TWI688004B - 毫秒退火系統之預熱方法 - Google Patents

毫秒退火系統之預熱方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI688004B
TWI688004B TW106102886A TW106102886A TWI688004B TW I688004 B TWI688004 B TW I688004B TW 106102886 A TW106102886 A TW 106102886A TW 106102886 A TW106102886 A TW 106102886A TW I688004 B TWI688004 B TW I688004B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
temperature
heat treatment
heating
treatment method
Prior art date
Application number
TW106102886A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201729296A (zh
Inventor
保羅 提門斯
Original Assignee
美商瑪森科技公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 美商瑪森科技公司 filed Critical 美商瑪森科技公司
Publication of TW201729296A publication Critical patent/TW201729296A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI688004B publication Critical patent/TWI688004B/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)
  • Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Abstract

本發明提供用於毫秒退火系統的預熱方法。在一示範性實例中，一熱處理方法可以包括：接收一毫秒退火系統之處理室內晶圓支架上的基板；加熱該基板至一中間溫度；及使用一毫秒加熱閃光來加熱該基板。在加熱該基板至中間溫度之前，該方法可包括加熱該基板至一預烘溫度一段浸泡期間。

Description

毫秒退火系統之預熱方法
本申請案請求2016年2月1日提申之美國專利臨時申請案第62/289,519號”Pre-Heat Processes for Millisecond Anneal System”的優先權權益，其內容在此併入以供參考。
本揭露一般關於熱處理室，及更具體地係關於用於處理基板(如半導體基板)的毫秒退火熱處理室。
毫秒退火系統可以用於半導體處理，進行超快基板熱處理，例如矽晶圓。在半導體處理時，快速熱處理可以使用作為退火步驟以修復板內損害、改良沈積層體的品質、改良界面層的品質以活化摻雜物並取得其他效果，同時，控制該摻雜物物種的擴散。
半導體基板的毫秒(或稱為超快)溫度處理可以由以下來取得：使用密集而短暫的曝光，以超過104℃/秒的速率，加熱整個基板的頂表面。僅在基板一表面上的快速加熱，可以產生一巨大溫度梯度通過該基板的厚度，同時該基板的主體係維持曝光前溫度。因此，該基板的主體係作為散熱體造成頂表面的快速冷卻速率。
本揭露實施例的觀點及優點，將部份地敍述於下文，或可由該敍述來習得，或可經由實施例之實行來取習得。
本揭露的示範觀點係針對一毫秒退火系統的一熱處理方法。該方法包括：接收一毫秒退火系統的一處理室內一晶圓支架上的一基板；加熱該基板至一中間溫度；並使用一毫秒加熱閃光來加熱該基板。在加熱該基板至該中間溫度之前，該方法包括加熱該基板至一預烘溫度一段浸泡期間。
本揭露另一示範觀點係針對用於一基板熱處理的一方法。該方法包括：在一處理室中接收一基板，該處理室具有一晶圓平面板，將該處理室分割成為一頂室及一底室。該方法包括使用被安置在該底室附近的一或更多熱源加熱該基板至一預烘溫度(pre-bake temperature)。在一浸泡期間內，該方法包括維持該基板溫度於約該預烘溫度。在浸泡期間之後，該方法包括加熱該基板以增加該基板溫度至一中間溫度。
本揭露其他示範觀點係針對用於熱處理一半導體基板的系統、方法、裝置及處理。
這些及其他許多實施例的特色、觀點與優點，在參考後文描述及附圖之下，將更佳地讓人明瞭。合併在本文中並解釋為本說明書一部份的附圖，係用來圖解本發明的實施例，其連同本說明書，用來解釋相關的原理。
60:semiconductor substrate 半導體基板
62:Film 膜
64:reactive species 反應物種
80:millisecond anneal system 毫秒退火系統
100:temperature profile 溫度曲線
102:ramp phase 升降溫度率
104:Curve 曲線
110:Window 視窗
112:Curve 曲線
114:Curve 曲線
116:Curve 曲線
150:temperature measurement system 溫度測量系統
152:temperature sensor 溫度感測器
154:temperature sensor 溫度感測器
156:diagnostic flash 診斷閃光
158:reference temperature sensor 參考溫度感測器
160:processor circuit 處理器電路
