JP3471100B2 - 縦型熱処理装置 - Google Patents
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/22—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
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- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
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- C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/10—Heating of the reaction chamber or the substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
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- C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
- C30B31/06—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion material in the gaseous state
- C30B31/12—Heating of the reaction chamber
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、縦型熱処理装置に関す
る。
る。
【0002】
【従来の技術】例えば半導体デバイスの製造において
は、酸化、拡散、CVD(Chemical Vapor Depositio
n)などの処理を行うために、各種の熱処理装置が用い
られている。中でも、バッチ処理が可能で且つ設置スペ
ースの削減等が図れるものとして開発された縦型熱処理
装置は、被処理体である半導体ウエハを収容して熱処理
するための縦型の熱処理室(プロセスチューブ)を備
え、この熱処理室の周囲には図7に示すように筒状の断
熱層9が設けられ、この断熱層9の内周には例えばこの
内周に沿って螺旋状に形成された抵抗発熱体(ヒータ)
10が支持体19を介して設けられている。上記断熱層
9の外周はアウターシェル11で覆われ、このアウター
シェル11の外周には水冷ジャケット12が設けられて
いる。
は、酸化、拡散、CVD(Chemical Vapor Depositio
n)などの処理を行うために、各種の熱処理装置が用い
られている。中でも、バッチ処理が可能で且つ設置スペ
ースの削減等が図れるものとして開発された縦型熱処理
装置は、被処理体である半導体ウエハを収容して熱処理
するための縦型の熱処理室(プロセスチューブ)を備
え、この熱処理室の周囲には図7に示すように筒状の断
熱層9が設けられ、この断熱層9の内周には例えばこの
内周に沿って螺旋状に形成された抵抗発熱体(ヒータ)
10が支持体19を介して設けられている。上記断熱層
9の外周はアウターシェル11で覆われ、このアウター
シェル11の外周には水冷ジャケット12が設けられて
いる。
【0003】そして、上記抵抗発熱体10の温度を管理
する目的で、上記断熱層9には絶縁保護管20の先端に
熱電対(図示省略)を有する温度測定子22が外側から
半径方向内方すなわち炉心方向に挿通されている。上記
温度測定子22の基部側は金属製例えばアルミニウム製
の保持体28を介して水冷ジャケット12に固定され、
温度測定子22の先端部は熱処理室と干渉しない範囲で
断熱層9から抵抗発熱体10を越えて炉心方向へ延出さ
れている。
する目的で、上記断熱層9には絶縁保護管20の先端に
熱電対(図示省略)を有する温度測定子22が外側から
半径方向内方すなわち炉心方向に挿通されている。上記
温度測定子22の基部側は金属製例えばアルミニウム製
の保持体28を介して水冷ジャケット12に固定され、
温度測定子22の先端部は熱処理室と干渉しない範囲で
断熱層9から抵抗発熱体10を越えて炉心方向へ延出さ
れている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記縦
型熱処理装置においては、上記温度測定子の取付構成に
起因して、温度測定子により測定(検出)した温度と抵
抗発熱体の実際の温度との間に多少の誤差があると共
に、今一つ応答性及び再現性に欠け、温度管理が難しい
という問題があった。これは、第一に温度測定子の先端
部が抵抗発熱体から離れて配置されていること、第二に
断熱層による温度測定子の断熱範囲が少ないこと、第三
に温度測定子が水冷ジャケットを貫通していてその部分
からの放熱が大きいこと、第四に温度測定子の支持体が
金属製で熱伝導率が高くその部分からの放熱があること
等に起因しているものと考えられる。
型熱処理装置においては、上記温度測定子の取付構成に
起因して、温度測定子により測定(検出)した温度と抵
抗発熱体の実際の温度との間に多少の誤差があると共
に、今一つ応答性及び再現性に欠け、温度管理が難しい
という問題があった。これは、第一に温度測定子の先端
部が抵抗発熱体から離れて配置されていること、第二に
断熱層による温度測定子の断熱範囲が少ないこと、第三
に温度測定子が水冷ジャケットを貫通していてその部分
からの放熱が大きいこと、第四に温度測定子の支持体が
金属製で熱伝導率が高くその部分からの放熱があること
等に起因しているものと考えられる。
【0005】そこで、本発明の目的は、抵抗発熱体と温
度測定子の温度誤差を減少させると共に応答性及び再現
性の向上を図り、温度管理を容易にした縦型熱処理装置
を提供することにある。
度測定子の温度誤差を減少させると共に応答性及び再現
性の向上を図り、温度管理を容易にした縦型熱処理装置
を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に請求項1記載の縦型熱処理装置は、被処理体を収容し
て熱処理する縦型の処理室の周囲を囲むように筒状の断
熱層を設け、この断熱層の内周に抵抗発熱体を設けてな
る縦型熱処理装置において、上記抵抗発熱体の温度を管
理するために、絶縁保護管の先端に熱電対を有する温度
測定子が先端側を上記抵抗発熱体の上面若しくは下面に
接触してその長手方向に添わせるべく抵抗発熱体の接線
方向から上記断熱層に挿通されて設けられていることを
特徴とする。
に請求項1記載の縦型熱処理装置は、被処理体を収容し
て熱処理する縦型の処理室の周囲を囲むように筒状の断
熱層を設け、この断熱層の内周に抵抗発熱体を設けてな
る縦型熱処理装置において、上記抵抗発熱体の温度を管
理するために、絶縁保護管の先端に熱電対を有する温度
測定子が先端側を上記抵抗発熱体の上面若しくは下面に
接触してその長手方向に添わせるべく抵抗発熱体の接線
方向から上記断熱層に挿通されて設けられていることを
特徴とする。
【0007】
【0008】請求項2記載の縦型熱処理装置は、上記断
熱層の外周を覆うアウターシェルに開口部が形成される
と共にこの開口部を覆うように断熱材が充填されたアー
チ状のガイド体が設けられ、このガイド体に上記温度測
定子の基部側が樹脂製の保持体を介して角度調整可能に
設けられていることを特徴とする。
熱層の外周を覆うアウターシェルに開口部が形成される
と共にこの開口部を覆うように断熱材が充填されたアー
チ状のガイド体が設けられ、このガイド体に上記温度測
定子の基部側が樹脂製の保持体を介して角度調整可能に
設けられていることを特徴とする。
【0009】
【作用】請求項1記載の縦型熱処理装置においては、絶
縁保護管の先端に熱電対を有する温度測定子が先端側を
上記抵抗発熱体の上面若しくは下面に接触してその長手
方向に添わせるべく抵抗発熱体の接線方向から上記断熱
層に挿通されて設けられているため、温度測定子の先端
側の抵抗発熱体と重なる範囲及び断熱層による温度測定
子の断熱範囲を大きくとることができ、温度測定子から
の放熱を十分に抑制することが可能となると共に抵抗発
熱体と温度測定子の温度誤差を十分に減少させることが
可能となる。これにより、温度測定子による測定精度の
向上が図れると共に応答性及び再現性の向上が図れ、縦
型熱処理装置の温度管理が容易になる。
縁保護管の先端に熱電対を有する温度測定子が先端側を
上記抵抗発熱体の上面若しくは下面に接触してその長手
方向に添わせるべく抵抗発熱体の接線方向から上記断熱
層に挿通されて設けられているため、温度測定子の先端
側の抵抗発熱体と重なる範囲及び断熱層による温度測定
子の断熱範囲を大きくとることができ、温度測定子から
の放熱を十分に抑制することが可能となると共に抵抗発
熱体と温度測定子の温度誤差を十分に減少させることが
可能となる。これにより、温度測定子による測定精度の
向上が図れると共に応答性及び再現性の向上が図れ、縦
型熱処理装置の温度管理が容易になる。
【0010】
【0011】請求項2記載の縦型熱処理装置において
は、上記断熱層の外周を覆うアウターシェルに開口部が
形成されると共にこの開口部を覆うように断熱材が充填
されたアーチ状のガイド体が設けられ、このガイド体に
上記温度測定子の基部側が樹脂製の保持体を介して角度
調整可能に設けられているため、上記温度測定子の基部
側からの放熱を更に抑制することが可能となると共に温
度測定子を抵抗発熱体に添わせて配設する際の温度測定
子の角度調整を容易に行うことが可能になる。
は、上記断熱層の外周を覆うアウターシェルに開口部が
形成されると共にこの開口部を覆うように断熱材が充填
されたアーチ状のガイド体が設けられ、このガイド体に
上記温度測定子の基部側が樹脂製の保持体を介して角度
調整可能に設けられているため、上記温度測定子の基部
側からの放熱を更に抑制することが可能となると共に温
度測定子を抵抗発熱体に添わせて配設する際の温度測定
子の角度調整を容易に行うことが可能になる。
【0012】
【実施例】以下に、本発明の一実施例を添付図面に基づ
いて詳述する。図1ないし図2において、1は被処理体
である半導体ウエハWに減圧CVDによる成膜処理を施
すのに適するように構成された縦型熱処理装置であり、
この縦型熱処理装置1は円形の開口部2aを有する例え
ばステンレススチール製のベースプレート2を水平に備
えている。
いて詳述する。図1ないし図2において、1は被処理体
である半導体ウエハWに減圧CVDによる成膜処理を施
すのに適するように構成された縦型熱処理装置であり、
この縦型熱処理装置1は円形の開口部2aを有する例え
