JP2002299246A - 熱処理装置用ヒータの固定方法及び熱処理装置 - Google Patents
熱処理装置用ヒータの固定方法及び熱処理装置Info
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- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
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- F27B—FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS IN GENERAL; OPEN SINTERING OR LIKE APPARATUS
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- F27B5/06—Details, accessories, or equipment peculiar to furnaces of these types
- F27B5/14—Arrangements of heating devices
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 汚染物質の発生を防止することができる熱処
理装置用ヒータの固定方法及び熱処理装置を提供する。 【解決手段】 熱処理装置１は、反応管２の周囲に断熱
体１５と複数のヒータエレメント１８から構成されたヒ
ータとを供えている。断熱体１５は、複数の孔１６ａ、
１７ａが形成され、反応管２を囲むように設けられてい
る。孔１６ａ、１７ａ内にはＯリング１９が配置されて
いる。そして、ヒータエレメント１８は、反応管２と所
定の間隔を有するように孔１６ａ内のＯリング１９に挿
嵌することにより、断熱体１５と反応管２との間に配置
されている。
理装置用ヒータの固定方法及び熱処理装置を提供する。 【解決手段】 熱処理装置１は、反応管２の周囲に断熱
体１５と複数のヒータエレメント１８から構成されたヒ
ータとを供えている。断熱体１５は、複数の孔１６ａ、
１７ａが形成され、反応管２を囲むように設けられてい
る。孔１６ａ、１７ａ内にはＯリング１９が配置されて
いる。そして、ヒータエレメント１８は、反応管２と所
定の間隔を有するように孔１６ａ内のＯリング１９に挿
嵌することにより、断熱体１５と反応管２との間に配置
されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、熱処理装置用ヒー
タの固定方法及び熱処理装置に関し、詳しくは、複数の
ヒータエレメントから構成されたヒータにより、被処理
体、例えば、半導体ウエハを熱処理する熱処理装置に用
いられる熱処理装置用ヒータの固定方法及び熱処理装置
に関する。
タの固定方法及び熱処理装置に関し、詳しくは、複数の
ヒータエレメントから構成されたヒータにより、被処理
体、例えば、半導体ウエハを熱処理する熱処理装置に用
いられる熱処理装置用ヒータの固定方法及び熱処理装置
に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造工程においては、被処
理体、例えば、半導体ウエハの成膜処理、酸化処理等の
各種の処理を行うために、熱処理装置が用いられてい
る。熱処理装置は、半導体ウエハを収容する反応室を囲
むように、ヒータと断熱体とを有する加熱部材が設けら
れ、ヒータにより反応室を所定の温度に加熱して、半導
体ウエハに各種の処理を行うものである。
理体、例えば、半導体ウエハの成膜処理、酸化処理等の
各種の処理を行うために、熱処理装置が用いられてい
る。熱処理装置は、半導体ウエハを収容する反応室を囲
むように、ヒータと断熱体とを有する加熱部材が設けら
れ、ヒータにより反応室を所定の温度に加熱して、半導
体ウエハに各種の処理を行うものである。
【０００３】熱処理装置のヒータとしては、例えば、線
状の抵抗発熱体を封止部材に封入した長尺状のヒータエ
レメントが用いられている。また、断熱体は、例えば、
ステンレス鋼（ＳＵＳ）から形成され、複数の孔が形成
されている。そして、断熱体の孔にヒータエレメントを
挿嵌することにより、ヒータエレメントが反応室と所定
の間隔を有するように配設される。
状の抵抗発熱体を封止部材に封入した長尺状のヒータエ
レメントが用いられている。また、断熱体は、例えば、
ステンレス鋼（ＳＵＳ）から形成され、複数の孔が形成
されている。そして、断熱体の孔にヒータエレメントを
挿嵌することにより、ヒータエレメントが反応室と所定
の間隔を有するように配設される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな熱処理装置では、ヒータエレメントが断熱体の孔に
挿嵌されているので、ヒータエレメントと断熱体の孔の
内壁とが擦れ合い、例えば、金属粉（メタルコンタミ）
のような汚染物質を発生してしまうおそれがある。この
ような汚染物質が発生したまま熱処理を行うと、汚染物
質が半導体ウエハに付着してしまい、形成された半導体
装置の特性が悪化し、歩留まりが悪くなってしまう。特
に、汚染物質がメタルコンタミの場合、形成された半導
体装置の特性が悪化してしまう。さらに、ヒータエレメ
ントと断熱体の孔の内壁とが擦れ合うことにより、ヒー
タエレメントが破損してしまうおそれがある。
うな熱処理装置では、ヒータエレメントが断熱体の孔に
挿嵌されているので、ヒータエレメントと断熱体の孔の
内壁とが擦れ合い、例えば、金属粉（メタルコンタミ）
のような汚染物質を発生してしまうおそれがある。この
ような汚染物質が発生したまま熱処理を行うと、汚染物
質が半導体ウエハに付着してしまい、形成された半導体
装置の特性が悪化し、歩留まりが悪くなってしまう。特
に、汚染物質がメタルコンタミの場合、形成された半導
体装置の特性が悪化してしまう。さらに、ヒータエレメ
ントと断熱体の孔の内壁とが擦れ合うことにより、ヒー
タエレメントが破損してしまうおそれがある。
【０００５】また、ヒータエレメントの端部には電源に
接続されたケーブルが設けられているが、例えば、ケー