200:process chamber 處理室 millisecond anneal system 毫秒退火系統 lamp 燈
202:top chamber 頂室
204:bottom chamber 底室
210:wafer plane plate 晶圓平面板
212:support pins 支架針
214:wafer support plate 晶圓支架板
220:arc lamps 弧燈 top arc lamps 頂弧燈 top lamp array 頂燈陣列
222:anode 陽極
225:quartz tube 石英管
226:Plasma 電漿
228:water wall 水壁
229:Argon gas 氬氣 Argon gas column 氬氣柱
230:cathode 陰極
232:tip 尖端
232:Plasma 電漿
234:water cooled copper heat sink 水冷式散熱體
235:brass base 黃銅基底
236:water cooling channels 水冷通道
240:arc lamps 弧燈 continuous mode arc lamps 連續模式弧燈 bottom arc lamps 底弧燈 bottom lamp array 底燈陣列
245:tungsten halogen lamps 鎢鹵素燈
250:process chamber walls 處理室壁
252:upper chamber wall 上室壁
254:lower chamber wall 下室壁
260:water windows 水視窗
262:reflector 反射器
264:edge reflectors 邊緣反射器
270:reflective mirrors 反射鏡 reflector 反射器
272:wedge reflector 楔形反射器
274:reflective element 反射元件
300:closed loop system 封閉環路系統
302:high purity water 高純水 gas free water 無氣水
304:Argon 氬
306:gas/water mixture 氣/水混合物
310:Separator 分離器
320:water driven jet pump 水驅動噴射泵
330:high power electric pump 高功率電泵
340:coalescing filter 凝聚過濾器
350:Argon source 氬源 particle filter 微粒濾器
370:mixed bed ion exchange filters 混合床離子交換樹脂
372:inlet valve 入口閥
380:activated carbon filter bypass loop 活性碳濾器旁環
390:heat exchanger 熱交換器 Ti 中間溫度 TPre-Bake 預烘溫度 t soak 浸泡期間
對於一般熟習本項技藝人士而言係詳細的實施例討論，係參照附圖而敍述於說明書內，其中：第一圖係依照本揭露示範實施例的一示範性毫秒退火加熱曲線的示意圖。
第二圖係依照本揭露示範實施例的一示範性毫秒退火系統範例的部份透視圖。
第三圖係依照本揭露示範實施例的一示範性毫秒退火系統的分解視圖。
第四圖係依照本揭露示範實施例的一示範性毫秒退火系統的橫斷面視圖。
第五圖係利用於一依照本揭露示範實施例的一示範性毫秒退火系統中的燈範例的透視圖。
第六圖係利用於一依照本揭露示範實施例的一示範性毫秒退火系統的一晶圓平面板中的邊緣反射器例子的示意圖。
第七圖係示範性反射器的示意圖，其可以被利用於一依照本揭露示範實施例的一示範性毫秒退火系統。
第八圖係示範弧燈的示意圖，其可以被利用於一依照本揭露示範實施例之示範性毫秒退火系統。
第九~十圖係依照本揭露示範實施例的一弧燈例子的操作示意圖。
第十一圖係依照本揭露示範實施例的一電極例子 的橫斷面視圖。
第十二圖係一封閉環路系統例子的示意圖，其供應水及氣體(如氬氣)至一使用於依照本揭露示範實施例的一示範性毫秒退火系統中的弧燈例子。
第十三圖係一溫度測量系統例子的示意圖，其可用於一依照本揭露示範實施例的一示範性毫秒退火系統。
第十四圖係一依照本揭露示範實施例的具有鎢鹵素燈的示範性毫秒退火系統加熱該半導體基板的示意圖。
第十五圖係一依照本揭露示範實施例的示範性加熱周期的示意圖，其在升溫至一中間溫度以進行毫秒退火閃光之前，於一浸泡期間以預烘來排除氧化物種氣體；及第十六圖係一依照本揭露示範實施例之方法例子的一流程圖。
現在詳細地參照實施例，其一或更多的例子係圖解於圖式中。每一個例子係為了解釋實施例而提供，而非本揭露之限制。事實上，對於一般熟習本項技藝人士而言很明顯的是，在不離開本揭露範圍或精神之下，能夠完成許多實施例的修改及變型。例如，被圖解成或描述成一實施例的一部份特色，能被使到另一實施例，產生另一個實施例。因此，其意在於本發明的觀點涵蓋這類的修改及變型。
概述
本揭露示範性觀點係針對一毫秒退火系統所用的預加熱方法，以降低或限制氧化物在基板及介電膜之間界面上的生長。基於解釋及討論的緣故，本揭露的觀點係參照一”晶圓”或半導體晶圓來討論。利用在本文中所提供的揭示內容，一般熟習本項技藝人士將明瞭的是，本發明的示範性觀點，能夠與任何工件、半導體基板、或其他合適的基板，一起結合使用。結合有數值之字詞”約”的使用，係指所述數值的10%範圍內。
半導體的毫秒(或稱超快)熱處理係能夠如下述來取得：使用密集及短暫曝光(例如”閃光”)以超過104℃/秒的速率加熱晶圓全部頂表面。一典型的熱處理周期能夠包括：(a)將一冷半導體基板裝載至一室中；(b)以(例如)氮氣(大氣壓下)來沖洗該室；(c)加熱該半導體基板至一中間溫度(Ti)；(d)藉由半導體基板頂表面的閃光曝照進行毫秒加熱，同時晶圓主體維持在Ti；(e)以傳導性耦合至作為散熱體的該半導體基板主體，在該半導體基板的該頂表面進行傳導性冷卻來迅速降溫；(f)以大氣壓下的處理氣體作為冷卻劑，藉由熱輻射及對流緩慢地降溫該半導體基板主體；及(g)該半導體基板運回晶舟。
