JP6563142B2 - ミリ秒アニールシステムのための予熱プロセス - Google Patents
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Description
本願は、2016年2月1日に出願された、米国仮特許出願第62/289,519号、発明の名称「Pre−Heat Processes for Millisecond Anneal System」の優先権の利益を主張するものであり、この文献は参照によって本願に組み込まれる。
本発明は、一般的に、基板、例えば半導体基板を処理するために使用される熱プロセスチャンバに関し、より詳細にはミリ秒アニール熱プロセスチャンバに関する。
ミリ秒アニールシステムは、基板、例えばシリコンウェーハを超高速に熱処理するための半導体プロセスに使用することができる。半導体プロセスにおいては、ドーパント種の拡散を制御しつつ、それと同時に、注入ダメージを回復させるため、堆積された層の品質を向上させるため、層界面の品質を向上させるため、ドーパントを活性化させるため、また他の目的を達成するために、高速な熱処理をアニールステップとして使用することができる。
本発明の実施の形態の態様および利点は、下記の明細書において部分的に明らかになるか、明細書から理解されるか、または実施の形態の実践によって理解される。
本発明の例示的な態様は、基板と誘電体膜との間の界面における酸化物の成長を低減する、または制限するためのミリ秒アニールシステムのための予熱プロセスに関する。説明および考察を目的として、本発明の態様を、「ウェーハ」または半導体ウェーハを参照しながら考察する。当業者であれば、本明細書における開示内容によって、本発明の例示的な態様を、任意の半導体基板または他の適切な基板に関連させて使用できることを理解するであろう。さらに、数値と関連させた「約」という語の使用は、記載された数値の10%以内を表すことが意図されている。
例示的なミリ秒アニールシステムは、集中的で短時間の露光を提供して、例えば約104℃/sを上回ることができる割合で、ウェーハの上面を加熱するように構成することができる。図1には、ミリ秒アニールシステムを使用して達成される、半導体基板の例示的な温度プロフィール(温度変化)100が示されている。図1に図示されているように、半導体基板(例えば、シリコンウェーハ)のバルクが、昇温フェーズ102中に中間温度TIに加熱される。中間温度は、約450℃〜約900℃の範囲であってよい。中間温度TIに達すると、半導体基板の上面を、非常に短い集中的な閃光に晒すことができ、その結果、約104℃/sまでの加熱の割合(速度)が得られる。窓110は、短い集中的な閃光中の、半導体基板の温度プロフィールを示す。曲線112は、閃光による露光中の、半導体基板の上面の急速な加熱を示す。曲線116は、閃光による露光中の、半導体基板のその他の部分またはバルクの温度を表す。曲線114は、ヒートシンクとして機能する半導体基板のバルクを介する、半導体基板の上面の伝導冷却による急速な冷却を示す。半導体基板のバルクは、基板に関する迅速な上面冷却速度を生じさせるヒートシンクとして機能する。曲線104は、冷却剤としてのプロセスガスを用いる、熱放射および熱対流による半導体基板のバルクの緩慢な冷却を示す。本発明の例示的な態様によれば、熱処理プロセスは、基板を中間温度に加熱する前に、半導体基板をソーク期間のためのプリベーク温度へと加熱することを含んでいてよい(図15参照)。
本発明の例示的な態様は、基板と誘電体膜との間の界面における酸化物の成長を低減しながら、または中間層の厚さを低減しながら、ウェーハを熱処理することに関する。本発明の例示的な態様による予熱プロセスはさらに、望ましくない不純物の影響を排除することによって膜積層体の電気的品質を改善することができる。
Claims (20)
- ミリ秒アニールシステムのための熱処理プロセスにおいて、前記プロセスは、
ミリ秒アニールシステムのプロセスチャンバにおけるウェーハ支持部に基板を収容すること、