ブルが他の部材に絡まった場合のように、ケーブルに負
荷がかかると、ヒータエレメントがケーブルに引っ張ら
れて破損してしまうおそれがある。
接続されたケーブルが設けられているが、例えば、ケー
ブルが他の部材に絡まった場合のように、ケーブルに負
荷がかかると、ヒータエレメントがケーブルに引っ張ら
れて破損してしまうおそれがある。
【０００６】本発明は、上記問題に鑑みてなされたもの
であり、汚染物質の発生を防止することができる熱処理
装置用ヒータの固定方法及び熱処理装置を提供すること
を目的とする。また、本発明は、メタルコンタミの発生
を防止することができる熱処理装置用ヒータの固定方法
及び熱処理装置を提供することを目的とする。さらに、
本発明は、ヒータの破損を防止することができる熱処理
装置用ヒータの固定方法及び熱処理装置を提供すること
を目的とする。
であり、汚染物質の発生を防止することができる熱処理
装置用ヒータの固定方法及び熱処理装置を提供すること
を目的とする。また、本発明は、メタルコンタミの発生
を防止することができる熱処理装置用ヒータの固定方法
及び熱処理装置を提供することを目的とする。さらに、
本発明は、ヒータの破損を防止することができる熱処理
装置用ヒータの固定方法及び熱処理装置を提供すること
を目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明の第１の観点にかかる熱処理装置用ヒータ
の固定方法は、複数の孔が形成され、被処理体を収容す
る反応室を囲むように設けられた断熱体と、複数のヒー
タエレメントから構成され、前記反応室と所定の間隔を
有するように、前記断熱体の各孔にヒータエレメントを
挿嵌することにより、前記断熱体と前記反応室との間に
配置されたヒータとを備え、前記反応室内を加熱して、
該反応室に収容された被処理体を熱処理する熱処理装置
に用いられる熱処理装置用ヒータの固定方法であって、
前記ヒータエレメントを前記断熱体の孔内に配置された
Ｏリングにより固定する、ことを特徴とする。
め、この発明の第１の観点にかかる熱処理装置用ヒータ
の固定方法は、複数の孔が形成され、被処理体を収容す
る反応室を囲むように設けられた断熱体と、複数のヒー
タエレメントから構成され、前記反応室と所定の間隔を
有するように、前記断熱体の各孔にヒータエレメントを
挿嵌することにより、前記断熱体と前記反応室との間に
配置されたヒータとを備え、前記反応室内を加熱して、
該反応室に収容された被処理体を熱処理する熱処理装置
に用いられる熱処理装置用ヒータの固定方法であって、
前記ヒータエレメントを前記断熱体の孔内に配置された
Ｏリングにより固定する、ことを特徴とする。
【０００８】この構成によれば、断熱体の孔に挿嵌され
たヒータエレメントは、Ｏリングにより固定される。こ
のため、ヒータエレメントと断熱体の孔の内壁とが擦れ
合うことがなくなり、汚染物質が発生しなくなる。ま
た、ヒータエレメントが破損するおそれがなくなる。
たヒータエレメントは、Ｏリングにより固定される。こ
のため、ヒータエレメントと断熱体の孔の内壁とが擦れ
合うことがなくなり、汚染物質が発生しなくなる。ま
た、ヒータエレメントが破損するおそれがなくなる。
【０００９】前記ヒータエレメントに接続されたケーブ
ルを、当該ヒータエレメントの端部近傍で固定部材によ
り固定することが好ましい。ケーブルがヒータエレメン
トの端部近傍で固定部材により固定されていると、ケー
ブルに負荷がかかっても、ヒータエレメントが破損する
おそれがなくなる。また、ケーブルが整線されて絡まり
にくくなる。前記固定部材として、例えば、タイラップ
を用いることが好ましい。
ルを、当該ヒータエレメントの端部近傍で固定部材によ
り固定することが好ましい。ケーブルがヒータエレメン
トの端部近傍で固定部材により固定されていると、ケー
ブルに負荷がかかっても、ヒータエレメントが破損する
おそれがなくなる。また、ケーブルが整線されて絡まり
にくくなる。前記固定部材として、例えば、タイラップ
を用いることが好ましい。
【００１０】この発明の第２の観点にかかる熱処理装置
は、被処理体を反応室内に収容し、当該反応室内を加熱
して被処理体を熱処理する熱処理装置であって、複数の
孔が形成され、前記反応室を囲むように設けられた断熱
体と、複数のヒータエレメントから構成され、前記反応
室と所定の間隔を有するように、前記断熱体の各孔にヒ
ータエレメントを挿嵌することにより、前記断熱体と前
記反応室との間に配置されたヒータとを備え、前記断熱
体の孔内にはＯリングが配置され、前記ヒータエレメン
トは前記Ｏリングにより固定されている、ことを特徴と
する。
は、被処理体を反応室内に収容し、当該反応室内を加熱
して被処理体を熱処理する熱処理装置であって、複数の
孔が形成され、前記反応室を囲むように設けられた断熱
体と、複数のヒータエレメントから構成され、前記反応
室と所定の間隔を有するように、前記断熱体の各孔にヒ
ータエレメントを挿嵌することにより、前記断熱体と前
記反応室との間に配置されたヒータとを備え、前記断熱
体の孔内にはＯリングが配置され、前記ヒータエレメン
トは前記Ｏリングにより固定されている、ことを特徴と
する。
【００１１】この構成によれば、断熱体の孔に挿嵌され
たヒータエレメントは、Ｏリングにより固定される。こ
のため、ヒータエレメントと断熱体の孔の内壁とが擦れ
合うことがなくなり、汚染物質が発生しなくなる。ま
た、ヒータエレメントが破損するおそれがなくなる。
たヒータエレメントは、Ｏリングにより固定される。こ
のため、ヒータエレメントと断熱体の孔の内壁とが擦れ
合うことがなくなり、汚染物質が発生しなくなる。ま
た、ヒータエレメントが破損するおそれがなくなる。
【００１２】この発明の第３の観点にかかる熱処理装置
は、被処理体を反応室内に収容し、当該反応室内を加熱
して被処理体を熱処理する熱処理装置であって、複数の
孔が形成され、前記反応室を囲むように設けられた金属
部材からなる断熱体と、複数のヒータエレメントから構
成され、前記反応室と所定の間隔を有するように、前記
断熱体の各孔にヒータエレメントを挿嵌することによ
り、該断熱体と前記反応室との間に配置されたヒータと
を備え、前記断熱体の孔の内壁は、セラミックでコーテ