在一加熱處理周期中的處理步驟的準確參數(如期間、溫度設定點及加熱速率等)係預設在一所謂的製程秘訣(process recipe)之中。該秘訣係可編輯的並能由使用者來修改。該秘訣能藉由電子系統控制器在運行時間執行。該控制器 能包括一或更多處理器及一或更多記憶裝置。該記憶裝置能儲存該秘訣作為電腦可讀的指令，當其由該一或更多處理器執行時讓該控制器來完成該秘訣。
該系統能夠具有數個預定的秘訣儲存在一或更多記憶裝置之中。應用或加熱處理的類型可以決定哪一個秘訣被執行。藉由一含有晶舟的FOUP(晶圓傳送盒，Front Opening Unified Pods)，例如二十五個半導體基板，半導體基板能被裝載到系統中。二十五個半導體基板實體，能夠構成一個”批次”，或一”批”半導體基板。典型地，一批係由相同的秘訣來處理。如果在處理批次之間以相同的秘訣進行而沒有中斷，該系統能夠被稱為一連續模式運轉。
執行這類處理周期的處理室，典型地係在大氣壓下以被控制的氣體氛圍來操作。在某些應用中，氧的存在必須避免。針對這個目的，周圍氣體能為純氮。其他的氣體，例如氨、氫、氘或合成氣體、或上述者之混合物也可以使用。其他的應用能夠利用廣大範圍的氣體氛圍，例如氧、臭氧、氮氧化物，如N2O、NO，氧及氫的混合物，及含有鹵素的化合物，如NF3、或HCl。
如果在預處理步驟中，膜層(如介電膜層)已經沈積在該基板上，氧化物能夠在基板熱處理期間於膜的下方生長。氧化劑可以是該膜本身內的殘留的氧。該氧化物通常能夠是一氧化矽，其形成於該半導體晶圓之矽或矽-鍺表面的該界 面上。這個氧化物能夠造成裝置電參數的衰化。
例如，沈積的膜可能是具有非常高介電常數的材料膜。這些”高K”膜的介電常數係大於二氧化矽者。高K膜通常被利用來形成一電晶體的閘極介電質，或利用於電容中的介電質。在這些應用中，其對於最大化或增加每單位面積的電容係有用的。然而，如果氧化物在高K膜及半導體基板之間生長，則其傾向於降低每單位面積的電容。
氧化速率係隨著氧化物種濃度及溫度而增加。該高K膜通常係藉由原子層沈積(ALD)或金屬有機化學沈積(MOCVD)而被沈積，結果，它們可能包括來自沈積處理的殘餘不純物，例如使用於沈積方法中的化學先質。例如H2O、OH、氯或碳之類的物種可能殘留在膜中。某些這類物種可能增加不合需要的基板氧化，或可能降級電特性。
從膜上快速移除該殘留氧的一個途徑，係能使用一低壓氫氛圍。該氫能夠與該氧物種進行化學反應，或還原任何已形成的氧化物。
本揭露的示範觀點，係針對使用一預熱方法來熱處理半導體基板，該方法降低或限制該半導體晶圓及該介電膜之間一界面上的一氧化物生長。在某些實施例中，該半導體基板在正常毫秒退火加熱周期被執行之前可以被加熱到一高於室溫的預烘溫度。
例如，在一示範實施例中，一加熱處理方法可包 括：接收一毫秒退火系統一處理室內一晶圓支架上的一基板；加熱該基板至一中間溫度；及使用一毫秒加熱閃光來加熱該基板。在加熱該基板至該中間溫度之前，該方法包括加熱該基板至一預烘溫度一段浸泡期間。
在某些實施例中，該預烘溫度係經選擇以降低與該基板有關的氧化反應速率。在某些實施例中，該預烘溫度係經選擇以防止與該基板有關的層間生長。例如在某些實施例中，該預烘溫度係在約200℃~約500℃範圍內。在某些實施例中，該浸泡期間係在約0.5秒及約10分鐘之間，例如小於約100秒，如少於30秒。
在某些實施例中，該方法能包括允許一周圍氣體進入該處理室。在某些實施例中，該周圍氣體能包括氮、氬或氦。在某些實施例中，該周圍氣體能夠是在大氣壓之下。在某些實施例中，該周圍氣體能夠是在約1托以下的壓力。在某些實施例中，該周圍氣體能包括氫、氘、氨或聯胺物種之一或更多。在某些實施例中，該方法包括引介一電漿來產生化學還原物種。在某些實施例中，一UV光源能使用以產生被激發的物種及自由基。
本發明另一示範觀點，係針對熱處理一基板的方法。該方法包括：在一具有一晶圓平面板將該處理室分割成為一頂室及一底室的處理室中接收一基板。該方法包括使用被安置在該底室附近的一或更多熱源加熱該基板至一預烘溫度。在 一浸泡期間，該方法包括維持該基板溫度於約該預烘溫度。在浸泡期間之後，該方法能包括加熱該基板以增加該基板溫度至一中間溫度。在某些實施例中，該預烘溫度係在約200℃~約500℃範圍內。在某些實施例中，該浸泡期間係在約0.5秒及約10分鐘之間。
在某些實施例中，該方法能包括於該浸泡期間或之前允許周圍氣體進入該處理室。該周圍氣體能包括氫、氘、氨或聯胺物種之一或更多。在某些實施例中，該方法能包括引介一電漿至該處理室以在浸泡期間或之前產生化學還原物種。在某些實施例中，UV光能被使用來產生激發的物種及自由基。
在某些實施例中，在浸泡期間之後，該方法能包括加熱該基板以增加該基板溫度至一中間溫度。在加熱該基板到達中間溫度之後，該方法能包括使用一毫秒加熱閃光來加熱該基板。
示範性毫秒退火系統
一示範性毫秒退火系統係能夠經組態以提供一密集而短暫的曝光，而能夠以超過(例如)約104℃/S的速率加熱一晶圓的頂表面。第一圖係使用一毫秒退火系統來取得一半導體基板的一示範性溫度曲線100的示意圖。如第一圖所示，該半導體基板(例如一矽晶圓)的主體，係在一升降溫度率102期間被加熱到一中間溫度Ti。該中間溫度係能夠在約450℃~約900℃ 範圍之內。當到達中間溫度Ti時，該半導體基板的頂側可以曝照一非常短而密集的閃光，其形成高達約104℃/s的加熱速率。視窗110圖解該半導體基板在短而密集閃光期間的溫度曲線。曲線112代表半導體基板頂表面在閃光曝照期間的快速加熱。曲線116圖解在閃光曝照期間，該半導體基板剩餘部分或主體的溫度。曲線114代表快速冷卻，係藉由半導體的主體作為散熱體，在半導體基板頂表面的傳導性冷卻。該半導體的主體作為一散熱體，針對該基板產生一高頂側邊冷卻速率。曲線104代表半導體基板主體的緩慢冷卻，係藉由熱輻射及對流使用一處理氣體作為冷卻劑來進行。依照本揭露示範觀點，在加熱該基板至該中間溫度之前，一熱處理係能包括加熱該半導體基板至一預烘溫度一段浸泡期間(見第十五圖)。
