JP2009033115A - 加熱装置及びこれを用いた基板処理装置並びに半導体装置の製造方法並びに絶縁体 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 発熱体20と、この発熱体20を支持するインナシェル50と、このインナシェル50の外周に配置されるアウタシェル60と、これらインナシェル50及びアウタシェル60の間に冷却媒体を流通させる冷却媒体流通通路14とを有する。インナシェル50に設けられる第一の開口部55aと、アウタシェル60に設けられる第二の開口部65と、第一の開口部55aから第二の開口部65に向かって設けられ、少なくともインナシェル50とアウタシェル60との間で冷却媒体流通通路14と隔離した空間を形成するための隔壁体55b、55cとを有する。隔壁体55b、55cと第二の開口部65との間で形成される隙間65aを塞ぐ絶縁体とを備える。
【選択図】 図8
Description
以下、図面を参照しつつ本発明を実施する為の最良の形態としての第一の実施形態を説明する。
ウェーハ305の処理は、このウェーハ305が装填された前記ボート300がボートエレベータにより前記反応管310に装入され、前記加熱装置3の加熱により所定温度迄急速加熱される。この加熱装置3により前記ウェーハ305を所定温度に加熱した状態で前記反応ガス導入管5xより反応ガスが導入され、前記排気管6xを介して排気ガスが排出され、前記ウェーハ305に所要の熱処理がなされる。
1)前記箱55bとしての隔壁体と前記温度検出器との間に空隙103xを設けてある基板処理装置。
本発明に係る加熱装置の第一の態様は、発熱体と、この発熱体を支持するインナシェルと、このインナシェルの外周に配置されるアウタシェルと、これらインナシェル及びアウタシェルの間に冷却媒体を流通させる冷却媒体流通通路と、前記インナシェルに設けられる第一の開口部と、前記アウタシェルに設けられる第二の開口部と、前記第一の開口部から前記第二の開口部に向かって設けられ、少なくとも前記インナシェルと前記アウタシェルとの間で前記冷却媒体流通通路と隔離した空間を形成するための隔壁体と、該隔壁体と前記第二の開口部との間で形成される隙間を塞ぐ絶縁体とを備える。
また、本発明に係る加熱装置の第二の態様は、発熱体と、この発熱体を支持するインナシェルと、このインナシェルの外周に配置されるアウタシェルと、これらインナシェル及びアウタシェルの間に冷却媒体を流通させる冷却媒体流通通路と、前記インナシェルに設けられる第一の開口部と、前記アウタシェルに設けられる第二の開口部と、前記第一の開口部から前記第二の開口部に向かって設けられるか若しくは前記第二の開口部から前記第一の開口部に向かって設けられる、少なくとも前記インナシェルと前記アウタシェルとの間で前記冷却媒体流通通路と隔離した空間を形成するための隔壁体と、該隔壁体と前記第二の開口部との間若しくは前記隔壁体と前記第一の開口部との間で形成される隙間を塞ぐ絶縁体とを備える。
上記第一、第二の態様により、インナシェルとアウタシェル間の絶縁を確保できると共に、冷却媒体流通通路の気密性をも確保することができる。また、前記隙間を第二の開口と隔壁体との間に設けることで、絶縁体の取り付け・取り外しをアウタシェルの外側から容易に行うことができる。
上記第一、第二の態様において、前記空間に前記発熱体の温度を検出する温度検出器の少なくとも一部が設けるとよい。係る場合、前記隔壁体と前記温度検出器の間に空隙を設けることが望ましい。これにより、気道からの熱伝導による温度低下を抑制することができ、発熱体の正確な温度測定が可能となる。また、前記絶縁体は、硬さの異なる2以上の絶縁部材が積層するとよい。これにより、絶縁部材を隙間に均一に押し当てることができ、冷却媒体流通通路の気密性をより向上させることができる。また、上記第一の態様において、前記絶縁体は、硬さの異なる2以上の絶縁部材を積層しており、少なくとも前記隔壁体側に位置する絶縁部材の方を柔軟性の高い絶縁部材とすることが望ましい。上記第一、第二の態様において、前記第一の開口部より前記第二の開口部の開口サイズを大きくするとよい。これにより、組み付け作業が容易となる。しかも、ウエハ処理への影響が大きい加熱空間からの熱逃げを抑制することができる。また、上記第一の態様においては、前記第一の開口部との間で隙間を形成しつつ設けられる第一の開口部閉塞体をさらに備えることが望ましい。この場合、前記発熱体の温度を検出する温度検出器と該温度検出器を支持する支持部を有し、前記第二の開口部と前記支持部との間に前記絶縁体を設けるとよい。
本発明に係る基板処理装置の第一の態様は、上述の加熱装置の第一、第二の態様において、前記加熱装置の内部に加熱空間を有し、その加熱空間に基板を処理する反応容器を設けてある。また、基板処理装置の他の態様は、前記加熱装置の前記空間に前記発熱体の温度を検出する温度検出器の少なくとも一部を設けた加熱装置の態様において、前記加熱装置の内部に加熱空間を有し、その加熱空間に基板を処理する反応容器を設けてある。
本発明に係る半導体装置の製造方法の第一の態様は、反応容器内に基板を搬入する工程と、発熱体と、この発熱体を支持するインナシェルと、このインナシェルの外周に配置されるアウタシェルと、これらインナシェル及びアウタシェルの間に冷却媒体を流通させる冷却媒体流通通路と、前記インナシェルに設けられる第一の開口部と、前記アウタシェルに設けられる第二の開口部と、前記第一の開口部から前記第二の開口部に向かって設けられ、少なくとも前記インナシェルと前記アウタシェルとの間で前記冷却媒体流通通路と隔離した空間を形成するための隔壁体と、該隔壁体と前記第二の開口部との間で形成される隙間を塞ぐ絶縁体とを備える加熱装置内の前記反応容器内を加熱し前記基板を処理する工程とを有する。
本発明に係る他の半導体装置の製造方法の第二の態様は、反応容器内に基板を搬入する工程と、発熱体と、この発熱体を支持するインナシェルと、このインナシェルの外周に配置されるアウタシェルと、これらインナシェル及びアウタシェルの間に冷却媒体を流通させる冷却媒体流通通路と、前記インナシェルに設けられる第一の開口部と、前記アウタシェルに設けられる第二の開口部と、前記第一の開口部から前記第二の開口部に向かって設けられるか若しくは前記第二の開口部から前記第一の開口部に向かって設けられる、少なくとも前記インナシェルと前記アウタシェルとの間で前記冷却媒体流通通路と隔離した空間を形成するための隔壁体と、該隔壁体と前記第二の開口部との間若しくは前記隔壁体と前記第一の開口部との間で形成される隙間を塞ぐ絶縁体とを備える加熱装置内の前記反応容器内を加熱し前記基板を処理する工程とを有する。
本発明に係る絶縁体の第一の態様は、発熱体と、この発熱体を支持するインナシェルと、このインナシェルの外周に配置されるアウタシェルと、これらインナシェル及びアウタシェルの間に冷却媒体を流通させる冷却媒体流通通路と、前記インナシェルに設けられる第一の開口部と、前記アウタシェルに設けられる第二の開口部と、前記第一の開口部から前記第二の開口部に向かって設けられ、少なくとも前記インナシェルと前記アウタシェルとの間で前記冷却媒体流通通路と隔離した空間を形成するための隔壁体とを少なくとも備える加熱装置に用いられる絶縁体であって、前記隔壁体と前記第二の開口部との間で形成される隙間を塞ぐ。
本発明に係る他の絶縁体の第二の態様は、発熱体と、この発熱体を支持するインナシェルと、このインナシェルの外周に配置されるアウタシェルと、これらインナシェル及びアウタシェルの間に冷却媒体を流通させる冷却媒体流通通路と、前記インナシェルに設けられる第一の開口部と、前記アウタシェルに設けられる第二の開口部と、前記第一の開口部から前記第二の開口部に向かって設けられるか若しくは前記第二の開口部から前記第一の開口部に向かって設けられる、少なくとも前記インナシェルと前記アウタシェルとの間で前記冷却媒体流通通路と隔離した空間を形成するための隔壁体とを少なくとも備える加熱装置に用いられる絶縁体であって、前記隔壁体と前記第二の開口部との間若しくは前記隔壁体と前記第一の開口部との間で形成される隙間を塞ぐ。
Claims (5)
- 発熱体と、この発熱体を支持するインナシェルと、
このインナシェルの外周に配置されるアウタシェルと、
これらインナシェル及びアウタシェルの間に冷却媒体を流通させる冷却媒体流通通路と、
前記インナシェルに設けられる第一の開口部と、
前記アウタシェルに設けられる第二の開口部と、
前記第一の開口部から前記第二の開口部に向かって設けられ、少なくとも前記インナシェルと前記アウタシェルとの間で前記冷却媒体流通通路と隔離した空間を形成するための隔壁体と、
該隔壁体と前記第二の開口部との間で形成される隙間を塞ぐ絶縁体と
を備える加熱装置。 - 発熱体と、この発熱体を支持するインナシェルと、
このインナシェルの外周に配置されるアウタシェルと、
これらインナシェル及びアウタシェルの間に冷却媒体を流通させる冷却媒体流通通路と、
前記インナシェルに設けられる第一の開口部と、
前記アウタシェルに設けられる第二の開口部と、
前記第一の開口部から前記第二の開口部に向かって設けられるか若しくは前記第二の開口部から前記第一の開口部に向かって設けられる、少なくとも前記インナシェルと前記アウタシェルとの間で前記冷却媒体流通通路と隔離した空間を形成するための隔壁体と、
該隔壁体と前記第二の開口部との間若しくは前記隔壁体と前記第一の開口部との間で形成される隙間を塞ぐ絶縁体と
を備える加熱装置。 - 請求項1又は2記載の前記加熱装置の内部に加熱空間を有し、その加熱空間に基板を処理する反応容器を設けた基板処理装置。
- 反応容器内に基板を搬入する工程と、
発熱体と、この発熱体を支持するインナシェルと、このインナシェルの外周に配置されるアウタシェルと、これらインナシェル及びアウタシェルの間に冷却媒体を流通させる冷却媒体流通通路と、前記インナシェルに設けられる第一の開口部と、前記アウタシェルに設けられる第二の開口部と、前記第一の開口部から前記第二の開口部に向かって設けられ、少なくとも前記インナシェルと前記アウタシェルとの間で前記冷却媒体流通通路と隔離した空間を形成するための隔壁体と、該隔壁体と前記第二の開口部との間で形成される隙間を塞ぐ絶縁体とを備える加熱装置内の前記反応容器内を加熱し前記基板を処理する工程とを有する半導体装置の製造方法。 - 発熱体と、この発熱体を支持するインナシェルと、このインナシェルの外周に配置されるアウタシェルと、これらインナシェル及びアウタシェルの間に冷却媒体を流通させる冷却媒体流通通路と、前記インナシェルに設けられる第一の開口部と、前記アウタシェルに設けられる第二の開口部と、前記第一の開口部から前記第二の開口部に向かって設けられ、少なくとも前記インナシェルと前記アウタシェルとの間で前記冷却媒体流通通路と隔離した空間を形成するための隔壁体とを少なくとも備える加熱装置に用いられる絶縁体であって、前記隔壁体と前記第二の開口部との間で形成される隙間を塞ぐ絶縁体。
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