ィングされている、ことを特徴とする。
は、被処理体を反応室内に収容し、当該反応室内を加熱
して被処理体を熱処理する熱処理装置であって、複数の
孔が形成され、前記反応室を囲むように設けられた金属
部材からなる断熱体と、複数のヒータエレメントから構
成され、前記反応室と所定の間隔を有するように、前記
断熱体の各孔にヒータエレメントを挿嵌することによ
り、該断熱体と前記反応室との間に配置されたヒータと
を備え、前記断熱体の孔の内壁は、セラミックでコーテ
ィングされている、ことを特徴とする。
【００１３】この構成によれば、断熱体の孔の内壁は、
セラミックでコーティングされている。このため、ヒー
タエレメントはセラミックでコーティングされた孔の内
壁と接触し、断熱体の金属部材、例えば、ステンレス鋼
と接触しなくなる。また、ヒータエレメントが断熱体の
金属面と接触しないので、ヒータエレメントが破損しに
くくなる。
セラミックでコーティングされている。このため、ヒー
タエレメントはセラミックでコーティングされた孔の内
壁と接触し、断熱体の金属部材、例えば、ステンレス鋼
と接触しなくなる。また、ヒータエレメントが断熱体の
金属面と接触しないので、ヒータエレメントが破損しに
くくなる。
【００１４】前記断熱体の内壁はセラミックでコーティ
ングされていることが好ましい。断熱体の内壁がセラミ
ックでコーティングされていると、ヒータエレメントが
断熱体の金属部材、例えば、ステンレス鋼と確実に接触
しなくなり、メタルコンタミが発生しなくなる。また、
ヒータエレメントが断熱体の金属面と接触しないので、
ヒータエレメントがさらに破損しにくくなる。
ングされていることが好ましい。断熱体の内壁がセラミ
ックでコーティングされていると、ヒータエレメントが
断熱体の金属部材、例えば、ステンレス鋼と確実に接触
しなくなり、メタルコンタミが発生しなくなる。また、
ヒータエレメントが断熱体の金属面と接触しないので、
ヒータエレメントがさらに破損しにくくなる。
【００１５】前記セラミックとしては、例えば、アルミ
ナ、シリカ、またはイットリアがある。また、前記セラ
ミックは多孔質であることが好ましい。セラミックが多
孔質（ポーラス）であると熱衝撃性が向上する。
ナ、シリカ、またはイットリアがある。また、前記セラ
ミックは多孔質であることが好ましい。セラミックが多
孔質（ポーラス）であると熱衝撃性が向上する。
【００１６】前記ヒータエレメントに接続されたケーブ
ルは、当該ヒータエレメントの端部近傍で固定部材に固
定されていることが好ましい。ケーブルがヒータエレメ
ントの端部近傍で固定部材により固定されていると、ケ
ーブルに負荷がかかっても、ヒータエレメントが破損す
るおそれがなくなる。また、ケーブルが整線されて絡ま
りにくくなる。前記固定部材としては、例えば、タイラ
ップがある。
ルは、当該ヒータエレメントの端部近傍で固定部材に固
定されていることが好ましい。ケーブルがヒータエレメ
ントの端部近傍で固定部材により固定されていると、ケ
ーブルに負荷がかかっても、ヒータエレメントが破損す
るおそれがなくなる。また、ケーブルが整線されて絡ま
りにくくなる。前記固定部材としては、例えば、タイラ
ップがある。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態にかか
る熱処理装置用ヒータの固定方法及び熱処理装置につい
て、図１に示すバッチ式縦型熱処理装置を用いた場合を
例に説明する。
る熱処理装置用ヒータの固定方法及び熱処理装置につい
て、図１に示すバッチ式縦型熱処理装置を用いた場合を
例に説明する。
【００１８】図１に示すように、熱処理装置１は、長手
方向が垂直方向に向けられた略円筒状の反応管２を備え
ている。反応管２は、内管３と、内管３を覆うとともに
内管３と所定の間隔を有するように形成された有天井の
外管４とから構成された二重管構造を有する。内管３及
び外管４は、耐熱材料、例えば、石英により形成されて
いる。
方向が垂直方向に向けられた略円筒状の反応管２を備え
ている。反応管２は、内管３と、内管３を覆うとともに
内管３と所定の間隔を有するように形成された有天井の
外管４とから構成された二重管構造を有する。内管３及
び外管４は、耐熱材料、例えば、石英により形成されて
いる。
【００１９】外管４の下方には、筒状に形成されたステ
ンレス鋼（ＳＵＳ）からなるマニホールド５が配置され
ている。マニホールド５は、外管４の下端と気密に接続
されている。また、内管３は、マニホールド５の内壁か
ら突出するとともに、マニホールド５と一体に形成され
た支持リング６に支持されている。
ンレス鋼（ＳＵＳ）からなるマニホールド５が配置され
ている。マニホールド５は、外管４の下端と気密に接続
されている。また、内管３は、マニホールド５の内壁か
ら突出するとともに、マニホールド５と一体に形成され
た支持リング６に支持されている。
【００２０】マニホールド５の下方には蓋体７が配置さ
れ、ボートエレベータ８により蓋体７は上下動可能に構
成されている。そして、ボートエレベータ８により蓋体
７が上昇すると、マニホールド５の下方側が閉鎖され
る。
れ、ボートエレベータ８により蓋体７は上下動可能に構
成されている。そして、ボートエレベータ８により蓋体
７が上昇すると、マニホールド５の下方側が閉鎖され
る。
【００２１】蓋体７には、蓋体７を貫通するとともに、
モータＭにより回転する回転軸９が形成されている。回
転軸９上には、回転可能なターンテーブル１０が形成さ
れている。ターンテーブル１０上には、保温ユニット１
１を介して、例えば、石英からなるウエハボート１２が
載置されている。ウエハボート１２には、被処理体、例
えば、半導体ウエハＷが垂直方向に所定の間隔をおいて
複数枚収容されている。そして、モータＭにより回転軸
９が回転することによりターンテーブル１０、保温ユニ
ット１１を介してウエハボート１２が回転され、ウエハ
ボート１２の回転により半導体ウエハＷが回転される。
モータＭにより回転する回転軸９が形成されている。回
転軸９上には、回転可能なターンテーブル１０が形成さ
れている。ターンテーブル１０上には、保温ユニット１
１を介して、例えば、石英からなるウエハボート１２が