ばステンレススチール製のベースプレート2を水平に備
えている。
【0013】このベースプレート2の下部には耐熱性金
属例えばステンレススチール製の短い筒状のマニホール
ド3が前記開口部2aと軸心を一致させてボルト止めに
より着脱可能に取付けられ、このマニホールド3上には
縦型の熱処理室を形成する耐熱材例えば石英製の上端の
閉塞された円筒状のプロセスチューブ4がOリング5を
介して取付けられている。本実施例のプロセスチューブ
4は、内側に上下両端の開放された石英製の内管6を同
心状に配置して二重管構造になっているが、内管6を有
しないもの、或いはプロセスチューブ4の外側に例えば
炭化ケイ素(SiC)製の均熱管を配置したものであっ
てもよい。
属例えばステンレススチール製の短い筒状のマニホール
ド3が前記開口部2aと軸心を一致させてボルト止めに
より着脱可能に取付けられ、このマニホールド3上には
縦型の熱処理室を形成する耐熱材例えば石英製の上端の
閉塞された円筒状のプロセスチューブ4がOリング5を
介して取付けられている。本実施例のプロセスチューブ
4は、内側に上下両端の開放された石英製の内管6を同
心状に配置して二重管構造になっているが、内管6を有
しないもの、或いはプロセスチューブ4の外側に例えば
炭化ケイ素(SiC)製の均熱管を配置したものであっ
てもよい。
【0014】上記マニホールド3にはプロセスチューブ
4内に図示しない処理ガス供給源からの処理ガスを導入
するための複数の入口ポート7と、プロセスチューブ4
内を図示しない減圧手段により排気して例えば10〜1
0-8Torr程度に真空引きするための出口ポート8が
設けられている。前記プロセスチューブ4の周囲には例
えばセラミックファイバなどの断熱材からなる上端の閉
塞された円筒状の断熱層9が設けられ、この断熱層9の
内周にはプロセスチューブ4内を高温例えば800〜1
200℃程度に加熱するヒータとして後述する抵抗発熱
体10が設けられている。上記断熱層9の外周は例えば
ステンレススチール製のアウターシェル11で覆われ、
このアウターシェル11の外周には水冷ジャケット12
が設けられ、この水冷ジャケットを含む上記断熱層は上
記ベースプレート2上に支持されている。
4内に図示しない処理ガス供給源からの処理ガスを導入
するための複数の入口ポート7と、プロセスチューブ4
内を図示しない減圧手段により排気して例えば10〜1
0-8Torr程度に真空引きするための出口ポート8が
設けられている。前記プロセスチューブ4の周囲には例
えばセラミックファイバなどの断熱材からなる上端の閉
塞された円筒状の断熱層9が設けられ、この断熱層9の
内周にはプロセスチューブ4内を高温例えば800〜1
200℃程度に加熱するヒータとして後述する抵抗発熱
体10が設けられている。上記断熱層9の外周は例えば
ステンレススチール製のアウターシェル11で覆われ、
このアウターシェル11の外周には水冷ジャケット12
が設けられ、この水冷ジャケットを含む上記断熱層は上
記ベースプレート2上に支持されている。
【0015】前記マニホールド3の下方にはその下面開
口(炉口)を開閉する例えばステンレススチール製の蓋
体13がローディング機構としての昇降機構14により
昇降可能に設けられ、この蓋体13上には多数枚例えば
150枚程度の半導体ウエハWを水平状態で上下方向に
間隔をおいて多段に保持する例えば石英製のウエハボー
ト15が同じ石英製の保温筒16を介して載置されてい
る。なお、蓋体13には保温筒16を回転駆動する回転
機構17等が設けられている。
口(炉口)を開閉する例えばステンレススチール製の蓋
体13がローディング機構としての昇降機構14により
昇降可能に設けられ、この蓋体13上には多数枚例えば
150枚程度の半導体ウエハWを水平状態で上下方向に
間隔をおいて多段に保持する例えば石英製のウエハボー
ト15が同じ石英製の保温筒16を介して載置されてい
る。なお、蓋体13には保温筒16を回転駆動する回転
機構17等が設けられている。
【0016】上記抵抗発熱体10は、例えば鉄(F
e)、クロム(Cr)及びアルミニウム(Al)の合金
線であるカンタル線からなり、その太さは熱処理炉1の
仕様によっても異なるが、本実施例では例えば直径が
3.5mmのものが用いられている。この抵抗発熱体1
0は、前記断熱層9の内壁面に沿って所要のピッチで螺
旋状に形成されており、この螺旋状の抵抗発熱体10に
は前記断熱層9を貫通して外部に延出された電極接続用
の端子板18が断熱層9の軸方向に適宜間隔で設けられ
ている。これにより、炉内を上下方向に複数のゾーン例
えば5ゾーンに分けて後述の温度測定子による温度測定
値をフィードバックしながら制御装置による温度制御が
できるように構成されている。
e)、クロム(Cr)及びアルミニウム(Al)の合金
線であるカンタル線からなり、その太さは熱処理炉1の
仕様によっても異なるが、本実施例では例えば直径が
3.5mmのものが用いられている。この抵抗発熱体1
0は、前記断熱層9の内壁面に沿って所要のピッチで螺
旋状に形成されており、この螺旋状の抵抗発熱体10に
は前記断熱層9を貫通して外部に延出された電極接続用
の端子板18が断熱層9の軸方向に適宜間隔で設けられ
ている。これにより、炉内を上下方向に複数のゾーン例
えば5ゾーンに分けて後述の温度測定子による温度測定
値をフィードバックしながら制御装置による温度制御が
できるように構成されている。
【0017】また、上記抵抗発熱体10は、断熱層9の
内壁にその軸方向に沿うと共に周方向に適宜間隔で設け
られた耐熱性及び絶縁性を有する材料例えばセラミック
からなる支持体(セパレータ)19を介して前記断熱層
9の内壁面から所要の隙間を隔てて取付けられている。
この支持体19は図6に示すように断熱層9の軸方向に
複数に分割されており、各支持体19は抵抗発熱体10
の内側に位置される基部19aから抵抗発熱体10の隣
り合うピッチ間を通って径方向外方へ延出する複数本
(実施例では4本)の支持片19b,19cを有するい
わゆる櫛歯状に形成されている。上記支持片19b,1
9cの先端部が断熱層9中に埋設支持される際の支持強
度を得るために、実施例では隣り合うもの同士の長さが
異なるように長さの長い支持片19bと短い支持片19
cが交互に形成されると共に、長い支持片19bの先端
部には断熱層9からの抜け止めのための図示しない突起
が形成されている。
内壁にその軸方向に沿うと共に周方向に適宜間隔で設け
られた耐熱性及び絶縁性を有する材料例えばセラミック
からなる支持体(セパレータ)19を介して前記断熱層
9の内壁面から所要の隙間を隔てて取付けられている。
この支持体19は図6に示すように断熱層9の軸方向に
複数に分割されており、各支持体19は抵抗発熱体10
の内側に位置される基部19aから抵抗発熱体10の隣
り合うピッチ間を通って径方向外方へ延出する複数本
(実施例では4本)の支持片19b,19cを有するい
わゆる櫛歯状に形成されている。上記支持片19b,1
9cの先端部が断熱層9中に埋設支持される際の支持強
度を得るために、実施例では隣り合うもの同士の長さが
異なるように長さの長い支持片19bと短い支持片19
cが交互に形成されると共に、長い支持片19bの先端
部には断熱層9からの抜け止めのための図示しない突起
が形成されている。
【0018】そして、上記抵抗発熱体10の温度を管理
するために、耐熱性及び絶縁性を有する絶縁保護管20
の先端に熱電対21を有する温度測定子22が断熱層9
に外側から挿通されると共に温度測定子22の先端側を
抵抗発熱体10に添わせるようにして各ゾーン毎に設け
られている。上記絶縁保護管20は、図5に示すように
例えばアルミナセラミックにより棒状に形成されると共
に内部に軸方向に沿って熱電対素線21aを挿通するた
めの複数例えば4本の挿通孔23が形成されている。ま
た、上記絶縁保護管20の先端部には2個の熱電対21
が設けられ、これらの熱電対素線21aは絶縁保護管2
0の挿通孔23を通って基端部まで導かれた後、補償導
線24を介して図示しない制御装置の入力端子に接続さ
れている。本実施例の絶縁保護管20は、直径が2.8
mmの断面円形のものが採用されているが、直径及び断
面形状はこれに限定されるものではなく、断面形状とし
ては楕円、多角形等であってもよい。
するために、耐熱性及び絶縁性を有する絶縁保護管20
の先端に熱電対21を有する温度測定子22が断熱層9
に外側から挿通されると共に温度測定子22の先端側を
抵抗発熱体10に添わせるようにして各ゾーン毎に設け
られている。上記絶縁保護管20は、図5に示すように
例えばアルミナセラミックにより棒状に形成されると共
に内部に軸方向に沿って熱電対素線21aを挿通するた
めの複数例えば4本の挿通孔23が形成されている。ま
た、上記絶縁保護管20の先端部には2個の熱電対21
が設けられ、これらの熱電対素線21aは絶縁保護管2
0の挿通孔23を通って基端部まで導かれた後、補償導
線24を介して図示しない制御装置の入力端子に接続さ
れている。本実施例の絶縁保護管20は、直径が2.8
mmの断面円形のものが採用されているが、直径及び断
面形状はこれに限定されるものではなく、断面形状とし
ては楕円、多角形等であってもよい。
【0019】このように構成された温度測定子22は、
先端側を抵抗発熱体10の上面若しくは下面に長手方向
に添わせるべくその接線方向から断熱層9を貫通して設
けられ、先端部(熱電対21を除く絶縁保護管20部
分)が抵抗発熱体10に接触させられている。また、こ
のように温度測定子22を取付けるために、図3ないし
図4に示すように上記断熱層9の外周を覆うアウターシ
ェル11には開口部25が形成されると共にこの開口部
25を覆うように例えばセラミックファイバからなる断
熱材26が充填されたアーチ状の例えばステンレススチ
ール製のガイド体27が設けられ、このガイド体27に
上記温度測定子22の基部側が樹脂製の保持体28を介
して角度調整可能に設けられている。
先端側を抵抗発熱体10の上面若しくは下面に長手方向
に添わせるべくその接線方向から断熱層9を貫通して設
けられ、先端部(熱電対21を除く絶縁保護管20部
分)が抵抗発熱体10に接触させられている。また、こ
のように温度測定子22を取付けるために、図3ないし
図4に示すように上記断熱層9の外周を覆うアウターシ
ェル11には開口部25が形成されると共にこの開口部
25を覆うように例えばセラミックファイバからなる断
熱材26が充填されたアーチ状の例えばステンレススチ
ール製のガイド体27が設けられ、このガイド体27に
上記温度測定子22の基部側が樹脂製の保持体28を介
して角度調整可能に設けられている。
【0020】上記ガイド体27は、左右両側部に上下方
向の長穴29を有し、これら長穴29に通したネジ30
でアウターシェル11の外面に上下方向の位置調整可能
に取付けられている。また、上記ガイド体27にはアウ
ターシェル11の開口部25に対応するように実施例で
は上下2つの窓31が形成されると共に、上縁部及び下
縁部に水平のガイドスリット32が形成されている。上
記保持体28は合成樹脂である例えば熱伝導性の比較的
低いPEEK(ポリエーテルエーテルケトン)材により
直方体のブロック状に形成され、断面L字状の保持板3
3にネジ34及びナット35により着脱可能に取付けら
れている。
向の長穴29を有し、これら長穴29に通したネジ30
でアウターシェル11の外面に上下方向の位置調整可能
に取付けられている。また、上記ガイド体27にはアウ
ターシェル11の開口部25に対応するように実施例で
は上下2つの窓31が形成されると共に、上縁部及び下
縁部に水平のガイドスリット32が形成されている。上
記保持体28は合成樹脂である例えば熱伝導性の比較的
低いPEEK(ポリエーテルエーテルケトン)材により
直方体のブロック状に形成され、断面L字状の保持板3
3にネジ34及びナット35により着脱可能に取付けら
れている。
【0021】上記保持板33は上下両端部に上記ガイド
体27の上縁部及び下縁部を抱える断面U字状のアーム
33aを有し、これらアーム33aをガイドスリット3
2に通したネジ36でガイド体27の上縁部及び下縁部
に絞め付けることにより所定の範囲θで水平移動による
角度調整可能に取付けられている。また、上記保持体2
8には上記温度測定子22の基部側をほぼ水平に挿通支
持するための軸孔37が上記窓31に対応して実施例で
は2つ形成され、これら軸孔37に挿通された温度測定
子22の基部側が止めネジ38で固定されている。な
お、これらガイド体27や保持体28等が水冷ジャケッ
ト12と干渉しないようにするために、水冷ジャケット
12には切欠部39が設けられている。また、上記温度
測定子22は抵抗発熱体10の支持体19との干渉を避
けるために長さの短い支持片19cの近傍を挿通するよ
うに設定されている。
体27の上縁部及び下縁部を抱える断面U字状のアーム
33aを有し、これらアーム33aをガイドスリット3
2に通したネジ36でガイド体27の上縁部及び下縁部
に絞め付けることにより所定の範囲θで水平移動による
角度調整可能に取付けられている。また、上記保持体2
8には上記温度測定子22の基部側をほぼ水平に挿通支
持するための軸孔37が上記窓31に対応して実施例で
は2つ形成され、これら軸孔37に挿通された温度測定
子22の基部側が止めネジ38で固定されている。な
お、これらガイド体27や保持体28等が水冷ジャケッ
ト12と干渉しないようにするために、水冷ジャケット
12には切欠部39が設けられている。また、上記温度
測定子22は抵抗発熱体10の支持体19との干渉を避
けるために長さの短い支持片19cの近傍を挿通するよ
うに設定されている。
【0022】以上のように構成された縦型熱処理炉1に
よれば、絶縁保護管20の先端に熱電対21を有する温
度測定子22を断熱層9に外側から挿通させると共に温
度測定子22の先端側を抵抗発熱体10に添わせている
ため、温度測定子22からの放熱を抑制することが可能
となると共に抵抗発熱体10と温度測定子22の温度誤
差を減少させることが可能となる。これにより、温度測
定子22による測定精度の向上が図れると共に応答性及
び再現性の向上が図れ、縦型熱処理装置1の温度管理が
容易になる。
よれば、絶縁保護管20の先端に熱電対21を有する温
度測定子22を断熱層9に外側から挿通させると共に温
度測定子22の先端側を抵抗発熱体10に添わせている
ため、温度測定子22からの放熱を抑制することが可能
となると共に抵抗発熱体10と温度測定子22の温度誤
差を減少させることが可能となる。これにより、温度測
定子22による測定精度の向上が図れると共に応答性及
び再現性の向上が図れ、縦型熱処理装置1の温度管理が
容易になる。
【0023】すなわち、図1に示すように温度測定子2
2を抵抗発熱体10の接線方向から断熱層9に斜めに挿
通させて配置したことにより、温度測定子22の先端側
の抵抗発熱体10と重なる範囲E及び断熱層9による温
度測定子22の断熱範囲Fを大きく取ることができ、温
度測定子22からの放熱を十分に抑制することが可能と
なると共に抵抗発熱体10と温度測定子22の温度誤差
を十分に減少させることが可能となった。また、温度測
定子22の直径を2.8mmと小さくしたので、更に応
答性の向上が図れた。
2を抵抗発熱体10の接線方向から断熱層9に斜めに挿
通させて配置したことにより、温度測定子22の先端側
の抵抗発熱体10と重なる範囲E及び断熱層9による温
度測定子22の断熱範囲Fを大きく取ることができ、温
度測定子22からの放熱を十分に抑制することが可能と
なると共に抵抗発熱体10と温度測定子22の温度誤差
を十分に減少させることが可能となった。また、温度測
定子22の直径を2.8mmと小さくしたので、更に応
答性の向上が図れた。
【0024】また、上記絶縁保護管20の先端部が上記
抵抗発熱体10に接触しているため、更に測定精度の向
上並びに応答性及び再現性の向上が図れる。更に、上記
断熱層9の外周を覆うアウターシェル11に開口部25
が形成されると共にこの開口部25を覆うように断熱材
26が充填されたアーチ状のガイド体27が設けられ、
このガイド体27に上記温度測定子22の基部側が熱伝
導性の低いPEEK材からなる保持体28を介して角度
調整可能に設けられているため、上記温度測定子22の
基部側からの放熱を更に抑制することが可能となると共
に温度測定子22を抵抗発熱体10に添わせて配設する
際の温度測定子22の角度調整を容易に行うことが可能
になる。
抵抗発熱体10に接触しているため、更に測定精度の向
上並びに応答性及び再現性の向上が図れる。更に、上記
断熱層9の外周を覆うアウターシェル11に開口部25
が形成されると共にこの開口部25を覆うように断熱材
26が充填されたアーチ状のガイド体27が設けられ、
このガイド体27に上記温度測定子22の基部側が熱伝
導性の低いPEEK材からなる保持体28を介して角度
調整可能に設けられているため、上記温度測定子22の
基部側からの放熱を更に抑制することが可能となると共
に温度測定子22を抵抗発熱体10に添わせて配設する
際の温度測定子22の角度調整を容易に行うことが可能
になる。
【0025】なお、本発明は、前記実施例に限定される
ものではなく、本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施
が可能である。例えば、実施例の抵抗発熱体10は、線
状のものが採用されているが、これ以外に例えば帯状の
もの、或いはコイル状のものが採用可能である。また、
上記抵抗発熱体10は必ずしも断熱層9の内壁の周方向
に沿って螺旋状に形成されている必要はなく、例えば断
熱層9の内壁の軸方向に沿って往復しつつ周方向に蛇行
状に形成されていてもよい。
ものではなく、本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施
が可能である。例えば、実施例の抵抗発熱体10は、線
状のものが採用されているが、これ以外に例えば帯状の
もの、或いはコイル状のものが採用可能である。また、
上記抵抗発熱体10は必ずしも断熱層9の内壁の周方向
に沿って螺旋状に形成されている必要はなく、例えば断
熱層9の内壁の軸方向に沿って往復しつつ周方向に蛇行
状に形成されていてもよい。
【0026】また、温度測定子22の先端部は必ずしも
抵抗発熱体10に接触している必要はなく、抵抗発熱体
10に近接して添わせていれば、非接触であってもよ
い。更に、本発明が適用される縦型熱処理装置によって
熱処理される被処理体としては、半導体ウエハW以外
に、例えばLCD基板等が適用可能である。また、本発
明が適用される縦型熱処理装置としては、減圧CVD以
外に、例えば酸化、拡散、アニール等の処理に適するも
のであってもよい。
抵抗発熱体10に接触している必要はなく、抵抗発熱体
10に近接して添わせていれば、非接触であってもよ
い。更に、本発明が適用される縦型熱処理装置によって
熱処理される被処理体としては、半導体ウエハW以外
に、例えばLCD基板等が適用可能である。また、本発
明が適用される縦型熱処理装置としては、減圧CVD以
外に、例えば酸化、拡散、アニール等の処理に適するも
のであってもよい。
【0027】
【発明の効果】以上要するに本発明によれば、次のよう
な優れた効果が得られる。
な優れた効果が得られる。
【0028】(1)請求項1記載の縦型熱処理装置によ
れば、絶縁保護管の先端に熱電対を有する温度測定子が
先端側を上記抵抗発熱体の上面若しくは下面に接触して
その長手方向に添わせるべく抵抗発熱体の接線方向から
上記断熱層に挿通されて設けられているため、温度測定
子の先端側の抵抗発熱体と重なる範囲及び断熱層による
温度測定子の断熱範囲を大きくとることができ、温度測
定子からの放熱を十分に抑制することが可能となると共
に抵抗発熱体と温度測定子の温度誤差を十分に減少させ
ることが可能となる。これにより、温度測定子による測
定精度の向上が図れると共に応答性及び再現性の向上が
図れ、縦型熱処理装置の温度管理が容易になる。
れば、絶縁保護管の先端に熱電対を有する温度測定子が
先端側を上記抵抗発熱体の上面若しくは下面に接触して
その長手方向に添わせるべく抵抗発熱体の接線方向から
上記断熱層に挿通されて設けられているため、温度測定
子の先端側の抵抗発熱体と重なる範囲及び断熱層による
温度測定子の断熱範囲を大きくとることができ、温度測
定子からの放熱を十分に抑制することが可能となると共
に抵抗発熱体と温度測定子の温度誤差を十分に減少させ
ることが可能となる。これにより、温度測定子による測
定精度の向上が図れると共に応答性及び再現性の向上が
図れ、縦型熱処理装置の温度管理が容易になる。
【0029】
【0030】(2)請求項2記載の縦型熱処理装置によ
れば、上記断熱層の外周を覆うアウターシェルに開口部
が形成されると共にこの開口部を覆うように断熱材が充
填されたアーチ状のガイド体が設けられ、このガイド体
に上記温度測定子の基部側が樹脂製の保持体を介して角
度調整可能に設けられているため、上記温度測定子の基
部側からの放熱を更に抑制することが可能となると共に
温度測定子を抵抗発熱体に添わせて配設する際の温度測
定子の角度調整を容易に行うことができる。
れば、上記断熱層の外周を覆うアウターシェルに開口部