一示範性的毫秒退火系統能夠包括複數個弧燈(例如四個氬弧燈)作為光源，可供半導體基板頂表面的密集性毫秒長曝照-所謂的”閃光”。當該基板已經被加熱到中間溫度時(例如約450℃~約900℃)，該閃光能夠被施加到該半導體基板。複數個個連續模式弧燈(例如兩個氬弧燈)或其他燈(如鎢燈)，可以用來加熱該半導體基板至該預烘溫度及/或中間溫度。在某些實施例中，該半導體基板加熱到預烘溫度及/或中間溫度，係透過該半導體基板底表面以加熱全部晶圓整體的一升降溫度率來完成。
第二~五圖係依照本揭露示範性實施例之數種毫 秒退火系統80觀點例子的示意圖。如第二~四圖所示，一毫秒退火系統80可包括一處理室200。該處理室200能由一晶圓平面板210分隔成一頂室202及一底室204。一半導體基板60(例如矽晶圓)，能夠由固設在晶圓支架板214(例如插入晶圓平面板210的石英玻璃板)上的支架針212(例如石英支架針)支撐。
如第二及四圖所示，該毫秒退火系統80能包括複數個弧燈220(例如四個氬弧燈)，其被排列在頂室202附近，作為光源，用於密集性毫秒長之該半導體基板60的頂表面曝照(所謂”閃光”)。當該基板已經被加熱到中間溫度時(例如約450℃~約900℃)，該閃光能夠被施加到該半導體基板。
複數個連續模式弧燈240(例如兩個氬弧燈)係安置在底室204附近，可以用來加熱該半導體基板60至預烘溫度及/或中間溫度。在某些實施例中，該半導體基板60加熱到該預烘溫度及/或中間溫度，係從底室204透過該半導體基板底表面以加熱該半導體基板60全部整體的升降溫度率完成。
如第三圖所示，來自底弧燈240(例如，用於加熱半導體基板至中間溫度)及來自頂弧燈220(例如，藉由閃光用於提供毫秒加熱)之用於加熱半導體基板60的光可以經由水視窗260(如水冷卻石英玻璃窗)進入該處理室200。在某些實施例中，該水視窗260能包括兩個石英玻璃板的夾層，其間一個約4mm厚的水層係循環以冷卻該石英板並提供針對波長(例如，約1400nm以上)的一光學過濾。
進一步如第三圖所示，處理室壁250能包括反射鏡270反射加熱光。該反射鏡270可以是(例如)水冷卻的、抛光的鋁板。在某些實施例中，使用於毫秒退火系統中的該弧燈主體，能包括針對燈輻射的反射器。例如第五圖圖示一頂燈陣列220及一底燈陣列240的立體透視圖，其皆能夠使用於毫秒退火系統200。如圖所示，每一燈陣列220及240的主體，能包括一反射器262反射該加熱光。這些反射器262能夠形該成毫秒退火系統80之處理室200的反射表面的一部份。
該半導體基板的溫度均勻性可以藉由操縱在不同半導體基板區域內所落下的光密度來控制。在某些實施例中，均勻性調諧係能夠藉由以下來完成：將小尺寸反射等級的反射器更換成主要反射器，及/或使用被固設在晶圓周圍之晶圓支架平面上的邊緣反射器。
例如，邊緣反射器能夠用來使光從底燈240轉向到該半導體基板60的邊緣。例如，第六圖圖示邊緣反射器264的例子，其形成一部份的晶圓平面板210，可以用來使光從該底燈240轉向到該半導體基板60的邊緣。該邊緣反射器264能夠安裝在該晶圓平面板210上，及可包圍或至少部份地包圍該半導體基板60。
在某些實施例中，額外的反射器也能夠被安裝在靠近晶圓平面板210的室壁上。例如，第七圖圖示反射器的例子，其能夠被安裝在處理室壁上作為針對加熱光的反射鏡。更 具體地，第七圖顯示一被安裝在下室壁254的一楔形反射器272例子。第七圖也圖示，一被安裝在一上室壁252之反射器270上的一反射元件274。半導體基板60的處理均勻性可以藉由以下加以調諧：改變該處理室200內的該楔形反射器272、及/或其他反射元件(如反射元件274)的反射傾斜坡度。
第八~十一圖圖解上弧燈220的觀點例子，其能夠作為光源，用於密集性毫秒長曝照該半導體基板60的該頂表面(如”閃光”)。例如，第八圖係一示範性弧燈220的橫斷面視圖。該弧燈220能夠(例如)是一個開放流動式(open flow)弧燈，其中在一弧光放電期間該加壓的氬氣(或其他合適氣體)被轉變成為一高壓力電漿。弧光放電的發生係在一石英管225內，介於一負電性陽極222與互相隔開之一正電性陰極230之間(例如相隔約300mm)。一旦該正電性陰極230及該負電性陽極222之間的電壓到達氬的一崩潰電壓(例如約30kV)或其他氣體者，一穩定而低傳導性的電漿就立刻形成，並發射出可見光及電磁光譜UV範圍的光。如第九圖所示，該燈能包括一燈反射器262，其能用來反射該燈提供來處理該半導體基板60的光。
第十及十一圖係依照本揭露示範性實施例之毫秒退火系統80內的弧燈220示範性操作的示意圖。更具體地，一電漿226係收容於一石英管225內，其內部藉由一水壁228水冷卻。該水壁228係高流速注射到該燈200的陰極端，並於陽極端排放。對於氬氣229亦然的是，其亦於陰極端進入該燈220，並 從該陽極端排出。形成該水壁228的水係垂直於燈軸注射，以致於該離心作用產生一水渦流。因此，沿著該燈的中心線形成氬氣229所用的一通道。該氬氣柱229以相同於該水壁228的方向來旋轉。形成一電漿226後，該水壁228保護該石英管225並限制該電漿226於中心軸。只有該水壁228及電極(陰極230及陽極222)係直接接觸該高能電漿226。