載置されている。ウエハボート１２には、被処理体、例
えば、半導体ウエハＷが垂直方向に所定の間隔をおいて
複数枚収容されている。そして、モータＭにより回転軸
９が回転することによりターンテーブル１０、保温ユニ
ット１１を介してウエハボート１２が回転され、ウエハ
ボート１２の回転により半導体ウエハＷが回転される。
【００２２】マニホールド５の側面には、複数の処理ガ
ス導入管１３が挿通されている。なお、図１では処理ガ
ス導入管１３を一つだけ描いている。処理ガス導入管１
３は内管３内を臨むように配設されている。例えば、図
１に示すように、支持リング６より下方（内管３の下
方）のマニホールド５の側面から処理ガス導入管１３が
挿通され、処理ガス導入管１３の先端が内管３（上方）
に向けて曲折りされている。そして、図示しないガス供
給源から供給された処理ガスが処理ガス導入管１３を通
って内管３内に導入される。
ス導入管１３が挿通されている。なお、図１では処理ガ
ス導入管１３を一つだけ描いている。処理ガス導入管１
３は内管３内を臨むように配設されている。例えば、図
１に示すように、支持リング６より下方（内管３の下
方）のマニホールド５の側面から処理ガス導入管１３が
挿通され、処理ガス導入管１３の先端が内管３（上方）
に向けて曲折りされている。そして、図示しないガス供
給源から供給された処理ガスが処理ガス導入管１３を通
って内管３内に導入される。
【００２３】また、マニホールド５の側面には排気管１
４が接続されている。排気管１４は支持リング６より上
方に接続され、反応管２内の内管３と外管４との間に形
成された空間に連通する。そして、反応管２内の排ガス
が、内管３と外管４との間の空間、排気管１４を通って
熱処理装置１外に排出される。また、排気管１４は、図
示しない真空ポンプ等からなる排気ユニットに接続さ
れ、排気ユニットにより反応管２内の圧力が所定の圧力
に設定される。
４が接続されている。排気管１４は支持リング６より上
方に接続され、反応管２内の内管３と外管４との間に形
成された空間に連通する。そして、反応管２内の排ガス
が、内管３と外管４との間の空間、排気管１４を通って
熱処理装置１外に排出される。また、排気管１４は、図
示しない真空ポンプ等からなる排気ユニットに接続さ
れ、排気ユニットにより反応管２内の圧力が所定の圧力
に設定される。
【００２４】反応管２の周囲には、反応管２を囲むよう
に、ステンレス鋼（ＳＵＳ）からなる断熱体１５が設け
られている。図２に断熱体１５の斜視図を示す。図２に
示すように、断熱体１５は、本体１５ａと天板１５ｂと
底板１５ｃとからなる有天井の略筒状に形成されてい
る。本体１５ａは、反応管２より大径の筒状に形成され
ている。天板１５ｂは、本体１５ａの上部を覆うよう
に、円板状に形成されている。底板１５ｃはリング状に
形成され、その内壁が反応管２の外壁に対応する大きさ
に形成されている。なお、断熱体１５の本体１５ａの内
部には、図示しない冷媒流路としての冷却水路が設けら
れ、冷却水路に冷却水を供給することにより反応管２の
温度を冷却することができる。
に、ステンレス鋼（ＳＵＳ）からなる断熱体１５が設け
られている。図２に断熱体１５の斜視図を示す。図２に
示すように、断熱体１５は、本体１５ａと天板１５ｂと
底板１５ｃとからなる有天井の略筒状に形成されてい
る。本体１５ａは、反応管２より大径の筒状に形成され
ている。天板１５ｂは、本体１５ａの上部を覆うよう
に、円板状に形成されている。底板１５ｃはリング状に
形成され、その内壁が反応管２の外壁に対応する大きさ
に形成されている。なお、断熱体１５の本体１５ａの内
部には、図示しない冷媒流路としての冷却水路が設けら
れ、冷却水路に冷却水を供給することにより反応管２の
温度を冷却することができる。
【００２５】断熱体１５の天板１５ｂには複数の孔１６
ａが形成されている。孔１６ａは、その周方向に沿っ
て、例えば、数ミリ間隔に形成されている。また、断熱
体１５の底板１５ｃには、孔１６ａに対応する位置に、
孔１７ａが形成されている。そして、図３に示すよう
に、各孔１６ａと、これに対応する位置の孔１７ａにヒ
ータエレメント１８が挿嵌され、ヒータエレメント１８
は、断熱体１５の天板１５ｂと底板１５ｃとを貫通させ
た状態で配置される。なお、図３では、ヒータエレメン
ト１８が挿嵌された状態を分かりやすく示すように、ヒ
ータエレメント１８の一部のみを図示している。この複
数のヒータエレメント１８により、熱処理装置用ヒータ
が構成されている。また、天板１５ｂには、後述する第
１サブヒータが挿嵌される孔１６ｂが形成され、底板１
５ｃには、後述する第２サブヒータが挿嵌される孔１７
ｂが形成されている。
ａが形成されている。孔１６ａは、その周方向に沿っ
て、例えば、数ミリ間隔に形成されている。また、断熱
体１５の底板１５ｃには、孔１６ａに対応する位置に、
孔１７ａが形成されている。そして、図３に示すよう
に、各孔１６ａと、これに対応する位置の孔１７ａにヒ
ータエレメント１８が挿嵌され、ヒータエレメント１８
は、断熱体１５の天板１５ｂと底板１５ｃとを貫通させ
た状態で配置される。なお、図３では、ヒータエレメン
ト１８が挿嵌された状態を分かりやすく示すように、ヒ
ータエレメント１８の一部のみを図示している。この複
数のヒータエレメント１８により、熱処理装置用ヒータ
が構成されている。また、天板１５ｂには、後述する第
１サブヒータが挿嵌される孔１６ｂが形成され、底板１
５ｃには、後述する第２サブヒータが挿嵌される孔１７
ｂが形成されている。
【００２６】各孔１６ａ、１７ａには、Ｏリング１９が
配置されている。図４にヒータエレメント１８が挿嵌さ
れた状態の孔１６ａ付近の概略図を示す。図４に示すよ
うに、孔１６ａの内壁にはＯリング１９が配置され、Ｏ
リング１９内にヒータエレメント１８が挿嵌されてい
る。このため、ヒータエレメント１８は強固に固定さ
れ、孔１６ａ（及び孔１７ａ）内でがたつくことがなく
なる。したがって、ヒータエレメント１８と孔１６ａ
（及び孔１７ａ）の内壁とが擦れ合うことがなくなり、
粉体（汚染物質）を発生するおそれがなくなる。また、
ヒータエレメント１８と孔１６ａ（及び孔１７ａ）の内