が形成されると共にこの開口部を覆うように断熱材が充
填されたアーチ状のガイド体が設けられ、このガイド体
に上記温度測定子の基部側が樹脂製の保持体を介して角
度調整可能に設けられているため、上記温度測定子の基
部側からの放熱を更に抑制することが可能となると共に
温度測定子を抵抗発熱体に添わせて配設する際の温度測
定子の角度調整を容易に行うことができる。
【図1】本発明の一実施例を示す縦型熱処理装置の一部
省略横断面図である。
省略横断面図である。
【図2】図1の縦型熱処理装置の全体的構成を概略的に
示す縦断面である。
示す縦断面である。
【図3】図1のA部拡大断面図である。
【図4】図1のA部を正面から見た拡大正面図である。
【図5】抵抗発熱体に添わせて設けられた温度測定子の
先端側を示す斜視図である。
先端側を示す斜視図である。
【図6】温度測定子が挿通された断熱層部分を示す断面
図である。
図である。
【図7】従来の縦型熱処理装置の部分的横断面図であ
る。
る。
1 縦型熱処理装置
W 半導体ウエハ(被処理体)
4 プロセスチューブ(熱処理室)
9 断熱層
10 抵抗発熱体
11 アウターシェル
20 絶縁保護管
21 熱電対
22 温度測定子
26 断熱材
27 ガイド体
28 保持体
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 FI
H01L 21/205 H01L 21/205
21/31 21/31 E
(56)参考文献 特開 平4−171920(JP,A)
特開 平1−239842(JP,A)
特開 平7−77389(JP,A)
実開 昭57−118337(JP,U)
(58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名)
H01L 21/22
H01L 21/205
Claims (2)
- 【請求項1】 被処理体を収容して熱処理する縦型の処
理室の周囲を囲むように筒状の断熱層を設け、この断熱
層の内周に抵抗発熱体を設けてなる縦型熱処理装置にお
いて、上記抵抗発熱体の温度を管理するために、絶縁保
護管の先端に熱電対を有する温度測定子が先端側を上記
抵抗発熱体の上面若しくは下面に接触してその長手方向
に添わせるべく抵抗発熱体の接線方向から上記断熱層に
挿通されて設けられていることを特徴とする縦型熱処理
装置。 - 【請求項2】 上記断熱層の外周を覆うアウターシェル
に開口部が形成されると共にこの開口部を覆うように断
熱材が充填されたアーチ状のガイド体が設けられ、この
ガイド体に上記温度測定子の基部側が樹脂製の保持体を
介して角度調整可能に設けられていることを特徴とする
請求項1記載の縦型熱処理装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29794794A JP3471100B2 (ja) | 1994-11-07 | 1994-11-07 | 縦型熱処理装置 |
US08/552,587 US5676869A (en) | 1994-11-07 | 1995-11-03 | Vertical heat treatment apparatus |
KR1019950040030A KR100366395B1 (ko) | 1994-11-07 | 1995-11-07 | 종형열처리장치 |
TW087219357U TW438051U (en) | 1994-11-07 | 1995-11-17 | Vertical heat processing device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29794794A JP3471100B2 (ja) | 1994-11-07 | 1994-11-07 | 縦型熱処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08139045A JPH08139045A (ja) | 1996-05-31 |
JP3471100B2 true JP3471100B2 (ja) | 2003-11-25 |
Family
ID=17853155
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP29794794A Expired - Fee Related JP3471100B2 (ja) | 1994-11-07 | 1994-11-07 | 縦型熱処理装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5676869A (ja) |
JP (1) | JP3471100B2 (ja) |
KR (1) | KR100366395B1 (ja) |
TW (1) | TW438051U (ja) |
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---|---|---|---|---|
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US6005225A (en) * | 1997-03-28 | 1999-12-21 | Silicon Valley Group, Inc. | Thermal processing apparatus |