第十一圖係依照本揭露示範性實施例弧燈所用電極例子(如陰極230)的橫斷面視圖。第十一圖圖示一陰極230。然而，一相似的結構亦能使用於陽極222。
在某些實施例中，如經歷高熱負載的電極，一或更多的電極可以分別包括一尖端232。該尖端可以由鎢製成。該尖端可以耦合到及/或融合至一水冷式銅散熱體234。該銅散熱體234能夠包括至少一部份的電極內部冷卻系統(如一或更多的水冷通道236)。該電極能進一步包括一具有水冷通道236的黃銅基底235以提供水循環或其他流體循環並冷卻電極。
使用於依照本揭露觀點之示範性毫秒退火系統的該弧燈可以是一種針對水及氬氣的開放流動系統。然而，基於環保理由，此兩種介質都能夠在某些實施例的封閉環路系統中循環。
第十二圖係示範性的封閉環路系統300的示意圖，其用於供應在依照本揭露示範性實施例之毫秒退火系統中所使用的開放流動式氬弧燈操作時所需的水及氬氣。
更具體地，高純水302及氬304被餵入該燈220。該高純水302係用於提供水壁及冷卻電極。遺留在燈內的是氣/水混合物306。該氣/水混合物306，在其被重新餵入該燈220的入口之前係藉由分離器310被分離成為無氣水302及乾氬304。為了在該燈220上產生所需的壓力降，該氣/水混合物306係藉由水驅動噴射泵320來泵出。
一高功率電泵330供應水壓來驅動該燈220內的水壁、燈電極的冷卻水、及噴射泵320的運動流。該噴射泵320下游的分離器310係可以使用以從混合物(氬)抽出液及氣相。在重新進入燈220之前氬進一步地在一凝聚過濾器340中加以乾燥。如果需要，額外的氬能從氬源350供應。
水通過一或更多微粒濾器350移除由弧光放電而噴濺在水中的微粒。離子性污染係由離子交換樹脂移除。一部份的水係流過混合床離子交換濾器370。該離子交換分流的入口閥372可由水阻能力控制。如果水阻能力下降到低值以下該閥372被開啟，當其到達一高值時該閥372關閉。該系統能包括一活性碳濾器旁環380，其中一部份的水係額外地過濾以移除有機污染。為了維持水溫，水能夠通過一熱交換器390。
依照本揭露觀點之示範性毫秒退火系統，能包括獨立測量該半導體基板兩表面(如頂及底表面)的能力。第十三圖圖解毫秒退火系統200所用的示範溫度測量系統150。
一簡化的毫秒退火系統200的代表係示於第十三 圖。該半導體基板60兩側的溫度可以獨立地藉由溫度感測器來測量，例如，溫度感測器152及154。該溫度感測器152能測量該半導體基板60頂表面的溫度。該溫度感測器154能測量半導體基板底表面。在某些實施例中，測量波長約1400nm的窄幅示溫感測器係能用來作為溫度感測器152及/或154測量(例如)半導體基板60中心區的溫度。在某些實施例中，該溫度感測器152、154能為超快幅射計(UFR)，其取樣速率係足夠地高以致能夠解析由該閃光加熱造成的毫秒溫度峰值。
該溫度感測器152、154的讀數可以係補償發射率(emissivity compensated)。如第十三圖所示，發射率補償計劃可以包括診斷閃光156、一參考溫度感測器158、及該溫度感測器152、154，其係經組態以測量該半導體晶圓的該頂及底表面。診斷性加熱及測量係可以使用診斷閃光156(例如測試閃光)來進行。取自參考溫度感測器158的測值可以用來作為溫度感測器152及154之發射率補償。
在某些實施例中，該毫秒退火系統200可以包括水視窗。該水視窗能提供一光學過濾器壓抑該溫度感測器152、154測量幅度內的燈輻射，以致該溫度感測器152、154僅測得來自該半導體基板的輻射。
溫度感測器152、154的讀數可以被提供到一處理器電路160。該處理器電路160係位在該毫秒退火系統200之外罩之內，儘管作為一種選擇，該處理器電路160可距離該毫秒 退火系統200遙遠。如果需要的話，本文所述的許多功能係可由單一處理器電路來執行或藉由其他的局部及/或遠端處理器電路組合來執行。
如將於下文詳細討論者，溫度測量系統可以包括其他的溫度感測器，例如經組態以取得一或更多晶圓支架板(如第十六圖所示)溫度測值的溫度感測器，及/或經組態以取得一或更多半導體基板在溫度(例如)約450℃以下、如小於約300℃、如小於約250℃時之溫度測值的遠紅外線溫度感測器。處理器電路160能經組態以處理取自溫度感測器的測值，進而決定半導體基板及/或晶圓支架板的溫度。
將半導體基板加熱到中間溫度Ti的一可替換來源可以是位在底處理室內的鎢鹵素燈陣列。例如，兩個連續模式的弧燈分別能夠具有125kW的電力，總電力為250kW。有四十個6kW鎢鹵素燈的一陣列可以分別提供相同的電力。第十四圖係具有鎢鹵素燈245的一示範性毫秒退火系統的示意圖，該燈係用於加熱該半導體基板60至預烘溫度及/或中間溫度Ti。以鹵素燈來加熱的一個優點係在於經濟。鎢鹵素燈可以係較不昂貴的，並能有較長壽命。鎢鹵素燈也只需要電連接，省略昂貴的水冷及水處理單元的需求。
降低氧化物生長的示範性預熱方法
本揭露示範觀點係針對熱處理晶圓，同時降低氧化物在基板及介電膜之間界面上的生長，或甚至降低層間的厚 度。依照本揭露示範性觀點的預熱方法，藉由去除不需要的雜質效應也能改良膜堆疊的電品質。
在某些實施例中，在正常加熱周期執行之前該半導體基板能夠被加熱到高於室溫而小於中間溫度的一預烘溫度。該預烘溫度的一溫度上限係可以設定以使氧化作用的反應速率係足夠的低，進而避免層間生長(例如，典型地<約500℃)。該預烘溫度的一下限係能加以設定，以致於氧化物種或其他不需要物種的除氣速率係足夠高，進而在足夠短時間內完成氧化物種或其他不想要物種的去除(例如典型地>約200℃)。
預烘溫度的時間花費係可以選擇(例如最佳化)以針對最佳化晶圓產量、提供最短的總秘訣時間，同時確保提供足夠長的時間，讓不需要的物種離開該膜。這段時間可以稱為”浸泡期間”。在某些實施例中，該預烘溫度下的浸泡期間可以介於約0.5秒~10分鐘之間，例如小於約100秒，如小於約30秒。