壁との擦れ合いによって、ヒータエレメント１８が破損
するおそれがなくなる。
配置されている。図４にヒータエレメント１８が挿嵌さ
れた状態の孔１６ａ付近の概略図を示す。図４に示すよ
うに、孔１６ａの内壁にはＯリング１９が配置され、Ｏ
リング１９内にヒータエレメント１８が挿嵌されてい
る。このため、ヒータエレメント１８は強固に固定さ
れ、孔１６ａ（及び孔１７ａ）内でがたつくことがなく
なる。したがって、ヒータエレメント１８と孔１６ａ
（及び孔１７ａ）の内壁とが擦れ合うことがなくなり、
粉体（汚染物質）を発生するおそれがなくなる。また、
ヒータエレメント１８と孔１６ａ（及び孔１７ａ）の内
壁との擦れ合いによって、ヒータエレメント１８が破損
するおそれがなくなる。
【００２７】また、断熱体１５の内壁は、セラミックで
コーティングされている。断熱体１５の内壁がセラミッ
クでコーティングされているので、ヒータエレメント１
８が断熱体１５の金属面（ステンレス鋼）と確実に接触
しなくなり、メタルコンタミが発生しなくなる。また、
ヒータエレメント１８が断熱体１５の金属面と接触しな
いので、ヒータエレメント１８がさらに破損しにくくな
る。セラミックとしては、例えば、アルミナ、シリカ、
またはイットリアが用いられる。このセラミックは多孔
質（ポーラス）に形成されている。セラミックがポーラ
スであると、熱衝撃性が向上するためである。
コーティングされている。断熱体１５の内壁がセラミッ
クでコーティングされているので、ヒータエレメント１
８が断熱体１５の金属面（ステンレス鋼）と確実に接触
しなくなり、メタルコンタミが発生しなくなる。また、
ヒータエレメント１８が断熱体１５の金属面と接触しな
いので、ヒータエレメント１８がさらに破損しにくくな
る。セラミックとしては、例えば、アルミナ、シリカ、
またはイットリアが用いられる。このセラミックは多孔
質（ポーラス）に形成されている。セラミックがポーラ
スであると、熱衝撃性が向上するためである。
【００２８】図５にヒータエレメント１８の概略図を示
す。図５に示すように、ヒータエレメント１８は、抵抗
発熱体１８ａと、封止部材１８ｂとを備えている。抵抗
発熱体１８ａは、例えば、線状で可撓性のある高純度の
カーボンワイヤから構成されている。このカーボンワイ
ヤは、例えば、線径１０μｍ前後のカーボン部材である
カーボンファイバーの複数の束を編み込むことにより形
成される。封止部材１８ｂはセラミックからなり、抵抗
発熱体１８ａを封止する。本実施の形態では、カーボン
ワイヤを、外径が十数ｍｍの透明な石英管の中に封入し
ている。抵抗発熱体１８ａの両端は、電極部材２０に接
続されている。電極部材２０は、その端部が封止部材１
８ｂに封止され、この電極部材２０を介して抵抗発熱体
１８ａが封止部材１８ｂに封入されている。
す。図５に示すように、ヒータエレメント１８は、抵抗
発熱体１８ａと、封止部材１８ｂとを備えている。抵抗
発熱体１８ａは、例えば、線状で可撓性のある高純度の
カーボンワイヤから構成されている。このカーボンワイ
ヤは、例えば、線径１０μｍ前後のカーボン部材である
カーボンファイバーの複数の束を編み込むことにより形
成される。封止部材１８ｂはセラミックからなり、抵抗
発熱体１８ａを封止する。本実施の形態では、カーボン
ワイヤを、外径が十数ｍｍの透明な石英管の中に封入し
ている。抵抗発熱体１８ａの両端は、電極部材２０に接
続されている。電極部材２０は、その端部が封止部材１
８ｂに封止され、この電極部材２０を介して抵抗発熱体
１８ａが封止部材１８ｂに封入されている。
【００２９】電極部材２０は外部のケーブル２１に接続
され、ケーブル２１は図示しない電源に接続されてい
る。図６に、ヒータエレメント１８とケーブル２１との
接続状態を示す。図６に示すように、ヒータエレメント
１８に接続された電極部材２０は、ケーブル２１の芯線
２１ａに接続されている。電極部材２０と芯線２１ａと
は、例えば、ロウ付けまたは圧着により接続されてい
る。そして、電源からケーブル２１、電極部材２０を介
して抵抗発熱体１８ａに電力が供給され、ヒータエレメ
ント１８が加熱される。
され、ケーブル２１は図示しない電源に接続されてい
る。図６に、ヒータエレメント１８とケーブル２１との
接続状態を示す。図６に示すように、ヒータエレメント
１８に接続された電極部材２０は、ケーブル２１の芯線
２１ａに接続されている。電極部材２０と芯線２１ａと
は、例えば、ロウ付けまたは圧着により接続されてい
る。そして、電源からケーブル２１、電極部材２０を介
して抵抗発熱体１８ａに電力が供給され、ヒータエレメ
ント１８が加熱される。
【００３０】また、ヒータエレメント１８に接続された
ケーブル２１は、ヒータエレメント１８の端部近傍で固
定部材２２により固定されている。固定部材２２とし
て、例えば、タイラップが用いられ、ケーブル２１がタ
イラップにより、例えば、挟持されることにより固定さ
れている。このようにケーブル２１がヒータエレメント
１８の端部近傍で固定部材２２により固定されているの
で、仮にケーブル２１が他の部材に引っかかったりし
て、ケーブル２１に負荷がかかっても、ヒータエレメン
ト１８が破損するおそれがなくなる。また、ヒータエレ
メント１８の端部近傍で固定されているので、ケーブル
２１が整線されて絡まりにくくすることができる。
ケーブル２１は、ヒータエレメント１８の端部近傍で固
定部材２２により固定されている。固定部材２２とし
て、例えば、タイラップが用いられ、ケーブル２１がタ
イラップにより、例えば、挟持されることにより固定さ
れている。このようにケーブル２１がヒータエレメント
１８の端部近傍で固定部材２２により固定されているの
で、仮にケーブル２１が他の部材に引っかかったりし
て、ケーブル２１に負荷がかかっても、ヒータエレメン
ト１８が破損するおそれがなくなる。また、ヒータエレ
メント１８の端部近傍で固定されているので、ケーブル
２１が整線されて絡まりにくくすることができる。
【００３１】なお、電源からヒータエレメント１８への
電力供給方法としては、全てのヒータエレメント１８を
並列または直列に接続して共通の電源から電力を供給す
る場合の他、ヒータエレメント１８を複数のグループに