US6059567A (en) * | 1998-02-10 | 2000-05-09 | Silicon Valley Group, Inc. | Semiconductor thermal processor with recirculating heater exhaust cooling system |
US6139627A (en) * | 1998-09-21 | 2000-10-31 | The University Of Akron | Transparent multi-zone crystal growth furnace and method for controlling the same |
US6198075B1 (en) * | 1998-11-25 | 2001-03-06 | Yield Engineering Systems, Inc. | Rapid heating and cooling vacuum oven |
US6168427B1 (en) * | 1999-10-05 | 2001-01-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Apparatus for guiding the removal of a processing tube from a semiconductor furnace |
JP3479020B2 (ja) * | 2000-01-28 | 2003-12-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置 |
JP4365017B2 (ja) * | 2000-08-23 | 2009-11-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置の降温レート制御方法および熱処理装置 |
JP2006284077A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Kumamoto Technology & Industry Foundation | 熱輻射反射炉 |
JP4907937B2 (ja) | 2005-09-26 | 2012-04-04 | 株式会社日立国際電気 | 断熱壁体、発熱体の保持構造体、加熱装置および基板処理装置 |
KR101012082B1 (ko) * | 2007-06-25 | 2011-02-07 | 데이또꾸샤 가부시키가이샤 | 가열 장치 및 이것을 채용한 기판 처리 장치 및 반도체장치의 제조 방법 및 절연체 |
JP5096182B2 (ja) * | 2008-01-31 | 2012-12-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理炉 |
JP2012080080A (ja) * | 2010-09-07 | 2012-04-19 | Tokyo Electron Ltd | 縦型熱処理装置及びその制御方法 |
JP5733399B2 (ja) * | 2011-08-09 | 2015-06-10 | 東横化学株式会社 | 熱処理装置 |
US8932945B2 (en) * | 2012-07-09 | 2015-01-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Wafer alignment system and method |
JP6080451B2 (ja) | 2012-09-25 | 2017-02-15 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、及び熱電対支持体 |
US10264629B2 (en) * | 2013-05-30 | 2019-04-16 | Osram Sylvania Inc. | Infrared heat lamp assembly |
KR101695421B1 (ko) * | 2016-07-04 | 2017-01-11 | 서원농업협동조합 | 생감자 스프 분말의 제조방법 및 이를 이용한 즉석 생감자 스프용 분말 |
CN110574150B (zh) * | 2017-05-01 | 2023-09-19 | 应用材料公司 | 具有真空隔离和预处理环境的高压退火腔室 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5115835A (ja) * | 1974-07-31 | 1976-02-07 | Kokusai Electric Co Ltd | |
US4123989A (en) * | 1977-09-12 | 1978-11-07 | Mobil Tyco Solar Energy Corp. | Manufacture of silicon on the inside of a tube |
JPS5589464A (en) * | 1978-12-26 | 1980-07-07 | Nec Corp | Diffusion furnace temperature controller |
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