JP2006032409A - 基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】球切れの加熱ランプを容易に交換可能とする。
【解決手段】CVD装置10はウエハ処理室14を構成するプロセスチューブ11と、熱線を照射する複数本の加熱ランプ42と、加熱ランプ42の熱線を処理室14の方向に反射させるリフレクタ47とを備えており、加熱ランプ42群は上下に分配され、リフレクタ47の上下に設置された加熱ランプ保持装置70により保持されている。加熱ランプ保持装置70のサポートリング71に周方向に等間隔に開設された各ガイド穴72にはキャップ77に反力をとったスプリング78により付勢される押さえ具74が嵌入される。加熱ランプ42の被保持部42bは押さえ具74とガイド穴72との間で保持され、雄コネクタ42aが雌コネクタ80に接続される。押さえ具74を移動させて被保持部42bの保持を解除し、球切れの加熱ランプ42を径方向に引き抜くことで交換できる。
【選択図】図7
【解決手段】CVD装置10はウエハ処理室14を構成するプロセスチューブ11と、熱線を照射する複数本の加熱ランプ42と、加熱ランプ42の熱線を処理室14の方向に反射させるリフレクタ47とを備えており、加熱ランプ42群は上下に分配され、リフレクタ47の上下に設置された加熱ランプ保持装置70により保持されている。加熱ランプ保持装置70のサポートリング71に周方向に等間隔に開設された各ガイド穴72にはキャップ77に反力をとったスプリング78により付勢される押さえ具74が嵌入される。加熱ランプ42の被保持部42bは押さえ具74とガイド穴72との間で保持され、雄コネクタ42aが雌コネクタ80に接続される。押さえ具74を移動させて被保持部42bの保持を解除し、球切れの加熱ランプ42を径方向に引き抜くことで交換できる。
【選択図】図7
Description
本発明は、基板処理装置に関し、例えば、半導体集積回路装置(以下、ICという。)の製造方法に使用されるCVD装置や拡散装置、酸化装置およびアニール装置等の熱処理装置(furnace )に利用して有効なものに関する。
ICの製造方法において、半導体素子を含む集積回路が作り込まれる半導体ウエハ(以下、ウエハという。)に窒化シリコン(Si3 N4 )や酸化シリコンおよびポリシリコン等のCVD膜を形成するのに、バッチ式縦形ホットウオール形減圧CVD装置が広く使用されている。
バッチ式縦形ホットウオール形減圧CVD装置(以下、CVD装置という。)は、ウエハが搬入されるインナチューブおよびインナチューブを取り囲むアウタチューブから構成されて縦形に設置されたプロセスチューブと、プロセスチューブによって形成された処理室に処理ガスとしての成膜ガスを供給するガス供給管と、処理室を真空排気する排気管と、プロセスチューブ外に敷設されて処理室を加熱するヒータユニットと、ボートエレベータによって昇降されて処理室の炉口を開閉するシールキャップと、シールキャップの上に垂直に設置されて複数枚のウエハを保持するボートとを備えており、複数枚のウエハがボートによって垂直方向に整列されて保持された状態で処理室に下端の炉口から搬入(ボートローディング)され、シールキャップによって炉口が閉塞された状態で、処理室に成膜ガスがガス供給管から供給されるとともに、ヒータユニットによって処理室が加熱されることにより、ウエハの上にCVD膜が堆積するように構成されている。
バッチ式縦形ホットウオール形減圧CVD装置(以下、CVD装置という。)は、ウエハが搬入されるインナチューブおよびインナチューブを取り囲むアウタチューブから構成されて縦形に設置されたプロセスチューブと、プロセスチューブによって形成された処理室に処理ガスとしての成膜ガスを供給するガス供給管と、処理室を真空排気する排気管と、プロセスチューブ外に敷設されて処理室を加熱するヒータユニットと、ボートエレベータによって昇降されて処理室の炉口を開閉するシールキャップと、シールキャップの上に垂直に設置されて複数枚のウエハを保持するボートとを備えており、複数枚のウエハがボートによって垂直方向に整列されて保持された状態で処理室に下端の炉口から搬入(ボートローディング)され、シールキャップによって炉口が閉塞された状態で、処理室に成膜ガスがガス供給管から供給されるとともに、ヒータユニットによって処理室が加熱されることにより、ウエハの上にCVD膜が堆積するように構成されている。
従来のこの種のCVD装置においては、ヒータユニットはセラミックファイバ等の断熱材が円筒形状に形成されて成る断熱槽の内周面に抵抗発熱体(珪化モリブデン、Fe−Cr−Al合金等)が敷設されて構成されているのが、一般的である(例えば、特許文献1参照)。
特開2002−110556号公報
抵抗発熱体は安価で、かつ、酸化雰囲気で使用することができるので、CVD装置に広く使用されている。
しかしながら、抵抗発熱体は断熱槽の内部において溶接され配線されているために、抵抗発熱体が断線した場合には、抵抗発熱体だけを交換することはきわめて困難である。
しかしながら、抵抗発熱体は断熱槽の内部において溶接され配線されているために、抵抗発熱体が断線した場合には、抵抗発熱体だけを交換することはきわめて困難である。
本発明の目的は、発熱体を容易に交換することができる基板処理装置を提供することにある。
本願において開示される発明のうち代表的なものは、次の通りである。
(1)基板を処理する処理室と、この処理室を囲む上端閉塞の筒形状の断熱槽に敷設された発熱体を有するヒータユニットとを備えており、