分け、各グループ内のヒータエレメント１８を直列に接
続し、直列に接続されたヒータエレメント１８群を並列
に接続してもよい。
電力供給方法としては、全てのヒータエレメント１８を
並列または直列に接続して共通の電源から電力を供給す
る場合の他、ヒータエレメント１８を複数のグループに
分け、各グループ内のヒータエレメント１８を直列に接
続し、直列に接続されたヒータエレメント１８群を並列
に接続してもよい。
【００３２】断熱体１５の天井部（天板１５ｂ）の下方
側には、反応管２と対向するように、面状の第１サブヒ
ータ２３が設けられている。図７（ａ）に第１サブヒー
タ２３の斜視図、図７（ｂ）に第１サブヒータ２３の側
面図を示す。図７（ａ）及び図７（ｂ）に示すように、
第１サブヒータ２３は、例えば、厚さ８ｍｍ程度の石英
製の円板状体２３ａ中に、抵抗発熱体２３ｂが形成され
ている。抵抗発熱体２３ｂは、前述の抵抗発熱体１８ａ
と同様に、例えば、カーボンワイヤから構成されてい
る。円板状体２３ａの周縁部の２カ所には、石英管２４
が溶接されている。石英管２４はケーブル２５を介して
図示しない電源に接続されている。第１サブヒータ２３
は石英管２４が断熱体１５に設けられた孔１６ｂに挿嵌
されることにより断熱体１５に取り付けられ、サポート
２６を介して支持されている。
側には、反応管２と対向するように、面状の第１サブヒ
ータ２３が設けられている。図７（ａ）に第１サブヒー
タ２３の斜視図、図７（ｂ）に第１サブヒータ２３の側
面図を示す。図７（ａ）及び図７（ｂ）に示すように、
第１サブヒータ２３は、例えば、厚さ８ｍｍ程度の石英
製の円板状体２３ａ中に、抵抗発熱体２３ｂが形成され
ている。抵抗発熱体２３ｂは、前述の抵抗発熱体１８ａ
と同様に、例えば、カーボンワイヤから構成されてい
る。円板状体２３ａの周縁部の２カ所には、石英管２４
が溶接されている。石英管２４はケーブル２５を介して
図示しない電源に接続されている。第１サブヒータ２３
は石英管２４が断熱体１５に設けられた孔１６ｂに挿嵌
されることにより断熱体１５に取り付けられ、サポート
２６を介して支持されている。
【００３３】断熱体１５の下端部（底板１５ｃ）には第
２サブヒータ２７が設けられている。第２サブヒータ２
７はヒータエレメント１８より短いヒータエレメントで
あり、孔１７ａより内方に形成された孔１７ｂに挿嵌さ
れている。孔１７ｂにはＯリング１９が形成され、Ｏリ
ング１９により第２サブヒータ２７が固定されている。
また、ケーブル２８は第２サブヒータ２７の端部近傍で
固定部材２２により固定されている。この第２サブヒー
タ２７はケーブル２８を介して図示しない電源に接続さ
れている。
２サブヒータ２７が設けられている。第２サブヒータ２
７はヒータエレメント１８より短いヒータエレメントで
あり、孔１７ａより内方に形成された孔１７ｂに挿嵌さ
れている。孔１７ｂにはＯリング１９が形成され、Ｏリ
ング１９により第２サブヒータ２７が固定されている。
また、ケーブル２８は第２サブヒータ２７の端部近傍で
固定部材２２により固定されている。この第２サブヒー
タ２７はケーブル２８を介して図示しない電源に接続さ
れている。
【００３４】ボートエレベータ８、モータＭ、処理ガス
導入管１３、ヒータエレメント１８（ケーブル２１）、
第１サブヒータ２３（ケーブル２５）、第２サブヒータ
２７（ケーブル２８）には、図示しない制御部が接続さ
れている。制御部は、マイクロプロセッサ、プロセスコ
ントローラ等から構成され、熱処理装置１の各部の温
度、圧力等を測定し、測定データに基づいて、上記各部
に制御信号等を出力して、熱処理装置１の各部を制御す
る。
導入管１３、ヒータエレメント１８（ケーブル２１）、
第１サブヒータ２３（ケーブル２５）、第２サブヒータ
２７（ケーブル２８）には、図示しない制御部が接続さ
れている。制御部は、マイクロプロセッサ、プロセスコ
ントローラ等から構成され、熱処理装置１の各部の温
度、圧力等を測定し、測定データに基づいて、上記各部
に制御信号等を出力して、熱処理装置１の各部を制御す
る。
【００３５】次に、以上のように構成された熱処理装置
１を用いた熱処理について簡単に説明する。まず、ボー
トエレベータ８により蓋体７が下げられた状態で、半導
体ウエハＷをウエハボート１２に所定枚数収容する。次
に、ボートエレベータ８を上昇させることにより、半導
体ウエハＷを反応管２（内管３）内にロードする。続い
て、ヒータエレメント１８、第１サブヒータ２３、及び
第２サブヒータ２７により、反応管２内を所定の温度に
昇温するとともに、排気管１４に接続された図示しない
排気ユニットにより反応管２内の圧力を所定の圧力に設
定する。
１を用いた熱処理について簡単に説明する。まず、ボー
トエレベータ８により蓋体７が下げられた状態で、半導
体ウエハＷをウエハボート１２に所定枚数収容する。次
に、ボートエレベータ８を上昇させることにより、半導
体ウエハＷを反応管２（内管３）内にロードする。続い
て、ヒータエレメント１８、第１サブヒータ２３、及び
第２サブヒータ２７により、反応管２内を所定の温度に
昇温するとともに、排気管１４に接続された図示しない
排気ユニットにより反応管２内の圧力を所定の圧力に設
定する。
【００３６】反応管２が所定の圧力及び温度で安定する
と、処理ガス供給１３から処理ガスを供給して所定の熱
処理を行う。また、処理中はモータＭによりウエハボー
ト１２を回転させる。そして、反応管２内を所定の温度
に降温するとともに、反応管２内を常圧に戻し、ウエハ
ボート１２（半導体ウエハＷ）を反応管２からアンロー
ドする。
と、処理ガス供給１３から処理ガスを供給して所定の熱
処理を行う。また、処理中はモータＭによりウエハボー
ト１２を回転させる。そして、反応管２内を所定の温度
に降温するとともに、反応管２内を常圧に戻し、ウエハ
ボート１２（半導体ウエハＷ）を反応管２からアンロー
ドする。
【００３７】以上説明したように、本実施の形態によれ
ば、孔１６ａ、孔１７ａ（及び孔１６ｂ、孔１７ｂ）の
内壁にはＯリング１９が配置され、Ｏリング１９内にヒ
ータエレメント１８（第２サブヒータ２７）が挿嵌され
ているので、ヒータエレメント１８（第２サブヒータ２
７）は強固に固定され、孔１６ａ、孔１７ａ（及び孔１
