JP5543196B2 - 加熱装置及び基板処理装置並びに半導体装置の製造方法 - Google Patents
加熱装置及び基板処理装置並びに半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5543196B2 JP5543196B2 JP2009298110A JP2009298110A JP5543196B2 JP 5543196 B2 JP5543196 B2 JP 5543196B2 JP 2009298110 A JP2009298110 A JP 2009298110A JP 2009298110 A JP2009298110 A JP 2009298110A JP 5543196 B2 JP5543196 B2 JP 5543196B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sealing member
- shell
- substrate
- heating
- processing chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 title claims description 91
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 49
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 37
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 50
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims description 10
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 8
- 238000004804 winding Methods 0.000 claims description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 26
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 22
- 239000000112 cooling gas Substances 0.000 description 17
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 13
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 10
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 8
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 6
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 5
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 4
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 4
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 3
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 2
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 2
- 239000003779 heat-resistant material Substances 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- 239000002241 glass-ceramic Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
Images
Description
また、上記目的を達成するために、本発明に係る基板処理装置の態様は、基板を処理する処理室と、前記処理室の外周に配置されて前記処理室に装入された基板を加熱する加熱装置と、を備え、前記加熱装置は、積層される複数の筒状のシェルユニットと、前記シェルユニットの内周に支持されると共に前記基板を加熱する発熱体と、前記シェルユニットの積層間に形成される隙間を封止する帯状の封止部材と、前記封止部材を前記シェルユニットに固定する帯状の固定部材と、を有し、前記封止部材は、前記シェルユニットの外周側から前記隙間を覆うように巻き付けてあり、前記固定部材は、前記封止部材の外側から巻き付けることにより前記封止部材を締め付け固定する。
また、上記目的を達成するために、本発明に係る半導体装置の製造方法の態様は、基板を処理室に装入する工程と、筒状のシェルユニットと、前記シェルユニットの内周に支持されると共に前記基板を加熱する発熱体と、前記シェルユニットの積層間に形成される隙間を封止する帯状の封止部材と、前記封止部材を前記シェルユニットに固定する帯状の固定部材と、を有し、前記封止部材は、前記シェルユニットの外周側から前記隙間を覆うように巻き付けてあり、前記固定部材は、前記封止部材の外側から巻き付けることにより前記封止部材を締め付け固定するように構成した加熱装置によって前記処理室に装入された基板を所定温度に加熱した状態で前記処理室へ反応ガスを供給して前記基板を処理する工程と、を有する。
Claims (4)
- 複数の筒状のシェルユニットを有し、処理室の外周に配置されて前記処理室に装入された基板を加熱する加熱装置であって、
前記シェルユニットの内周に支持されると共に前記基板を加熱する発熱体と、
前記シェルユニットの積層間に形成される隙間を封止する帯状の封止部材と、
前記封止部材を前記シェルユニットに固定する帯状の固定部材と、を備え、
前記封止部材は、前記シェルユニットの外周側から前記隙間を覆うように巻き付けてあり、
前記固定部材は、前記封止部材の外側から巻き付けることにより前記封止部材を締め付け固定する加熱装置。 - 前記発熱体を前記シェルユニットに固定するためのボルトと、
前記ボルトに取り付けられたカラーと、を備え、
前記ボルト及び前記カラーによって前記封止部材と前記固定部材の下部を支持する請求項1記載の加熱装置。 - 基板を処理する処理室と、
前記処理室の外周に配置されて前記処理室に装入された基板を加熱する加熱装置と、を備え、
前記加熱装置は、積層される複数の筒状のシェルユニットと、
前記シェルユニットの内周に支持されると共に前記基板を加熱する発熱体と、
前記シェルユニットの積層間に形成される隙間を封止する帯状の封止部材と、
前記封止部材を前記シェルユニットに固定する帯状の固定部材と、を有し、
前記封止部材は、前記シェルユニットの外周側から前記隙間を覆うように巻き付けてあり、
前記固定部材は、前記封止部材の外側から巻き付けることにより前記封止部材を締め付け固定する基板処理装置。 - 基板を処理室に装入する工程と、