全部的處理係可以在大氣壓下，於相對較為惰性的氣體氛圍之中(如氮、氬或氦)施行，但也能夠在低壓環境中施行，例如低於1托的壓力。也能夠在物種輔助之下來執行，該物種能幫助不需要物種的解吸附，有助於降低氧化物、及與任何殘餘氧化物種的反應。為了這個目的，氣體氛圍也可以含有氫、氘、氨或聯胺物種。這些氣體能混合一或更多相對較為惰性的氣體物種。
也能夠藉由使用一電漿源來產生化學還原物種，同時保持晶圓溫度相對地低，進而增加反應速率。例如，一電漿源可以提供氫或氘自由基於該半導體基板附近。雖然此處的焦點主要在於還原物種，但在低溫度浸泡期間，如果溫度保持足夠的低、及浸泡期間足夠的短而使這些物種本身不會造成層間生長，也能使用氧化物種。例如，氧化物種，如氧分子或氧基(例如來自電漿)可以幫助移除膜中或其表面上的雜質。反應性物種也能夠由UV能源來產生，例如加熱弧燈或其他UV源。
第十五圖圖解一依照本發明示範實施例的加熱周期，其在升溫至一中間溫度以進行毫秒退火閃光之前，在一浸泡期間以一預烘來排除該氧化物種氣體。如圖所示，含反應性物種64的一膜62的一基板60可以被加熱到一預烘溫度TPre-Bake。該預烘溫度可以在(例如)約200℃~500℃的範圍之內。該基板60可以被維持在該預烘溫度於浸泡期間tsoak。在浸泡期間tsoak可排除反應性物種64氣體。該浸泡期間tsoak能夠在(例如)約0.5秒及10分範圍之間，例如小於約100秒，如小於約30秒。然後，在接收到依照本揭露示範實施例之毫秒退火閃光之前，該溫度能逐漸增加到中間溫度。
第十六圖係依照本揭露示範實施例之方法例子(400)的流程圖。基於說明及討論的緣故，第十六圖圖解了以特定順序來執行的步驟。一般熟習本項技藝人士，在使用本文所提供的揭示內容之下，將瞭解的是，本文中所描述方法的各 種步驟，係能夠被省略、擴張、修改、同時執行及/或在不偏離本發明範圍之下進行重排。
在(402)，該方法可以包括接收一毫秒退火系統處理室內晶圓支架上的基板。例如，該基板係可以收容在一晶圓支架上，該支架被提供作為晶圓平面板的一部份，將相關聯於一毫秒系統之處理室分割成為一頂室及一底室。
在(404)，該方法可以包括加熱該基板至一預烘溫度。如前文所討論者，該預烘溫度可以選擇以針對基板氧化作用來降低反應速率，及/或避免層間生長。在某些實施例中，該預烘溫度能夠在約200℃~約500℃之範圍內。在某些實施例中，使用毫秒退火系統底室附近的熱源(如弧燈、鎢鹵素燈)，該基板能被加熱到該預烘溫度。
在(406)，該方法能夠包括：決定浸泡期間是否結束。該浸泡期間能夠是足夠長的一段時間以讓不需要的物種離開該膜，但也不是長到會非必要地影響到總處理時間。在某些實施例中，該在預烘溫度下的該浸泡期間能介於約0.5秒~約10分之間，例如小於約100秒，如小於約30秒。
如果浸泡期間未結束，該方法能包括維持該溫度於預烘溫度之下，如(408)所示。該方法也可以選擇性地包括，允許可以協助不需要物種解吸附之周圍氣體物種進入，進而幫助還原氧化物，及與任何殘餘氧化物種之反應，如(410)所示。例如，該周圍氣體能包括氫、氘、氨及/或聯胺物種。這些氣 體能夠混合一相對較惰性的氣體物種，例如，氮。
在某些實施例中，該方法在(410)也包括，使用一電漿源以引介一電漿產生化學還原物種，同時維持晶圓溫度相對的較低。例如，一電漿源係能夠在該半導體基板附近提供氫或氘基。
藉由鈍化該膜中的缺陷，也能利用物種來改良膜的品質。例如，氧或含氮物種，能幫助鈍化缺陷，但該處理條件必須選擇以限制氧化物層間生長。該低溫浸泡條件可以選擇以協助這種缺陷鈍化處理。使用紫外(UV)輻射來產生有助於雜質移除及缺陷鈍化的被激發物種及基團也能是有用的。該UV能源能夠是該系統內的任一弧燈，其在350nm波長以下，產生顯著的輻射能。例如，該UV波長能激發氧、氮、NO、N2O、聯胺、氫、氨、水蒸汽、及/或含鹵素物種，如三氯乙烯(trichloroethylene)、二氯乙烯(dichloroethylene)、三氯乙烷(trichloroethane)、HCl、NF3，以產生多種反應性物種，包括被激發的分子及基團，或甚至其他化學物種，如臭氧。這些物種能藉由以下產生：晶圓附近氣相內UV輻射的吸收；以及晶圓表面上、或甚至晶圓表面上薄膜內的被吸收物種的激發。其他的UV能源能夠被用來提供UV光，例如其他弧燈，如Xe-或Kr-弧燈。水銀燈、氘燈、準分子燈(excimer lamps)、UV鐳射或UV LEDs也可以使用。針對於某些應用，(其包括從氬來產生受激發氮物種)，產生相對較短UV波長(如小於約250nm)的光源能 夠係有用的。
一旦浸泡期間完成，該方法就可以包括，預備一毫秒退火閃光所用之處理室，如(412)所示。例如，在(410)被允許進入的該周圍氣體可以沖洗，及一惰氣(如氮)係被允許進入該處理室。然後該方法可以包括加熱該基板至中間溫度(414)，及使用一本文所述之毫秒退火閃光來加熱基板(416)。
雖然本主題係詳細地相關於其具體實施例來描述，但一般熟習本項技藝人士在瞭解前文之下，將會讚同的是，這類實施例的許多改變、變型及等價者係能夠輕易完成。因此，本揭露說明書揭示範圍僅係作為示範，而非作為限制，及該主要揭示內容並未排除而包括：對於一般熟習本項技藝人士而言係可輕易完成的本揭露主題的這類修改、變型及/或添加。
60:semiconductor substrate 半導體基板
62:Film 膜
64:reactive species 反應物種
102:ramp phase 升降溫度率
104:Curve 曲線
110:Window 視窗
302:high purity water 高純水 gas free water 無氣水 Ti 中間溫度 TPre-Bake 預烘溫度 t soak 浸泡期間