６ｂ、孔１７ｂ）内でがたつくことがなくなる。したが
って、ヒータエレメント１８（第２サブヒータ２７）
と、孔１６ａ、孔１７ａ（及び孔１６ｂ、孔１７ｂ）の
内壁とが擦れ合うことがなくなり、粉体（汚染物質）を
発生するおそれがなくなる。また、ヒータエレメント１
８（第２サブヒータ２７）が破損するおそれがなくな
る。
ば、孔１６ａ、孔１７ａ（及び孔１６ｂ、孔１７ｂ）の
内壁にはＯリング１９が配置され、Ｏリング１９内にヒ
ータエレメント１８（第２サブヒータ２７）が挿嵌され
ているので、ヒータエレメント１８（第２サブヒータ２
７）は強固に固定され、孔１６ａ、孔１７ａ（及び孔１
６ｂ、孔１７ｂ）内でがたつくことがなくなる。したが
って、ヒータエレメント１８（第２サブヒータ２７）
と、孔１６ａ、孔１７ａ（及び孔１６ｂ、孔１７ｂ）の
内壁とが擦れ合うことがなくなり、粉体（汚染物質）を
発生するおそれがなくなる。また、ヒータエレメント１
８（第２サブヒータ２７）が破損するおそれがなくな
る。
【００３８】本実施の形態によれば、ケーブル２１（ケ
ーブル２８）がヒータエレメント１８（第２サブヒータ
２７）の端部近傍で固定部材２２により固定されている
ので、ヒータエレメント１８（第２サブヒータ２７）が
破損するおそれがなくなる。また、ケーブル２１（ケー
ブル２８）が整線されて絡まりにくくすることができ
る。
ーブル２８）がヒータエレメント１８（第２サブヒータ
２７）の端部近傍で固定部材２２により固定されている
ので、ヒータエレメント１８（第２サブヒータ２７）が
破損するおそれがなくなる。また、ケーブル２１（ケー
ブル２８）が整線されて絡まりにくくすることができ
る。
【００３９】本実施の形態によれば、断熱体１５の内壁
がセラミックでコーティングされているので、ヒータエ
レメント１８が断熱体１５の金属面と確実に接触しなく
なり、メタルコンタミが発生しなくなる。また、ヒータ
エレメント１８が断熱体１５の金属面と接触しないの
で、ヒータエレメント１８がさらに破損しにくくなる。
さらに、セラミックに多孔質を用いているので、断熱体
１５の熱衝撃性が向上する。
がセラミックでコーティングされているので、ヒータエ
レメント１８が断熱体１５の金属面と確実に接触しなく
なり、メタルコンタミが発生しなくなる。また、ヒータ
エレメント１８が断熱体１５の金属面と接触しないの
で、ヒータエレメント１８がさらに破損しにくくなる。
さらに、セラミックに多孔質を用いているので、断熱体
１５の熱衝撃性が向上する。
【００４０】本実施の形態によれば、反応管２内で均一
な温度になりにくい、反応管２の上部及び下部に第１サ
ブヒータ２３及び第２サブヒータ２７が配置されている
ので、反応管２内の温度を均一にすることができる。
な温度になりにくい、反応管２の上部及び下部に第１サ
ブヒータ２３及び第２サブヒータ２７が配置されている
ので、反応管２内の温度を均一にすることができる。
【００４１】なお、本発明は、上記の実施の形態に限ら
れず、種々の変形、応用が可能である。以下、本発明に
適用可能な他の実施の形態について説明する。
れず、種々の変形、応用が可能である。以下、本発明に
適用可能な他の実施の形態について説明する。
【００４２】上記実施の形態では、孔１６ａ及び孔１７
ａの内壁にＯリング１９を配置した場合を例に本発明を
説明したが、孔１６ａ及び孔１７ａの内壁の少なくとも
一方にＯリング１９が配置されていればよい。少なくと
も一方にＯリング１９が配置されていれば、ヒータエレ
メント１８は強固に固定され、ヒータエレメント１８が
孔内でがたつくことがなくなる。
ａの内壁にＯリング１９を配置した場合を例に本発明を
説明したが、孔１６ａ及び孔１７ａの内壁の少なくとも
一方にＯリング１９が配置されていればよい。少なくと
も一方にＯリング１９が配置されていれば、ヒータエレ
メント１８は強固に固定され、ヒータエレメント１８が
孔内でがたつくことがなくなる。
【００４３】上記実施の形態では、孔１６ａ及び孔１７
ａの内壁にＯリング１９を配置した場合を例に本発明を
説明したが、孔１６ａ及び孔１７ａの内壁にＯリング１
９を配置せず、各孔１６ａ、孔１７ａの内壁をセラミッ
クでコーティングし、セラミックがコーティングされた
孔１６ａ、孔１７ａにヒータエレメント１８を挿嵌して
もよい。この場合、仮に、ヒータエレメント１８と孔１
６ａ、孔１７ａの内壁とが擦れ合っても、ヒータエレメ
ント１８が断熱体１５の金属面と接触しないので、メタ
ルコンタミの発生を防止することができる。
ａの内壁にＯリング１９を配置した場合を例に本発明を
説明したが、孔１６ａ及び孔１７ａの内壁にＯリング１
９を配置せず、各孔１６ａ、孔１７ａの内壁をセラミッ
クでコーティングし、セラミックがコーティングされた
孔１６ａ、孔１７ａにヒータエレメント１８を挿嵌して
もよい。この場合、仮に、ヒータエレメント１８と孔１
６ａ、孔１７ａの内壁とが擦れ合っても、ヒータエレメ
ント１８が断熱体１５の金属面と接触しないので、メタ
ルコンタミの発生を防止することができる。
【００４４】上記実施の形態では、孔１６ａと孔１７ａ
とを貫通する直管構造のヒータエレメント１８の場合を
例に本発明を説明したが、本発明はこれに限定されるも
のではなく、例えば、Ｕ字管であってもよい。この場
合、例えば、隣り合った２つの孔１６ａに挿嵌すること
により、熱処理装置１に取り付けられる。また、加熱す
る領域を上下２分割し、孔１６ａに挿嵌されたヒータエ
レメント１８により上の領域を加熱し、孔１７ａに挿嵌
されたヒータエレメント１８により下の領域を加熱する
ように構成してもよい。
とを貫通する直管構造のヒータエレメント１８の場合を
例に本発明を説明したが、本発明はこれに限定されるも
のではなく、例えば、Ｕ字管であってもよい。この場
合、例えば、隣り合った２つの孔１６ａに挿嵌すること
により、熱処理装置１に取り付けられる。また、加熱す
る領域を上下２分割し、孔１６ａに挿嵌されたヒータエ
レメント１８により上の領域を加熱し、孔１７ａに挿嵌
されたヒータエレメント１８により下の領域を加熱する
ように構成してもよい。
【００４５】上記実施の形態では、ヒータエレメント１
８の抵抗発熱体１８ａがカーボンワイヤから構成されて
いる場合を例に本発明を説明したが、抵抗発熱体１８ａ
はカーボンワイヤ以外の線状で可撓性のある高純度の抵
抗発熱体であってもよい。
８の抵抗発熱体１８ａがカーボンワイヤから構成されて
いる場合を例に本発明を説明したが、抵抗発熱体１８ａ
はカーボンワイヤ以外の線状で可撓性のある高純度の抵
抗発熱体であってもよい。
【００４６】本実施の形態では、熱処理装置として、反
応管２が内管３と外管４とから構成された二重管構造の
バッチ式縦型熱処理装置の場合を例に本発明を説明した
が、本発明はこれに限定されるものではなく、単管構造
の熱処理装置に適用することも可能である。また、被処
理体は半導体ウエハＷに限定されるものではなく、例え
ばＬＣＤ用のガラス基板等にも適用することができる。
応管２が内管３と外管４とから構成された二重管構造の
バッチ式縦型熱処理装置の場合を例に本発明を説明した
が、本発明はこれに限定されるものではなく、単管構造
の熱処理装置に適用することも可能である。また、被処
理体は半導体ウエハＷに限定されるものではなく、例え
ばＬＣＤ用のガラス基板等にも適用することができる。
【００４７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
汚染物質の発生を防止することができる。また、ヒータ
の破損を防止することができる。
汚染物質の発生を防止することができる。また、ヒータ
の破損を防止することができる。
【図１】本発明の実施の形態の熱処理装置の概略図であ
る。
る。
【図２】本発明の実施の形態の断熱体の斜視図である。
【図３】本発明の実施の形態の断熱体の孔にヒータエレ
メントが挿嵌された状態を示した斜視図である。
メントが挿嵌された状態を示した斜視図である。
【図４】本発明の実施の形態の断熱体の孔にヒータエレ
メントが挿嵌された状態の孔付近の拡大図である。
メントが挿嵌された状態の孔付近の拡大図である。
【図５】本発明の実施の形態のヒータエレメントの側面
図である。
図である。
【図６】本発明の実施の形態のヒータエレメントとケー
ブルとの接続状態を示す側面図である。
ブルとの接続状態を示す側面図である。
【図７】（ａ）は、本発明の実施の形態の第１サブヒー
タの斜視図であり、（ｂ）は、本発明の実施の形態の第
１サブヒータの側面図である。
タの斜視図であり、（ｂ）は、本発明の実施の形態の第
１サブヒータの側面図である。
１ 熱処理装置 ２ 反応管 ３ 内管 ４ 外管 １５ 断熱体 １６ａ、１７ａ、１７ｂ 孔 １８ ヒータエレメント １９ Ｏリング ２１ ケーブル ２２ 固定部材 ２７ 第２サブヒータ Ｗ 半導体ウエハ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｂ 3/62 Ｈ０５Ｂ 3/62 Ｆターム(参考） 3K092 PP20 QA01 QB16 RA03 RC02 RD11 VV40 4K051 AA04 AB03 BB01 BB07 BE03 4K063 AA05 AA12 BA12 CA03 CA05 FA07 FA18 5F045 BB14 BB15 DP19 DQ05 EB03 EC02 EJ04 EK06 EK22 EM10 EN05
Claims (10)
- 【請求項１】複数の孔が形成され、被処理体を収容する
反応室を囲むように設けられた断熱体と、 複数のヒータエレメントから構成され、前記反応室と所
定の間隔を有するように、前記断熱体の各孔にヒータエ
レメントを挿嵌することにより、前記断熱体と前記反応
室との間に配置されたヒータとを備え、 前記反応室内を加熱して、該反応室に収容された被処理
体を熱処理する熱処理装置に用いられる熱処理装置用ヒ
ータの固定方法であって、 前記ヒータエレメントを前記断熱体の孔内に配置された
Ｏリングにより固定する、ことを特徴とする熱処理装置
用ヒータの固定方法。 - 【請求項２】前記ヒータエレメントに接続されたケーブ
ルを、当該ヒータエレメントの端部近傍で固定部材によ
り固定する、ことを特徴とする請求項１に記載の熱処理
装置用ヒータの固定方法。 - 【請求項３】前記固定部材にタイラップを用いる、こと
を特徴とする請求項２に記載の熱処理装置用ヒータの固
定方法。 - 【請求項４】被処理体を反応室内に収容し、当該反応室
内を加熱して被処理体を熱処理する熱処理装置であっ
て、 複数の孔が形成され、前記反応室を囲むように設けられ
た断熱体と、 複数のヒータエレメントから構成され、前記反応室と所
定の間隔を有するように、前記断熱体の各孔にヒータエ
レメントを挿嵌することにより、前記断熱体と前記反応
室との間に配置されたヒータとを備え、 前記断熱体の孔内にはＯリングが配置され、前記ヒータ
エレメントは前記Ｏリングにより固定されている、こと
を特徴とする熱処理装置。 - 【請求項５】被処理体を反応室内に収容し、当該反応室
内を加熱して被処理体を熱処理する熱処理装置であっ
て、 複数の孔が形成され、前記反応室を囲むように設けられ
た金属部材からなる断熱体と、 複数のヒータエレメントから構成され、前記反応室と所
定の間隔を有するように、前記断熱体の各孔にヒータエ
レメントを挿嵌することにより、該断熱体と前記反応室
との間に配置されたヒータとを備え、 前記断熱体の孔の内壁は、セラミックでコーティングさ
れている、ことを特徴とする熱処理装置。 - 【請求項６】前記断熱体の内壁はセラミックでコーティ
ングされている、ことを特徴とする請求項４または５に
記載の熱処理装置。 - 【請求項７】前記セラミックはアルミナ、シリカ、また
はイットリアである、ことを特徴とする請求項５または
６に記載の熱処理装置。 - 【請求項８】前記セラミックは多孔質である、ことを特
徴とする請求項５乃至７のいずれか１項に記載の熱処理
装置。 - 【請求項９】前記ヒータエレメントに接続されたケーブ
ルは、当該ヒータエレメントの端部近傍で固定部材に固
定されている、ことを特徴とする請求項４乃至８のいず
れか１項に記載の熱処理装置。 - 【請求項１０】前記固定部材はタイラップである、こと
を特徴とする請求項９に記載の熱処理装置。
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