前記発熱体はL字形状に形成されて、複数本が前記断熱槽の内周に同軸に敷設されているとともに、これら発熱体は被保持部が前記断熱槽の径方向に配されてそれぞれ保持されており、前記発熱体の被保持部の一端部には電力供給源が接続されるコネクタがそれぞれ設けられていることを特徴とする基板処理装置。
(2)前記(1)において、前記発熱体群のうちの複数本の発熱体は前記被保持部が前記断熱槽の上端部に保持されて吊持されており、前記発熱体群のうちの複数本の発熱体は前記被保持部が前記断熱槽の下端部に保持されて支持されており、互いに対向する前記上側発熱体の下端と前記下側発熱体の上端との間には連結手段がそれぞれ介設されていることを特徴とする基板処理装置。
(3)基板を処理する処理室を囲む上端閉塞の筒形状の断熱槽に敷設された発熱体を有するヒータユニットであって、
前記発熱体はL字形状に形成されて、複数本が前記断熱槽の内周に同軸に敷設されているとともに、これら発熱体は被保持部が前記断熱槽の径方向に配されてそれぞれ保持されており、前記発熱体の被保持部の一端部には電力供給源が接続されるコネクタがそれぞれ設けられていることを特徴とするヒータユニット。
(4)前記(3)において、前記発熱体群のうちの複数本の発熱体は前記被保持部が前記断熱槽の上端部に保持されて吊持されており、前記発熱体群のうちの複数本の発熱体は前記被保持部が前記断熱槽の下端部に保持されて支持されており、互いに対向する前記上側発熱体の下端と前記下側発熱体の上端との間には連結手段が介設されていることを特徴とするヒータユニット。
(1)基板を処理する処理室と、この処理室を囲む上端閉塞の筒形状の断熱槽に敷設された発熱体を有するヒータユニットとを備えており、
前記発熱体はL字形状に形成されて、複数本が前記断熱槽の内周に同軸に敷設されているとともに、これら発熱体は被保持部が前記断熱槽の径方向に配されてそれぞれ保持されており、前記発熱体の被保持部の一端部には電力供給源が接続されるコネクタがそれぞれ設けられていることを特徴とする基板処理装置。
(2)前記(1)において、前記発熱体群のうちの複数本の発熱体は前記被保持部が前記断熱槽の上端部に保持されて吊持されており、前記発熱体群のうちの複数本の発熱体は前記被保持部が前記断熱槽の下端部に保持されて支持されており、互いに対向する前記上側発熱体の下端と前記下側発熱体の上端との間には連結手段がそれぞれ介設されていることを特徴とする基板処理装置。
(3)基板を処理する処理室を囲む上端閉塞の筒形状の断熱槽に敷設された発熱体を有するヒータユニットであって、
前記発熱体はL字形状に形成されて、複数本が前記断熱槽の内周に同軸に敷設されているとともに、これら発熱体は被保持部が前記断熱槽の径方向に配されてそれぞれ保持されており、前記発熱体の被保持部の一端部には電力供給源が接続されるコネクタがそれぞれ設けられていることを特徴とするヒータユニット。
(4)前記(3)において、前記発熱体群のうちの複数本の発熱体は前記被保持部が前記断熱槽の上端部に保持されて吊持されており、前記発熱体群のうちの複数本の発熱体は前記被保持部が前記断熱槽の下端部に保持されて支持されており、互いに対向する前記上側発熱体の下端と前記下側発熱体の上端との間には連結手段が介設されていることを特徴とするヒータユニット。
前記(1)の手段によれば、L字形状の発熱体の被保持部を径方向に内向きに抜き出すことにより、所望の発熱体をヒータユニットから取り外すことができるので、発熱体の交換を簡単に施工することができる。
以下、本発明の一実施の形態を図面に即して説明する。
本実施の形態において、図1、図2および図3に示されているように、本発明に係る基板処理装置はICの製造方法における成膜工程を実施するCVD装置(バッチ式縦形ホットウオール形減圧CVD装置)10として構成されている。
図1、図2および図3に示されたCVD装置10は、中心線が垂直になるように縦に配されて支持された縦形のプロセスチューブ11を備えており、プロセスチューブ11は互いに同心円に配置されたアウタチューブ12とインナチューブ13とから構成されている。アウタチューブ12は後記する加熱ランプの熱線(赤外線や遠赤外線等)を透過する材料の一例である石英(SiO2 )が使用されて、上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に一体成形されている。インナチューブ13は上下両端が開口した円筒形状に形成されており、インナチューブ13の筒中空部はボートによって長く整列した状態に保持された複数枚のウエハが搬入される処理室14を実質的に形成している。インナチューブ13の下端開口はウエハを出し入れするための炉口15を実質的に構成している。したがって、インナチューブ13の内径は取り扱うウエハの最大外径(例えば、直径300mm)よりも大きくなるように設定されている。
アウタチューブ12とインナチューブ13との間の下端部は、略円筒形状に構築されたマニホールド16によって気密封止されており、マニホールド16はアウタチューブ12およびインナチューブ13の交換等のために、アウタチューブ12およびインナチューブ13にそれぞれ着脱自在に取り付けられている。マニホールド16がCVD装置の筐体2に支持されることにより、プロセスチューブ11は垂直に据え付けられた状態になっている。
アウタチューブ12とインナチューブ13との隙間によって排気路17が、図3に示されているように、横断面形状が一定幅の円形リング形状に構成されている。図1に示されているように、マニホールド16の側壁の上部には排気管18の一端が接続されており、排気管18は排気路17の最下端部に連通した状態になっている。排気管18の他端には圧力コントローラ21によって制御される排気装置19が接続されており、排気管18の途中には圧力センサ20が接続されている。圧力コントローラ21は圧力センサ20からの測定結果に基づいて排気装置19をフィードバック制御するように構成されている。
マニホールド16の下方にはガス導入管22がインナチューブ13の炉口15に連通するように接続されており、ガス導入管22にはガス流量コントローラ24によって制御される原料ガス供給装置および不活性ガス供給装置(以下、ガス供給装置という。)23が接続されている。ガス導入管22によって炉口15に導入されたガスは、インナチューブ13の処理室14内を流通して排気路17を通って排気管18によって排気される。
マニホールド16には下端開口を閉塞するシールキャップ25が垂直方向下側から当接されるようになっている。シールキャップ25はマニホールド16の外径と略等しい円盤形状に構築されており、筐体2の待機室3に設備されたボートエレベータ26によって垂直方向に昇降されるように構成されている。ボートエレベータ26はモータ駆動の送りねじ軸装置およびベローズ等によって構成されており、ボートエレベータ26のモータ27は駆動コントローラ28によって制御されるように構成されている。シールキャップ25の中心線上には回転軸30が挿通されて回転自在に支承されており、回転軸30は駆動コントローラ28によって制御されるモータ29によって回転駆動されるように構成されている。回転軸30の上端にはボート31が垂直に立脚されて支持されている。
ボート31は上下で一対の端板32、33と、両端板32と33との間に架設されて垂直に配設された三本の保持部材34とを備えており、三本の保持部材34には多数の保持溝35が長手方向に等間隔に配されて互いに対向して開口するように刻設されている。ボート31は三本の保持部材34の保持溝35間にウエハ1を挿入されることにより、複数枚のウエハ1を水平にかつ互いに中心を揃えた状態に整列させて保持するようになっている。ボート31と回転軸30との間には断熱キャップ部36が配置されている。断熱キャップ部36はボート31をシールキャップ25の上面から持ち上げた状態に支持することにより、ボート31の下端を炉口15の位置から適当な距離だけ離間させるように構成されている。断熱キャップ部36の上側には下側サブヒータユニット37が設置されており、下側サブヒータユニット37はボート31に保持されたウエハ1を下側から加熱するように構成されている。
図1および図2に示されているように、プロセスチューブ11の外側にはヒータユニット40が設置されている。ヒータユニット40はプロセスチューブ11を全体的に被覆する熱容量の小さい断熱槽41を備えており、断熱槽41はCVD装置の筐体2に垂直に支持されている。
断熱槽41の内側にはプロセスチューブ11内を加熱する加熱手段としてのL管形ハロゲンランプ(以下、加熱ランプという。)42が複数本、図3に示されているように、周方向に等間隔に配置されて同心円に設備されている。
加熱ランプ42はカーボンやタングステン等のフィラメントが石英(SiO2 )のL管によって被覆され、管内が不活性ガスまたは真空雰囲気に封止されて構成されている。加熱ランプ42のL管の一端部は短く形成されており、この短い方の端部にはランプ駆動装置44に電気的に接続するコネクタ42aが雄形に形成されている。
加熱ランプ42は熱エネルギーのピーク波長が1.0μm程度の熱線を照射するように構成されており、アウタチューブ12を殆ど加熱することなく、ウエハ1を輻射等によって加熱することができるように設定されている。
各加熱ランプ42のコネクタ42aはプロセスチューブ11の上部および下部(処理中のウエハ1のある高さよりも上部および下部)にそれぞれ配置されており、コネクタ42aの介在による発熱量の低下が回避されている。
図4に示されているように、加熱ランプ42群は長さが異なる複数規格のものが組み合わされて配置されており、熱の逃げ易いプロセスチューブ11の上部および下部の発熱量が増加するように構成されている。
断熱槽41の内側にはプロセスチューブ11内を加熱する加熱手段としてのL管形ハロゲンランプ(以下、加熱ランプという。)42が複数本、図3に示されているように、周方向に等間隔に配置されて同心円に設備されている。
加熱ランプ42はカーボンやタングステン等のフィラメントが石英(SiO2 )のL管によって被覆され、管内が不活性ガスまたは真空雰囲気に封止されて構成されている。加熱ランプ42のL管の一端部は短く形成されており、この短い方の端部にはランプ駆動装置44に電気的に接続するコネクタ42aが雄形に形成されている。
加熱ランプ42は熱エネルギーのピーク波長が1.0μm程度の熱線を照射するように構成されており、アウタチューブ12を殆ど加熱することなく、ウエハ1を輻射等によって加熱することができるように設定されている。
各加熱ランプ42のコネクタ42aはプロセスチューブ11の上部および下部(処理中のウエハ1のある高さよりも上部および下部)にそれぞれ配置されており、コネクタ42aの介在による発熱量の低下が回避されている。
図4に示されているように、加熱ランプ42群は長さが異なる複数規格のものが組み合わされて配置されており、熱の逃げ易いプロセスチューブ11の上部および下部の発熱量が増加するように構成されている。
図1、図2および図5に示されているように、断熱槽41の天井面の下側における中央部には直管形ハロゲンランプ(以下、天井加熱ランプという。)43が複数本、互いに平行で両端を揃えられて敷設されており、天井加熱ランプ43群はボート31に保持されたウエハ1群をプロセスチューブ11の上方から加熱するように構成されている。
天井加熱ランプ43はカーボンやタングステン等のフィラメントが石英(SiO2 )の直管によって被覆され、管内が不活性ガスまたは真空雰囲気に封止されて構成されている。天井加熱ランプ43は熱エネルギーのピーク波長が1.0μm程度の熱線を照射するように構成されており、アウタチューブ12を殆ど加熱することなく、ウエハ1を輻射等によって加熱することができるように設定されている。
天井加熱ランプ43はカーボンやタングステン等のフィラメントが石英(SiO2 )の直管によって被覆され、管内が不活性ガスまたは真空雰囲気に封止されて構成されている。天井加熱ランプ43は熱エネルギーのピーク波長が1.0μm程度の熱線を照射するように構成されており、アウタチューブ12を殆ど加熱することなく、ウエハ1を輻射等によって加熱することができるように設定されている。
図1に示されているように、加熱ランプ42群、天井加熱ランプ43群およびキャップ加熱ランプ群はランプ駆動装置44に接続されており、加熱ランプ駆動装置44は温度コントローラ45によって制御されるように構成されている。インナチューブ13の内側にはカスケード熱電対46が垂直方向に敷設されており、カスケード熱電対46は計測結果を温度コントローラ45に送信するようになっている。温度コントローラ45はカスケード熱電対46からの計測温度によって加熱ランプ駆動装置44をフィードバック制御するようになっている。すなわち、温度コントローラ45は加熱ランプ駆動装置44の目標温度とカスケード熱電対46の計測温度との誤差を求めて、誤差がある場合には誤差を解消させるフィードバック制御を実行するようになっている。また、温度コントローラ45は加熱ランプ42群をゾーン制御するように構成されている。
図2および図3に示されているように、加熱ランプ42群の外側には円筒形状に形成されたリフレクタ(反射板)47がプロセスチューブ11と同心円に設置されており、リフレクタ47は加熱ランプ42群からの熱線をプロセスチューブ11の方向に全て反射させるように構成されている。リフレクタ47はステンレス鋼板に石英(SiO2 )をコーティングして形成された材料のように耐酸化性、耐熱性および耐熱衝撃性に優れた材料によって構成されている。
リフレクタ47の外周面には、冷却水配管48が螺旋状に敷設されており、冷却水配管48はリフレクタ47を400℃以下に冷却するように設定されている。リフレクタ47は400℃を超えると、酸化等によって劣化し易くなるが、リフレクタ47を400℃以下に冷却することにより、リフレクタ47の耐久性を向上させることができるとともに、リフレクタ47の劣化に伴うパーティクルの発生を抑制することができる。また、断熱槽41の内部の温度を低下させる際に、リフレクタ47を冷却することにより、冷却効果を向上させることができる。
リフレクタ47の外周面には、冷却水配管48が螺旋状に敷設されており、冷却水配管48はリフレクタ47を400℃以下に冷却するように設定されている。リフレクタ47は400℃を超えると、酸化等によって劣化し易くなるが、リフレクタ47を400℃以下に冷却することにより、リフレクタ47の耐久性を向上させることができるとともに、リフレクタ47の劣化に伴うパーティクルの発生を抑制することができる。また、断熱槽41の内部の温度を低下させる際に、リフレクタ47を冷却することにより、冷却効果を向上させることができる。
図1および図2に示されているように、断熱槽41の天井面には円板形状に形成された天井リフレクタ49がプロセスチューブ11と同心円に設置されており、天井リフレクタ49は天井加熱ランプ43群からの熱線をプロセスチューブ11の方向に全て反射させるように構成されている。天井リフレクタ49も耐酸化性、耐熱性および耐熱衝撃性に優れた材料によって構成されている。
図5に示されているように、天井リフレクタ49の上面には冷却水配管50が蛇行状に敷設されており、冷却水配管50は天井リフレクタ49を400℃以下に冷却するように設定されている。天井リフレクタ49は400℃を超えると、酸化等によって劣化し易くなるが、天井リフレクタ49を400℃以下に冷却することにより、天井リフレクタ49の耐久性を向上させることができるとともに、天井リフレクタ49の劣化に伴うパーティクルの発生を抑制することができる。また、断熱槽41の内部の温度を低下させる際に、天井リフレクタ49を冷却することにより、冷却効果を向上させることができる。
図5に示されているように、天井リフレクタ49の上面には冷却水配管50が蛇行状に敷設されており、冷却水配管50は天井リフレクタ49を400℃以下に冷却するように設定されている。天井リフレクタ49は400℃を超えると、酸化等によって劣化し易くなるが、天井リフレクタ49を400℃以下に冷却することにより、天井リフレクタ49の耐久性を向上させることができるとともに、天井リフレクタ49の劣化に伴うパーティクルの発生を抑制することができる。また、断熱槽41の内部の温度を低下させる際に、天井リフレクタ49を冷却することにより、冷却効果を向上させることができる。
図1および図2に示されているように、断熱槽41とプロセスチューブ11との間には冷却ガスとしての冷却エアを流通させる冷却エア通路51が、プロセスチューブ11を全体的に包囲するように形成されている。断熱槽41の下端部には冷却エアを冷却エア通路51に供給する給気管52が、複数箇所(例えば、10箇所)に接続されており、給気管52に供給された冷却エアは冷却エア通路51の全周に拡散するようになっている。
断熱槽41の天井壁の中央部には冷却エアを冷却エア通路51から排出する排気口53が開設されており、排気口53には排気装置に接続された排気路(図示せず)が接続されている。断熱槽41の天井壁の排気口53の下側には、排気口53と連通するバッファ部54が大きく形成されており、バッファ部54の底面における周辺部にはサブ排気口55が複数個、バッファ部54と冷却エア通路51とを連絡するように開設されている。
図1、図2、図3および図5に示されているように、複数のサブ排気口55(本実施の形態においては4箇所)は、冷却エア通路51の略直上にそれぞれ配置されている。これらサブ排気口55により、冷却エア通路51を効率よく排気することができる。また、断熱槽41の下端部に給気管52を複数設けることにより、より広範囲に効率のよい排気冷却が可能となる。また、サブ排気口55を断熱槽41の天井壁の周辺部(周縁部)に配置することにより、天井加熱ランプ43を断熱槽41の天井面の中央部に敷設することができるとともに、天井加熱ランプ43を排気流路から退避させて排気流による応力や化学反応を防止することにより、天井加熱ランプ43の劣化を抑制することができる。
断熱槽41の天井壁の中央部には冷却エアを冷却エア通路51から排出する排気口53が開設されており、排気口53には排気装置に接続された排気路(図示せず)が接続されている。断熱槽41の天井壁の排気口53の下側には、排気口53と連通するバッファ部54が大きく形成されており、バッファ部54の底面における周辺部にはサブ排気口55が複数個、バッファ部54と冷却エア通路51とを連絡するように開設されている。
図1、図2、図3および図5に示されているように、複数のサブ排気口55(本実施の形態においては4箇所)は、冷却エア通路51の略直上にそれぞれ配置されている。これらサブ排気口55により、冷却エア通路51を効率よく排気することができる。また、断熱槽41の下端部に給気管52を複数設けることにより、より広範囲に効率のよい排気冷却が可能となる。また、サブ排気口55を断熱槽41の天井壁の周辺部(周縁部)に配置することにより、天井加熱ランプ43を断熱槽41の天井面の中央部に敷設することができるとともに、天井加熱ランプ43を排気流路から退避させて排気流による応力や化学反応を防止することにより、天井加熱ランプ43の劣化を抑制することができる。
図1、図2、図3および図4に示されているように、リフレクタ47の内周には冷却ガスとしての冷却エアを冷却エア通路51に供給するノズル56が複数本、周方向に等間隔に配置されて垂直方向に延在するように敷設されており、各ノズル56には複数個の噴射口57が冷却エアを断熱槽41の中心に向けて半径方向へ噴射するようにそれぞれ開設されている。ノズル56はステンレス鋼管に石英(SiO2 )をコーティングして形成された材料のように耐酸化性、耐熱性および耐熱衝撃性に優れた材料によって構成されており、ノズル56の耐久性が向上されているとともに、劣化に伴うパーティクルの発生を抑制するようになっている。
ノズル56には送風機や流量調整弁および圧力調整弁等から構成された冷却エア供給装置58が接続されており、冷却エア供給装置58は冷却エア制御コントローラ59によって制御されるように構成されている。複数本のノズル56からの冷却エアの噴射量を冷却エア供給装置58によって制御することにより、冷却エア通路51による冷却能力を調整することができるようになっている。また、各ノズル56毎に冷却エア供給装置58を設けることにより、冷却エア通路51の冷却能力をゾーン制御することができる。例えば、冷却エア通路51の低温になる側に位置したノズル56群の冷却エアの噴射量をその他の領域に比べて大きくすることにより、冷却エア通路51を全体的に均一に冷却することができる。
ノズル56には送風機や流量調整弁および圧力調整弁等から構成された冷却エア供給装置58が接続されており、冷却エア供給装置58は冷却エア制御コントローラ59によって制御されるように構成されている。複数本のノズル56からの冷却エアの噴射量を冷却エア供給装置58によって制御することにより、冷却エア通路51による冷却能力を調整することができるようになっている。また、各ノズル56毎に冷却エア供給装置58を設けることにより、冷却エア通路51の冷却能力をゾーン制御することができる。例えば、冷却エア通路51の低温になる側に位置したノズル56群の冷却エアの噴射量をその他の領域に比べて大きくすることにより、冷却エア通路51を全体的に均一に冷却することができる。
各ノズル56はプロセスチューブ11内(ウエハ1等)に向けて加熱ランプ42の発する熱線を遮らないように各加熱ランプ42の間に配列されている。また、噴射口57は加熱ランプ42に冷却エアを吹き付けないように径方向の中心向きに開設されている。これにより、冷却エアの吹き付けによる加熱ランプ42の破損や劣化が防止されている。さらに、断熱槽41の天井面の下側には天井ノズル60が蛇行状に敷設されており、天井ノズル60には複数個の噴射口61が冷却エアを垂直方向下向きに噴射するように開設されている。
図6ないし図9に示されているように、L字形状の短い側の端部(以下、被保持部という。)42bがヒータユニット40の上下端部に配置された加熱ランプ保持装置70によって保持されることにより、上下に分配された複数本の加熱ランプ42はヒータユニット40にそれぞれ取り付けられている。上下の加熱ランプ保持装置70は均等に構成されているので、その構成は上側の加熱ランプ保持装置70について説明する。
加熱ランプ保持装置70は円形リング形状に形成されたサポートリング71を備えており、サポートリング71はリフレクタ47の上端部に同心円に配置されて固定されている。サポートリング71の上面には複数本のガイド穴72が周方向に等間隔に配されて、それぞれ法線方向に延在するように開設されており、各ガイド穴72の底面には加熱ランプ42の被保持部42bを保持する半円形の保持溝73がそれぞれ没設されている。各ガイド穴72には押さえ具74が上下方向に摺動自在にそれぞれ嵌入されており、各押さえ具74の下面には加熱ランプ42の被保持部42bをガイド穴72の保持溝73と協働して保持する半円形の保持溝75がそれぞれ没設されている。各押さえ具74の内向き面の上端には把手76が水平にそれぞれ突設されている。
サポートリング71の上面には円形リング形状に形成されたキャップ77が、サポートリング71と同心円に配置されて固定されており、キャップ77は各ガイド穴72の上端開口を閉塞している。各ガイド穴72にはスプリング78が二個ずつ、キャップ77に反力をとって押さえ具74を下方に常時付勢するようにそれぞれ介設されている。
サポートリング71の上面には円形リング形状に形成されたキャップ77が、サポートリング71と同心円に配置されて固定されており、キャップ77は各ガイド穴72の上端開口を閉塞している。各ガイド穴72にはスプリング78が二個ずつ、キャップ77に反力をとって押さえ具74を下方に常時付勢するようにそれぞれ介設されている。
サポートリング71の外周にはソケット79が配設されており、ソケット79のガイド穴72に対向する位置には雌形のコネクタ(以下、雌コネクタという。)80がそれぞれ形成されている。図示しないが、各雌コネクタ80には加熱ランプ駆動装置44の給電線がそれぞれ接続されている。
以上のように構成された加熱ランプ保持装置70が加熱ランプ42の被保持部42bを保持する際には、図9に示されているように、押さえ具74が把手76を持ってスプリング78に抗して引き上げられ、加熱ランプ42の被保持部42bが上下の保持溝73、75の間にリフレクタ47の内周側から挿入され、加熱ランプ42の雄形のコネクタ(以下、雄コネクタという。)42aがソケット79の雌コネクタ80に嵌入される。その後、押さえ具74の引き上げが解除されると、押さえ具74がスプリング78によって押し下げられることより、加熱ランプ42の被保持部42bが押さえ具74の保持溝75とサポートリング71の保持溝73との間で挟持された状態になる。また、加熱ランプ42は雄コネクタ42aと雌コネクタ80とによって加熱ランプ駆動装置44に電気的に接続された状態になる。
図7および図8に示されているように、本実施の形態においては、互いに上下で対向する加熱ランプ42の下端と上端との間には、連結手段としての連結用スプリング81がそれぞれ介設されている。連結用スプリング81は上下の加熱ランプ42、42同士を互いに連結することにより、上下の加熱ランプ42、42を安定して固定するようになっているとともに、上下の加熱ランプ42、42の熱膨張および寸法誤差を吸収するようになっている。
次に、以上の構成に係るCVD装置によるICの製造方法の成膜工程を説明する。
図1に示されているように、予め指定された枚数のウエハ1がボート31に装填されると、ウエハ1群を保持したボート31はシールキャップ25がボートエレベータ26によって上昇されることにより、インナチューブ13の処理室14に搬入(ボートローディング)されて行き、シールキャップ25に支持されたままの状態で処理室14に存置される。上限に達したシールキャップ25はマニホールド16に押接することにより、プロセスチューブ11の内部をシールした状態になる。
続いて、プロセスチューブ11の内部が排気管18によって排気されるとともに、加熱ランプ42群および天井加熱ランプ43群によって温度コントローラ45のシーケンス制御の目標温度に加熱される。加熱ランプ42群および天井加熱ランプ43群の加熱によるプロセスチューブ11の内部の実際の上昇温度と、加熱ランプ42群および天井加熱ランプ43群のシーケンス制御の目標温度との誤差は、カスケード熱電対46の計測結果に基づくフィードバック制御によって補正される。また、ボート31がモータ29によって回転される。
プロセスチューブ11の内圧および温度、ボート31の回転が全体的に一定の安定した状態になると、プロセスチューブ11の処理室14には原料ガスがガス供給装置23によってガス導入管22から導入される。ガス導入管22によって導入された原料ガスは、インナチューブ13の処理室14内を流通して排気路17を通って排気管18によって排気される。処理室14を流通する際に、原料ガスが所定の処理温度に加熱されたウエハ1に接触することによる熱CVD反応により、ウエハ1にはCVD膜が形成される。
ちなみに、窒化珪素(Si3 N4 )が成膜される場合の処理条件の一例は、次の通りである。
処理温度は700〜800℃、原料ガスとしてのSiH2 Cl2 の流量は0.1〜0.5SLM(スタンダード・リットル毎分)、NH3 の流量は0.3〜5SLM、処理圧力は20〜100Paである。
ここで、CVD反応時においても冷却エアをノズル56群によって、噴射し続けることにより、アウタチューブ12の温度を所定の温度に保つようにしてもよい。これにより、特に、降温時間(熱容量が大きいアウタチューブ12を予め熱を保たせなくすることにより)を短縮することができる。また、冷却エアがノズル56群により噴射されアウタチューブ12を所定の温度(例えば、150℃程度)に加熱ランプ42群および天井加熱ランプ43群、キャップ加熱ランプによる加熱中でも保つようにしてもよい。
ちなみに、窒化珪素(Si3 N4 )が成膜される場合の処理条件の一例は、次の通りである。
処理温度は700〜800℃、原料ガスとしてのSiH2 Cl2 の流量は0.1〜0.5SLM(スタンダード・リットル毎分)、NH3 の流量は0.3〜5SLM、処理圧力は20〜100Paである。
ここで、CVD反応時においても冷却エアをノズル56群によって、噴射し続けることにより、アウタチューブ12の温度を所定の温度に保つようにしてもよい。これにより、特に、降温時間(熱容量が大きいアウタチューブ12を予め熱を保たせなくすることにより)を短縮することができる。また、冷却エアがノズル56群により噴射されアウタチューブ12を所定の温度(例えば、150℃程度)に加熱ランプ42群および天井加熱ランプ43群、キャップ加熱ランプによる加熱中でも保つようにしてもよい。
所定の処理時間が経過すると、処理ガスの導入が停止された後に、窒素ガス等のパージガスがプロセスチューブ11の内部にガス導入管22から導入されるとともに、冷却エアがノズル56群、天井ノズル60および給気管52から供給されてサブ排気口55、バッファ部54および排気口53から排気されることにより、冷却エア通路51に流通される。冷却エア通路51における冷却エアの流通により、ヒータユニット40の全体が冷却されるために、プロセスチューブ11の温度は大きいレート(速度)をもって急速に下降することになる。この際、断熱槽41は熱容量が通例に比べて小さく設定されているので、急速に冷却することができる。
なお、冷却エア通路51は処理室14から隔離されているので、冷媒として冷却エアを使用することができる。但し、冷却効果をより一層高めるためや、エア内の不純物による高温下での腐蝕を防止するために、窒素ガス等の不活性ガスを冷媒ガスとして使用することを妨げるものではない。
なお、冷却エア通路51は処理室14から隔離されているので、冷媒として冷却エアを使用することができる。但し、冷却効果をより一層高めるためや、エア内の不純物による高温下での腐蝕を防止するために、窒素ガス等の不活性ガスを冷媒ガスとして使用することを妨げるものではない。
処理室14の温度が所定の温度に下降すると、シールキャップ25に支持されたボート31はボートエレベータ26によって下降されることにより、処理室14から搬出(ボートアンローディング)される。
以降、前記作用が繰り返されることにより、CVD装置10によってウエハ1に対する成膜処理が実施されて行く。
ところで、本実施の形態においては、加熱ランプ42群のうちに所謂球切れ等の不良が発見された場合には、次のようにして加熱ランプ42を交換することができる。
例えば、上側の加熱ランプ42を交換したい場合には、図9に示されているように、その交換したい加熱ランプ42の下端の連結用スプリング81を外す。
その後、把手76を持って押さえ具74をスプリング78に抗して引き上げることにより、押さえ具74の保持溝75とサポートリング71の保持溝73との間の加熱ランプ42の被保持部42bの固定を解除する。
続いて、加熱ランプ42の被保持部42bをサポートリング71の保持溝73に沿って径方向内向きに引くことにより、加熱ランプ42の雄コネクタ42aをソケット79の雌コネクタ80から引き抜く。雄コネクタ42aをソケット79の雌コネクタ80から引き抜いた加熱ランプ42は、リフレクタ47の内周面に沿って自由に移動させることができる。
以上のようにして球切れの加熱ランプ42が外された加熱ランプ保持装置70のガイド穴72および雌コネクタ80には、新規の加熱ランプ42が前述とは逆の手順によって取り付けられる。
例えば、上側の加熱ランプ42を交換したい場合には、図9に示されているように、その交換したい加熱ランプ42の下端の連結用スプリング81を外す。
その後、把手76を持って押さえ具74をスプリング78に抗して引き上げることにより、押さえ具74の保持溝75とサポートリング71の保持溝73との間の加熱ランプ42の被保持部42bの固定を解除する。
続いて、加熱ランプ42の被保持部42bをサポートリング71の保持溝73に沿って径方向内向きに引くことにより、加熱ランプ42の雄コネクタ42aをソケット79の雌コネクタ80から引き抜く。雄コネクタ42aをソケット79の雌コネクタ80から引き抜いた加熱ランプ42は、リフレクタ47の内周面に沿って自由に移動させることができる。
以上のようにして球切れの加熱ランプ42が外された加熱ランプ保持装置70のガイド穴72および雌コネクタ80には、新規の加熱ランプ42が前述とは逆の手順によって取り付けられる。
前記実施の形態によれば、次の効果が得られる。
1) ウエハを加熱ランプ群によって加熱することにより、アウタチューブを含めてプロセスチューブ設置室全体を処理温度まで上昇させずに済むために、処理室の昇降温時間を短縮することができ、その結果、CVD装置のスループットを向上させることができる。
2) 処理室を熱エネルギーの消費を低減しつつ効率よく昇降温させることにより、CVD装置の総処理時間を短縮させて性能を向上させることができるとともに、電力消費の費用を低減させることができるので、CVD装置のランニングコストひいてはICの製造方法の製造コストを低減させることができる。
3) 成膜ステップ後に断熱槽とプロセスチューブの間の空間に冷却エアを流通することにより、断熱槽およびプロセスチューブを大きいレート(速度)をもって急速に降温させることができるので、CVD装置のスループットをより一層向上させることができ、また、ウエハの熱履歴を小さくすることにより、ICの歩留りを向上させることができる。
4) L字形状の加熱ランプの被保持部を加熱ランプ保持装置によって保持することにより、加熱ランプ群をヒータユニットから軸方向(上下方向)に抜き出して加熱ランプの交換作業を実施することができるので、メンテナンスの作業時間を短縮することができ、CVD装置ひいてはICの製造方法の成膜工程のスループットを向上させることができる。
なお、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。
例えば、上下で互いに対向する加熱ランプ42、42同士を連結する連結手段としては、連結用スプリング81を使用するに限らず、図10に示されているように、シリンダ装置等によって構成された連結用ショックアブソーバ82を使用してもよい。
連結用ショックアブソーバ82は上下の加熱ランプ42、42同士を互いに連結することにより、上下の加熱ランプ42、42を安定して固定するようになっているとともに、上下の加熱ランプ42、42の熱膨張および寸法誤差を吸収するようになっている。
本実施の形態によれば、前記実施の形態では片側のみにて支持していた加熱ランプを連結用ショックアブソーバによって連結することにより、加熱ランプを安定して支持することができるので、加熱ランプの破損を防止することができる。
連結用ショックアブソーバ82は上下の加熱ランプ42、42同士を互いに連結することにより、上下の加熱ランプ42、42を安定して固定するようになっているとともに、上下の加熱ランプ42、42の熱膨張および寸法誤差を吸収するようになっている。
本実施の形態によれば、前記実施の形態では片側のみにて支持していた加熱ランプを連結用ショックアブソーバによって連結することにより、加熱ランプを安定して支持することができるので、加熱ランプの破損を防止することができる。
加熱手段としては、熱エネルギーのピーク波長が1.0μmのハロゲンランプを使用するに限らず、熱線(赤外線や遠赤外線等)の波長(例えば、0.5〜3.5μm)を照射する他の加熱ランプ(例えば、熱エネルギーのピーク波長が2〜2.5μm程度であるカーボンランプ)を使用してもよい。
アウタチューブは石英によって形成するに限らず、熱線の波長を透過することができる材料であって、ウエハの汚染を防止することができる材料によって形成してもよい。
前記実施の形態においては、CVD装置について説明したが、酸化・拡散装置やアニール装置等の基板処理装置全般に適用することができる。
被処理基板はウエハに限らず、ホトマスクやプリント配線基板、液晶パネル、コンパクトディスクおよび磁気ディスク等であってもよい。
1…ウエハ(基板)、2…筐体、3…待機室、10…CVD装置(基板処理装置)、11…プロセスチューブ、12…アウタチューブ、13…インナチューブ、14…処理室、15…炉口、16…マニホールド、17…排気路、18…排気管、19…排気装置、20…圧力センサ、21…圧力コントローラ、22…ガス導入管、23…ガス供給装置、24…ガス流量コントローラ、25…シールキャップ、26…ボートエレベータ、27…モータ、28…駆動コントローラ、29…モータ、30…回転軸、31…ボート、32、33…端板、34…保持部材、35…保持溝、36…断熱キャップ部、37…下側サブヒータユニット、40…ヒータユニット、41…断熱槽、42…加熱ランプ(発熱体)、42a…雄コネクタ、42b…被保持部、43…天井加熱ランプ、43A…キャップ加熱ランプ、44…加熱ランプ駆動装置、45…温度コントローラ、46…カスケード熱電対、47…リフレクタ、48…冷却水配管、49…天井リフレクタ、50…冷却水配管、51…冷却エア通路、52…給気管、53…排気口、54…バッファ部、55…サブ排気口、56…ノズル、57…噴射口、58…冷却エア供給装置、59…冷却エア制御コントローラ、60…天井ノズル、61…噴射口、70…加熱ランプ保持装置、71…サポートリング、72…ガイド穴、73…保持溝、74…押さえ具、75…保持溝、76…把手、77…キャップ、78…スプリング、79…ソケット、80…雌コネクタ、81…連結用スプリング(連結手段)、82…連結用ショックアブソーバ(連結手段)。
Claims (1)
- 基板を処理する処理室と、この処理室を囲む上端閉塞の筒形状の断熱槽に敷設された発熱体を有するヒータユニットとを備えており、
前記発熱体はL字形状に形成されて、複数本が前記断熱槽の内周に同軸に敷設されているとともに、これら発熱体は被保持部が前記断熱槽の径方向に配されてそれぞれ保持されており、前記発熱体の被保持部の一端部には電力供給源が接続されるコネクタがそれぞれ設けられていることを特徴とする基板処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2004204690A JP2006032409A (ja) | 2004-07-12 | 2004-07-12 | 基板処理装置 |
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ID=35898434
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2009177047A (ja) * | 2008-01-28 | 2009-08-06 | Ushio Inc | 光照射式加熱装置 |
CN107557743A (zh) * | 2017-08-24 | 2018-01-09 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 大口径SiC反射镜镀膜支撑装置 |
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2004
- 2004-07-12 JP JP2004204690A patent/JP2006032409A/ja active Pending
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