前記基板を中間温度に加熱すること、および
前記中間温度への前記基板の加熱後、次いでミリ秒加熱閃光を使用して前記中間温度を上回る温度に前記基板を加熱すること、を含み、
前記ミリ秒加熱閃光は、毎秒10 4 ℃を上回る速度で前記基板の上面全体を加熱するように構成されており、
前記中間温度への前記基板の加熱の前に、当該プロセスは、ソーク期間中に維持されるべきプリベーク温度に前記基板を加熱することを含んでおり、
前記基板を中間温度に加熱することは、前記プリベーク温度から前記中間温度まで前記基板の温度を昇温させることによって行われる、
ミリ秒アニールシステムのための熱処理プロセス。 - 前記プリベーク温度は、前記基板について酸化の反応速度を減じるように選択される、請求項1記載の熱処理プロセス。
- 前記プリベーク温度は、前記基板について中間層の成長を阻止するように選択される、請求項1記載の熱処理プロセス。
- 前記プリベーク温度は、約200℃〜約500℃の範囲である、請求項1記載の熱処理プロセス。
- 前記ソーク期間は約0.5秒〜約10分である、請求項1記載の熱処理プロセス。
- 前記ソーク期間は約100秒未満である、請求項1記載の熱処理プロセス。
- 前記ソーク期間は約30秒未満である、請求項1記載の熱処理プロセス。
- 当該プロセスは、前記プロセスチャンバ内に雰囲気ガスを導入することを含んでいる、請求項1記載の熱処理プロセス。
- 前記雰囲気ガスは、窒素、アルゴン、またはヘリウムを含んでいる、請求項8記載の熱処理プロセス。
- 前記雰囲気ガスは大気圧である、請求項8記載の熱処理プロセス。
- 前記雰囲気ガスは、約1トル未満の圧力にある、請求項8記載の熱処理プロセス。
- 前記雰囲気ガスは、水素、重水素、アンモニア、またはヒドラジン種のうちの1つ以上を含んでいる、請求項8記載の熱処理プロセス。
- 当該プロセスは、化学的還元種を生成するためにプラズマを誘導することを含んでいる、請求項1記載の熱処理プロセス。
- 当該プロセスは、UV光を使用して種を生成することを含んでいる、請求項1記載の熱処理プロセス。
- ミリ秒アニールシステムにおいて基板を熱処理するための方法であって、前記方法は、
ミリ秒アニールシステムのプロセスチャンバを上部チャンバおよび下部チャンバに分割するウェーハ面プレートを有する前記プロセスチャンバ内に、基板を収容するステップと、
前記下部チャンバ近くに位置する1つ以上の加熱源を使用して前記基板をプリベーク温度に加熱するステップと、を含んでおり、
ソーク期間中に、当該方法は、前記基板の温度をほぼ前記プリベーク温度に維持するステップを有していて、前記ソーク期間後に、当該方法は、昇温フェーズ中に、前記基板の温度を前記プリベーク温度から中間温度へと上昇させる昇温過程を用いて前記基板を加熱するステップを含んでおり、
当該方法は、前記昇温フェーズ中に前記基板の温度を前記プリベーク温度から前記中間温度に昇温させるための前記基板の加熱後に、ミリ秒加熱閃光を使用して前記中間温度を上回る温度に前記基板を加熱するステップを含んでおり、前記ミリ秒加熱閃光は、毎秒10 4 ℃を上回る速度で前記基板の上面全体を加熱するように構成されている、
ミリ秒アニールシステムにおいて基板を熱処理するための方法。 - 前記ソーク期間前または前記ソーク期間中に、当該方法は、前記プロセスチャンバ内に雰囲気ガスを導入するステップを含んでいる、請求項15記載の方法。
- 前記雰囲気ガスは、水素、重水素、アンモニア、またはヒドラジン種のうちの1つ以上を含んでいる、請求項16記載の方法。
- 前記ソーク期間前または前記ソーク期間中に、当該方法は、化学的還元種を生成するために前記プロセスチャンバ内にプラズマを誘導するステップを含んでいる、請求項15記載の方法。
- 前記プリベーク温度は、約200℃〜約500℃の範囲である、請求項15記載の方法。
- 前記ソーク期間は約0.5秒〜約10分である、請求項15記載の方法。
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