筒状のシェルユニットと、前記シェルユニットの内周に支持されると共に前記基板を加熱する発熱体と、前記シェルユニットの積層間に形成される隙間を封止する帯状の封止部材と、前記封止部材を前記シェルユニットに固定する帯状の固定部材と、を有し、前記封止部材は、前記シェルユニットの外周側から前記隙間を覆うように巻き付けてあり、前記固定部材は、前記封止部材の外側から巻き付けることにより前記封止部材を締め付け固定するように構成した加熱装置によって前記処理室に装入された基板を所定温度に加熱した状態で前記処理室へ反応ガスを供給して前記基板を処理する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009298110A JP5543196B2 (ja) | 2009-12-28 | 2009-12-28 | 加熱装置及び基板処理装置並びに半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009298110A JP5543196B2 (ja) | 2009-12-28 | 2009-12-28 | 加熱装置及び基板処理装置並びに半導体装置の製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011138936A JP2011138936A (ja) | 2011-07-14 |
JP2011138936A5 JP2011138936A5 (ja) | 2013-02-14 |
JP5543196B2 true JP5543196B2 (ja) | 2014-07-09 |
Family
ID=44350068
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009298110A Active JP5543196B2 (ja) | 2009-12-28 | 2009-12-28 | 加熱装置及び基板処理装置並びに半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5543196B2 (ja) |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0519950Y2 (ja) * | 1987-09-18 | 1993-05-25 | ||
JP3014901B2 (ja) * | 1993-07-06 | 2000-02-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置 |
JP4410472B2 (ja) * | 2003-01-23 | 2010-02-03 | 株式会社日立国際電気 | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
JP4739057B2 (ja) * | 2006-02-20 | 2011-08-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置、ヒータ及びその製造方法 |
JP4490492B2 (ja) * | 2007-06-25 | 2010-06-23 | 株式会社日立国際電気 | 加熱装置及びこれを用いた基板処理装置並びに半導体装置の製造方法並びに絶縁体 |
JP4472007B2 (ja) * | 2007-06-25 | 2010-06-02 | 株式会社日立国際電気 | 加熱装置、これを用いた基板処理装置及び半導体装置の製造方法並びに貫通部材 |
-
2009
- 2009-12-28 JP JP2009298110A patent/JP5543196B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2011138936A (ja) | 2011-07-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5394360B2 (ja) | 縦型熱処理装置およびその冷却方法 | |
JP5043776B2 (ja) | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP4331768B2 (ja) | 熱処理炉及び縦型熱処理装置 | |
US9184069B2 (en) | Heating apparatus, substrate processing apparatus employing the same, method of manufacturing semiconductor devices, and insulator | |
JP5394292B2 (ja) | 縦型熱処理装置および圧力検知システムと温度センサの組合体 | |
US9466515B2 (en) | Heat treatment furnace and heat treatment apparatus | |
JP2009180462A (ja) | 熱処理炉 | |
JP5743746B2 (ja) | 熱処理炉及び熱処理装置 | |
JP5568387B2 (ja) | 加熱装置及び基板処理方法並びに基板処理装置 | |
US8158911B2 (en) | Heating apparatus, substrate processing apparatus employing the same, method of manufacturing semiconductor devices, and extending member | |
JP4490492B2 (ja) | 加熱装置及びこれを用いた基板処理装置並びに半導体装置の製造方法並びに絶縁体 | |
JP5139734B2 (ja) | 基板処理装置及びこれに用いられる加熱装置 | |
JP5543196B2 (ja) | 加熱装置及び基板処理装置並びに半導体装置の製造方法 | |
KR101001331B1 (ko) | 가열 장치, 기판처리장치 및 반도체장치의 제조 방법 | |
JP2011187561A (ja) | 加熱装置及び加熱装置の製造方法 | |
JP4472007B2 (ja) | 加熱装置、これを用いた基板処理装置及び半導体装置の製造方法並びに貫通部材 | |
JP4564081B2 (ja) | 加熱装置、基板処理装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP2011187781A (ja) | 加熱装置及びこれに用いる冷却管の取付具 | |
JP2011023514A (ja) | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP5584461B2 (ja) | 加熱装置及び基板処理装置並びに半導体装置の製造方法 | |
JP2010093108A (ja) | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP5497860B2 (ja) | 熱処理炉及び熱処理炉用支持体 | |
KR20240026092A (ko) | 열처리 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121225 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20121225 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140422 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140508 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5543196 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313115 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |