンスについて説明する。ステップＳ1
では、熱処理炉１内の温度を約５００℃に設定した状態
で、プロセスチューブ２の窒素ガス入り口２ａより窒素
ガスＮ2を流入させながら、基板Ｗを搭載したウエハボ
ート１８ａを熱処理炉１のプロセスチューブ２内に高速
(５００mm/min程度)で装填し（図５）、プロセスチュー
ブ２をボート支持台１７で密閉する。この時の窒素ガス
パージは２０リットル／minとする。ステップＳ2では、
予備加熱工程として基板Ｗを設定温度５００℃に昇温し
ながらプロセスチューブ２内を減圧手段２１で減圧パー
ジする。これにより基板Ｗの表面に付着した水分を離脱
させる。このときプロセスチューブ２内は１０-3Torr以
下まで真空引きされる。ここで図２は図１中のII部に関
する温度特性図であり、この場合高速で挿入された基板
Ｗの温度は、同図で示すようにかなり時間遅れがある。
即ち、ハッチング部分の上臨界線ｔ1はウエハボード１
８ａ内の上部基板の温度を示し、下臨界線ｔ2は下部基
板の温度を示す。つまり、基板Ｗが徐々に加熱される過
程を利用して水分の離脱を促進するのである。このよう
に予備加熱の設定温度を５００℃にした場合には、本予
備加熱工程（ステップＳ2）は約４０分を要するが、６
５０℃を限度として適宜設定温度をさらに高温（６００
〜６５０℃）に設定して減圧パージすることにより、こ
の予備加熱工程を短縮することは可能である。また、基
板Ｗ上の水分の離脱だけに注目すれば、予備過熱工程を
１５分に短縮しても自然酸化膜の成長は十分抑制できる
ため、予備過熱工程を１５分間とし次の昇温工程（ステ
ップＳ3）に直ちに移行しても実用上は問題を生じな
い。なお、予備過熱工程の設定温度が６５０℃を超える
と基板の面内の温度差のため、そりやスリップ等が発生
し、最悪の場合基板が破損する。さらに７００℃以上で
昇温減圧パージをするとシリコン基板の表面が荒れてデ
バイス特性が劣化するおそれがあり好ましくない。ステ
ップＳ3では、設定温度を１０００℃にして基板Ｗを昇
温し、次いでステップＳ4では基板Ｗを１０００℃で３
０分間アニール処理し、ステップＳ5では強制冷却によ
り基板Ｗを基板導入時の炉内温度まで降温する。そして
ステップＳ6では、窒素ガスＮ2でプロセスチューブ２内
をパージしながら、基板Ｗを搭載したウエハボード１８
ａを取り出す。
なす熱処理シーケンスについて説明する。ステップＳ1
では、熱処理炉１内の温度を約５００℃に設定した状態
で、プロセスチューブ２の窒素ガス入り口２ａより窒素
ガスＮ2を流入させながら、基板Ｗを搭載したウエハボ
ート１８ａを熱処理炉１のプロセスチューブ２内に高速
(５００mm/min程度)で装填し（図５）、プロセスチュー
ブ２をボート支持台１７で密閉する。この時の窒素ガス
パージは２０リットル／minとする。ステップＳ2では、
予備加熱工程として基板Ｗを設定温度５００℃に昇温し
ながらプロセスチューブ２内を減圧手段２１で減圧パー
ジする。これにより基板Ｗの表面に付着した水分を離脱
させる。このときプロセスチューブ２内は１０-3Torr以
下まで真空引きされる。ここで図２は図１中のII部に関
する温度特性図であり、この場合高速で挿入された基板
Ｗの温度は、同図で示すようにかなり時間遅れがある。
即ち、ハッチング部分の上臨界線ｔ1はウエハボード１
８ａ内の上部基板の温度を示し、下臨界線ｔ2は下部基
板の温度を示す。つまり、基板Ｗが徐々に加熱される過
程を利用して水分の離脱を促進するのである。このよう
に予備加熱の設定温度を５００℃にした場合には、本予
備加熱工程（ステップＳ2）は約４０分を要するが、６
５０℃を限度として適宜設定温度をさらに高温（６００
〜６５０℃）に設定して減圧パージすることにより、こ
の予備加熱工程を短縮することは可能である。また、基
板Ｗ上の水分の離脱だけに注目すれば、予備過熱工程を
１５分に短縮しても自然酸化膜の成長は十分抑制できる
ため、予備過熱工程を１５分間とし次の昇温工程（ステ
ップＳ3）に直ちに移行しても実用上は問題を生じな
い。なお、予備過熱工程の設定温度が６５０℃を超える
と基板の面内の温度差のため、そりやスリップ等が発生
し、最悪の場合基板が破損する。さらに７００℃以上で
昇温減圧パージをするとシリコン基板の表面が荒れてデ
バイス特性が劣化するおそれがあり好ましくない。ステ
ップＳ3では、設定温度を１０００℃にして基板Ｗを昇
温し、次いでステップＳ4では基板Ｗを１０００℃で３
０分間アニール処理し、ステップＳ5では強制冷却によ
り基板Ｗを基板導入時の炉内温度まで降温する。そして
ステップＳ6では、窒素ガスＮ2でプロセスチューブ２内
をパージしながら、基板Ｗを搭載したウエハボード１８
ａを取り出す。
【００１６】ちなみに、図６は昇温減圧パージの温度と
基板の表面に形成された酸化膜の膜厚との関係を示すグ
ラフである。このグラフは予備加熱工程（ステップ
Ｓ2）において、５００℃〜６５０℃で昇温減圧パージ
することにより、自然酸化膜の成長を十分に抑制するこ
とができることを示している。
基板の表面に形成された酸化膜の膜厚との関係を示すグ
ラフである。このグラフは予備加熱工程（ステップ
Ｓ2）において、５００℃〜６５０℃で昇温減圧パージ
することにより、自然酸化膜の成長を十分に抑制するこ
とができることを示している。
【００１７】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明で
は加熱処理を行う前に熱処理炉を加熱して５００℃〜６
５０℃で予備加熱しつつ熱処理炉内を減圧するようにし
たので、半導体基板の表面に付着した水分を迅速に離脱
し、半導体基板の表面の自然酸化膜の成長を抑制するこ
とができる。しかも、予備加熱を行った熱処理炉と同じ
熱処理炉内で引き続き半導体基板を昇温し、半導体基板
を所要の温度で加熱処理することから、予備加熱工程か
ら昇温工程・本来の熱処理工程へ円滑に移行し、半導体
基板の生産性を低下させずに一段と基板の品質向上を図
ることができる。
は加熱処理を行う前に熱処理炉を加熱して５００℃〜６
５０℃で予備加熱しつつ熱処理炉内を減圧するようにし
たので、半導体基板の表面に付着した水分を迅速に離脱
し、半導体基板の表面の自然酸化膜の成長を抑制するこ
とができる。しかも、予備加熱を行った熱処理炉と同じ
熱処理炉内で引き続き半導体基板を昇温し、半導体基板
を所要の温度で加熱処理することから、予備加熱工程か
ら昇温工程・本来の熱処理工程へ円滑に移行し、半導体
基板の生産性を低下させずに一段と基板の品質向上を図
ることができる。
【図１】本発明に係る熱処理方法を適用した熱処理シー
ケンスを示すグラフである。
ケンスを示すグラフである。
【図２】図１中のII部に関する温度特性図である。
【図３】本発明の熱処理方法を実施するのに適した熱処
理炉の縦断面図である。
理炉の縦断面図である。
【図４】本発明の熱処理炉の制御手段の構成図である。
【図５】本発明に係るステップＳ1の動作説明図であ
る。
る。
【図６】昇温減圧パージの温度と基板の表面に形成され
た酸化膜の膜厚との関係を示すグラフである。
た酸化膜の膜厚との関係を示すグラフである。
【図７】従来例１に係る熱処理炉の概要図である。
【図８】従来例２に係る熱処理炉の概要図である。
【図９】従来例３に係る熱処理炉の概要図である。
【図１０】従来例に係る図６相当図である。
１… 熱処理炉、 ２…プロセスチューブ（予備加熱
室）、 １８ａ… ウエハボード、 ２１…減圧手段、
Ｗ…半導体基板、 Ｓ2…予備加熱工程、 Ｓ3…昇温
工程、 Ｓ4…熱処理工程、 Ｓ5…降温工程。
室）、 １８ａ… ウエハボード、 ２１…減圧手段、
Ｗ…半導体基板、 Ｓ2…予備加熱工程、 Ｓ3…昇温
工程、 Ｓ4…熱処理工程、 Ｓ5…降温工程。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 岡田 博至 京都市上京区堀川通寺之内上る４丁目天 神北町１番地の１ 大日本スクリーン製 造株式会社内 (56)参考文献 特開 昭63−128623（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−199414（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−166215（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体基板を熱処理炉内へ搬入し、前記
熱処理炉を加熱して半導体基板を５００℃〜６５０℃で
予備加熱しつつ前記熱処理炉内を減圧し、予備加熱を行
った前記熱処理炉内で半導体基板を昇温し、前記熱処理
炉内で半導体基板を所要の温度で加熱し、前記熱処理炉
を強制冷却して半導体基板を降温することを特徴とする
半導体基板の熱処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2410812A JP2649611B2 (ja) | 1990-12-14 | 1990-12-14 | 半導体基板の熱処理方法 |
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| JP2410812A JP2649611B2 (ja) | 1990-12-14 | 1990-12-14 | 半導体基板の熱処理方法 |
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Family Applications (1)
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| JP2410812A Expired - Lifetime JP2649611B2 (ja) | 1990-12-14 | 1990-12-14 | 半導体基板の熱処理方法 |
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- 1990-12-14 JP JP2410812A patent/JP2649611B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| JPH04215423A (ja) | 1992-08-06 |
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