Claims (14)

  1. 一種用於毫秒退火系統的熱處理方法，該方法包含：接收一基板至一毫秒退火系統的一處理室中的一晶圓支架上；加熱該基板至一中間溫度；以及加熱該基板至該中間溫度之後，使用一毫秒加熱閃光加熱該基板至一高於該中間溫度的溫度；其中，在加熱該基板至該中間溫度之前，該方法包含加熱該基板至一預烘溫度一段浸泡期間；其中加熱該基板至該中間溫度，係藉由在一升降溫度率期間將該基板自該預烘溫度升溫至該中間溫度。
  2. 如申請專利範圍第1項的熱處理方法，其中該預烘溫度係經選擇以降低與該基板相關的氧化的反應速率。
  3. 如申請專利範圍第1項的熱處理方法，其中該預烘溫度係經選擇以避免與該基板相關的層間生長。
  4. 如申請專利範圍第1項的熱處理方法，其中該預烘溫度係介於大約200℃至大約500℃的範圍。
  5. 如申請專利範圍第1項的熱處理方法，其中該浸泡期間係在大約0.5秒與大約10分鐘之間。
  6. 如申請專利範圍第1項的熱處理方法，其中該浸泡期間係少於約100秒。
  7. 如申請專利範圍第1項的熱處理方法，其中該浸泡期間係少 於約30秒。
  8. 如申請專利範圍第1項的熱處理方法，其中該方法包含允許一周圍氣體進入該處理室。
  9. 如申請專利範圍第8項的熱處理方法，其中該周圍氣體包含氮、氬或氦。
  10. 如申請專利範圍第8項的熱處理方法，其中該周圍氣體係在大氣壓。
  11. 如申請專利範圍第8項的熱處理方法，其中該周圍氣體係在低於1托壓力。
  12. 如申請專利範圍第8項的熱處理方法，其中該周圍氣體包含氫、氘、氨或聯胺物種之一或更多。
  13. 如申請專利範圍第1項的熱處理方法，其中該方法包含引一電漿以化學性產生還原物種。
  14. 如申請專利範圍第1項的熱處理方法，其中該方法包含使用UV光來產生物種。
TW106102886A 2016-02-01 2017-01-25 毫秒退火系統之預熱方法 TWI688004B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201662289519P 2016-02-01 2016-02-01
US62/289,519 2016-02-01

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201729296A TW201729296A (zh) 2017-08-16
TWI688004B true TWI688004B (zh) 2020-03-11

Family

ID=59387058

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW106102886A TWI688004B (zh) 2016-02-01 2017-01-25 毫秒退火系統之預熱方法

Country Status (6)

Country Link
US (3) US10262873B2 (zh)
JP (1) JP6563142B2 (zh)
KR (2) KR102245732B1 (zh)
CN (1) CN108475641B (zh)
TW (1) TWI688004B (zh)
WO (1) WO2017136222A1 (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI688004B (zh) * 2016-02-01 2020-03-11 美商瑪森科技公司 毫秒退火系統之預熱方法
JP6799960B2 (ja) * 2016-07-25 2020-12-16 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 熱処理方法および熱処理装置
JP7304768B2 (ja) * 2019-08-16 2023-07-07 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 熱処理装置および熱処理装置の洗浄方法
CN111106062A (zh) * 2019-12-31 2020-05-05 华虹半导体(无锡)有限公司 脱气工艺方法和金属硬掩膜层的制造方法
CN113471046B (zh) 2020-12-14 2023-06-20 北京屹唐半导体科技股份有限公司 具有等离子体处理系统和热处理系统的工件处理装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030013280A1 (en) * 2000-12-08 2003-01-16 Hideo Yamanaka Semiconductor thin film forming method, production methods for semiconductor device and electrooptical device, devices used for these methods, and semiconductor device and electrooptical device
US20140235072A1 (en) * 2013-02-18 2014-08-21 Dainippon Screen Mfg Co., Ltd. Thermal processing method and thermal processing apparatus for heating substrate, and susceptor
US20150311080A1 (en) * 2010-01-29 2015-10-29 SCREEN Holdings Co., Ltd. Heat treatment method and heat treatment apparatus for heating substrate by emitting flashing light

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2649611B2 (ja) * 1990-12-14 1997-09-03 大日本スクリーン製造株式会社 半導体基板の熱処理方法
JP2855978B2 (ja) * 1992-07-22 1999-02-10 日本電気株式会社 窒化シリコン膜の製造方法
US6204203B1 (en) 1998-10-14 2001-03-20 Applied Materials, Inc. Post deposition treatment of dielectric films for interface control
US6326692B1 (en) * 2000-02-23 2001-12-04 Advanced Micro Devices, Inc. Insulating and capping structure with preservation of the low dielectric constant of the insulating layer
US20040058560A1 (en) * 2002-09-20 2004-03-25 Applied Materials, Inc. Fast gas exchange for thermal conductivity modulation
US7442415B2 (en) 2003-04-11 2008-10-28 Sharp Laboratories Of America, Inc. Modulated temperature method of atomic layer deposition (ALD) of high dielectric constant films
US8323754B2 (en) 2004-05-21 2012-12-04 Applied Materials, Inc. Stabilization of high-k dielectric materials
US7790633B1 (en) 2004-10-26 2010-09-07 Novellus Systems, Inc. Sequential deposition/anneal film densification method
JP2009164451A (ja) * 2008-01-09 2009-07-23 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 熱処理装置
US20090181553A1 (en) * 2008-01-11 2009-07-16 Blake Koelmel Apparatus and method of aligning and positioning a cold substrate on a hot surface
JP2009188210A (ja) 2008-02-06 2009-08-20 Panasonic Corp 不純物活性化熱処理方法及び熱処理装置
US20100075499A1 (en) * 2008-09-19 2010-03-25 Olsen Christopher S Method and apparatus for metal silicide formation
JP2010165733A (ja) * 2009-01-13 2010-07-29 Fujitsu Semiconductor Ltd 熱処理方法、半導体装置の製造方法、及びフラッシュランプアニール装置
JP5577806B2 (ja) * 2010-04-09 2014-08-27 富士通セミコンダクター株式会社 半導体装置の設計方法及び製造方法
US8809175B2 (en) * 2011-07-15 2014-08-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Methods of anneal after deposition of gate layers
US20140034632A1 (en) 2012-08-01 2014-02-06 Heng Pan Apparatus and method for selective oxidation at lower temperature using remote plasma source
US9093468B2 (en) 2013-03-13 2015-07-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Asymmetric cyclic depositon and etch process for epitaxial formation mechanisms of source and drain regions
US20150140838A1 (en) 2013-11-19 2015-05-21 Intermolecular Inc. Two Step Deposition of High-k Gate Dielectric Materials
TWI688004B (zh) * 2016-02-01 2020-03-11 美商瑪森科技公司 毫秒退火系統之預熱方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030013280A1 (en) * 2000-12-08 2003-01-16 Hideo Yamanaka Semiconductor thin film forming method, production methods for semiconductor device and electrooptical device, devices used for these methods, and semiconductor device and electrooptical device
US20150311080A1 (en) * 2010-01-29 2015-10-29 SCREEN Holdings Co., Ltd. Heat treatment method and heat treatment apparatus for heating substrate by emitting flashing light
US20140235072A1 (en) * 2013-02-18 2014-08-21 Dainippon Screen Mfg Co., Ltd. Thermal processing method and thermal processing apparatus for heating substrate, and susceptor

Also Published As

Publication number Publication date
CN108475641A (zh) 2018-08-31
KR102193409B1 (ko) 2020-12-23
US10679864B2 (en) 2020-06-09
US20170221722A1 (en) 2017-08-03
KR20180072846A (ko) 2018-06-29
US20190221442A1 (en) 2019-07-18
US11101142B2 (en) 2021-08-24
TW201729296A (zh) 2017-08-16
US10262873B2 (en) 2019-04-16
JP6563142B2 (ja) 2019-08-21
KR102245732B1 (ko) 2021-04-29
CN108475641B (zh) 2022-07-29
US20200303206A1 (en) 2020-09-24
WO2017136222A1 (en) 2017-08-10
JP2019505988A (ja) 2019-02-28
KR20200142099A (ko) 2020-12-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI688004B (zh) 毫秒退火系統之預熱方法
JP7051965B2 (ja) ミリ秒アニールシステムのための予熱方法
JP4131239B2 (ja) 高速熱処理の急速雰囲気切り替えシステムおよびその方法
CN106486397B (zh) 热处理方法以及热处理装置
US7214412B2 (en) Magenta toner and method for producing same
US20210307115A1 (en) Nitrogen Injection for ARC Lamps
US10359334B2 (en) Fluid leakage detection for a millisecond anneal system
JP2013207152A (ja) 熱処理装置および熱処理方法
TWI757261B (zh) 用於毫秒退火系統之室壁加熱及其相關系統與方法